JPS6037731A - 縮小投影露光装置 - Google Patents

縮小投影露光装置

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JPS6037731A
JPS6037731A JP58146076A JP14607683A JPS6037731A JP S6037731 A JPS6037731 A JP S6037731A JP 58146076 A JP58146076 A JP 58146076A JP 14607683 A JP14607683 A JP 14607683A JP S6037731 A JPS6037731 A JP S6037731A
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Masanori Suzuki
雅則 鈴木
Toshiyuki Horiuchi
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、集積回路・ぐタン形成に用いる縮小投影露光
装置に関するものである。
〔発明の技術的背景とその間照点〕
縮小投影露光装置は、半導体集積回路製造に用いられ、
IC,LSI等の集積回路パタンを被露光物上の感光剤
膜\に転写する装置である。第1図計 慇願nu !、
 IL−6R971升に示貞れた従来の装置であシ、1
は原図基板、2は被露光物、3は原図基板上の位置合わ
せ用パタン、4は縮小レンズ、5は被露光物上の位置合
わせ用パタン、6はスリット、7は光電検出器、8は1
軸移動台、9は検出用光源、10は拡大光学系、11は
測長器、12は位置検出信号処理回路、13は位置決め
指令回路、14は被露光物移動台位置決め装置、15は
被露光物移動台1.16は露光光源、17は全反射ミラ
ー、18はノ・−7ミラーである。従来、原図基板1と
被露光物2との位置合わせを高精度で行なうため、第1
図に示すように、原図基板1上の位置合わせ用ツクタン
3および縮小レンズ4を介して結像せしめた被露光物2
上の位置合わぜ用ツヤタン5をスリ、トロ、光電検出器
7.1軸移動台8等によシ相対位置検出する方法が用い
られていた。すなわち、第1図に示す縮小投影露光装置
では、位置検出用光源9によシ原図基板1の周辺に形成
された位置合わせ用、−eタン3を通して、さらに縮小
レンズ4を介して被露光物2の上に前工程で形成された
位置合わせ用パタン5を照明し、その反射光によシ逆に
被露光物2上の位置合わせ用パタン5を原図基板1の面
上に結像さぜる。
このようにして原図基板lの面上に結像された被露光物
2上の位1ガ合わせ用ノ?クン5および原図基板1上の
位置合わせ用バタン30反射光を拡大光学系10によシ
スリット6の位Diに投影して1軸移動台8および測長
器1ノによシスリット6の移動距離を測定し、スリ、1
・6の位置に応じた反射光を光電検出器7によシ検出し
て、副長器1ノからの位置(i?叩およびブ0電検出器
7からの検出信号によ!76シ置検出信号処理回路12
において原図基板1と被露光物2との相対位置ずれ量Δ
Xの検出を行なう。次に相対位置ずれ量ΔXを位置決め
指令回路13に転送し、被露光物移動台位置決め装置1
4によシ被露光物移動台15を動かし被露光物2の相対
位置誤差を補償する。なお、以」二の説明では原理説明
のため、相対位置ずれ狙ΔXを一次元的なものとして扱
っているが、実際には直焚するx + y 2方向の位
置ずれ量ΔX、)、yまた場゛合によっては原図基板1
と被露光物2の相対回転による位置ずれ量、Δθをも含
め被露光物2の位置誤差を補償する。
また、第2図はITV等の撮像管を用いた別の従来の装
置であシ、19は撮像管、20は2値化回路、21は画
