JPS6028661A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS6028661A JPS6028661A JP13735583A JP13735583A JPS6028661A JP S6028661 A JPS6028661 A JP S6028661A JP 13735583 A JP13735583 A JP 13735583A JP 13735583 A JP13735583 A JP 13735583A JP S6028661 A JPS6028661 A JP S6028661A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- amorphous silicon
- durability
- protective layer
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、光に感受性のある光導電部材に関する。
〈従来技術〉
固体撮像装置或いは像形成分野における電子写真用像形
成部材や原稿読取装置ａ等に於る光導電層を構成する光
導電材料としては光感度が大きく、１］的に合致した分
光特性を持ちＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）が高い事が要求
される。さらに耐久性、人体への安全性も欠かせない要
求特性である。
成部材や原稿読取装置ａ等に於る光導電層を構成する光
導電材料としては光感度が大きく、１］的に合致した分
光特性を持ちＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）が高い事が要求
される。さらに耐久性、人体への安全性も欠かせない要
求特性である。
従来この様な目的に使用された材料としては、Ｓｅ、Ｃ
ｄｓ、ＺｎＯ等に代表される無機光導電材料またＩ）
Ｖ Ｋ Ｔ Ｎ Ｆ等に代表される４１機光導電材料が
あげられる。これらの材料は、前述の請求特性を完全に
満たずものではなく各々特有の問題点をかかえているが
、これらにとって替わる４Ｊ料が無いためにある程度の
条件緩和のもとに個々の状況に応じて使用されているの
か現状である。
ｄｓ、ＺｎＯ等に代表される無機光導電材料またＩ）
Ｖ Ｋ Ｔ Ｎ Ｆ等に代表される４１機光導電材料が
あげられる。これらの材料は、前述の請求特性を完全に
満たずものではなく各々特有の問題点をかかえているが
、これらにとって替わる４Ｊ料が無いためにある程度の
条件緩和のもとに個々の状況に応じて使用されているの
か現状である。
こうした状況の中で最近注目されているのは、非晶質シ
リコン（以下ａ−５ｉと記す）である。
リコン（以下ａ−５ｉと記す）である。
ａ−５ｉは、表面硬度が高く、耐久性、耐１に粍性。
耐熱性に優れ、また無公害である事を特徴とし、各所に
おいて活発な研究が展開されている。
おいて活発な研究が展開されている。
しかしながら、現時点では暗抵抗が低く充分なＳＮ比が
得られない＜Ｊ、ｆ、１まだ耐湿性に代表される耐環境
特性、経時的な安定性等の点に於て、更に改良されなけ
ればならないものである。発明者らの研究によるとａ−
５ｉ光導電層を、電子写真用像形成部材に摘要すると、
暗抵抗が低いため充分な表面電位が得られず、従って、
電位コントラストか足りずに充分な画像濃度が得られな
いことが度々観測された。又、繰り返し使用すると、傷
が増加したり、点状の欠陥が発生したりすることもあっ
た。
得られない＜Ｊ、ｆ、１まだ耐湿性に代表される耐環境
特性、経時的な安定性等の点に於て、更に改良されなけ
ればならないものである。発明者らの研究によるとａ−
５ｉ光導電層を、電子写真用像形成部材に摘要すると、
暗抵抗が低いため充分な表面電位が得られず、従って、
電位コントラストか足りずに充分な画像濃度が得られな
いことが度々観測された。又、繰り返し使用すると、傷
