JPS6038971A - 2値画像の画素密度変換方法 - Google Patents

2値画像の画素密度変換方法

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JPS6038971A
JPS6038971A JP58146583A JP14658383A JPS6038971A JP S6038971 A JPS6038971 A JP S6038971A JP 58146583 A JP58146583 A JP 58146583A JP 14658383 A JP14658383 A JP 14658383A JP S6038971 A JPS6038971 A JP S6038971A
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Tetsuji Miyata
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 るものである。
(従来技術) 従来、密度比(倍率に対応)が任意の画素密度変換方法
として、5PC(5elective process
ing convertjon)法や9分割法などがあ
る。spc法は変換画素に最も近い原画素を選択してそ
の値を変換画素の値とする方法で、欠点として低密度変
換(縮小に対応)で黒画素のぬけが生じやすい。9分割
法は第1図に示すように原画素A、B、C,Dと変換画
素Rの位置関係において、パラメータα、βを α−1−!−11,β= 1’−11 q に設定して変換画素Rの位置r1+r・が第1表の東件
を満たすところの論理和演算式で変換画素Rの値を決定
する方法である。但し、pは主走査方向1の変換密度比
であり、qは副走査方向Jの変換密度比である。
第1表 但し、第1表においてr r + rJは原画像の画素
間隔を1として原画像情報の座標系で規格化した値であ
り、しかも4個の画素A、B、C,Dが作る空間内の座
標値であり、またa、b、c、dはそれぞれ画素A、B
、C,0の2値情報である。9分割法の欠点は、低密度
変換で画素のぬけを除くために、必要以上に黒画素を優
先し、画像が広がってぐずれが発生しやすくなっている
ことと、高密度変換においても黒画素を優先しているこ
とである。
(発明の目的と構成) 本発明の目的は、低密度変換でspc法の黒画素のぬけ
が発生ずる欠点と、9分割法の黒画素優先で黒画像が不
必要に広がる欠点を除去するため、・ξラメータα、β
を、変換密度比p、qに従って、フくp、qく1 であ
るか、または1≦p、qであるかによって切シ変えるよ
うにし、これによって黒画素のぬけを防ぎ、必要最小の
黒画像の広がりとするようにしたものである。
すなわち、低密度変換(p、q<1)においては、規格
化された座標系において、・七うメータをα−−−1,
β−1,設定し、第1図に示した9分割p q 法と同様に前記の第1表に従って変換し、高密度変換(
p、q≧1)においてはノ9ラメータをα=0゜β−0
と設定し、前述のspc法と同様に最っとも近接した原
画素の値に変換し、これによって前述の目的を達成した
ものである。
また、本発明においては、パラメータα、βを切り換え
ることによって、条件に対応した画素情報a、b、c、
dの選択あるいは演算自体は第1表によることができる
ようになっており、従って、2つの密度比Tl+CIが
低高いずれの値をとるかによって決する4モード(p、
qが低低、低高、高低、高嵩)ともに、統一的処理がで
き、あるいは共通の回路構成によって実現できるように
なっているものである。以下詳細に説明する。
(発明の実施例) なお、規格化した座標系では説明が容易でないので、第
2図に示すように、原画像における画素間隔を主副共K
Nとし、変換画像の主走査方向(以下1方向という)画
素間隔をMlとし、副走査方向(以下J方向という)画
素間隔をM、として説明し、規格化された座標系を単に
N倍し/ζもので説明する。
また、本発明は、”<p、qで特に有用であるが、まず
、そのうちで低密度変換すなわちN<:M、(2Nにつ
いて説明し、しかもまずi方向について説明する。
まず、原画素と変換画素の位置関係には周即1性がある
。周期はNM、で、1周期内で、原画素M。
個と変換画素N個が対応する。
SPC法では、1周期内の原画素で、M、−Nイ固75
;選択されない画素となり、これ力;黒画素のぬけの原
