JPS6032329B2 - 磁気構造体 - Google Patents
磁気構造体Info
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- JPS6032329B2 JPS6032329B2 JP55036808A JP3680880A JPS6032329B2 JP S6032329 B2 JPS6032329 B2 JP S6032329B2 JP 55036808 A JP55036808 A JP 55036808A JP 3680880 A JP3680880 A JP 3680880A JP S6032329 B2 JPS6032329 B2 JP S6032329B2
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- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
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- C30—CRYSTAL GROWTH
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単壁磁区の伝搬用磁気構造体に関するものであ
り、この構造体は鉄の位置にＭｍ３十イオンを部分置換
した希土類鉄ガーネットから成る単結晶磁気物質層を与
える表面を有する単結晶非磁性基板を含み、この構造に
おいて、前記層を、基板表面が殆んど（１１０）面に平
行である層表面に殆んど垂直な磁化容易軸および前記層
表面内の磁化中間軸を有する前記基板表面に圧縮成長さ
せることに関するものである。
り、この構造体は鉄の位置にＭｍ３十イオンを部分置換
した希土類鉄ガーネットから成る単結晶磁気物質層を与
える表面を有する単結晶非磁性基板を含み、この構造に
おいて、前記層を、基板表面が殆んど（１１０）面に平
行である層表面に殆んど垂直な磁化容易軸および前記層
表面内の磁化中間軸を有する前記基板表面に圧縮成長さ
せることに関するものである。
単壁滋区、特に円柱状磁区（「バブル」）を発生伝搬さ
せるために、一般に固有一触異方性および／または誘導
一鞠異方性（ひずみまたは成長により譲導）をもつ磁気
ガーネット物質を利用することが知られている。
せるために、一般に固有一触異方性および／または誘導
一鞠異方性（ひずみまたは成長により譲導）をもつ磁気
ガーネット物質を利用することが知られている。
この性質は磁化容易軸が希土類鉄ガーネット物質層の平
面に殆んど垂直であることを保証してバブル磁区を形成
するのに利用されている。「希土類」の語はここでは原
子番号３９または５７〜７１を有する元素であると理解
する。論文「高ピーク速度の新規バブル物質」（Ｄ．Ｊ
Ｂｒｅｅｄら、ｌＥＥＥ ＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎＳ
。ｎ ＭａｇｎｅｔｉｃＳ、ＭＡＧ１３巻、Ｎｏ．５、
１９７７、１０８７〜１０９１頁）には、バブル磁区を
ガーネット層に伝搬することができる速度を増加するた
め、斜方晶系異方性をもつガーネット層を作る必要があ
ることを記載している。斜方晶系異方性をもつ層は層平
面に垂直な磁化容易軸および層平面において二種の異な
る「困難（ｈａｒｄｎｅｓｓ）」度を有する困難軸の両
者を有する。これら困難軸は「中間」軸と「困難（ｄｅ
ｆｆｊｃｕｌｔ）」軸と呼ばれる。
面に殆んど垂直であることを保証してバブル磁区を形成
するのに利用されている。「希土類」の語はここでは原
子番号３９または５７〜７１を有する元素であると理解
する。論文「高ピーク速度の新規バブル物質」（Ｄ．Ｊ
Ｂｒｅｅｄら、ｌＥＥＥ ＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎＳ
。ｎ ＭａｇｎｅｔｉｃＳ、ＭＡＧ１３巻、Ｎｏ．５、
１９７７、１０８７〜１０９１頁）には、バブル磁区を
ガーネット層に伝搬することができる速度を増加するた
め、斜方晶系異方性をもつガーネット層を作る必要があ
ることを記載している。斜方晶系異方性をもつ層は層平
面に垂直な磁化容易軸および層平面において二種の異な
る「困難（ｈａｒｄｎｅｓｓ）」度を有する困難軸の両
者を有する。これら困難軸は「中間」軸と「困難（ｄｅ