像信号処理回路であや。第2図に示すごとく拡大光学系
10によシ得られた該位置合わせ用パタンからの反射光
を撮像管19を用いて画像信号として取シ込み、2値化
回路20によシ画像信号を2値化する。2値化された画
像情報を画像信号処理回路21によジノ々タン認識して
原図基板1と被露光物2との相対位置ずれ量ΔXをめる
。その他の構成動作は、第1図と同様である。
しかしながら、いずれにしろ前記第1図、第2図に示し
た従来技術では、■相対位置ずれ量を検出する方法とし
て該位置合わせ用/4クンからの反射光の(1)光強度
と(2)位置を第1図では(1)光電検出器と(2)ス
リット移動量測長器、第2回船しているため、■原図基
板1上の位置合わせ用・ぐタン3および被露光物2上の
位置合わせ用パタン5から位置検出信号を得るためには
、寸法が大きく実装することが大変困難である1軸移動
台8あるいは撮像管19を必要とし、しかもΔX、Δy
、さらにΔθを検出して位置誤差を補償するためには数
ケ所で位置合わせが必要なため、位置検出装置は、大型
化、複雑化し実装が事実上困難である。また、■第1図
の場合、高精度の位置検出を行なうためには、スリット
6を走査する1軸移動台8に高度の安定性が要求される
が、1軸移動台8の機械的な精度、信頼性には限界があ
る。一方、第2図に示した従来技術では、■′完全に歪
のない画像を撮像管19によシ取り出すことは不可能で
あシ、検出精度に問題がある。壕だ、撮像管19によシ
取シ出す画像の解像力で検出精度が決まるが、撮像管1
9の分解能は、現状では数10μm程度であり、高精度
の位置検出を得ることは困難である。さt−、V −w
i/+1投影霞弄肪置の生き性の点赤らけ相対位置ずれ
量を高速で検出処理できることが望ましいのに対し、■
第1図に示す方法においてはスリット6を安定した走査
速度でしかも高速度で移動させることは困難である。ま
た、第2図に示した方法においても、■′撮像管19に
よシ取シ出され、2値化回路20によ多信号処理された
該位置合わせ用パタン3および5の画像情報を、画像情
報の最小単位である画素を基準に読み出し、バタン認識
して相対位置ずれ量を検出するためには、処理時間がか
かシ、瞬時に相対位置ずれ量を検出することは困難であ
る。
このように、従来技術では、 ■検出光の強度と位置を同時に検出できない、■検出系
が大型化し、実装困難、 ■検出光の性能または安定性が不十分のため高精度化が
困難、 ■検出光の強度と位置を分離検出しているため、高速化
が困難、 という大きな欠点があシ、微細化、大規模化する集積回
路パタンの高速・高精度重ね合わせ露光が不可能であっ
た。とくに、■検出系が大型化し、■重速化が困難なた
め、原図基板1と被露光物2の相対位置検出は1カ所で
XIy直交2方向について行なうか、XrVを別々の2
カ所で行なうのが普通であシ、2力所以上の多数カ所で
X + 7直交2方向について位置検出した’)、Xr
Vを別々に3力所以上の多数カ所で位置検出することは
、スペース上の制限および所要時間上の制限から不可能
であった〇 〔発明の目的〕 本発明は以上のような不都合をなくすため、原図基板1
と被露光物2との相対位置ずれ値を検出するため、原図
基板1上の位置合わせ用パタン3および縮小レンズ4を
介して結像せしめた被露光物2上の位置合わせ用・千タ
ン5から得られる反射光を固体イメージセンサを用いた
検出(ロ)路で検出することを特徴とし、その目的は反
射光よシ光強度および光の位置を同時に検出し、小型化
によシ実装を容易とし、高安定、高精度でかつ高速の位
置合わせを可能にした縮小投影露光装置を提供すること
にある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第3