因になっている。
本発明の本質は、SPC法で選択されないΔ11.−N
個の原画素を更に最も近い変換画素に害0り当て、1変
換画素に割り当てられた原画素間の君命理オロをとり、
その値を割り当てた変換画素の1直とする方法である。
したがって本発明による方法では原理的に黒画素のぬけ
が発生することはない。
N(M、<2Nの場合、1変換画素に害qり当てられる
原画素の数は1か2である。
1周期内の変換画素で、原画素力;2イ固害1]り当て
られる画素数はM、−N個、1個割り当てられる画素数
はN−(M、−N)=2N−M、である。
一方、第2図において、原画素A、B、C,Dと変換画
素Rの位置関係で、割り当て力Kl(固め・2イ固かを
めることができる。
そこで、ある原画素が両側の変換画素の中間にある場合
、原画素を左方の変換画素に割り当てると約束すると、
原画素AとCが変換画素R□よりRに近い条件は M(1) R1<ゴ で、一方、BとDがRr側よりR側へ割り当てられる条
件はN−R,>馬なので 2 R≧N−j−(2) である。等号は上記の約束による。
式(])と(2)が同時に満たす位置に変換画素がある
場合が割り当て数が2で、他が1となる。つまり0≦R
,<N−二 割り当て数1 h−ML<a、 <N+ML2 2−+ 2 N+ユ<R,(N L −1 となる。次K、J方向について、N<Mj≦2Nとする
と、1方向の場合と同様にして、 と々る。
上記6個の式イ【、・ぐラメータα1.β1に関し、β
−!−(M、−N) J2 J を使って表わすと、J方向について、 ゝ 割り当て数1 0≦R1<ソーα。
図−α1≦R1くフ+α、 rr N十α ≦R,<N ’ I となり、J方向(′こつ1/)ては、 0くRくN−β 割り当て数1 J2 J N−β、<R,<−+β、〃2 2、+−J2J N ヲ+β3≦R,,(N 割り当て数1 となる。
1方向と」方向とを組み合せると9通りの条件が考えら
れ、その条件に苅応する論理和演算式は第2表に表わさ
れている。
第 2 表 一力、M、 <Nの高密度変換では、i・方向について
説明すると次のようになる。この場合、1周期内の原画
素の数はMlで変換画素の数はNであるため、変換で黒
画素のぬけか発生することはない。
そこで9分割法では、・やラメータαをα=1−−11 と絶対値で定義して高密度変換に際しても黒画素を優先
し、不必要に黒画像を広けているのに対して、本発明の
・ぞラメータα、はα1−0と設定し、黒画素と白画素
を同等に扱う。j方向についても同様K p、=Q (
MJ<Nのとき)とする。とうすることによって、変換
画素Rは、通常の状態では、最も近接した1つの原画素
の2値情報をとるととになるので、黒画像が広がること
はない。
第3図は、本発明を汎用プロセッサで実現した実施例に
おける演算ステップを示すフローチャートである。第3
−1図を参照するに、ステ、fSPIにおいて、変換画
素RのJ方向の座標値R1を計算し、ステップSP2 
、SF3において、その座標値町と賛士β、なる予め設
定しである値とを比較し、ステップSP4〜SP6にお
いて、変換画素Rの1方向の座標値Rを計算し、ステッ
プSP7〜SP9において、近接4画素A、B、C−,
Dの2値情報a+’)+C+dをとり込み、ステップ5
p10〜5P15 において、座標値RとN+αなl 
2− す る予め設定しである値とを比較し、ステップ5P16〜
5P24 において、比較結果に応じたルー1・に予め
用意されている1又は複数の原画素A。
B、C,Dの2値情報a、b、c、dの論理和を変換画
素Rの2値情報rとして決定し、以上のステップをi方
向で繰り返し、更にJ方向で繰り返すことによって変換
画像情報を得る。第3−2図t/′i第3−1図におけ
るR3の計算ヌテソプSP7を示す70−チャートであ
り、ステップ5P30において、変換画素のJ方向座標
RJをJ方向の間隔Mjだけ増加し、ステップ5P31
において、新しいJ方向座標RJ、!:Nとを比較して
小さい場合はその座標値に決定し、大きい場合はステッ
プ0sP32において、Nだけ減じることによってJ方
向座標Rj を次の空間の値とし、ステップ33において、原画像の
j方向座標も1つ進める。第3−3図は第3−1図にお
けるRjの計算ステップSP4〜SP6を示すフローチ
ャートであり、ステラ7°5P40〜5P43によって
第3−2図の場合と同様にして決定する。