ｆｆｊｃｕｌｔ）」軸と呼ばれる。
層平面に由来する異方性は「層平面に作用する外部磁場
の既知の適用と同様の速度増加効果をもつことが判って
いる。しかし、このような磁場は幾らかのバブル磁区に
適する。上に述べた論文は、ガドリニウムーガリウム−
ガーネット（Ｑ℃）基板に圧縮成長させた斜方晶系異方
性を有するバブル磁区層に関するものである。
の既知の適用と同様の速度増加効果をもつことが判って
いる。しかし、このような磁場は幾らかのバブル磁区に
適する。上に述べた論文は、ガドリニウムーガリウム−
ガーネット（Ｑ℃）基板に圧縮成長させた斜方晶系異方
性を有するバブル磁区層に関するものである。
この層は所望の磁気弾性を得るようにマンガンを鉄の位
置の一部に含み、希士類イオンの選択によって所望の圧
縮範囲を調整する。イットリウム鉄ガーネットを基にし
た組成をもつ層は正確にＧＧＧに適合するので、この場
合一定の圧縮を行うようにイットリウムより大きい希士
類イオンを用いる必要がある。しかし、磁化の温度依存
性のような磁性を、鉄の位置と希土類の位置にある磁気
イオンによって決定する。これは、Ｗ℃基板のイットリ
ウム鉄ガーネット層の圧縮は、イットリウムより大きな
磁気希士類イオン、例えばガドリニウムやユーロピウム
を用いて、例えば磁化の温度依存性に影響されずに調整
することができないことを示している。これに対してＱ
℃のイットリウム鉄ガーネット層の圧縮を、イットリウ
ムより大きな非磁気希±類イオンによって調整する場合
、ランタンのみが利用できる。しかし、ランタンとマン
ガンは層において相互に影響を及ぼし合い混合している
ので、この場合圧縮調整は磁気弾性に影響する。２つの
場合に独立してＱ幻基板にイットリウム鉄ガーネットェ
ピ層をこのように圧縮調整することはできない。
置の一部に含み、希士類イオンの選択によって所望の圧
縮範囲を調整する。イットリウム鉄ガーネットを基にし
た組成をもつ層は正確にＧＧＧに適合するので、この場
合一定の圧縮を行うようにイットリウムより大きい希士
類イオンを用いる必要がある。しかし、磁化の温度依存
性のような磁性を、鉄の位置と希土類の位置にある磁気
イオンによって決定する。これは、Ｗ℃基板のイットリ
ウム鉄ガーネット層の圧縮は、イットリウムより大きな
磁気希士類イオン、例えばガドリニウムやユーロピウム
を用いて、例えば磁化の温度依存性に影響されずに調整
することができないことを示している。これに対してＱ
℃のイットリウム鉄ガーネット層の圧縮を、イットリウ
ムより大きな非磁気希±類イオンによって調整する場合
、ランタンのみが利用できる。しかし、ランタンとマン
ガンは層において相互に影響を及ぼし合い混合している
ので、この場合圧縮調整は磁気弾性に影響する。２つの
場合に独立してＱ幻基板にイットリウム鉄ガーネットェ
ピ層をこのように圧縮調整することはできない。
さらに、この目的のため磁気希土類イオンのガドリニウ
ムとユーロピウムを使用すると、バブル磁区の可動性（
制動）に逆影響の不利を与え、これによって全磁化が減
らされる。これは、サブミクロンバフル磁区を発生伝搬
する必要がある層には不利である。本発明の目的は、磁
化の温度依存性、サブミクロンバブル磁区の運搬が可能
な層の実現またはバブル磁区の可動性に有害な影響を与
えることなく、所望の圧縮範囲を供給できる非磁気基板
に圧縮成長させるマンガン含有ェピ層を有する磁気構造
を提供することにある。
ムとユーロピウムを使用すると、バブル磁区の可動性（
制動）に逆影響の不利を与え、これによって全磁化が減
らされる。これは、サブミクロンバフル磁区を発生伝搬
する必要がある層には不利である。本発明の目的は、磁
化の温度依存性、サブミクロンバブル磁区の運搬が可能
な層の実現またはバブル磁区の可動性に有害な影響を与
えることなく、所望の圧縮範囲を供給できる非磁気基板
に圧縮成長させるマンガン含有ェピ層を有する磁気構造
を提供することにある。
本発明は、１２．２３〜１２．３８Ａの格子定数を有し
単結晶非磁気基板および鉄の位置にＭぜ＋イオンを部分
置換した希±類鉄ガーネットから成る単結晶磁気物質層
を備える構造体を含み、前記層を層平面に殆んど垂直な
容易軸および層平面の磁化中間軸を有する基板表面に圧
縮成長させ、前記基板表面が基板の（１１０）面に殆ん
ど平行に延び、希±頚鉄ガーネット層の結晶格子におい