図は、本発明の一実施例であシ、22は検出用光源、2
3はイメージセンサ検出器である。検出用光源22によ
シ照明することによシ得られる原図基板1上の位置合わ
せ用パタン3および縮小レンズ4を介して反射光によシ
原図基板1上に結像せしめた被露光物2上の位置合わせ
用パタン5を拡大光学系10を介してイメージセンサ検
出器23上に結像させ、イメージセンサ検出器23で該
位置合わせ用パタン3および5の光強度および位置を瞬
時に検出し、相対位置ずれ量ΔXを検出する。
イメージセンサ検出器23は、光のアナログ信号をディ
ジタル信号に直接変換する素子であシ、光強度と同時に
光の位置をも検出できる。
例えばイメージセンナ検出器23としてCCD(cha
rge coubled device :電荷結合素
子)ΔXを検出するためには次のようにする。第4図は
CCD 1次元イメージセンサ位置検出器の具体例であ
り、24は反射光、25はCCD 1次元イメージセン
サ、26はホトアレイ、27はクロック発生回路、28
はCODシフトレノスタ、29は増幅・整形回路、3o
は検出信号処理回路である。
拡大光学系10によシ得られた反射光24をCOD 1
 次元イメージセンサ25内のホトアレイ26上に結像
させ、ホトアレイ26にょシ光電変換する。クロック発
生回路27にょシ発生したノやルス信号によJ、CoD
l次元イメージセンサ25内のCCI)シフトレジスタ
28を駆動させ、ホトアレイ26によシ光電変換された
電気信号を読み出す。検出信号(は、増幅・整形回路2
9によシ増幅・整形され、検出信号処理回路3゜によシ
検出信号を2値化してパルス幅を測定することによシ相
対位置ずれ量ΔXを得ることができる。第5図にCOD
 1次元イメージセンサから包り勘7捧山偕且ハ加1也
ニュ 始r冊目# j−1−)31は被露光物上の位置
合わせ用パタンの反射像、32は原図基板上の位置合わ
せ用、Jタンの反射像、33はCCD 1次元イメージ
センサ入射領域である。COD 1次元イメージセンサ
から得られ、増幅・整形された検出信号Sには、原図基
板1および被露光物2上の位置合わせ用パタンの位置X
に応じた光強度が直接現われている。
従って、2値化回路を用いてパルス幅P1.P2の信号
波形をとシ出し、COD 1次元イメージセンサの動作
クロック・やルス信号を用いて検出信号のi4ルス幅P
1.P2を測定することによシ相対位置ずれ量を としてめることができる。
以上のようにしてめた相対位置ずれ量ΔXを第3図に示
すごとく位置決め指令回路13に転送し、被露光物移動
台位置決め装置14によシ被露光物移動台15を動かし
被露光物2の相対位置誤差を補償する。なお、以上の説
明では、原理説明のため、相対位置ずれ量ΔXを1次元
的なものとして扱っているが、実際には直交するX+ 
y r 2方向の位置ずれ量ΔX、Δyまた場合によっ
ては原図基板1と被露光物2の相対回転による位置ずれ
量Δθを含め被露光物2の位置誤差を補償する。
COD 1次元イメージセンサ25は、それ自体が小型
・軽量であり、また周辺のクロック発生回路27、増幅
・整形回路29、検出信号処理回路30を含めた位置検
出器としても小形にまとめることができる。さらに検出
光の光強度および位置を同時に検出可能であるという特
徴を有しているため、第1図、第2図において説明した
ごとくスリット6による走査、また画像信号処理回路2
1による信号処理等の複雑な制御あるいは信号処理機構
を必要としないため、露光装置の相対位置合わせ機構と
して実装しゃすく、ΔX、ΔyさらにΔθ等の相対位置
ずれ量検出系も容易に露光装置に組み込むことが可能で
ある。
相対位置ずれ量の検出精度は、CCDイメージセンサの
受光素子部のホトアレイ26の1セルの大きさに依存し
