JPS60264347A - 光フアイバ製造方法，製造装置及び非接触シール - Google Patents
光フアイバ製造方法，製造装置及び非接触シールInfo
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- JPS60264347A JPS60264347A JP60118666A JP11866685A JPS60264347A JP S60264347 A JPS60264347 A JP S60264347A JP 60118666 A JP60118666 A JP 60118666A JP 11866685 A JP11866685 A JP 11866685A JP S60264347 A JPS60264347 A JP S60264347A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/12—General methods of coating; Devices therefor
- C03C25/22—Deposition from the vapour phase
- C03C25/223—Deposition from the vapour phase by chemical vapour deposition or pyrolysis
-
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- C03C25/22—Deposition from the vapour phase
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- C03C25/12—General methods of coating; Devices therefor
- C03C25/22—Deposition from the vapour phase
- C03C25/226—Deposition from the vapour phase by sputtering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ファイバのオンライン被覆に関する。
従来の技術及びその問題点
新たに線引きされた直後の本来の状態の、表面欠陥のな
い光ファイバは１０６ｐＳｉを超える強度を示す。しか
し、これは通常長い長さにわたり達しうる強度ではなく
むしろ極限強さとみなすべきである。非常に高強度のフ
ァイバを達成する際の（１１’ 主な困難は、寸法を厳
密に限定することができない点、あるいはファイバ十の
表面きずの存在を完全に除去することができない点であ
った。表面きずは数多くの原因により起こる。これらは
プリフォーム製作に用いられた支持管よりの残留汚染物
及び欠陥の如く、線引ぎ前に存在しその後も残存するも
のかも知れない。プリフォームの表面には処理及び取扱
い中に損傷が生じるかも知れない。
い光ファイバは１０６ｐＳｉを超える強度を示す。しか
し、これは通常長い長さにわたり達しうる強度ではなく
むしろ極限強さとみなすべきである。非常に高強度のフ
ァイバを達成する際の（１１’ 主な困難は、寸法を厳
密に限定することができない点、あるいはファイバ十の
表面きずの存在を完全に除去することができない点であ
った。表面きずは数多くの原因により起こる。これらは
プリフォーム製作に用いられた支持管よりの残留汚染物
及び欠陥の如く、線引ぎ前に存在しその後も残存するも
のかも知れない。プリフォームの表面には処理及び取扱
い中に損傷が生じるかも知れない。
伯の原因としてはプリフォーム表面での失透及び線引き
中及び後の、炉耐火物からの粒状破片及び凝縮物、加熱
要素及び線引き環境内の塵粒子を含むあらゆる置物どの
接触が含まれる。被覆付与装置の角度誤差及び被覆材Ｆ
ｉ中の異物粒子もまた弱いファイバの潜在的原因である
。
中及び後の、炉耐火物からの粒状破片及び凝縮物、加熱
要素及び線引き環境内の塵粒子を含むあらゆる置物どの
接触が含まれる。被覆付与装置の角度誤差及び被覆材Ｆ
ｉ中の異物粒子もまた弱いファイバの潜在的原因である
。
ファイバ表面を可能な限り無欠陥に保つには保護被覆を
オンラインで施すことが必須である。しか１ノファイバ
表面に先に存在したぎずは応力集中器として作用し、湿
気の存在下ではこれらきずはｊ払が徐々に成長し、つい
に局部応力集中が十分高くなると破局的な成長が始まり
ファイバはその結束破壊する。かくしてファイバは初期
ファイバ強度よりはるかに低い実用応力で破壊する。こ
の応力及び湿気の組合わされた作用によるクラック拡大
の結束起きる時間に伴う強度低下の過程は応力腐食又は
