JPS6036902A - 固体表面上の座標決定方法および装置 - Google Patents
固体表面上の座標決定方法および装置Info
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- JPS6036902A JPS6036902A JP59134986A JP13498684A JPS6036902A JP S6036902 A JPS6036902 A JP S6036902A JP 59134986 A JP59134986 A JP 59134986A JP 13498684 A JP13498684 A JP 13498684A JP S6036902 A JPS6036902 A JP S6036902A
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- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体の表面上の座標を、固体のこの表面1c
対して特定の間隔をおいて配置される二次元の参照面に
よシ高精度で決定するための方法およびこのような方法
を実施するための装置に関する。
対して特定の間隔をおいて配置される二次元の参照面に
よシ高精度で決定するための方法およびこのような方法
を実施するための装置に関する。
〔従来の技術)
固体の表面上の構造の寸法が正しいか否かの検査はます
ます困難になる。なぜならば、一方では検査すべき表面
の寸法がます1す大きくなり、他方ではこれらの表面上
の構造がますます高いλ′1輩度で検査されなければな
らないからである。たとえば半導体ウェー・・の表面上
の相続ぐ構造の検査の際には0.1 μm以上の精度が
要求される。・その際、これらの半導体ウェーッ・はた
とえば6“=150圏の寸法を有する。
ます困難になる。なぜならば、一方では検査すべき表面
の寸法がます1す大きくなり、他方ではこれらの表面上
の構造がますます高いλ′1輩度で検査されなければな
らないからである。たとえば半導体ウェー・・の表面上
の相続ぐ構造の検査の際には0.1 μm以上の精度が
要求される。・その際、これらの半導体ウェーッ・はた
とえば6“=150圏の寸法を有する。
個々の座標の間の10cm以上の距離にわたり018m
の精度で固体の表面上の座標全測定することはレーザー
干渉による非前に高価な°測定機械”により可能である
。これらの”6(11定機械”qよ非常に高価であシ,
また一般に特殊に形成された測定空間およびt1?別に
教育された専門家を必要とする。
の精度で固体の表面上の座標全測定することはレーザー
干渉による非前に高価な°測定機械”により可能である
。これらの”6(11定機械”qよ非常に高価であシ,
また一般に特殊に形成された測定空間およびt1?別に
教育された専門家を必要とする。
ヨーロッパ特許出願K P 6 5 4− 2 9 A
1から、高精度で固体の表面上の座標を光学的に測定
するだめのjつの方法および装置は公知である。この場
合、1つの格子を設けられた参照物体が固体の検査すべ
き表面と一緒VC 1つのテーブルによシ1つのレーザ
ー干渉装置を越えてずらされる。参照物体の格子は平行
な線のほかには格子構造を有していなlA。従って、こ
の参f(6物体の格子は周期としての2つの線の間C・
こ間隔を;博する非常に簡単な円曲性を;1丁ずろ。レ
ーザービームはこの参照物体の格T− 、J: rc
、この参照物体のこの格子における回折の際VC 2つ
の部分ビームに分割されるように衝突する。次いで、こ
れらの画部分ビームの重なシが計画される。この公知の
装置の欠点は、固体の瑛任すべき表面の座標が絶対的に
指示され得な^ことである。それどころか、固体の横置
すべき表面上のそれぞれ2つの点の間の間隔しか声示さ
れ得ない。この場合、固体の検査すべき表面上のそれぞ
れ2つの点の間のこのような間隔が、固体の検査すべき
表面が参照物体と一緒にずらされる際に、参照物体の格
子上のレーザービームの衝突範囲に対してずらされてい
る格子線の数が計算されなければならないことによって
しかめられ′4ないことも欠点である。
1から、高精度で固体の表面上の座標を光学的に測定
するだめのjつの方法および装置は公知である。この場
合、1つの格子を設けられた参照物体が固体の検査すべ
き表面と一緒VC 1つのテーブルによシ1つのレーザ
ー干渉装置を越えてずらされる。参照物体の格子は平行
な線のほかには格子構造を有していなlA。従って、こ
の参f(6物体の格子は周期としての2つの線の間C・
こ間隔を;博する非常に簡単な円曲性を;1丁ずろ。レ
ーザービームはこの参照物体の格T− 、J: rc
、この参照物体のこの格子における回折の際VC 2つ
の部分ビームに分割されるように衝突する。次いで、こ
れらの画部分ビームの重なシが計画される。この公知の
装置の欠点は、固体の瑛任すべき表面の座標が絶対的に
指示され得な^ことである。それどころか、固体の横置
すべき表面上のそれぞれ2つの点の間の間隔しか声示さ