て示す最大希±額イオンがイットリウムである単壁磁区
の伝搬に通した磁気構造体を提供するものである。
単結晶非磁気基板および鉄の位置にＭぜ＋イオンを部分
置換した希±類鉄ガーネットから成る単結晶磁気物質層
を備える構造体を含み、前記層を層平面に殆んど垂直な
容易軸および層平面の磁化中間軸を有する基板表面に圧
縮成長させ、前記基板表面が基板の（１１０）面に殆ん
ど平行に延び、希±頚鉄ガーネット層の結晶格子におい
て示す最大希±額イオンがイットリウムである単壁磁区
の伝搬に通した磁気構造体を提供するものである。
１２．２３〜１２．３８△の格子定数をもつ基板物質を
選ぶことによって（１２．２７の格子定数をもつイット
リウム ガリウム ガーネットはこのような物質の一例
である）、１２．３８３ムの格子定数をもつＧＧＧのか
わりに、例えばェピ層としてルテシウム鉄ガーネットを
使用することができる。
選ぶことによって（１２．２７の格子定数をもつイット
リウム ガリウム ガーネットはこのような物質の一例
である）、１２．３８３ムの格子定数をもつＧＧＧのか
わりに、例えばェピ層としてルテシウム鉄ガーネットを
使用することができる。
ルテシウム鉄ガーネットはイットリウムガリウムガーネ
ットに正確に合う。このようにイットリウム ガリウム
ガーネット基板に圧縮によりルテシウム鉄ガーネットに
基づく物質層を成長させるために、ルテシウムより大き
いルテシウム鉄ガーネットに希±頚鉄を混和させる。イ
ットリウムはこの目的に非常に合い、非磁性であり、そ
れ故磁化の温度依存性に影響を与えず、サプミクロン滋
区を選ぶことができる物質の実現を妨げず、さらにバブ
ル磁区の可動性に影響を与えない。イットリウムガリウ
ムガーネットの他に、本発明の要件を満足させる非磁性
ガーネット基板物質は特に、テルビウムガリウムガーネ
ット（格子定数１２．３５Ａ）、ージスプロシウムガリ
ウムガーネツト（格子定数１２．３１Ａ）およびカルシ
ウムガリウムガーネット（格子定数１２．２５Ａ）を含
む。
ットに正確に合う。このようにイットリウム ガリウム
ガーネット基板に圧縮によりルテシウム鉄ガーネットに
基づく物質層を成長させるために、ルテシウムより大き
いルテシウム鉄ガーネットに希±頚鉄を混和させる。イ
ットリウムはこの目的に非常に合い、非磁性であり、そ
れ故磁化の温度依存性に影響を与えず、サプミクロン滋
区を選ぶことができる物質の実現を妨げず、さらにバブ
ル磁区の可動性に影響を与えない。イットリウムガリウ
ムガーネットの他に、本発明の要件を満足させる非磁性
ガーネット基板物質は特に、テルビウムガリウムガーネ
ット（格子定数１２．３５Ａ）、ージスプロシウムガリ
ウムガーネツト（格子定数１２．３１Ａ）およびカルシ
ウムガリウムガーネット（格子定数１２．２５Ａ）を含
む。
最後に述べた基板物質では、ルテシゥム鉄ガーネットに
基づく層でも必要なイットリウムを混和しないで圧縮成
長させることができる。また本発明は、本発明による磁
気構造体を含む磁気バブル装置に関するものであり、本
構造において、磁気層を伝搬要素を限定するパターンと
共に備え、さらに磁気層に磁気バブルを維持する磁場を
生成し得る源および伝搬磁場を生成する電磁気手段を含
む。
基づく層でも必要なイットリウムを混和しないで圧縮成
長させることができる。また本発明は、本発明による磁
気構造体を含む磁気バブル装置に関するものであり、本
構造において、磁気層を伝搬要素を限定するパターンと
共に備え、さらに磁気層に磁気バブルを維持する磁場を
生成し得る源および伝搬磁場を生成する電磁気手段を含
む。
次に図面につき本発明磁気装置の実施例を説明する。
Ｙ３Ｇａ５０，２の単結晶をＧｄ３Ｃａ５０，２の製作
法と同様のチョックラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋ
ｉ）法によって製作することができる（参照例、０′Ｋ
ａｎｅ、Ｓａ舷ｇｏｐａｎおよびＧｉｅｓｓ、「Ｊｏｕ
ｍａｌ ｏｆ ｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏＣｈｅｍ、、Ｓｏ
ｃ」１２０（１９７３）１２７２頁）。
法と同様のチョックラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋ
ｉ）法によって製作することができる（参照例、０′Ｋ
ａｎｅ、Ｓａ舷ｇｏｐａｎおよびＧｉｅｓｓ、「Ｊｏｕ
ｍａｌ ｏｆ ｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏＣｈｅｍ、、Ｓｏ
ｃ」１２０（１９７３）１２７２頁）。
Ｙ３０も０，２の単結晶を純度９９．９９％以上の出発
物質を用いて製造し、１数時間１０００ｏｏにて焼成乾
燥させた。乾燥粉末をデシケータに貯え、その後正確に
秤量して混合し、小球に成形してイリジウムの丸盆から
成るつばに完全に詰込んだ。このるつぼを加熱してつ・
球を溶融し、冷却後小球を補給して再び加熱した。これ
はるつぼを節約する最小限の時間で行う必要がある。次
いでるつぼを熱放射に対し隔離した引出し装置に置いた
。高周波譲導ジヱネレータによってるつぼをＹ３Ｇａ５
０，２の融点以上まで加熱した。この場合＜１１０＞方
向をもつ指向性の良い種を、溶融面に接触するように低
くした。種が溶融成長しないようにジヱネレータの容量
を正確に再調整した。次いで種の引出しを開始し種を引
出し率５側／ｈｒ以下で回転させた。回転速度を１分間
６０回転に調整し、最大直径にまで成長した時、結晶は
殆んど平らな凝固面をもっていた。次いで一定の成長結
晶直径を保持するように計量器によって自動的に制御し
た。引出し率をさらに増加させて本工程を終らせた。ジ
ェネレータ容量をプログラムでゼロに減らし、続いて結
晶を装置から除去した。結晶成長の間装置のガス雰囲気
は０２容量が２％のＮ２と０２の混合物から成る。
物質を用いて製造し、１数時間１０００ｏｏにて焼成乾
燥させた。乾燥粉末をデシケータに貯え、その後正確に
秤量して混合し、小球に成形してイリジウムの丸盆から
成るつばに完全に詰込んだ。このるつぼを加熱してつ・
球を溶融し、冷却後小球を補給して再び加熱した。これ
はるつぼを節約する最小限の時間で行う必要がある。次
いでるつぼを熱放射に対し隔離した引出し装置に置いた
。高周波譲導ジヱネレータによってるつぼをＹ３Ｇａ５
０，２の融点以上まで加熱した。この場合＜１１０＞方
向をもつ指向性の良い種を、溶融面に接触するように低
くした。種が溶融成長しないようにジヱネレータの容量
を正確に再調整した。次いで種の引出しを開始し種を引
出し率５側／ｈｒ以下で回転させた。回転速度を１分間
６０回転に調整し、最大直径にまで成長した時、結晶は
殆んど平らな凝固面をもっていた。次いで一定の成長結
晶直径を保持するように計量器によって自動的に制御し
た。引出し率をさらに増加させて本工程を終らせた。ジ
ェネレータ容量をプログラムでゼロに減らし、続いて結
晶を装置から除去した。結晶成長の間装置のガス雰囲気
は０２容量が２％のＮ２と０２の混合物から成る。
これは、都合の悪いＧａ２０の蒸発とｌｒ０３の蒸発の
ないるつぼの酸化との間に最適条件を見出すためである
。化学量論的なＹ３０も０．２を生成するには、モル比
Ｙ２０３／Ｇａ２０３が３：１：４．９の混合物を出発
物質として使用する必要がある（Ｂｒａｎｄｌｅおよび
Ｂａｒｎｓ、ＪｏｍＭ１ ｏｆ Ｃひｓｔａｌ稗ｏＭｈ
、２６（１９７４）１６９頁）。
ないるつぼの酸化との間に最適条件を見出すためである
。化学量論的なＹ３０も０．２を生成するには、モル比
Ｙ２０３／Ｇａ２０３が３：１：４．９の混合物を出発
物質として使用する必要がある（Ｂｒａｎｄｌｅおよび
Ｂａｒｎｓ、ＪｏｍＭ１ ｏｆ Ｃひｓｔａｌ稗ｏＭｈ
、２６（１９７４）１６９頁）。
バブル磁区層１（第１図）を、例えば化学蒸着（ＣＶＤ
）または液相ェピタキシャル（ＬＰＥ）法によって、基
板２にェピタキシャル成長させることができる。
）または液相ェピタキシャル（ＬＰＥ）法によって、基
板２にェピタキシャル成長させることができる。
ＬＰＥは層平面に対し正常な磁化容易軸をもつガーネッ
ト層の成長に非常に適している。ＬＰＥ成長は次のよう
である。容量が例えば１００ｃｃの白金るつぼを炉の中
に置いた。このるつぼには、層成長に必要な酸化物を溶
解したＰｂ○−ＫＯ３メルトを含む。るつぼの内容物を
メルトの飽和温度以上に加熱鷹拝して、メルトを成長温
度まで冷却した。イットリウムガリウムガーネット基板
は、所望の析出表面を備える方向に切断研摩し、白金ホ
ルダーに置き、一定時間メルトの中に浸した。垂直また
は水平のディッピング法を使用することができる。（垂