が増加したり、点状の欠陥が発生したりすることもあっ
た。
又、長期間の放置や繰り返し使用により画像のボケが発
生ずることもあり、経時安定性、耐久性に劣る等の不都
合な点が少なくなかった。
生ずることもあり、経時安定性、耐久性に劣る等の不都
合な点が少なくなかった。
〈発明の［］的〉
本発明のＩＩ的は特に耐環境性、経時安定性、耐久性に
すぐれた光導電部材を提供することにあり、また、特に
これを電子写真用像形成部材として、１１に要さセた場
合は、耐刷性及び耐熱性、耐摩耗性に優れた光導電部材
を提供することである。
すぐれた光導電部材を提供することにあり、また、特に
これを電子写真用像形成部材として、１１に要さセた場
合は、耐刷性及び耐熱性、耐摩耗性に優れた光導電部材
を提供することである。
〈実施例〉
不発明は、導電性支持体−１−に主としてａ−５ｉ光導
電層さらに、状態密度減少元素としてフッ素を含んだａ
−５ｉ保愚層を順次積層して構成されたものである。こ
の様にして作製された光導電部材は、従来のものに比へ
実用的に充分使用し得るのけもちろんの事、特に耐環境
性、経時安定性、耐久・Ｍ：等に於ては、はるかに優れ
た特性を持ったものであった。
電層さらに、状態密度減少元素としてフッ素を含んだａ
−５ｉ保愚層を順次積層して構成されたものである。こ
の様にして作製された光導電部材は、従来のものに比へ
実用的に充分使用し得るのけもちろんの事、特に耐環境
性、経時安定性、耐久・Ｍ：等に於ては、はるかに優れ
た特性を持ったものであった。
本発明の光導電部材は、光導電部材用σ片娃、１体上に
水素原子を含み、Ｓｉ原子をに５１体とするジ１品質イ
オ料の光導電層を設け、さらにその−１，に状態密度減
少元素としてフッ素を含みＳ１原子を母体とする保護層
を設りた事を特徴とし、そのｊ皐みが００５〜５７１１
１１の範囲である事を特徴とする。
水素原子を含み、Ｓｉ原子をに５１体とするジ１品質イ
オ料の光導電層を設け、さらにその−１，に状態密度減
少元素としてフッ素を含みＳ１原子を母体とする保護層
を設りた事を特徴とし、そのｊ皐みが００５〜５７１１
１１の範囲である事を特徴とする。
一般的に、水素を含んだ非晶質シリコン（以１・ａ−５
ｉ：ＩＩと記ず）は、水素を含まない非晶質ノリコン（
以下ａ−５ｉと記す）と比較すると、移動度ギヤツブ中
の状態密度が、後者の、０２０ｃｍ−：ｌ に対し１０
１５ｃｍ−３であり、１０万分の１に減少する。
ｉ：ＩＩと記ず）は、水素を含まない非晶質ノリコン（
以下ａ−５ｉと記す）と比較すると、移動度ギヤツブ中
の状態密度が、後者の、０２０ｃｍ−：ｌ に対し１０
１５ｃｍ−３であり、１０万分の１に減少する。
これは膜中に２０−４２０−４０ａｔｏ＋５存在する水
、＋：がＳｌのダングリングボンドを終端するからであ
る。この様な状態密度の減少によりａ−５ｉ：Ｈは、不
純物ドーピングに対する構造敏感性を持つことかできる
。
、＋：がＳｌのダングリングボンドを終端するからであ
る。この様な状態密度の減少によりａ−５ｉ：Ｈは、不
純物ドーピングに対する構造敏感性を持つことかできる
。
一方ａ−３ｉ：Ｈを真空中にてアニールすると、３００
°Ｃ程度の温度で水素が噴出する事が知られている。こ
の様に膜中に２０〜４０％含まれる水素は強固な結合で
取り込まれているのでは無く不安定なものである。
°Ｃ程度の温度で水素が噴出する事が知られている。こ
の様に膜中に２０〜４０％含まれる水素は強固な結合で
取り込まれているのでは無く不安定なものである。
上述の様な不安定性をもつａ−５ｉ：Ｈに較べて、７ノ
素を含む非晶質シリコン（以下ａ−５ｉ：Ｆ：Ｈと記ず
）は、約６００°Ｃでアニールしても電気的、光学的特
性は変化しない。この理由は、５ｉ−Ｆの結合エイ・ル
ギー５４１ ＫＪｍｏ ｌ−’であり５ｉ−Ｈの２４９
６１＜ＪＩＴＩＯＩ ’に比べて２倍以上大きく、より
安定な結合である為である。即ち耐熱性が高いと言うＵ
Ｓができる。
素を含む非晶質シリコン（以下ａ−５ｉ：Ｆ：Ｈと記ず