静疲れとして知られている。したがってファイバに一定
の寿命を保ｉｌｌ Ｌようどすると保証試験を実際の使
用中出会うと予期される水準よりはるかに高い水準で行
い応力腐食による強度低下を見込むようにせねばならな
い。あるいは保証試験応力が使用中実際に予期されるも
のと同等になるよう応力腐食を防止又は著るしく減じ、
ファイバ強度を時間と共に一定に保たねばならない。
オンラインで施すことが必須である。しか１ノファイバ
表面に先に存在したぎずは応力集中器として作用し、湿
気の存在下ではこれらきずはｊ払が徐々に成長し、つい
に局部応力集中が十分高くなると破局的な成長が始まり
ファイバはその結束破壊する。かくしてファイバは初期
ファイバ強度よりはるかに低い実用応力で破壊する。こ
の応力及び湿気の組合わされた作用によるクラック拡大
の結束起きる時間に伴う強度低下の過程は応力腐食又は
静疲れとして知られている。したがってファイバに一定
の寿命を保ｉｌｌ Ｌようどすると保証試験を実際の使
用中出会うと予期される水準よりはるかに高い水準で行
い応力腐食による強度低下を見込むようにせねばならな
い。あるいは保証試験応力が使用中実際に予期されるも
のと同等になるよう応力腐食を防止又は著るしく減じ、
ファイバ強度を時間と共に一定に保たねばならない。
応力腐食が起こるには２つの条件が支配的であらねばな
らない。
らない。
（Ｉ） 表面きずでの応ノｊ。
（Ｉｆ） このきずに湿気が加わり得ること。
これらの条件下では水による核腐食が５ｉ−０−８ｉ結
合の崩壊を起こす。応力腐食の発生を防ぐには上記必要
条件の一方又は両方を単純に除去せねばならない。設置
されたファイバは通常小さなしかし顕著な応力下にある
。これはケーブル設置又は回収の際に加えられるより高
い応力と組合わせると、ファイバの計画寿命（水中遠距
離通 ５− 信シテスムでは２５年）の全期間もしくは大部分にわた
りファイバをゼロ応力に保つのは現実的でないことを意
味する。したがって応力腐食を抑止する残された唯一の
手段は湿気のファイバ表面への到達を阻止することであ
る。有機被覆は、熱あるいは紫外線硬化であれ、優れた
対摩耗牲を与えるが周囲の湿気は速やかに被覆に侵入し
応力腐食を進行さける。
合の崩壊を起こす。応力腐食の発生を防ぐには上記必要
条件の一方又は両方を単純に除去せねばならない。設置
されたファイバは通常小さなしかし顕著な応力下にある
。これはケーブル設置又は回収の際に加えられるより高
い応力と組合わせると、ファイバの計画寿命（水中遠距
離通 ５− 信シテスムでは２５年）の全期間もしくは大部分にわた
りファイバをゼロ応力に保つのは現実的でないことを意
味する。したがって応力腐食を抑止する残された唯一の
手段は湿気のファイバ表面への到達を阻止することであ
る。有機被覆は、熱あるいは紫外線硬化であれ、優れた
対摩耗牲を与えるが周囲の湿気は速やかに被覆に侵入し
応力腐食を進行さける。
例えば熱硬化シリコーンは容易に施しまた硬化し得るが
水に対しては貧弱な障壁にしかならず、また速い線引き
速度では硬化に問題を生じる。紫外線硬化高分子もまた
容易に施せ、これらはまた急速な硬化をするが、満足す
べき水に対する障壁を与えない。
水に対しては貧弱な障壁にしかならず、また速い線引き
速度では硬化に問題を生じる。紫外線硬化高分子もまた
容易に施せ、これらはまた急速な硬化をするが、満足す
べき水に対する障壁を与えない。
密封被覆は金属溶射、融液状アモルファス金属よりの急
冷被覆及び窒化珪素又は酸窒化珪素の如きセラミック被
覆で得られる。金属溶射被覆は非常に効果的な水障壁を
与えるがファイバを弱めることが示された。融液状アル
モファス金属よりの凍結被覆もまた非常に有効な水障壁
を与えまた約 ６ − ２％までの歪に対し弾性的であるが速い線引ぎ速度では
非常に速い急冷比を必要どする。セラミック被覆は付着
性が高く非常に有効な水障壁を与えるが有毒な物質の使
用と高い何着温度を含むのでオンライン被覆では非常に
取扱いにくい。
冷被覆及び窒化珪素又は酸窒化珪素の如きセラミック被
覆で得られる。金属溶射被覆は非常に効果的な水障壁を
与えるがファイバを弱めることが示された。融液状アル
モファス金属よりの凍結被覆もまた非常に有効な水障壁
を与えまた約 ６ − ２％までの歪に対し弾性的であるが速い線引ぎ速度では
非常に速い急冷比を必要どする。セラミック被覆は付着
性が高く非常に有効な水障壁を与えるが有毒な物質の使
用と高い何着温度を含むのでオンライン被覆では非常に
取扱いにくい。
本発明の目的は表面きずの生成をｈ１能な限り減少させ
た光ファイバの密封被覆を可能にすることである。
た光ファイバの密封被覆を可能にすることである。
問題点を解決するための手段