直ディッピング法では、基板は一搬に成長工程の間回転
しないが、水平ディッピング法では、一般に基板を回転
する。）基板上に成長した膜厚が十分になった場合、基
板をメルトから引出した。必要ならば、フラックス残湾
を希硝酸と希酢酸の混合液により除去することができる
。一般式（Ｌｕ、Ｙ）３（Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇａ）５０，２
を満足する幾らかの層を上に述べた方法により成長させ
た。
ト層の成長に非常に適している。ＬＰＥ成長は次のよう
である。容量が例えば１００ｃｃの白金るつぼを炉の中
に置いた。このるつぼには、層成長に必要な酸化物を溶
解したＰｂ○−ＫＯ３メルトを含む。るつぼの内容物を
メルトの飽和温度以上に加熱鷹拝して、メルトを成長温
度まで冷却した。イットリウムガリウムガーネット基板
は、所望の析出表面を備える方向に切断研摩し、白金ホ
ルダーに置き、一定時間メルトの中に浸した。垂直また
は水平のディッピング法を使用することができる。（垂
直ディッピング法では、基板は一搬に成長工程の間回転
しないが、水平ディッピング法では、一般に基板を回転
する。）基板上に成長した膜厚が十分になった場合、基
板をメルトから引出した。必要ならば、フラックス残湾
を希硝酸と希酢酸の混合液により除去することができる
。一般式（Ｌｕ、Ｙ）３（Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇａ）５０，２
を満足する幾らかの層を上に述べた方法により成長させ
た。
先ず、本発明の目的物を容易に成長させるためこの組成
を選んだ。
を選んだ。
上に述べた組成に基づく層成長に特有な実施例を実施例
１に述べた。
１に述べた。
実施例 １
一般式（Ｌｕ、Ｙ）３（Ｆｅ、Ｇａ、Ｍｎ）５０，２の
組成物をもつ層をイットリウムガリウムガーネットから
基板上に成長させるため、メルトを次の成分から構成し
た：Ｐｂ０ １２００夕＆０３
２５夕 Ｆｅ２０３ １００夕ＭｎＣ０３
１６夕Ｙ２０３
３．７５夕Ｌｕ２０３ ９夕 Ｇａ２０３ １５夕。
組成物をもつ層をイットリウムガリウムガーネットから
基板上に成長させるため、メルトを次の成分から構成し
た：Ｐｂ０ １２００夕＆０３
２５夕 Ｆｅ２０３ １００夕ＭｎＣ０３
１６夕Ｙ２０３
３．７５夕Ｌｕ２０３ ９夕 Ｇａ２０３ １５夕。
（１１０）面に関して２ｏ異方向の析出表面を備えた基
板を１分５の砂、間〆ルトに水平に浸した温度は９３３
００であった。基板を垂直軸のまわりに１２仇ｐｍで回
転させ、回転方向を５回転毎に反転させた。（１１０）
面に関して異方向が小さい析出表面を備えた基板は、鉛
フラツクスを使用する場合十分に平滑な層を得る必要が
あった。成長層の厚さは２伍仏のであり、「ミスフイッ
ト」三；三は−１６×１０‐３（ａ，は基板物質の格子
パラメータ、ａ２は層物質の格子パラメーター）であっ
た。次の磁気特性を測定した。４汀Ｍｓ＝３００ガウス Ｂ（ストリップ幅）＝２．０５仏の Ｈコラプス：１６瓜だ −般式（Ｌｕ、Ｙ、Ｇｄ）３（Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇａ）５０
，２の組成に基づく層を（１１０）面に関して２ｏ異方
向のイットリウムガリウムガーネット基板表面上に成長
させる一連の実験を実施例２に述べる。
板を１分５の砂、間〆ルトに水平に浸した温度は９３３
００であった。基板を垂直軸のまわりに１２仇ｐｍで回
転させ、回転方向を５回転毎に反転させた。（１１０）
面に関して異方向が小さい析出表面を備えた基板は、鉛
フラツクスを使用する場合十分に平滑な層を得る必要が
あった。成長層の厚さは２伍仏のであり、「ミスフイッ
ト」三；三は−１６×１０‐３（ａ，は基板物質の格子
パラメータ、ａ２は層物質の格子パラメーター）であっ
た。次の磁気特性を測定した。４汀Ｍｓ＝３００ガウス Ｂ（ストリップ幅）＝２．０５仏の Ｈコラプス：１６瓜だ −般式（Ｌｕ、Ｙ、Ｇｄ）３（Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇａ）５０
，２の組成に基づく層を（１１０）面に関して２ｏ異方
向のイットリウムガリウムガーネット基板表面上に成長
させる一連の実験を実施例２に述べる。