）は、約６００°Ｃでアニールしても電気的、光学的特
性は変化しない。この理由は、５ｉ−Ｆの結合エイ・ル
ギー５４１ ＫＪｍｏ ｌ−’であり５ｉ−Ｈの２４９
６１＜ＪＩＴＩＯＩ ’に比べて２倍以上大きく、より
安定な結合である為である。即ち耐熱性が高いと言うＵ
Ｓができる。
この点が、我々発明者が注目した点であり、耐熱性が高
いという事は、即ち耐環境性、経時安定性、耐久性等に
優れた光導電部材を提供しうるのではないかどの観点か
ら研究を進め、その結果ｎｉｊ記の構造をもつ光導電部
利を提案するに至ったのである。
いという事は、即ち耐環境性、経時安定性、耐久性等に
優れた光導電部材を提供しうるのではないかどの観点か
ら研究を進め、その結果ｎｉｊ記の構造をもつ光導電部
利を提案するに至ったのである。
本発明による光導電部利け、導電性支持体」二にａ−５
ｉ層を設けその」二にａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ層を順次積層し
て成る。支持体としては、例えばステンレス。
ｉ層を設けその」二にａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ層を順次積層し
て成る。支持体としては、例えばステンレス。
ＡＪＣｒ、、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｏ、Ｔａ 等の金属
あるいはこれ等の合金を所望の形状に彫或したものが使
われる。或いはフレキシブルな支持体を所望の場合は合
成樹脂のフィルムシートに、＋’＋’＋ｉ記の金属の適
当なものを蒸着スパッタリングラミネート処理等にて導
電処理を行なえば良い。ａ−５ｉ層は通常グロー放電法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空蒸
着法等の堆積法によ−）て支持体−にに形成される。
あるいはこれ等の合金を所望の形状に彫或したものが使
われる。或いはフレキシブルな支持体を所望の場合は合
成樹脂のフィルムシートに、＋’＋’＋ｉ記の金属の適
当なものを蒸着スパッタリングラミネート処理等にて導
電処理を行なえば良い。ａ−５ｉ層は通常グロー放電法
、スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空蒸
着法等の堆積法によ−）て支持体−にに形成される。
代表的な作製法としてグロー放電法を説明すると、減圧
された堆積装置内に、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等のシリコ
ン水素化合物を導入し、気体放？Ｕを起せしめその放電
エネルギーによって気体を分解しイ］・積装置１’ｃ内
の基板上に堆積せしめる方法である。
された堆積装置内に、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等のシリコ
ン水素化合物を導入し、気体放？Ｕを起せしめその放電
エネルギーによって気体を分解しイ］・積装置１’ｃ内
の基板上に堆積せしめる方法である。
この際ａ−５ｉ層の暗抵抗、光電流利Ｔ’Ｊ等の制御の
ために、必要に応して水、！（（Ｈ）、酸未、チラノ・
８、炭素、ボロン、リン等の元素を添加することが有効
である。
ために、必要に応して水、！（（Ｈ）、酸未、チラノ・
８、炭素、ボロン、リン等の元素を添加することが有効
である。
水素を添加するには、ａ−５ｉを形成する出発物質が、
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等の水素化合物を使用するので、
分解時に自動的に水素が取り込まれるが、更に効率良く
水素を添加したい場合は、Ｈ２ガスを装置内に導入して
やれば良い。酸素を添加したい場合は酸素カスを装置内
に導入してやれば良いが、この場合はＳｉＨ４等との反
応が激しく起こるのでこれらのガスとは別のルートで装