、検出速度はCODシフトレジスタ28による読み出し
時間によシ決定される。
例えば、1セルの大きさが5μmで4096個のホトア
レイからなるCOD 1次元イメージセンサを3−5M
Hzのクロック周波数で動作させた場合、CODシフト
レジスタからの検出信号の1回の読み出し時間は、約1
.2m5ecとなシ、従来技術では100 m5ec〜
数secのオーダーを要していた検出時間と比して大幅
な高速化がはかれる。また、縮小レンズ4および拡大光
学系10を介して、被露光物2上の位置合わせ用パタン
5および原図基板1上の位置合わせ用パタン3からの反
射光を被露光物上のバタン寸法の100倍に拡大せしめ
て結像させ、CCD1次元イメージセンサに入力させる
ことによシ、第5図に示したノ臂ルス1%i Pl +
 P2をCCDイメージセンサの1セルの大きさ5μm
に相当する分解能で測定できるので、±0.025μm
という高精度が得られる。
また、CCDイメージセンサは、低雑音でダイナミック
レンズが太きt1’、LEDのような低照度の光源でも
動作可能であり、固体素子であるた ′め信頼性も高い
という特徴も有する。このため、位置合わせ検出が、高
精度、高安定にできるという利点もある。
従って、以上線じて従来装置の欠点であったσ)光強度
と位置を分離し、て検出■小型化困がW■高精度化困難
■高速化困難という問題点を全てきわめて効果的に解決
できる。
なお、以上はCCD 1次元イメージセンサを用いて1
次元的ガ位置ずれ量の検出を行なう場合を示したが、実
際にはX+Vの2方向の位置ずれ量検出、位置合わせを
必要とする場合が多い。
第6図は、2次元ホトアレイを有するCCDイメージセ
ンサを用いだx、y2方向相対位置ずれ量検出例を示す
。34は、CCD2次元イメージセンサ、35は2次元
ホトアレイ、36は原図北坩l−/r1侍借を11オ田
パ々ンσ)厚射僅−,97H被露光物上の位置合わせ用
・臂タンの反射像、38はイメージセンサへのX方向入
射領域、39はイメージセンサへのX方向入射領域、4
0はクロック発生回路、41はCODシフトレジスタ、
42はCCD 2次元イメージセンサ信号増幅、整形回
路、43は検出信号処理回路である。
第6図において、例えばCOD 2次元イメージセンサ
34の2次元ホトアレイ35のyI番目の行の1次元ホ
トアレイおよびX1番目の列の1次元ホトアレイを用い
て、原図基板1上の位置合わせ用パタン3の反射像36
および被露光物2上の位置合わせ用パタン5の反射像3
7からなる反射光をX方向は、入射領域38をホトアレ
イのyi番目の行に対応させ、X方向は、入射領域39
をホトアレイのX1番目の列に対応させることによ量検
出し、クロック発生回路40によ、!7CODシフトレ
ジスタ4ノを駆動させ検出信号を取シ出し、CCD2次
元イメージセンサ悄号増幅・整形回路42、検出信号処
理回j+843によシ、第4図、第5図で示したごとく
同様の検出信号の処理を行にうことによシ、ΔX、Δy
を同時に検出することが可能となる。
また、第7図は、CCD1CD1次元イソ−ンサを2個
用いたx、y方向相対位置ずれ量検出の例を示す。44
は、キューブビームスプリッタ、45はX方向COD 
1次元イメージセンサ位置検出器、46はX方向CCD
 1次元イメージセンサ位置検出器、49はX方向位置
決め指令回路、5θはX方向位置決め指令回路、51は
被露光物移動台位置決め装置、52は被露光物移動台で
ある。
拡大光学系10を介して得られる原図基板1上の位置合
わせ用パタン3の反射像、および被露光物2上の位置合
わせ用パタン5の反射像からなる反射光をキューブビー
ムスプリッタ44を介して2分割し、それぞれX方向、
X方向CCD 1次元イメージセンサ位置検出器45.