第4図は、本発明を専用回路で実現した実施例を示すブ
ロック図であり、やはり、変換比はμ以上で使用するも
のである。
1.2はセレクタ、3.4はアキュムレータ、5〜10
はコンパレータ、11はPLA (Programab
leLogic Array )である。
N、M、、Mjは変換比を指示する値で、Nは原画素の
間隔、M、、MJは変換画素の1方向、J方向の間隔に
相当し、!方向の変換比は顎2、J方向はN+β はシ
ステムゾロセッサ等の回路構成の外か3 ら与えられる。
a g b 1 e + dは着目変換画素Rに近接す
る原画素A、B、C,Dの値である。
R,ホールド、Rjホールド、主走査シフト、副走査シ
フトは制御信号で、CLKはクロ、り信号である。セレ
クタ1、アキュムレータ3、コンパレータ3でR,算出
部を構成し、セレクタ2、アキームレータ4、コンパレ
ータ6でR1算出部を構成する。
動作の説明をする。
R算出部は第3−2図のフローチャートを回路で構成し
たものである。副走査シフト信号はコンパレータ5の入
力R9とNの値がRj≧NのときH(ハイレベル)にな
るようにし、このとき、セレクタ1はNを入力する。ア
キームレータ3はCLK信号に同期して累積演算を行な
う。。
したがって、副走査シフト信号がHのとき、第3−2図
のヌテッ7’、?2のR3←RJ−Nの演算を行なう。
そして、副走査シフト信号は図示しないラインバッファ
等へ出力され、そこでラインバッファは副走査方向へ原
点Aを1画素移動させる。また副走査シフト信号はPL
A 71の出力を無視する制御にも用いる。
次に、ステップ5P3JのRj<Nになるとラインバッ
ファ信号はb(ローレベル)Kなす、変換画素の座標を
示ずR3の値がまる。このときセレクタ1はM、を選択
し、次のCLK信号でアキュムレコ ータ3の入力になる。
R1の算出部も同様な機能かあp、R,、R,の値から
、コン・ぐレータ7〜10で条件判断を行い、PLA 
11で条件を614だす論理演算式で変換画素をめる。
R,ホールドは主走査1ラインを変換している間、Hと
なり、ホールド状態になり、まだR,ホールドはR1を
算出する間I]でR,算出部をホールド状態にする制御
信号である。
以上は変換比が歿以上の場合について説明したが、本発
明はそれ以下に縮小する場合にも拡張できる。拡張する
場合は/3〜/4 、 ’/4〜115のような各変換
比(後述のm、nが異なる毎K)の範囲毎に個別の論理
和式を用意する必要があり、1/3〜1/4以外は実用
的意味はないけれども、一般的な場合の、(イ)α力と
β、の設定、(ロ)条件、(ハ)論理和式、について記
述すると、次のようになる。
(イ)C1,β、の設定 但し、m、nは任意の整数。
(o)条 件 条件1 0<Rj<、−β、 、 o<R,(−、−a
120<R,(−−β、 N−α、 <’R、<”−+
αj2 J’2 + 12 1 3 0≦RJ<7−β1.7+α1≦R1(N7 ]+
βj≦R,<N、0≦Rh < 2 a +’N N 条件8 N+β、<R,(N 、フロα、<R,<Σ+
α12 J J (ハ)論理和 この論理和式において、a・・lb”IC・、d はI
J IJ IJ +J 第5図の原画素AI J I Br jl C1jl 
DI Jに対応した2値情報である。
(1:) (2n 1.)N’CMj<2nN 、 (
2,m 2)N<M、≦(2m−1)Nの場合mn−1
m−1n−1,m n nrln7 ΣΣ ΣΣ ΣΣ
 ΣΣ nr+n−1m−1n−1m−1n m−+ n8 Σ
Σ ΣΣ ΣΣ ΣΣ mn−1m−1n−1mn−1m−1h−14ΣΣ Σ
Σ ΣΣ ΣΣ rrl−1n−1 m−1n−1m−1n−1m−1r
1−15 ΣΣ ΣΣ ΣΣ ΣΣ m−1n−1 mn−1m−In−1mn−1論理和式
6 ΣΣ ΣΣ ΣΣ ΣΣ mn−1m−1n−1m n m−1n7 ΣΣ ΣΣ
 ΣΣ ΣΣ m−1n−1 m1ni m−1n m118 ΣΣ 
ΣΣ ΣΣ ΣΣ GV) (2n −2)N<M、 <(2n−1)N 
、 (2m−1−)N(lvl、≦2mNの場合m n
 m−+n mn−1m−1n−1論理和式1 ΣIa
 ΣΣb ΣΣe、j ΣΣd、jIJ IJ mn’l mn−j 2 ΣΣ ΣΣ ΣΣ ΣΣ m−1n m−1n−1mn−+ 3 ΣΣ ΣΣ ΣΣ ΣΣ +nI+−1m−1n−j mn−1m−1n−14Σ