置内へ導入する必要かあるチノ宋、炭素を添加したい場
合にはＮ２．ＮＨ３，ＣＨ４，Ｃ２Ｈ２朝のチッ素化合
物や炭素化合物のガスを導入してやるたけてよい。
ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６等の水素化合物を使用するので、
分解時に自動的に水素が取り込まれるが、更に効率良く
水素を添加したい場合は、Ｈ２ガスを装置内に導入して
やれば良い。酸素を添加したい場合は酸素カスを装置内
に導入してやれば良いが、この場合はＳｉＨ４等との反
応が激しく起こるのでこれらのガスとは別のルートで装
置内へ導入する必要かあるチノ宋、炭素を添加したい場
合にはＮ２．ＮＨ３，ＣＨ４，Ｃ２Ｈ２朝のチッ素化合
物や炭素化合物のガスを導入してやるたけてよい。
また、ボロンやリンはａ−５ｉ層の伝導型を制御するた
めに添加される。ｐ型にするには周期律表第１ＩＩ族Ａ
の元素をｎ型にするには周期律表第Ｖ族Ａの元素を添加
ずれば良い。これらはＢ ２ Ｉ−１６ガスやＰ Ｈ３
ガスの状態で装置内に導入するのが簡便なためよくイ」
なわれている。これらの不純物元素の添加量は所望の電
気的光学曲性１性に応じて適宜決定される。
めに添加される。ｐ型にするには周期律表第１ＩＩ族Ａ
の元素をｎ型にするには周期律表第Ｖ族Ａの元素を添加
ずれば良い。これらはＢ ２ Ｉ−１６ガスやＰ Ｈ３
ガスの状態で装置内に導入するのが簡便なためよくイ」
なわれている。これらの不純物元素の添加量は所望の電
気的光学曲性１性に応じて適宜決定される。
保梅層としてａ−８ｉ°Ｆ ： Ｉ（層を形成するには
、ａＳ＋層の場合と同様であるが、フン素を添加するだ
めにシリコンフッ化化合物ＳｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６等を使
用する。たたし出発物質としては、これＣ〕のガス単独
では膜の堆積は起こらないため、これらと同時にＨ２或
はＳｉＨ４等の水素化合物を導入してやらねばならない
。また発明前等の研究によると、」−記のａ−５ｉ：Ｆ
：Ｈ層を形成する際、ぎわいな膜を得るための成膜条件
は、ａ −Ｓ ｉ層を形成するのに比ｔ、狭い範囲に限
定される。このためａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ層の形成にあたっ
ては細密の／Ｊ：、σを要する。世し発明者らが提案す
る構造の光導電部利てあればａ−ｓｉ Ｆ：Ｈ層は、そ
の表面にご＜ ７ｊｉ’＜０．０５−５ ／１ｍ竹には
０．０５−２μｍｌ′、Ｊのみ形成するたけで良く、」
二記の様な成膜のｆｆ１ｆｃがしさをも合理的に媛和さ
れる。
、ａＳ＋層の場合と同様であるが、フン素を添加するだ
めにシリコンフッ化化合物ＳｉＦ４．Ｓｉ２Ｆ６等を使
用する。たたし出発物質としては、これＣ〕のガス単独
では膜の堆積は起こらないため、これらと同時にＨ２或
はＳｉＨ４等の水素化合物を導入してやらねばならない
。また発明前等の研究によると、」−記のａ−５ｉ：Ｆ
：Ｈ層を形成する際、ぎわいな膜を得るための成膜条件
は、ａ −Ｓ ｉ層を形成するのに比ｔ、狭い範囲に限
定される。このためａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ層の形成にあたっ
ては細密の／Ｊ：、σを要する。世し発明者らが提案す
る構造の光導電部利てあればａ−ｓｉ Ｆ：Ｈ層は、そ
の表面にご＜ ７ｊｉ’＜０．０５−５ ／１ｍ竹には
０．０５−２μｍｌ′、Ｊのみ形成するたけで良く、」
二記の様な成膜のｆｆ１ｆｃがしさをも合理的に媛和さ
れる。
以上の様に形成した光導電部利に於て、ａ−５ｉ層に含
まれるＨのＩｊシは通常の場合１０〜４０ａｔｏｍｉｃ
％好適には１５〜３０ａｔ（川１ｉｃ％とされる。また
酸素、チノ素、炭素の含有Ｊ１１は所望の電気的、光学
的１゛ｒ性により適宜決定されるものであるか、通常の