れ得ない。この場合、固体の検査すべき表面上のそれぞ
れ2つの点の間のこのような間隔が、固体の検査すべき
表面が参照物体と一緒にずらされる際に、参照物体の格
子上のレーザービームの衝突範囲に対してずらされてい
る格子線の数が計算されなければならないことによって
しかめられ′4ないことも欠点である。
本発明が解決しようとする問題点は、冒頭1c記載した
種類の方法として、固体の表面上の座標が、固体のこの
表面が静止しており且つずらされない場合にもめられ得
る方法を提供することである。
種類の方法として、固体の表面上の座標が、固体のこの
表面が静止しており且つずらされない場合にもめられ得
る方法を提供することである。
この問題点は、本発明によれば、特許請求の範囲第1項
に記載の方法によシ解決される。本発明の実施態様およ
び利点は・特許請求の範囲第2項以下の各項、以下の説
明および添付の図面に示されている。
に記載の方法によシ解決される。本発明の実施態様およ
び利点は・特許請求の範囲第2項以下の各項、以下の説
明および添付の図面に示されている。
し作 用〕
平作な顕微・税装置を有する比較顕微鏡の公知の配置と
異なり、本発明による配置では2つの対物レンズが1つ
の同一の光軸を有するという事実から、温度ドリフトが
本質的に少なく、また機械的テーブル移動に課せられる
要求が本質的に少なくなる。
異なり、本発明による配置では2つの対物レンズが1つ
の同一の光軸を有するという事実から、温度ドリフトが
本質的に少なく、また機械的テーブル移動に課せられる
要求が本質的に少なくなる。
以1:、図面(C示されている実施例によp本発明τ一
層詳細に説明する。
層詳細に説明する。
第1図には、本発明による座標参照顕微鏡の一断面が示
されている。この実施例では、固体M(たとえば半導体
ウェー/・またはその照射のために必要とされるマスク
)の測定すべき表面に対して平行ic1つの座標測定格
子Kが存在する。この座標測定格子Klは、1つの同一
の光軸OA上でそれぞれ反対11すから測定対象物(固
体M)および座標測定格子にの顕微鏡観察が同時に行な
われ得るように配置されている。
されている。この実施例では、固体M(たとえば半導体
ウェー/・またはその照射のために必要とされるマスク
)の測定すべき表面に対して平行ic1つの座標測定格
子Kが存在する。この座標測定格子Klは、1つの同一
の光軸OA上でそれぞれ反対11すから測定対象物(固
体M)および座標測定格子にの顕微鏡観察が同時に行な
われ得るように配置されている。
固体Mの表面の観察は1つの対物レンズOIQ介して行
なわれる。座標測定格子K(1)観察141つの対物レ
ンズ02を介して行なわれる。固体Mも座標測定格子に
も1つのテーブルTの上に互いに特定の位置に取付けら
れている。このテーブルTは1つのテーブルホルダーT
Hf+?:対して直9 x y座標系の2つの座標方向
(/C固体Mの表面fc対して平行に移動可能である。
なわれる。座標測定格子K(1)観察141つの対物レ
ンズ02を介して行なわれる。固体Mも座標測定格子に
も1つのテーブルTの上に互いに特定の位置に取付けら
れている。このテーブルTは1つのテーブルホルダーT
Hf+?:対して直9 x y座標系の2つの座標方向
(/C固体Mの表面fc対して平行に移動可能である。
1つのランプLl内で発生はれる光は1つのレンズによ
り1つの半透過鏡H1と光軸DAとの交点上に焦点を結
ばせられる。この交点でランプLlからの光は偏向させ
られ、光軸OAに沿って対物レンズ01を通過し、固体
Mの表面上り価欠点でこの表面の一部分を照射する。1
面体Mのこの部分への衝芙後にこの光の一部分・rよ光
軸0AJI:沿って対物レンズ01を通過して反射され
、偏向説S1で偏向させられる。光のこの反射および偏
向部分は1つの半透過aHの上に衝突し、そこで2つの
部分光線に分割される。これらの両部分光線の一方・は
1つの接眼レンズOkに到達する。これらの両部分光線
の他方は1つのテレビカメラTVによりとらえられる。
り1つの半透過鏡H1と光軸DAとの交点上に焦点を結
ばせられる。この交点でランプLlからの光は偏向させ
られ、光軸OAに沿って対物レンズ01を通過し、固体
Mの表面上り価欠点でこの表面の一部分を照射する。1
面体Mのこの部分への衝芙後にこの光の一部分・rよ光
軸0AJI:沿って対物レンズ01を通過して反射され
、偏向説S1で偏向させられる。光のこの反射および偏
向部分は1つの半透過aHの上に衝突し、そこで2つの
部分光線に分割される。これらの両部分光線の一方・は
1つの接眼レンズOkに到達する。これらの両部分光線
の他方は1つのテレビカメラTVによりとらえられる。
第2のう/)L2内で発生される光は同じく1つのレン
ズにより1つの半透過4H2と光軸OAとの交点上に焦
点を結ばせられる。う/プL2から発生された光はこの
半透過鏡H2での反射後に光1111・DAに沿って対
物レンズ02を通過し、座標」ll定格子にの1つの範
囲を照射する。座標測定格子にの1つの範囲のこの照射
の際に光の一部分が光軸:1AVC沿って反射され、そ
