JPS6027155A - 厚膜ハイブリツドic基板 - Google Patents
厚膜ハイブリツドic基板Info
- Publication number
- JPS6027155A JPS6027155A JP58135553A JP13555383A JPS6027155A JP S6027155 A JPS6027155 A JP S6027155A JP 58135553 A JP58135553 A JP 58135553A JP 13555383 A JP13555383 A JP 13555383A JP S6027155 A JPS6027155 A JP S6027155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resistor
- film hybrid
- printed
- defectives
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜ハイブリッドIC基板に関する。
アルミナセラミック板上にA g 、Rub、などの電
極、抵抗体ペーストをスクリーン印刷し焼成して作る厚
膜ハイブリッドICは、近年の電子回路の小型化、高集
積化および低価格化の要求に沿うものとして、民生品を
中心に広範囲に利用されてる。しかし、厚膜ハイブリッ
ドICの抵抗値の精度は、印刷・焼成だけでは±20%
位が限度であり、調整によって所要精度に仕上げる必要
がある。
極、抵抗体ペーストをスクリーン印刷し焼成して作る厚
膜ハイブリッドICは、近年の電子回路の小型化、高集
積化および低価格化の要求に沿うものとして、民生品を
中心に広範囲に利用されてる。しかし、厚膜ハイブリッ
ドICの抵抗値の精度は、印刷・焼成だけでは±20%
位が限度であり、調整によって所要精度に仕上げる必要
がある。
また個々の素子が所要精度内であっても半導体素子のバ
ラツキによって回路総合性能を調整することも要求され
る。レーザトリミングはこの抵抗値や回路の調整を行う
技術で、抵抗値などを測定しながら、集束されたレーザ
光を抵抗体上に移動させて切シ込みを入れていくことに
より、調整を行う。レーザトリミング技術により、非常
に高速のトリミングが可能になシ、大量の厚膜ハイブリ
ッドIC基板が短時間に処理できる。
ラツキによって回路総合性能を調整することも要求され
る。レーザトリミングはこの抵抗値や回路の調整を行う
技術で、抵抗値などを測定しながら、集束されたレーザ
光を抵抗体上に移動させて切シ込みを入れていくことに
より、調整を行う。レーザトリミング技術により、非常
に高速のトリミングが可能になシ、大量の厚膜ハイブリ
ッドIC基板が短時間に処理できる。
しかし、印刷抵抗体の抵抗値が低すぎたり、目標値よシ
高すぎる場合には、レーザトリミングによっても不良基
板が発生する。高速処理によって大量の良品と共に不良
品も発生するので、トリミング後にこれらを区別して選
択することが重要にな、、)にの目的のためにレーザト
リミング装置にはレーザマーキング機能が設けられてお
シ、通常、トリくフグ後の抵抗値が、ある基準範囲内に
入っていない場合は不良として、基板の指定した場所を
レーザ光で走査し、刻印(不良マーキング)している。
高すぎる場合には、レーザトリミングによっても不良基
板が発生する。高速処理によって大量の良品と共に不良
品も発生するので、トリミング後にこれらを区別して選
択することが重要にな、、)にの目的のためにレーザト
リミング装置にはレーザマーキング機能が設けられてお
シ、通常、トリくフグ後の抵抗値が、ある基準範囲内に
入っていない場合は不良として、基板の指定した場所を
レーザ光で走査し、刻印(不良マーキング)している。
従来の厚膜ハイブリッドIC’[おけるマーキング場所
は、アルミナ基板自体がほとんどレーザ光で刻印されな
いため、電極や抵抗体の部分に行っている◎しかし、電
極の部分は加工しにくいのでレーザ光の走査スピードを
遅くしてマーキングする必要がある。このためマーキン
グ時間が長くたってレーザマーキングを含めたレーザト
リミングの時間が長くなシ、処理能力が低下する欠点が
あった。また抵抗体へのマーキングが一番高速にしかも
明瞭に行えるがトリミングした抵抗体にマーキングする
のでは刻印の区別がつきにくい欠点があった。また、厚
膜ハイブリッドIC基板の上記良品、不良品マーキング
による良品と不良品との選択は、目視によって行われ、
自動化しにくい欠点があった。
は、アルミナ基板自体がほとんどレーザ光で刻印されな
いため、電極や抵抗体の部分に行っている◎しかし、電
極の部分は加工しにくいのでレーザ光の走査スピードを
遅くしてマーキングする必要がある。このためマーキン
グ時間が長くたってレーザマーキングを含めたレーザト
リミングの時間が長くなシ、処理能力が低下する欠点が
あった。また抵抗体へのマーキングが一番高速にしかも
明瞭に行えるがトリミングした抵抗体にマーキングする
のでは刻印の区別がつきにくい欠点があった。また、厚
膜ハイブリッドIC基板の上記良品、不良品マーキング
による良品と不良品との選択は、目視によって行われ、
自動化しにくい欠点があった。
本発明の目的は、かかる従来の厚膜)1イブリツド基板
の欠点を取シ除き、目視による判別がきわめて容易で、
かつ高速のマーキングが可能で、しかも自動選別が容易
に実現できる厚膜ノ・イブリッドIC基板を提供するこ
とにある。
の欠点を取シ除き、目視による判別がきわめて容易で、
かつ高速のマーキングが可能で、しかも自動選別が容易
に実現できる厚膜ノ・イブリッドIC基板を提供するこ
とにある。
本発明によれば、アルミナセラミック板上に抵抗、電極
ペーストなどを印刷し、焼成して作る厚膜ハイブリッド
IC基板において、トリミング後の良品し不良品を区別
するためのレーザマーキング用の印刷抵抗体とこの抵抗
体の両端にそれぞれつながる印刷電極とを1組以上持ち
、かつこの印刷電極がハイブリッドIC基板の側端面ま
で達していることを特徴とする厚膜ノ・イブリッドIC
基板が得られる。
ペーストなどを印刷し、焼成して作る厚膜ハイブリッド
IC基板において、トリミング後の良品し不良品を区別
するためのレーザマーキング用の印刷抵抗体とこの抵抗
体の両端にそれぞれつながる印刷電極とを1組以上持ち
、かつこの印刷電極がハイブリッドIC基板の側端面ま
で達していることを特徴とする厚膜ノ・イブリッドIC
基板が得られる。