実施例 ２実施例１に述べたと同様の方法により行った
成長工程には、メルトを次の成分から構成した：Ｐｂ０
１３２０夕Ｂ０３
２５．５夕 Ｆｅ２０３ １２０夕Ｙ２０３
３．７５夕Ｌｕ２０３
９．２５タＭｎＣ０３
１６．０夕○ａ２０３ １６．０
夕。
成長工程には、メルトを次の成分から構成した：Ｐｂ０
１３２０夕Ｂ０３
２５．５夕 Ｆｅ２０３ １２０夕Ｙ２０３
３．７５夕Ｌｕ２０３
９．２５タＭｎＣ０３
１６．０夕○ａ２０３ １６．０
夕。
成長温度は９４７０であった。４．２仏の厚さの層を３
分間で成長させ、「ミスフイット」は−３．３×１０‐
３であった。
分間で成長させ、「ミスフイット」は−３．３×１０‐
３であった。
次の磁気特性を測定した。
４汀Ｍｓ＝２５２ガウス
Ｂ（ストリップ幅）＝３．６７山肌
日コラプス＝１４１Ｃら
Ｋｕ（００１）＝１．６５×１ぴ
△（１１０）＝−２．８６×１ぴ
Ｋｕ
Ｑ・＝布市平＝７．１４
△
Ｑ２＝鏡市電＝１２．３
第２図は一般に定義されている斜方晶系異方性に関する
座標系を示す図である。
座標系を示す図である。
系の磁気異方性エネルギーＦを次のように表すことがで
きる：Ｆ＝Ｋｕｓｉ〆ａ＋△ｓｉｎ２８ｓｉ〆のＫｕは
容易軸ｚと中間軸ｘ間のエネルギー差を示し、△は中間
軸ｘと困難軸ｙ間のエネルギー差を示す。
きる：Ｆ＝Ｋｕｓｉ〆ａ＋△ｓｉｎ２８ｓｉ〆のＫｕは
容易軸ｚと中間軸ｘ間のエネルギー差を示し、△は中間
軸ｘと困難軸ｙ間のエネルギー差を示す。
０とのま磁化Ｍの方向を示す。
磁壁速度をいわゆる「バブルコラプス」法によっ て
測定 し た（Ａ．日．節ｂｅｃｋ ら 、Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｌ９７０Ｆｅｎｊｔｅｓｓ、Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ、京都、３６１頁）。
測定 し た（Ａ．日．節ｂｅｃｋ ら 、Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｌ９７０Ｆｅｎｊｔｅｓｓ、Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ、京都、３６１頁）。
この方法において、バイアスフィールドＨｂ（第１図）
はバイアスフィールド源５で生成し、このバイアスフィ
ールドは安定バルブ磁区３を形成するのに必要であり、
全磁場が空電コラプスフィールドを越える値をもつよう
な方法でフィールドパルスＨｐによって強められる。フ
ィールドパルスの間、バブル磁区３の半径は初期値Ｒ，
からパルス幅によって決まるさらに小さな値Ｒ２に減少
する。パルスフィールドＨｐのスイッチを切った瞬間に
、バブル磁区の半径Ｒ２が半径Ｒ。よりり大きく不安定
になる場合、バブル磁区は再度初期値Ｒ，に達するまで
広がる。パルスフィールドのスイッチを切った瞬間に、
Ｒ２がＲｏより小さい場合、バブル磁区は縮み始め（コ
ラプスする）最後には消えてしまう。臨界のパルス幅は
与えられたパルスの大きさと関連しＲ２はＲ。に全く等
しい。このパルス幅はバブル磁区コラプス時間↑に等し
し、。次‘こ磁壁速度をふこより定謝る。ここで△Ｒ＝
Ｒ，一Ｒ。である。第１図に図示したバブル磁区装置の
特徴はさらに層４にあり、この層４はバブル伝搬パター
ンおよびバブル伝搬磁場を生成する電磁気手段６を限定
する。
はバイアスフィールド源５で生成し、このバイアスフィ
ールドは安定バルブ磁区３を形成するのに必要であり、
全磁場が空電コラプスフィールドを越える値をもつよう
な方法でフィールドパルスＨｐによって強められる。フ
ィールドパルスの間、バブル磁区３の半径は初期値Ｒ，
からパルス幅によって決まるさらに小さな値Ｒ２に減少
する。パルスフィールドＨｐのスイッチを切った瞬間に
、バブル磁区の半径Ｒ２が半径Ｒ。よりり大きく不安定
になる場合、バブル磁区は再度初期値Ｒ，に達するまで
広がる。パルスフィールドのスイッチを切った瞬間に、
Ｒ２がＲｏより小さい場合、バブル磁区は縮み始め（コ
ラプスする）最後には消えてしまう。臨界のパルス幅は
与えられたパルスの大きさと関連しＲ２はＲ。に全く等
しい。このパルス幅はバブル磁区コラプス時間↑に等し
し、。次‘こ磁壁速度をふこより定謝る。ここで△Ｒ＝
Ｒ，一Ｒ。である。第１図に図示したバブル磁区装置の