の際に1つの偏向4S 2上に到達する。この反射およ
び偏向光は同じく半透過、暁1(の上に衝突する。その
際にこの光の一部分も接眼レンズOkに到達する。この
光の他の部分は同じくテレビカメラTVによりとらえら
れる。
ズにより1つの半透過4H2と光軸OAとの交点上に焦
点を結ばせられる。う/プL2から発生された光はこの
半透過鏡H2での反射後に光1111・DAに沿って対
物レンズ02を通過し、座標」ll定格子にの1つの範
囲を照射する。座標測定格子にの1つの範囲のこの照射
の際に光の一部分が光軸:1AVC沿って反射され、そ
の際に1つの偏向4S 2上に到達する。この反射およ
び偏向光は同じく半透過、暁1(の上に衝突する。その
際にこの光の一部分も接眼レンズOkに到達する。この
光の他の部分は同じくテレビカメラTVによりとらえら
れる。
接111!レンズOk内でもテレビカメラTV内でも固
体Mの表面の1つの範囲からの結像と座標測定格子Kか
らの結像との1つの重なシが得られる。
体Mの表面の1つの範囲からの結像と座標測定格子Kか
らの結像との1つの重なシが得られる。
対物レンズ01および02ばそれぞれ1つの同一の光軸
OAを有するので、固体Mの表面の結像はれた範囲と座
標測定格子K(1)結像された範囲とはそれぞれ光@O
Aのまわシに直接に向かい合つそいる。
OAを有するので、固体Mの表面の結像はれた範囲と座
標測定格子K(1)結像された範囲とはそれぞれ光@O
Aのまわシに直接に向かい合つそいる。
固体Mの表面の結像された範囲と座標測定格子にの結像
された範囲との、テレビカメラTVによりとらえられた
重なシは1つの像評価用電子回路Eのなかで評価され得
る。この評価の結果+d]つのモニタMQ上に可視的に
され得る。座標参照顕微鏡全体は1つの支えSl、によ
シ保持される。
された範囲との、テレビカメラTVによりとらえられた
重なシは1つの像評価用電子回路Eのなかで評価され得
る。この評価の結果+d]つのモニタMQ上に可視的に
され得る。座標参照顕微鏡全体は1つの支えSl、によ
シ保持される。
座標測定格子にの上に1つのスケールが位置していれば
、このスケールにより像評価用電子回路Eのなかで直接
にたとえば固体Mの表面上の2つの点の間の間隔がめら
れ得る。座標測定格子にの上に1つの絶対スケールが位
置していれば、この絶対スケールに関してたと!ば固体
Mの表面上の1固々の点の座標も指示され得る。マスク
および−それを介しての半導体ウェーッ1の調節のだめ
の研究から、50μmの観察領域内の線分の位置を自動
的に0. ]−Bm以内の分′TM能で測定し得る方法
は公・1、目である。このような方法がここに同じく採
用され1)J− 重子”A jlVi画によるマスクの製造のための研究
から、必安な精度を有する座標測定格子Kを製造しイ4
Iる方法は公知である。たとえばマスク描画装置に」;
り座標測定格子KK対して必要とされろこのような構、
潰がランクまたはプレキンガラス内に形成きれ得る。そ
の際にマスク描画装置によりこのような座標測定格子K
に、対する母対象物(マザーオブジェクト)が製作され
る。座標測定格子KMこ対するこのような母対象物から
、次いで、たとえば7ンクロトロン照射によりコピーが
座標測定格子にとして+h成でれ得る。
、このスケールにより像評価用電子回路Eのなかで直接
にたとえば固体Mの表面上の2つの点の間の間隔がめら
れ得る。座標測定格子にの上に1つの絶対スケールが位
置していれば、この絶対スケールに関してたと!ば固体
Mの表面上の1固々の点の座標も指示され得る。マスク
および−それを介しての半導体ウェーッ1の調節のだめ
の研究から、50μmの観察領域内の線分の位置を自動
的に0. ]−Bm以内の分′TM能で測定し得る方法
は公・1、目である。このような方法がここに同じく採
用され1)J− 重子”A jlVi画によるマスクの製造のための研究
から、必安な精度を有する座標測定格子Kを製造しイ4
Iる方法は公知である。たとえばマスク描画装置に」;
り座標測定格子KK対して必要とされろこのような構、
潰がランクまたはプレキンガラス内に形成きれ得る。そ
の際にマスク描画装置によりこのような座標測定格子K
に、対する母対象物(マザーオブジェクト)が製作され
る。座標測定格子KMこ対するこのような母対象物から
、次いで、たとえば7ンクロトロン照射によりコピーが
座標測定格子にとして+h成でれ得る。
第2図には、座標測定格子にの一実施例の原理が丁され
ている。第2図Vctよ、25μmの”周期性1を巾す
る測定格子に対してOJ能な7腺分配置置の例が示され
ている。第2図による線分配置では、40μmの辺の長
さを有する1つの観察領域内で0.1 μmよシも良好
な読出し精度が可能である。
ている。第2図Vctよ、25μmの”周期性1を巾す
る測定格子に対してOJ能な7腺分配置置の例が示され
ている。第2図による線分配置では、40μmの辺の長
さを有する1つの観察領域内で0.1 μmよシも良好
な読出し精度が可能である。
このような座標測定格子Kが150 +ra+の辺の長