場合０．０１−０１−４０ａｔｏ％好適には旧−３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされる。また２−５ｉ：Ｆ：Ｈに含まれ
るＦの量は通常０．０１−４０ａｔｏｍｉｃ％好適には
０．１−１−３０ａｔｏ ｃ％とされるのが望ま（しい
。
まれるＨのＩｊシは通常の場合１０〜４０ａｔｏｍｉｃ
％好適には１５〜３０ａｔ（川１ｉｃ％とされる。また
酸素、チノ素、炭素の含有Ｊ１１は所望の電気的、光学
的１゛ｒ性により適宜決定されるものであるか、通常の
場合０．０１−０１−４０ａｔｏ％好適には旧−３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされる。また２−５ｉ：Ｆ：Ｈに含まれ
るＦの量は通常０．０１−４０ａｔｏｍｉｃ％好適には
０．１−１−３０ａｔｏ ｃ％とされるのが望ま（しい
。
次に本発明を実例を挙げて説明する。
第１図に示す装置を用い以下の様にしてａ−５ｉ層を作
製した。クロロセン超音波洗浄槽にて充分に表面を洗浄
した直径１４０ｍｍ１長さ３４０πｍのアルミニウム支
持体２を用悠し、グロー放電成膜装置内のドラムヒータ
ー３に固定した。ドラムヒーター３はアルミニウム支持
体２の内径に密着する様な外径を持ち、その表面を均一
加熱することが出来る。
製した。クロロセン超音波洗浄槽にて充分に表面を洗浄
した直径１４０ｍｍ１長さ３４０πｍのアルミニウム支
持体２を用悠し、グロー放電成膜装置内のドラムヒータ
ー３に固定した。ドラムヒーター３はアルミニウム支持
体２の内径に密着する様な外径を持ち、その表面を均一
加熱することが出来る。
次にバルブ８を開き反応室ｉ内の空気をＪｕｌ気し、同
時にドラムヒーター３をＯＮにしアルミニウム支持体２
の表面が２５０“Ｃになるまて−［−昇させこの温度に
保った。続いて、補助バルブ１２を全開にし、ボンへ２
３．２４，２５．２７にイ・」属のバルナ１８゜＋ ９
、２０ 、２２を全開にし、質（ｎ流量調ｍｒ器＋３
．１４゜１５．１７の設定器を徐々に上げて行き各ボン
ベからのガスが所定の流用流れる様に調節した。この時
バルブ８の開度を調圧ｊすることで反応室Ｉ内の圧力が
１．５Ｔｏｒｒになるように保った。
時にドラムヒーター３をＯＮにしアルミニウム支持体２
の表面が２５０“Ｃになるまて−［−昇させこの温度に
保った。続いて、補助バルブ１２を全開にし、ボンへ２
３．２４，２５．２７にイ・」属のバルナ１８゜＋ ９
、２０ 、２２を全開にし、質（ｎ流量調ｍｒ器＋３
．１４゜１５．１７の設定器を徐々に上げて行き各ボン
ベからのガスが所定の流用流れる様に調節した。この時
バルブ８の開度を調圧ｊすることで反応室Ｉ内の圧力が
１．５Ｔｏｒｒになるように保った。
続いて高周波電源６のスイッチをＯＮにし放′、１ε電
極４，４′間に周波数１３．５６ ＭＨｚの高周波電圧
を印加してグロー放電を起こし加熱されたアルミニ条件
下で８時間成膜を続け、約Ｉ ６７１１１１厚のａ−８
ｉ層をＪｌｆ Ｉ＆した。この時点で各ボンベからのガ
スを止めＭび反応室１内を真空にし、ドラムじ一ター３
のスーｒ７チを切り徐冷した後に、ａ−８ｉ層が形成さ
れたアルミニウム支持体２を取り出した。この様にして
作製した感光体をＡとする。
極４，４′間に周波数１３．５６ ＭＨｚの高周波電圧
を印加してグロー放電を起こし加熱されたアルミニ条件
下で８時間成膜を続け、約Ｉ ６７１１１１厚のａ−８
ｉ層をＪｌｆ Ｉ＆した。この時点で各ボンベからのガ
スを止めＭび反応室１内を真空にし、ドラムじ一ター３
のスーｒ７チを切り徐冷した後に、ａ−８ｉ層が形成さ
れたアルミニウム支持体２を取り出した。この様にして
作製した感光体をＡとする。
一方前記と全く同イ５ρの手１１１ｃｉにて８１［，７
開成ＩＩｔ、’ｊ ｋ ｉ ＋ない、約１６μＩη厚の
ｒ＋−３ｉ層を形成した後、−たん高周波電源のスイッ
チをＯＦ Ｆにし、ボンへ２６のバルブ２１を開にし、