次に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明による厚膜ハイブリッドIC基板の構成
を示す。図において、アルミナセラミック基板11上に
抵抗、電極ペースト等をスクリーン印刷し、焼成して形
成した厚膜ノ・イブリッド回路部12以外に、マーキン
グ用の印刷抵抗体13と印刷電極14.15を設ける。
を示す。図において、アルミナセラミック基板11上に
抵抗、電極ペースト等をスクリーン印刷し、焼成して形
成した厚膜ノ・イブリッド回路部12以外に、マーキン
グ用の印刷抵抗体13と印刷電極14.15を設ける。
この印刷電極】4゜15の一部はアルミナセラミック基
板11の側端面1cまで形成されている。厚膜ハイブリ
ッドIC基板11におけるマーキングは、トリミング後
の良品、不良品の判別信号によシ、抵抗体13をレーザ
光で切断することで行なわれる。このとき、良品の場合
に切断しても、不良品の場合に切断しても、どちらでも
よい。このようなマーキング専用の抵抗体が切断されて
いるかどうかを、目視にニジ判別でき、容易に良品と不
良品の区別がつけられる。しかも切断する対象は抵抗体
であり、高速の切断が可能である。また電極14.15
がアルミナセラミック基板の側端面まで形成されている
ことで、例えば第2図で示すような構成で良品・不良品
選別を簡単に行なえる。すなわち、印刷電極14,15
0側端面にそれぞれ測定端子26゜27を接続し、導通
判別器25で電極間の導通を判別することにより、容易
に不良と不良品の判別ができます。これによって、比較
的容易に良品と不良品の自動選別を行なうことができる
。
板11の側端面1cまで形成されている。厚膜ハイブリ
ッドIC基板11におけるマーキングは、トリミング後
の良品、不良品の判別信号によシ、抵抗体13をレーザ
光で切断することで行なわれる。このとき、良品の場合
に切断しても、不良品の場合に切断しても、どちらでも
よい。このようなマーキング専用の抵抗体が切断されて
いるかどうかを、目視にニジ判別でき、容易に良品と不
良品の区別がつけられる。しかも切断する対象は抵抗体
であり、高速の切断が可能である。また電極14.15
がアルミナセラミック基板の側端面まで形成されている
ことで、例えば第2図で示すような構成で良品・不良品
選別を簡単に行なえる。すなわち、印刷電極14,15
0側端面にそれぞれ測定端子26゜27を接続し、導通
判別器25で電極間の導通を判別することにより、容易
に不良と不良品の判別ができます。これによって、比較
的容易に良品と不良品の自動選別を行なうことができる
。
第1図は本発明による厚膜ノ・イブリッドIC基板の斜
視図、第2図は、第1図で示す厚膜ノ・イブッドIC基
板を用いた良品、不良品の判別方法を説明するための図
である。 11・・・・−・アルミナセラミック基板、12・・・
・・・厚膜ハイブリッド回路部、13・・・・・・抵抗
体、14゜15・・・・・・電極、26.27・・・・
・・測定端子、25・・・・・・導通判定器。 、+1、 代理人 弁理士 内 原 晋j仁、 1〜)\゛\−
視図、第2図は、第1図で示す厚膜ノ・イブッドIC基
板を用いた良品、不良品の判別方法を説明するための図
である。 11・・・・−・アルミナセラミック基板、12・・・
・・・厚膜ハイブリッド回路部、13・・・・・・抵抗
体、14゜15・・・・・・電極、26.27・・・・
・・測定端子、25・・・・・・導通判定器。 、+1、 代理人 弁理士 内 原 晋j仁、 1〜)\゛\−
Claims (1)
- アルミナセラミック板上に抵抗、電極ペーストなどをス
クリーン印刷し、焼成し上体る厚膜ハイブリッドIC基
板において、トリミング後の良品、不良品の区別をする
之めのレーザマーキング用の印刷抵抗体とこの抵抗体の
両端[(れぞれつながる印刷電極とが1組以上形成され
、かつ前記印刷電極が前記厚膜ハイブリッドIC基板の
側端面まで達していることを特徴とする厚膜ハイブリッ
ドIC基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58135553A JPS6027155A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 厚膜ハイブリツドic基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58135553A JPS6027155A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 厚膜ハイブリツドic基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6027155A true JPS6027155A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15154483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58135553A Pending JPS6027155A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 厚膜ハイブリツドic基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6027155A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60151148U (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | 三洋電機株式会社 | 厚膜回路基板 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP58135553A patent/JPS6027155A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60151148U (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | 三洋電機株式会社 | 厚膜回路基板 |
JPH046221Y2 (ja) * | 1984-03-19 | 1992-02-20 |
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