さのガラス板上に被着され得る。この座標1tll定格
子にの線分Sの厚みは2μmである□、 座標測定格子Kがステップ・アンド・リピート法で製作
されることは有利である。ゾノクロトロン照射りトグラ
フイはステップ−アンド・リピート法での本発明による
座標測定格子にの経済的な製作f:可能にする。本発明
による座標測定格子には他のjダ標測定装置により検査
され、その誤差を記録され得る。
さのガラス板上に被着され得る。この座標1tll定格
子にの線分Sの厚みは2μmである□、 座標測定格子Kがステップ・アンド・リピート法で製作
されることは有利である。ゾノクロトロン照射りトグラ
フイはステップ−アンド・リピート法での本発明による
座標測定格子にの経済的な製作f:可能にする。本発明
による座標測定格子には他のjダ標測定装置により検査
され、その誤差を記録され得る。
本発明の応用vi第19(zこよる実〃由例に限られて
いない。たとえば、本発明による参照m+j定原理は電
子−光学的マスク描lI!iI表直にも応用ii]能で
あり、その際に従来のレーザー干渉テーブル制往j葡有
第1」K置換することができよう。本発明による参照測
定原理は基本的にすべての種類のステップ・アンド・リ
ピート照射機械にも適している。固体たとえば半導体ウ
ェーハの背面にもマスク構造が有利に被着され得る。そ
れによって固体の表面での照射まだは他の加工過桿に対
する調節がM利シて実施され得る。
いない。たとえば、本発明による参照m+j定原理は電
子−光学的マスク描lI!iI表直にも応用ii]能で
あり、その際に従来のレーザー干渉テーブル制往j葡有
第1」K置換することができよう。本発明による参照測
定原理は基本的にすべての種類のステップ・アンド・リ
ピート照射機械にも適している。固体たとえば半導体ウ
ェーハの背面にもマスク構造が有利に被着され得る。そ
れによって固体の表面での照射まだは他の加工過桿に対
する調節がM利シて実施され得る。
固体IAの表面の加工の際に1つの同一の光線が、この
固体11の表面を加工するためにも、この固体Mの表面
のt″@S分範囲全範囲明による方法で結像するために
も用いられ得る。このようにして同一の像評洒用電子回
路先のなかで固体Mおよび参照面にの表面の結像を評価
する際、時間および費用が節減され得る。
固体11の表面を加工するためにも、この固体Mの表面
のt″@S分範囲全範囲明による方法で結像するために
も用いられ得る。このようにして同一の像評洒用電子回
路先のなかで固体Mおよび参照面にの表面の結像を評価
する際、時間および費用が節減され得る。
たとえばテレビカメラTVのような検出器+riたとえ
ば50 fJ ×500の検出器要素を有し得る。
ば50 fJ ×500の検出器要素を有し得る。
サブマイクロ・リトグラフィの応用の除ニは検出器要素
あたりの分解能はたとえば01μmである。
あたりの分解能はたとえば01μmである。
検出器は1つの次元内に/ことえば500の検出器要素
を有するもの表すれば、1つの次元内の検出、惜の全労
JA能V′10.1 am X 50 tJ = 50
ttmである。この例では、直接に並び合って参照面
(座標測定格子K)上に位置する種々のマスクはたかだ
か50μmの間隔を有し得よう。テーブルTを良好に案
内し得るために、参照面(座標」1]定格子K)上に粗
座標を二次元に配置することは骨利であり、その際に各
次元内で、直接に並ひ合って配置dされたそれぞれ2つ
の粗座標・ば100μm21の間1硝を有する。経済的
な移動テーブルTが二次元の1.00μm粗座標スケー
ル用として市販されている。参jK面(座標測定格子K
)上の二次元100μ?n粗座標スケールにおいて、そ
れぞれ2つの相続く粗座標のなかζ(線分Sを、それら
が座標測定格子に上で各次元内で25μmの”周期性”
を有するiうに、またそれらが同時にたとえばサブマイ
クロ・l) )グラフィの応用の際に0.11tmよシ
も良好な分解能を可能にするように配置することば有利
である。非周期的な粗座標はたとえば座標測定格子に上
の線分の長さまたは形状を相異なるものとすることによ
シ定められ得る。
を有するもの表すれば、1つの次元内の検出、惜の全労
JA能V′10.1 am X 50 tJ = 50
ttmである。この例では、直接に並び合って参照面
(座標測定格子K)上に位置する種々のマスクはたかだ
か50μmの間隔を有し得よう。テーブルTを良好に案
内し得るために、参照面(座標」1]定格子K)上に粗
座標を二次元に配置することは骨利であり、その際に各
次元内で、直接に並ひ合って配置dされたそれぞれ2つ
の粗座標・ば100μm21の間1硝を有する。経済的
な移動テーブルTが二次元の1.00μm粗座標スケー
ル用として市販されている。参jK面(座標測定格子K
)上の二次元100μ?n粗座標スケールにおいて、そ
れぞれ2つの相続く粗座標のなかζ(線分Sを、それら
が座標測定格子に上で各次元内で25μmの”周期性”
を有するiうに、またそれらが同時にたとえばサブマイ
クロ・l) )グラフィの応用の際に0.11tmよシ