質１１１流ｒ、１調整藩１６を調にＩしてＳｉＦ４ガス
が所定の流ｉＦｌ流れるＱにした３゜再びバルブ８の開
度を調節し、反応室１内σ月１・：カが１．５Ｔｏｒｒ
になるよう保った。
開成ＩＩｔ、’ｊ ｋ ｉ ＋ない、約１６μＩη厚の
ｒ＋−３ｉ層を形成した後、−たん高周波電源のスイッ
チをＯＦ Ｆにし、ボンへ２６のバルブ２１を開にし、
質１１１流ｒ、１調整藩１６を調にＩしてＳｉＦ４ガス
が所定の流ｉＦｌ流れるＱにした３゜再びバルブ８の開
度を調節し、反応室１内σ月１・：カが１．５Ｔｏｒｒ
になるよう保った。
続いて、高周波電源６のスイッチをＯＮにし先と同様の
要領にて４００Ｗの高周波電力を加えてグロー放電をお
こさせた。この条件下での成膜速度は約１０μｍ ／
ｌ（てあり、連続して３０分間放電をイＪない約０５μ
ｍ厚のａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ層を形成した。
要領にて４００Ｗの高周波電力を加えてグロー放電をお
こさせた。この条件下での成膜速度は約１０μｍ ／
ｌ（てあり、連続して３０分間放電をイＪない約０５μ
ｍ厚のａ−５ｉ：Ｆ：Ｈ層を形成した。
この様にして１６μＩｎ厚のａ−５ｉ″Ｈ層と０５μＩ
ｌｌ厚Ｕ）ａ−３ｉ：Ｆ：Ｉ−１層が積層されてアルミ
ニウム支持体−１−に形成された。これを感光体Ａの場
合と同様に徐冷した後取り出した。この１色光体をＢと
名（＝Ｊける。
ｌｌ厚Ｕ）ａ−３ｉ：Ｆ：Ｉ−１層が積層されてアルミ
ニウム支持体−１−に形成された。これを感光体Ａの場
合と同様に徐冷した後取り出した。この１色光体をＢと
名（＝Ｊける。
この様にして作製した感光体Ａ 、 Ｉ３を第２図に示
す−ＩＬ子写真プロセスにより耐久性評価を？１なった
。図Ｇこおいて、＋０１は１次帯電ｊ’；Ｌ］Ｇ２は像
露光系、＋０３は現像ぽｇ、＋０４は転写紙、１０５は
転’１ＪＩＪ・ｊ１冒ニーｊ ：’ｒｒｉ、１（）６は
クリーニング装置、＋０７は除電光？ブｌ］！（ランプ
）、１０８は子連にて形成された感光体Ａ又はＩ３であ
る。感光体１０８は軸１０９に保持され、矢印方向に回
転さね、上記の各工程を通過することで表面の光導電層
−は像が形成される。
す−ＩＬ子写真プロセスにより耐久性評価を？１なった
。図Ｇこおいて、＋０１は１次帯電ｊ’；Ｌ］Ｇ２は像
露光系、＋０３は現像ぽｇ、＋０４は転写紙、１０５は
転’１ＪＩＪ・ｊ１冒ニーｊ ：’ｒｒｉ、１（）６は
クリーニング装置、＋０７は除電光？ブｌ］！（ランプ
）、１０８は子連にて形成された感光体Ａ又はＩ３であ
る。感光体１０８は軸１０９に保持され、矢印方向に回
転さね、上記の各工程を通過することで表面の光導電層
−は像が形成される。
全感光体１０８の表面速度、１４＋１ちブ【Ｊセス用度
は１８５ｍｍ／ｓｅｃであり、１次イ＋′Ｉ電藩１０１
の放電線に＋６．５ＫＶ（１）電ｊ（モを印加し、ｙ
４１．６Ｙよ（）感光イ１＜’＋ｏｓの表面を■に荷電
する。像露光系１０２ては１０〜３．０Ｌｕｘ・ｓｃｃ
の光ｆ’ｌ） ｒｊｉｊシ囲て像露光を行な−、た。、
ぞの後直ちに２次分磁気ブラシ現像法にょる現Ｖ６ｉ
：紫１０３にて○に；ｊｔ′Ｉ電されトナーを用いてｊ
ＪＪ像し、このトナー像を■のコロトロン型転写用’：
ｔ′Ｉ電黙１０５て転’４ＨＣ＋ ０４に転写し、次に
ウレタンがノ＼製のブレードによるクリーニング装置１
０６８．−て未転写トナーを取り除き、糺いてタンクス
テンランプ１０７により残留電荷を除去すへく光除′１
ニを１丁なった。
は１８５ｍｍ／ｓｅｃであり、１次イ＋′Ｉ電藩１０１
の放電線に＋６．５ＫＶ（１）電ｊ（モを印加し、ｙ
４１．６Ｙよ（）感光イ１＜’＋ｏｓの表面を■に荷電
する。像露光系１０２ては１０〜３．０Ｌｕｘ・ｓｃｃ
の光ｆ’ｌ） ｒｊｉｊシ囲て像露光を行な−、た。、
ぞの後直ちに２次分磁気ブラシ現像法にょる現Ｖ６ｉ
：紫１０３にて○に；ｊｔ′Ｉ電されトナーを用いてｊ
ＪＪ像し、このトナー像を■のコロトロン型転写用’：