46のCCDイメージセンサのホトアレイ上に結像させ
る。例えば第8図、および第9図で示すごとく、キュー
ブビームスプリッタ44によシ分割されだX方向位置ず
れ量検出用反射像、およびX方向位置ずれ量検出用反射
像からイメージセンサへのX方向入射領域47、イメー
ジセンサへのX方向入射領域48をそれぞれCOD 1
次元イメージセンサ位置検出器45.46の1次元ホト
アレイに対応させて検出し、第4図、第5図で示したご
とく同様の検出信号の処理をX方向およびX方向のCC
D 1次元イメージセンサ位置検出器45.46で行な
うことによシ、それぞれΔX、Δyを検出し、Xおよび
X方向位置決め指令回路49.50に位置゛ずれ量ΔX
、Δyの信号を送って被露光物移動台位置決め装置51
によシ被露光物移動台52を動かして被露光物2の相対
位置誤差を補償する。ここで第8図、第9図tよ、それ
ぞれX方向、X方向CCD 1次元イメージセンサ位置
検出器45.460CCDイメージセンサを照射する反
射像、およびCCDイメージセンサの1次元ホトアレイ
によ量検出される反射光のX方向の入射領域、X方向入
射領域を示す。47ば、X方向入相領域、48はX方向
入射領域、53.54は、原図基板1上の位置合わせ用
パタン3の反射像、55.56は、被露光物2上の位置
合わせ用パタン5の反則像を示す。
第7図において、反射光をキューブビームスプリッタ4
4を介して分割し、X方向、X方向の相対位置ずれ量Δ
X、Δyを検出する例を示したが、X方向、X方向につ
いて位置合わせ用パクンを原図基板上、および被露光物
上にそれぞれ2ケ所設けて各々の点でCOD 1次元イ
メージセンサによ、9xおよびX方向を別々に検出する
ようにしてもよい。第10図にその具体例を示す。57
は原図基板、58.59は原図基板上に形成されている
Xおよびyの相対位置合わせ用パタン、60.61はC
CDイメージセンサのホトアレイを照射する反射光の内
、原図基板上の位置合わせ用パクンの反射像、62・6
3は)被露光物上の位置合わせ用パタンの反射像を示す
O また、原図基板と被露光物との相対形状歪または相対回
転角θまで含めて位置検出、位置合わせする場合には、
原図基板上、および# 1’6光物上にそれぞれ2ケ所
以上位置合わせ用パタンを設けて、Xtyの位置ずれ量
ΔX、Δyを検出する。第11図に位置合わせ用パタン
を2ケ所設けた場合の例を示す。
64は原図基板、65.66はそれぞれ原図基板上のA
点、B点における位置合わせ用・やクン、67.68は
、それぞれA点、B点における原図基板上の位置合わせ
用ノRタンの反射像、69.70はそれぞれA点、B点
における披露光物上の位置合わせ用パタンの反射像を示
す。
A点およびB点における原図基板と被露光物との相対位
置ずれ量を原図基板上の寸法に換算してそれぞれΔxA
、ΔyA、ΔXBNΔyBとし原図基板上におけるA点
とB点との位置合わせ用バタン間の距離をLとすると、
原図基板と被露光物との相対伸縮量は Δt=ΔX −ΔXA ・・・(2) となシ、θ方向の相対位置ずれ角ΔθはΔθ=−(Δy
B−ΔyA) ・・・(3)となる。
第12図〜第14図のごとく4〜8カ所で検出する場合
も同様にして、2カ所の場合よシ高度な相対歪を含めて
相対位置ずれ量を検出できる。第12図〜第14図にお
いで、71〜76は位置合わせ用i9タンである。
原図基板と被露光物との相対位置合わせは位置ずれΔX
、Δy・Δθについては第7図で被露光物移動台位置決
め装置5ノにょp被露光物移動台52をX t 3’ 
rθに動かして行なう。また、相対形状歪については、
第7図で固定としである原図基板の支持部77をレンズ
光軸方向すなわちxrV+θ面に垂直な方向に動かし、
縮小投影像の大きさを変えて相対伸縮を補正する。
X軸、yaまわシに原図基板を傾斜させれば不拘−歪も
補正できる。
なお、位置ずれの補正を第7図のごとく被露光物側を移
動させるのでなく、原図基板側を移動させて行なっても
よいととは自明である。
また、1次元の位置合、わせ用パタンを3カ所以上設け
て検出しても相対回転量や相対形状歪が検出可能なこと
も明らかである。
115図のととくx方向位置合わせバタン78、y方向
位置合わせノ々タン79.80を配置すればΔX、Δy
、Δθが検出でき、第10図のごときマークのベアを2
ケ所設ければ(2) t (3)式と同様に相対伸縮も