も良好な分解能を可能にするように配置することば有利
である。非周期的な粗座標はたとえば座標測定格子に上
の線分の長さまたは形状を相異なるものとすることによ
シ定められ得る。
第3図には、固体Mの表面上の1つの点の座標をめるた
めの本発明による方法の原理が示されている。第3図の
像、・またとえば、固体Mの表面および座標測定格子に
の結像がモニタMQのスフリーフ上で重ねられることに
より、モニタMQ上に得られる。線分Sまた。はAによ
り座標測定格子に上の1つの参照点の絶対座標XS 、
ysが定められる。この参照点の座標XS、y8をめ
るため、像評励用電子回路Eにより線分SまたはAにお
いてそ/7.ぞれ各線分Sまた・・まAの両辺の間の対
・亦平均イにかrlなわれる。信号対雑音比を改善する
ため、線分+HII定t・まそれぞれ線分8寸たけAに
対して母面10行なわれる。このようにして、それぞれ
線分中心のχおよびy r%標がめられる。この目的で
たとえば、テレビカメラTVにょシとらえられた像が線
分SまたはAの辺に関して評1i11iされ得る。線分
中心の評1lII]Jま開平面内の神々の間[によって
も何なわれ得る。
めの本発明による方法の原理が示されている。第3図の
像、・またとえば、固体Mの表面および座標測定格子に
の結像がモニタMQのスフリーフ上で重ねられることに
より、モニタMQ上に得られる。線分Sまた。はAによ
り座標測定格子に上の1つの参照点の絶対座標XS 、
ysが定められる。この参照点の座標XS、y8をめ
るため、像評励用電子回路Eにより線分SまたはAにお
いてそ/7.ぞれ各線分Sまた・・まAの両辺の間の対
・亦平均イにかrlなわれる。信号対雑音比を改善する
ため、線分+HII定t・まそれぞれ線分8寸たけAに
対して母面10行なわれる。このようにして、それぞれ
線分中心のχおよびy r%標がめられる。この目的で
たとえば、テレビカメラTVにょシとらえられた像が線
分SまたはAの辺に関して評1i11iされ得る。線分
中心の評1lII]Jま開平面内の神々の間[によって
も何なわれ得る。
座標測定格子に上の1つの参照点の絶対座標X B 。
ys から出発して、評価用電子回路・EKより固体M
の表面上の1つの点の絶対座標XF、:i’Fが、像軸
(光軸ID A ) VC関して絶対座標xs、 ys
の参照点の相対座標i、yがめられることと、この像軸
OAK関してこの点(そのN!3対座標が指示されるべ
き点)の相対座標”+ y′がめられることとによって
められる。固体Mの表面上のこの点(その絶対座標がめ
られるべき点)は、たとえば1つのマークRのそれぞれ
向かい合う辺の間かめられることによって定められ得る
。
の表面上の1つの点の絶対座標XF、:i’Fが、像軸
(光軸ID A ) VC関して絶対座標xs、 ys
の参照点の相対座標i、yがめられることと、この像軸
OAK関してこの点(そのN!3対座標が指示されるべ
き点)の相対座標”+ y′がめられることとによって
められる。固体Mの表面上のこの点(その絶対座標がめ
られるべき点)は、たとえば1つのマークRのそれぞれ
向かい合う辺の間かめられることによって定められ得る
。
対′吻しンズ01,02としては、標準的に36倍の倍
率および05の開口を有する入射対物レンズが用いられ
得る。
率および05の開口を有する入射対物レンズが用いられ
得る。
本発明(てよる参照σ1り定原理の実施の際、暗視野結
像も可能である。
像も可能である。
テレビ像の電子式評価(てよシ線分SまたはAの座標位
置をめるだめの1つの方法は米国特許第4238713
0号明細筈に記載されている。
置をめるだめの1つの方法は米国特許第4238713
0号明細筈に記載されている。
参照面に上に格子線分Sは、これらが十分に長ぐかつ直
線状であり得るように、過度に密にではなく並び合って
いるべきである。さらに、これらの格子線分S&i、1
つの格子線分Sと他の格子線分SとがjM度に近接して
いることによp格子線分Sの位置をめるのに支障が生じ
ないように、十分な間肯をおいて並び合っているべきで
ある。他方において、これらの格子線分Sは、結像評価
システムの各視野内で少なくとも1つの格子線分Sが認
められ得るように密に配置されているべきである。、視
野の大きさくはたとえば検出器要素(ピクセル)あたり
01 μmの所望の分解能によシ予め与えられている。
線状であり得るように、過度に密にではなく並び合って
いるべきである。さらに、これらの格子線分S&i、1
つの格子線分Sと他の格子線分SとがjM度に近接して
いることによp格子線分Sの位置をめるのに支障が生じ
ないように、十分な間肯をおいて並び合っているべきで
ある。他方において、これらの格子線分Sは、結像評価
システムの各視野内で少なくとも1つの格子線分Sが認
められ得るように密に配置されているべきである。、視
野の大きさくはたとえば検出器要素(ピクセル)あたり
01 μmの所望の分解能によシ予め与えられている。
テレビカメラTVにおけるテレビ行の現在通常の間隔で
は、直接に隣合ってqいに平行な直、端内(/こ延びる