Σ ΣΣ ΣΣ ΣΣ mn−1mn−1mn−1mn−+ 5 ΣΣ ΣΣ ΣΣ ΣΣ m−In−1 mn−1m−1n−1rnn−16ΣΣ
 ΣΣ ΣΣ ΣΣ mni m−1n−1m n m−1n7 ΣΣ ΣΣ
 ΣΣ ΣΣ mn’−+ mn−+ 8 ΣΣ ΣΣ ΣΣ ΣΣ m−1n−+ mn−1m−1n m n9 ΣΣ Σ
Σ ΣΣ ΣΣ (発明の効果) 本発明は、黒画素のぬけを防ぐため、必要最小の黒画像
の広がりとなる画素密度変換方法であるので、文書画像
の拡大縮小、画素密度の異なるファクシミリ間の通信に
利用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図と第2図−それぞれ原画素と変換画素の位置関係
を示す図、第3図は本発明の一実施例における演算等の
処+11!ヌテッグを示すフローチャート、第4図は本
発明の他の実施例を示すブロック図、第5図は画素の位
置を示す図である。 1.2・・セレクタ、3,4・アキュムレータ、5〜1
0・コンノぐレータ、11− PLA(Program
ableLogic Array)、A、B、C,D−
原画素、a、b、c、d−原画素の2値情報、M、 、
 MJ・・変換画像の画素間隔N・・原画像の画素間隔
、p、q・・・変換画素、r・変換画素の2値情報、R
+’ l R、r 1+ r ・変換画素J J の座標値、α、α、、β、βj・・・ぐラメータ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書輸発) 8ゎ菅・1へ18 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年 特 許 願第146583号2、発明の名
称 2値画像の画素密度変換方法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所(〒105) 東京都港区虎ノ門1丁目7番12
号6 補正の内容 (1)明細書中「特許請求の範囲」の欄を別紙のとおり
補正する。 (3)同書第18頁第1行目「条件8・・」から1i冬
、+1目「2値情報である。」までの全文、ΣΣ 」ま
での全文及び第20頁第1行目「論理和式6・・」から
Ly−行目「・・変敗方法でおる」。までの全文を別紙
第(l→頁、第01頁、第(イ)頁のとおり補正する。 (4) 図面「第5図」を別紙のとおシ補正する。 条件8−+β<R,(N、ツーα1≦R1〈1+α12
 j−j N N 9−+β〈R<N、l+α、<R,(N2 ツー J (ハ)論理和 (i) (2n−1)N<Mj<2nN 、 (2m−
1)N<M1≦2mNの場合n夏η−1n 4 r←Σ Σ 十Σ Σ 十Σ Σ −トΣ Σ5 
r←Σ Σ 十ΣΣ 」−ΣΣ トΣΣn mJll 6 r←ΣΣ +ΣΣ →−ΣΣ 十ΣΣmn−j m
−1n−1m n ml n7 r←ΣΣ +ΣΣ +
ΣΣ +ΣΣ8 r←ΣΣ →−ΣΣ +ΣΣ →−Σ
Σm−1n−1m n−1m−I n 9 r←ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ 十ΣΣこの論理和式に
おいて、a−b e d−はljl IJ’ IJ’ 
IJ 第5図の原画素A、j、B13.C1j、DIJに対応
した2値情報である。 (!り(2n−1)N<Mj<2nN、 (2m−2)
N<M、≦(2m−1)Nの場合n m−1n−1m 
1−1 3 rn−ΣΣ+ΣΣ +ΣΣ +ΣΣm n m−+
 n m n m−I n4r←ΣΣ+ΣΣ4−ΣΣ 
→−ΣΣ +n−1 n m−1n m−4n m−1n5 rn
−ΣΣ 十ΣΣ 1−ΣΣ +ΣΣn m−1n 6 rn−Σ Σ +Σ Σ +Σ Σ 十Σ Σm 
n−1m−1rrl rn 7 rn−ΣΣ」−ΣΣ +ΣΣ +ΣΣm−1n−1
 m−In−1m−1n m−1n3 rn−ΣΣ」−
ΣΣ →−ΣΣ 」−ΣΣ9r←ΣΣ+ΣΣ 」−ΣΣ
 +ΣΣ n m−1n−1m n −’ 3 rn−ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ 十ΣΣm n−1m
I n−1m n−1’ m−I n−14rn−ΣΣ
 +ΣΣ 」−ΣΣ +ΣΣm−1n−1 m−1n−
1m−In 5r4−ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ →−ΣΣm−11−1
