JPS6038723U - 多孔性高分子フイルム - Google Patents

多孔性高分子フイルム

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JPS6038723U
JPS6038723U JP13011683U JP13011683U JPS6038723U JP S6038723 U JPS6038723 U JP S6038723U JP 13011683 U JP13011683 U JP 13011683U JP 13011683 U JP13011683 U JP 13011683U JP S6038723 U JPS6038723 U JP S6038723U
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JP
Japan
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polymer film
porous polymer
etching treatment
etching
film according
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Pending
Application number
JP13011683U
Other languages
English (en)
Inventor
靖典 安東
英敏 喜多
Original Assignee
日新電機株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6038723U publication Critical patent/JPS6038723U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は高分子フィルムに高エネルギー粒子を照射した
状態を模式的に説明する部分断面図であり、第2図は本
考案の多孔性高分子フィルムの孔の形成状態を模式的に
例示する部分断面図である。 1・・・高分子フィルム、1′・・・多孔性高分子フィ
ルム、2・・・高エネルギー粒子、3・・・通過経路、
4・・・孔。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)高分子フィルムに、加速イオン等の高エネルギー
    粒子の照射による照射損傷形成処理と、これに続くドラ
    イエツチング処理により形成される多数の微細な孔を有
    してなる多孔性高分子フィルム。
  2. (2)高分子フィルムがポリカーボネート、ポリエチレ
    ンテレフタレート、硝酸セルロース、酢酸セルロース、
    ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオdエチレン又
    はポリアクリロニトリルである実用新案登録請求の範囲
    承1項記載の多孔性高分子フィルム。
  3. (3)  ドライエツチング処理がプラズマエツチング
    、スパッタエツチング、イオンビームエツチング又は反
    応性スパッタエツチング処理である実用新案登録請求の
    範囲第1項記載の多孔性高分子フィルム。
JP13011683U 1983-08-22 1983-08-22 多孔性高分子フイルム Pending JPS6038723U (ja)

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