2つのこのような格子線分Sの間の25μm、/)間隔
が望ましい。
は、直接に隣合ってqいに平行な直、端内(/こ延びる
2つのこのような格子線分Sの間の25μm、/)間隔
が望ましい。
線分SVよ一般にバー要素と呼ばれ得る。これらのバー
要素Iは、それらの辺の間の仮想的中心を高精度でめ得
るように、過度に広くてはならない。
要素Iは、それらの辺の間の仮想的中心を高精度でめ得
るように、過度に広くてはならない。
他方にかいて、これらのバー安来wi袈造上の願出から
有限の幅を有する。これらの理由から、このようなバー
要素の現在通常の製作方法では、これらのバー要素に対
して2μmO幅が望ましい。
有限の幅を有する。これらの理由から、このようなバー
要素の現在通常の製作方法では、これらのバー要素に対
して2μmO幅が望ましい。
参照面には直交格子の形態で互いに垂直に配置された直
線状のバー要素を有するべきである。これらのバー要素
が交差点で中断されることは望ましい。バー要素により
定められる直交格子はバー要素の間に直交格子領域を有
する。種々の直交格子領域の区別のために、このような
直交格子領域のなかに種々の補助マークAが配置輸され
ることは望ましい。100μmの粗座標の間隔でVよ、
補助マークAも同じくIIC107zの間1褐で繰返す
ことが望ましい。直交格子領域内に配置されている補助
マークAVi直交格子領域内のスケーリングの決定を可
能にする。
線状のバー要素を有するべきである。これらのバー要素
が交差点で中断されることは望ましい。バー要素により
定められる直交格子はバー要素の間に直交格子領域を有
する。種々の直交格子領域の区別のために、このような
直交格子領域のなかに種々の補助マークAが配置輸され
ることは望ましい。100μmの粗座標の間隔でVよ、
補助マークAも同じくIIC107zの間1褐で繰返す
ことが望ましい。直交格子領域内に配置されている補助
マークAVi直交格子領域内のスケーリングの決定を可
能にする。
結1家の評価の際に棟々の検出器要素の間に強度移行が
存在しているので、内挿により全分解能(は、隣合う検
出器要素の間の単なる間隔VC相当するものよりも良好
であシ得る。
存在しているので、内挿により全分解能(は、隣合う検
出器要素の間の単なる間隔VC相当するものよりも良好
であシ得る。
本発明は二次元内の固体Mの表面上の座標の決定の際に
角度忠実度および直線性を可能((する。
角度忠実度および直線性を可能((する。
参照面Kによる二次元測定は省略され得、る。それと異
なシ、たとえばレーザー干渉計によシ案内されるテーブ
ルTでは基準鏡の直交性および直線性7)較正にもかか
わらず二次元の測定の際にノ憂乱か生じ得る。なぜなら
ば、レーザー干渉計測定システムによるこのような二次
元の測定は2つの各次元内(υ61す定の重ね付わせか
ら成っているからである。
なシ、たとえばレーザー干渉計によシ案内されるテーブ
ルTでは基準鏡の直交性および直線性7)較正にもかか
わらず二次元の測定の際にノ憂乱か生じ得る。なぜなら
ば、レーザー干渉計測定システムによるこのような二次
元の測定は2つの各次元内(υ61す定の重ね付わせか
ら成っているからである。
!81図は本発明)/cよる座標参照顕微鏡の一断面を
解削的に示す図、第2図・Jよ本発明による座標測定格
子の原理を示す図、第3図it固体の表面上の1つの点
の座標を本発明によりめるだめの原理を7Jマす図であ
る。 A・線分(補助マーク)、H,Hl、H2・・・半祷過
硯、工く・・座標測定格子、M・・固体i MO・・・
モニタ、0Δ・光軸、01,02・・・対物レンズ、0
k・・・接眼レンズ、S・・・線分、T・・テーブル、
TV・・・テレビカメラ。 IG2 F1YF
解削的に示す図、第2図・Jよ本発明による座標測定格
子の原理を示す図、第3図it固体の表面上の1つの点
の座標を本発明によりめるだめの原理を7Jマす図であ
る。 A・線分(補助マーク)、H,Hl、H2・・・半祷過
硯、工く・・座標測定格子、M・・固体i MO・・・
モニタ、0Δ・光軸、01,02・・・対物レンズ、0
k・・・接眼レンズ、S・・・線分、T・・テーブル、
TV・・・テレビカメラ。 IG2 F1YF
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)固体(M)の表面上の座標を固体(M)のこの表面
に対してt所定の間隔をおいて配置される二次元の参照
面(K)により高精度で決定するための方、去において
、参照面(K)上の、決定すべき韻律と向かい合う1つ
の範囲が結像されることを特徴とする固体表面上の11
6慎決定方法。 2)固体(M)の表面上の、決定すべき座標が位1゛a
する範囲も結1隊されることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の方法。 :3)固体(M)の表面上の範囲の像訃よび参照面(K
)上の1象が単一の評価ユニット(E)内で処理される
ことを特徴とする特許請求のi#i囲帆21J1記載の
方法。 1)i峨1咄(oA)VCINしてg照面(K)上の1