特徴はさらに層４にあり、この層４はバブル伝搬パター
ンおよびバブル伝搬磁場を生成する電磁気手段６を限定
する。
第１図は本発明の磁気構造体を含む磁気バブル磁区装置
の実施例を示す断面図、第２図は斜方晶系異方性を定義
するための座標系を示す図である。 １・・・・・・バブル磁区層、２・・・・・・基板、３
・・…・バブル磁区、４・・・・・・層、５・・・・・
・バイアスフィールド源、６・・・・・・電磁気手段。 ＦＩＧ．ＩＦＩＧ．２
の実施例を示す断面図、第２図は斜方晶系異方性を定義
するための座標系を示す図である。 １・・・・・・バブル磁区層、２・・・・・・基板、３
・・…・バブル磁区、４・・・・・・層、５・・・・・
・バイアスフィールド源、６・・・・・・電磁気手段。 ＦＩＧ．ＩＦＩＧ．２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １２．２３〜１２．３８Åの格子定数を有し単結晶
非磁気基板および鉄の位置はＭｎ＾３＾＋イオンを部分
置換した希土類鉄ガーネツトから成る単結晶磁気物質層
を備え、前記層は層平面に殆んど垂直な磁化容易軸およ
び層平面の磁化中間軸を有する基板表面に圧縮成長させ
、前記基板表面が基板の（１１０）面に殆んど平行に延
び、希土類鉄ガーネツト層の結晶格子において示す最大
希土類イオンがイツトリウムである単壁磁区伝搬用磁気
構造体。 ２ 基板物質が格子定数１２．２７Åを有するイツトリ
ウム ガリウム ガーネツトである特許請求の範囲第１
項記載の磁気構造体。 ３ 磁気物質が一般式 （Ｌｕ、Ｒ）＿３Ｆｅ＿５＿−＿ｙＭｎ＿ｙＯ＿１＿
２（式中Ｒは少なくとも１個のＬｕイオンより大きい希
土類イオンを含む希土類元素を表し、ｙ≧０．１５であ
る）で示される組成を有する特許請求の範囲第２項記載
の磁気構造体。 ４ Ｒが少なくともＹを含む特許請求の範囲第２項記載
の磁気構造体。 ５ １２．２３〜１２．３８Åの格子定数を有し単結晶
非磁気基板および鉄の位置にＭｎ＾３＾＋イオンを部分
置換した希土類鉄ガーネツトから成る単結晶磁気物質層
を備え、前記層は層平面に殆んど垂直な磁化容易軸およ
び層平面の磁化中間軸を有する基板表面に圧縮成長させ
、前記基板表面が基板の（１１０）面に殆んど平行に延
び、希土類鉄ガーネツト層の結晶格子において示す最大
希土類イオンがイツトリウムである単壁磁区伝搬用磁気
構造体を備え、前記磁気層が伝搬要素を画成するパター
ンを備え、さらに磁気層を磁気バブルを維持する磁場を
生成し得る源および伝搬磁場を生成する電磁気手段を備
える磁気バブル装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7902293A NL7902293A (nl) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | Magnetische beldomein structuur en magnetische beldomeininrichting. |
| NL7902293 | 1979-03-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55130107A JPS55130107A (en) | 1980-10-08 |
| JPS6032329B2 true JPS6032329B2 (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=19832854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55036808A Expired JPS6032329B2 (ja) | 1979-03-23 | 1980-03-22 | 磁気構造体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4414290A (ja) |
| JP (1) | JPS6032329B2 (ja) |
| DE (1) | DE3011037A1 (ja) |
| FR (1) | FR2452166B1 (ja) |
| GB (1) | GB2046124B (ja) |