 m n−+ m−+ n−1m n−+論理和式6 
r←ΣΣ +ΣΣ →−Σf +ΣΣm n−1m−1
n−1m n m−1n7 rn−ΣΣ +ΣΣ (−
ΣΣ +ΣΣrrrln−1m I n−1m−j n
 m−1n8 r←ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ 4−ΣΣm
−1n−1m n−j m−+ 119 r←Σ Σ 
→−Σ Σ 十Σ Σ 1−Σ Σ(v) (2+1−
2)N<M、≦(2n l)N、(2m−1)N<M1
≦2mNの場合n ’ m−1n−1mn−1 3r←ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ m n−+ m−In−1m n−1m−1l−14z
−ΣΣ 十ΣΣ +ΣΣ +ΣΣ m n−1mn−1m n−1m n”15 r← Σ
 Σ 十ΣΣ 十ΣΣ (Σ Σm−In−1 m n
−1m−1n−1rn n−16r←ΣΣ +ΣΣ +
ΣΣ 」Σと m H−1m−In−j m n +n−4n7 r←
 Σ Σ +ΣΣ 十Σ Σ 」Σ Σ8 r←ΣΣ 
→−ΣΣ →−ΣΣ 」ΣΣm−1n−+ m n−1
m I n 9 r← Σ Σ 十Σ Σ 十ΣΣ +Σ ンΣ(発
明の効果) 本発明は、黒画素のぬけを防ぐため、必要最小の黒画像
の広がりとなる画素密度変換方法である別 紙 2、特許請求の範囲 主走査方向の変換密度比をpとし且つ品1]走査方向の
変換密度比をqとした場合、■≦p、Qなる範囲で原画
像情報を変換画像情報へ変換づ−るブタ法であって、原
画像情報の画素間隔を両走査方1句共 ゛に1として規
格化した場合、変換画素の主走査方向の間隔が1/、で
あり且つ副走査ブ51臼]の間隔カニ17、である関係
の変換画像情報へ変換づ−る方法において、 前記変換密度に応じて・ぐラメータα、βを、と設定し
、 着目変換画素の座標位置毎に、原1而素の座標位置が近
接した4個の原画素であって、それらの2イ直情報がa
+b+C+d(但し・ a及びbの畠1j走査位置は同
じであυ、まだa及びCの主走査位t4は同じ)である
4個の原画素を選択し、 4個の当該原画素の作る座標空間における前記着目変換
画素のr なる主走査方向の座標値を一±αなる値と比
較し且つr3なる副走査方向の座標値を1±βなる値と
比較し、 この比較結果を条件として、この条件に応じて予め定め
である欠配の形式の論理和を各着目変換画素毎に演算し
、 この論理和を変換画素の2値情報とすることを特徴とし
た2個画像の画素密度変換方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 主走査方向の変換密度比をpとし且つ副走査方向の変換
    密度比をqとした場合、%(p 、 qなる範囲で原画
    像情報を変換画像情報へ変換する方法であって、原画像
    情報の画素間隔を両走査方向共に1として規格化した場
    合、変換画素の主走査方向て、 前記変換密度に応じてパラメータα、βを、着目変換画
    素の座標位置毎に、原画素の座標位置が近接した4個の
    原画素であって、それらの2値情報がa、b、c、d(
    但し、a及びbの副走査位置は同じであり、またa及び
    Cの主走査位置は同じ)である4個の原画素を選択し、 4個の当該原画素の作る座標空間における前記着目変換
    画素のr、なる主走査方向の座標値を医±αなる値と比
    較し且つrなる副走査方向の座標値を↓±β なる値と
    比較し、 この比較結果を条件として、この条件に応じて予め定め
    ておる欠配の形式の論理和を各着目変換画素毎に演算し
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229876A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Ricoh Co Ltd イメージデータの拡大・縮小処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5292418A (en) * 1976-01-30 1977-08-03 Toshiba Corp Data conversion unit

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