つの点の座標(”+ y )がめられ、1だ像軸(OA
)に関して固体(11)の表面上の1つの点の座標(x
’、y’)がめられ、また最後にそれから固体(M)の
表面上の該点の座標(xF 17F )が絶対的に指が
されることを特徴とする特許請求の範囲第311七載の
方法。 5)結像が入射光対物レンズ(01,,02)を介して
行なわれることを特徴とする特許請求の範りm第2ノ頁
ないし第4項のいずれかPζyt載の方法。 6)結像光線路が1つの半透過鏡(H)を庁して集めら
れることを特徴とする特許3青求の範囲第5項記載の方
法。 7)像が同時に観察されることを特徴とする特許請求の
範囲第6項記載の方、宍。 8)固体(M)がその加工のために所定の仕方ですらさ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項記;故の方
法。 9)像を取得するための電子式像取得ユニット(TV)
とそれに接続されている像評価用電子回路(E)とを含
んでいることを特徴とする固体表面上の座標の決定装置
。 10) 参照而(K)が固定的に固体(M)の背面上に
配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第9項
記載の装置。 月)参照而(lが互いに垂直に配置された直線状のバー
要素(線分S)を有する(直交格子)ことを特徴とする
特許請求の範囲第9項寸たrt第第1項 12)バー侠素(線分S)が交差点で中断されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第11項記載の装置。 13)1つの補助マーク(A)が1つの直交格子区画内
に配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
1項または第12項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833323836 DE3323836A1 (de) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | Verfahren zur festlegung einer koordinate auf einer oberflaeche eines festkoerpers und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens |
DE3323836.7 | 1983-07-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6036902A true JPS6036902A (ja) | 1985-02-26 |
JPH0324965B2 JPH0324965B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=6202953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59134986A Granted JPS6036902A (ja) | 1983-07-01 | 1984-06-29 | 固体表面上の座標決定方法および装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0135673B1 (ja) |
JP (1) | JPS6036902A (ja) |
DE (2) | DE3323836A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2197463B (en) * | 1986-10-30 | 1990-10-31 | Charles Thomas Austin | Hardness testing machine |
JPH02107949A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Nippon Steel Corp | テープまたは板状体の表裏面検査装置 |
WO1990009559A1 (en) * | 1989-02-15 | 1990-08-23 | Josef Zybert | Position determination method and apparatus |
DE3909856A1 (de) * | 1989-03-25 | 1990-10-31 | Ems Technik Gmbh | Verfahren zur bestimmung der lage eines bezugspunktes eines abtasters relativ zu einem inkrementalmassstab sowie bezugspunktgeber |
DE4040794A1 (de) * | 1990-12-17 | 1992-06-25 | Ems Technik Gmbh | Verfahren und lagegeber zur lagebestimmung eines positionierkoerpers relativ zu einem bezugskoerper |