検出できる。マークをさらにふやせば相対歪がよシ高度
に検出できる。
一方、位置検出用光源は、CCDイメージ七ンサが感応
する波長帯の光を出すものなら何でも良い。一般に、縮
小投影露光装置は436nm(、@舶り405nm (
h線)、365nm (i線)等の紫外線を露光光線と
しておシ、解像度を確保するため感光部が現像時にとシ
除かれるポジ型の感光剤を・臂タン形成に用いるのが通
常なので位置検出用光源の波長が該露光波長帯域に近い
と位置検出時に位置合わせ用バタン部が感光せしめられ
、部の(1?光剤が除去されてしまう。このため、感光
剤バタン形成後、行なうエップーング処理にょシ該位置
合わせ用)々タンがエツチングされ、同一の位置合わせ
用ノeタンを用いて次層以降の位置合わせを行なうこと
ができなくなる。したがって、被jK光物上に形成され
念感光性物質が感光しない波長の光源を用いればよシ有
効である。
CCUイメージセンザは、他の光電笈換素子に比して雑
音レベルが低くてS/N比が大きく、ダイナミックレン
ジが広いなどの特徴が必シ、高感度なのでLED (l
ight eniitter diode:発プtダイ
オード)のような小型、軽耐、安価で扱い易い光源を用
いれば十分である。例えば、前記436〜365r+m
の露光波長の場合、波長50 (lnm以上の光に感j
f Lない船光剤が多数存在するので、黄(585nm
)、赤(660nm)等のLED t−使えばよい。
位置検出光の波長がN光波長と異なる場合、縮小投影レ
ンズが露光波長用に収差補正されて落ち、歪が生ずるが
位置検出に大きな誤差を生ずるようなことはない。しか
し、さらに高精度化を期すためには位置検出光学系に収
差補正用の光学素子すなわちレンズまたは光路長修正板
を追加すればよい。
〔発明の効果〕
以上説明し7たように、本発明によれば縮小投影露光装
置において、被露光物と原図基板との相対位置ずれ量を
高速でしかも高梢囲で検出することができ、集積回路パ
タンの露光処理全体に占める位置合わせ処理時間を短縮
でき、縮小投影露光装置の生産性を向上させることがで
きる。また、相対位置検出系を小型化でき、実装が容易
にできるという利点がある。さらに、高速化と小型化の
利点があいまって原図基板と被露光物とを多数点で位置
検出し、相対回転や相対形状歪をも検出、補正すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の縮小投影露光装置の相対位置合わせ方法
の概念図、 第2図は別の従来の編小投影露光装置の相対位置合わせ
方法の概念図、 第3図は本発明の一実施例を示す原理説明図、第4図は
COD 1次元イメージセンサ位置検出器の一例を示す
概念図、 第5図はCOD 1次元イメー・ノセンザ検出信号の一
例を示す図、 第6図はCCD 2次元イメージセンサ位置検出器の一
例を示す概念図、 第7図はCCD 1次元イメージセンサを用いたx、7
2次元相対位置検出の一例を示す概念図、第8図1ix
方向CCU 1次元イメージセンサへの入射光の一例を
示す概念図、 第9図はy方向CCD 1次元イメージセンサへの入射
光の一例を示す概念図、 第10図はX方向、y方向の;lij対位置ずれ量分前
検出の具体例を示す図、 第11図は、相対伸縮、相対回転角検出の具体例を示す
図、 第12図〜第15図はそれぞれ複数カ所の位置合わせ用
パタンケ有す乙原図基板の例を示す図である。 1・・・原図基板、2・・・被露光物、3・・・原図基
板上の位置合わせ用パタン、4・・・縮小レンズ、5・
・・被露光物上の位置合わせ用パタン、6・・・スリ、
ト、7・・・光電検出器、8・・・1軸移動台、9・・
・検出用光源、10・・・拡大光学系、11・・・測尺
器、12・・・位置検出信号処理回路、13・・・位置
決め指令回路、14・・・被露光物移動台位置決め装置
、15・・・被露光物移動台、16・・・露光光源、1
7・・・全反射ミラー、18・・・ノ・−フミラー、1
9・・・撮像管、20・・・2値化回路、21・・・画
像信号処理回路、22・・・検出用光源、23・・・イ
メージセンサ検出器、24・・・反射光、25・・・C
OD 1次元イメージセンサ、26・・・ホトアレイ、
27・・・クロック発生回路、28・・・CCDシフト
レジスタ、29・・・増幅・整形回路、30・・・検出
信号処理回路、31・・・被露光物上の位置合わせ用パ