| NL (1) | NL7902293A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670316A (en) * | 1983-05-11 | 1987-06-02 | General Electric Company | Thermo-magnetic recording materials supporting small stable domains |
| US4728178A (en) * | 1984-07-02 | 1988-03-01 | Allied Corporation | Faceted magneto-optical garnet layer and light modulator using the same |
| USH557H (en) * | 1986-11-07 | 1988-12-06 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Epitaxial strengthening of crystals |
| EP2670817B1 (en) * | 2011-02-04 | 2018-01-17 | Osram Sylvania Inc. | Wavelength converter for an led, method of making, and led containing same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3728152A (en) * | 1970-12-28 | 1973-04-17 | North American Rockwell | Method for producing bubble domains in magnetic film-substrate structures |
| NL7606482A (nl) * | 1976-06-16 | 1977-12-20 | Philips Nv | Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm. |
| NL7700419A (nl) * | 1977-01-17 | 1978-07-19 | Philips Nv | Magnetisch beldomein materiaal. |
| US4202930A (en) * | 1978-02-10 | 1980-05-13 | Allied Chemical Corporation | Lanthanum indium gallium garnets |
-
1979
- 1979-03-23 NL NL7902293A patent/NL7902293A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-03-20 GB GB8009341A patent/GB2046124B/en not_active Expired
- 1980-03-21 DE DE19803011037 patent/DE3011037A1/de not_active Withdrawn
- 1980-03-22 JP JP55036808A patent/JPS6032329B2/ja not_active Expired
- 1980-03-24 FR FR8006511A patent/FR2452166B1/fr not_active Expired
-
1982
- 1982-03-15 US US06/358,062 patent/US4414290A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3011037A1 (de) | 1980-11-20 |
| NL7902293A (nl) | 1980-09-25 |
| US4414290A (en) | 1983-11-08 |
| FR2452166A1 (fr) | 1980-10-17 |
| GB2046124B (en) | 1983-05-05 |
| JPS55130107A (en) | 1980-10-08 |
| GB2046124A (en) | 1980-11-12 |
| FR2452166B1 (fr) | 1987-05-15 |
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