DE4104602C1 (ja) * | 1991-02-12 | 1992-06-04 | E.M.S. Technik Gmbh, 2950 Leer, De | |
US5148600A (en) * | 1991-09-17 | 1992-09-22 | Advanced Robotics (A.R.L.) Ltd. | Precision measuring apparatus |
FR2702277B1 (fr) * | 1993-03-05 | 1995-04-07 | Renault | Plaque de contrôle notamment d'appareils optiques reliés à un système d'analyse d'images, et son procédé de mise en Óoeuvre. |
DE69524288T2 (de) * | 1994-05-31 | 2002-05-23 | Japan Em Co. Ltd., Hamamatsu | Apparat und Skala zum Messen einer Dimension eines Objektes |
JP3137573B2 (ja) * | 1995-11-15 | 2001-02-26 | ジャパン・イー・エム株式会社 | 計測装置 |
DE19825829C2 (de) * | 1998-06-10 | 2000-07-27 | Leica Microsystems | Verfahren zur Bestimmung des Abstandes P einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1042247B (de) * | 1957-10-26 | 1958-10-30 | Fernseh Gmbh | Vorrichtung zur Messung von Werkstuecktoleranzen |
DE1941547A1 (de) * | 1968-08-14 | 1970-06-18 | Hamamatsu Tv Co Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung eines Koerpers mittels einer Bildaufnahmevorrichtung |
US3752589A (en) * | 1971-10-26 | 1973-08-14 | M Kobayashi | Method and apparatus for positioning patterns of a photographic mask on the surface of a wafer on the basis of backside patterns of the wafer |
US3902811A (en) * | 1973-06-27 | 1975-09-02 | Vsi Corp | Electro-optical scanning system for dimensional gauging of parts |
CH643959A5 (de) * | 1978-04-14 | 1984-06-29 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur automatischen lageerkennung von halbleiterchips. |
-
1983
- 1983-07-01 DE DE19833323836 patent/DE3323836A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-06-04 EP EP84106356A patent/EP0135673B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-04 DE DE8484106356T patent/DE3483193D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-29 JP JP59134986A patent/JPS6036902A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3483193D1 (de) | 1990-10-18 |
EP0135673A2 (de) | 1985-04-03 |
DE3323836A1 (de) | 1985-01-03 |
JPH0324965B2 (ja) | 1991-04-04 |
EP0135673B1 (de) | 1990-09-12 |
EP0135673A3 (en) | 1986-10-01 |
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