タンの反射像、32・・・原図基板上の位置合わせ用パ
タンの反射像、33・・・COD 1次元イメージセン
サ入射領域、34・・・COD 2次元イメージセンサ
、35・・・2次元ホトアレイ、36・・・原図基板上
の位111合わせ用・ぞクンの反射像、37・・・被露
光物上の位置合わせ用パタンの反射像、38・・・イメ
ージセンサへのX方九入射領域、39・・・イメージセ
ンサへのy方向入射領域、40・・・クロック発生回路
、41・・・CCDシフトレジスタ、42・・・CCD
 2次元イメージセンサ信号増幅、整形回路、43・・
・検出信号処理回路、44・・・キューブビームスシリ
ツタ、45・・・X方向CCD 1次元イメージセンサ
位誼検出器、46・・・y方向CCD 1次元イメージ
センサ位置検出器、47・・・イメージセンサへのX方
向入射領域、48・・・イメージセンサへのy方向入射
領域、49・・・X方向位置決め指令回路、50・・・
y方向位fi決め指令回路、51・・・被露光物移動台
位置決め装置、52・・・被露光物移動台、53・・・
ΔX検出用原図基板上の位置合わせ用・ぐタンの反射像
、54・・・Δy検出用原図基板上の位置合わせ用パタ
ンの反射像、55・・・ΔX検出用被露光物上の位置合
わせパタンの反射像、56・・・Δy検出用被露光物上
の位置合わせパタンの反射像、57・・・原図基板、5
8・・・ΔX検出用位置合わせ用パタン、59・・・Δ
y検出用位置合わせ用パタン、60・・・ΔX検出用原
図基板上の位置合わせ用パタンの反射像、61・・・Δ
y検出用原図基板上の位置合わせ用ノ9タンの反射像、
62・・・ΔX検出用被露光物上の位置合わせ用パタン
の反射像、63・・・Δy検出用被露光物上の位置合わ
せ用パタンの反射像、64・・・原図基板、65・・・
A点における位置合わせ用パタン、66・・・B点にお
ける位置合わせ用パタン、67・・・A点における原図
基板上の位置合わせ用パタンの反射像、68・・・B点
における原図基板上の位置合わせ用ieクンの反射像、
69・・・A点における被露光物上の位置合わせ用パタ
ンの反射像、70°・・B点における被露光物上の位置
合わせ用パタンの反射像。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第11.4 第2’:1 第3F羽 第411 第5図 λNL9イhq % −110図 第110 8戸1、 第12図 第13 fズ1 第14図 第15図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)原図基板上のパタンを、被露光物上に縮小レンズ
    を介して露光せしめる縮小投影露光装置において、検出
    用光源で照明することによυ得られる、原図基板上の複
    数の位I戚合わせ用・ぐクン及び縮小レンズを介して反
    射光によシ原図基板回上に結像せしめた被露光物上の社
    数の位置合わせ用パタンを、光学的に拡大して1次元あ
    るいは2次元の複数の固体イメージセンザ上に結像せし
    めて同時にあるいは相次いで検出し、原図基板と被露光
    物の位置合わせ用パタン相互間の相対位置ずれ量の算出
    結果を基に原図基板と被露光物とを相対移動して位置合
    わぜを4イう如く構成したことを特徴とする縮小投影露
    光装置。
  2. (2) 前記固体イメーノセンーリ−f CCD (c
    hargeとしたことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の縮小投影露光装置。
  3. (3)検出用光源と光学系を、被露光物上に形成した感
    光性物質が感光しない波長の光源と該波長用光学系とし
    たことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2頌
    記載の縮小投影露光装置。
  4. (4)検出用光源にLED (Ngt+t emitt
    erdiode :発光ダイオード)を用いたことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項、ル2項、または第3項
    のいずれかに記載の縮小投影露光装置′。
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