ｔ′Ｉ電黙１０５て転’４ＨＣ＋ ０４に転写し、次に
ウレタンがノ＼製のブレードによるクリーニング装置１
０６８．−て未転写トナーを取り除き、糺いてタンクス
テンランプ１０７により残留電荷を除去すへく光除′１
ニを１丁なった。
以−にのれ布゛ブＩＪセスにおいて、ｌ Ｏ８ｑ−１ｂ
？尤俸Δ、Ｂの連続皆写を行なったＡ析枚数か少ｒｒい
段ｌＨ’７ては、Ａ 、 Ｂいずれもハーフト−ンが蔗
１明て、ｂｌ：、１ｉ度が高く解像度の高いコピーか得
られた。しかし、コピ一枚数か多くなってくるにつれて
両者に大きな差違が表われた。感光体Ａの場合約２００
０〜３０００枚で、画像がボケ始め解像度か著しく低［
・（、た。
？尤俸Δ、Ｂの連続皆写を行なったＡ析枚数か少ｒｒい
段ｌＨ’７ては、Ａ 、 Ｂいずれもハーフト−ンが蔗
１明て、ｂｌ：、１ｉ度が高く解像度の高いコピーか得
られた。しかし、コピ一枚数か多くなってくるにつれて
両者に大きな差違が表われた。感光体Ａの場合約２００
０〜３０００枚で、画像がボケ始め解像度か著しく低［
・（、た。
これに対し感光体Ｂの場合約２００００枚のコピーを終
えた時点てもボケは無く魚゛口ν〕なコピーが得られた
。
えた時点てもボケは無く魚゛口ν〕なコピーが得られた
。
〈発明の効未〉
本発明によれば、非晶質シリコンより成る光導電層］二
にフッ素を含んだ非晶質シリコン層からなる保獲層を設
けたことから、耐環境性、経時安定性、耐久性等におい
て優れた特性を有し、これを電子ｇ７真複写機における
感光体に使用すれば、常に安定した像を形成でき、電子
Ｍ真俵写機の感光体どして充分に使用に耐え得る。
にフッ素を含んだ非晶質シリコン層からなる保獲層を設
けたことから、耐環境性、経時安定性、耐久性等におい
て優れた特性を有し、これを電子ｇ７真複写機における
感光体に使用すれば、常に安定した像を形成でき、電子
Ｍ真俵写機の感光体どして充分に使用に耐え得る。
第１図は本発明の光導電部利を作製するだめの一例と示
す装’＋？：ｔ ｚ第２図は第１図で作製された感光体
を用いたＸＩＬ子写真プロセスを示ず図である。
す装’＋？：ｔ ｚ第２図は第１図で作製された感光体
を用いたＸＩＬ子写真プロセスを示ず図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体上に非晶質シリコンより成る光導電層
を設けさらにその上に状態密度減少元素としてフッ素を
含んだ非晶質シリコン層からなる保護層を設けた事を特
徴とする光導電部利。 ２ 保護層の厚み力細、０５〜５μｍであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載光導電部拐。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13735583A JPS6028661A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13735583A JPS6028661A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028661A true JPS6028661A (ja) | 1985-02-13 |
Family
ID=15196715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13735583A Pending JPS6028661A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028661A (ja) |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP13735583A patent/JPS6028661A/ja active Pending
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