本発明はファイバをオンライン処理室を通して線引きし
、室内でファイバ表面を物理的及び／又は化学的に変化
させ、また室内の雰囲気を室の少なくとも一端で、密封
化ガスが内部に導入されて処理ガスが室から逃げるのを
防ぐよう制御するシールにより、ファイバをシールの壁
に接触させることなくまたファイバを振動させることな
く密封することを特徴とする光ファイバの製造方法を提
１１：：・ ｍｔａ・ 本発明はまたファイバが内部を通って線引きされる処理
室と、反応ガスを処理室に導入する゛導入口と、ファイ
バと導入口又は出口との間を密封するシールとを有し、
シールは密封化ガスをシールへ導入する手段ど、ファイ
バがシール壁に接することなくまたファイバを振動させ
ることなく処理ガスの室よりの逃げを防ぐにうガスを制
御する手段とよりなる光フアイバ製造装置を提供する。
、室内でファイバ表面を物理的及び／又は化学的に変化
させ、また室内の雰囲気を室の少なくとも一端で、密封
化ガスが内部に導入されて処理ガスが室から逃げるのを
防ぐよう制御するシールにより、ファイバをシールの壁
に接触させることなくまたファイバを振動させることな
く密封することを特徴とする光ファイバの製造方法を提
１１：：・ ｍｔａ・ 本発明はまたファイバが内部を通って線引きされる処理
室と、反応ガスを処理室に導入する゛導入口と、ファイ
バと導入口又は出口との間を密封するシールとを有し、
シールは密封化ガスをシールへ導入する手段ど、ファイ
バがシール壁に接することなくまたファイバを振動させ
ることなく処理ガスの室よりの逃げを防ぐにうガスを制
御する手段とよりなる光フアイバ製造装置を提供する。
本発明はさらにファイバ処理用貫通孔と、孔に沿って一
方の軸方向に向く第１のガスジェットと、孔に沿って該
方向と反対の、第１のジェットから離間する方向を指向
する第２のジェットとを有し、ジェットの間にファイバ
を振動させることなく停滞シールゾーンを作る構造より
なるオンラインファイバ処理室の出入口用非接触シール
を提供する。
方の軸方向に向く第１のガスジェットと、孔に沿って該
方向と反対の、第１のジェットから離間する方向を指向
する第２のジェットとを有し、ジェットの間にファイバ
を振動させることなく停滞シールゾーンを作る構造より
なるオンラインファイバ処理室の出入口用非接触シール
を提供する。
実施例
以下図面を参照して本発明を説明する。
窒化珪素はそれがマスクやパシベーシコン層に用いられ
る半導体技術では十分に確立されている。
る半導体技術では十分に確立されている。
窒化珪素は極めて不活性で、拡散に対し優れた障壁を提
供する。従ってファイバ表面に直接部された窒化珪素の
被覆は応力１１１食を阻止又は著しく減少させる。半導
体技術では窒化珪素を何着させるのに種々の方法が用い
られている。一般的に用いられている方法を下に記す。
供する。従ってファイバ表面に直接部された窒化珪素の
被覆は応力１１１食を阻止又は著しく減少させる。半導
体技術では窒化珪素を何着させるのに種々の方法が用い
られている。一般的に用いられている方法を下に記す。
高周波グロー放電
高周波スパッタ
真空蒸着
イオン打込み
直接窒化反応
化学気相蒸着
窒化珪素の熱分解生成に最も広く用いられている２つの
系は５ｔＨ４／Ｎ１１３と５ｆＣＩ４／ＮＨ３である。
系は５ｔＨ４／Ｎ１１３と５ｆＣＩ４／ＮＨ３である。
四塩化珪素は取扱いは比較的安全だが室温以下でアンモ
ニアと及応し、排気ラインに急速に閉塞し連続的付着に
大きな問題を起こす不揮発性イミド及び塩化アンモニウ
ムを生じる問題点を有する。したがってより危険ではあ
るがシラン（ＳｉＨ４）がより良い代替物と考えられて
いる。約１０００℃で窒素を担体／希釈ガスどして用い
た場合のシランとアンモニアの反応は窒化珪素のアモル
ファス被覆を生じる。ＣＯ２，Ｎｏ。
ニアと及応し、排気ラインに急速に閉塞し連続的付着に
大きな問題を起こす不揮発性イミド及び塩化アンモニウ
ムを生じる問題点を有する。したがってより危険ではあ
るがシラン（ＳｉＨ４）がより良い代替物と考えられて
いる。約１０００℃で窒素を担体／希釈ガスどして用い
た場合のシランとアンモニアの反応は窒化珪素のアモル
ファス被覆を生じる。ＣＯ２，Ｎｏ。
−〇 −
０２の如き適当（ｒｌｌｉ素源を追加すると酸窒化珪素
が生じ、その正確な化学ａｔ論は反応物の比により決定
される。
が生じ、その正確な化学ａｔ論は反応物の比により決定
される。
３３！ｌ１４＋４ＨＩＩ３−２ｉ」川Ω１℃−３ｉ３８
４ ＋ １２！１２Ｎ２担体 ・・・（１） Ｓｉｌｌ ４ ＋Ｎ１１３＋酸素源で弓、ｆｌＣＩｆｌ
−℃−３ｉ ＯＮＮ２担体 ｘｙｚ ・・・■ 酸窒化物もまた優れた拡散障壁であり、より応力の少な
い被覆をシリカ上に十分生ずるゆえ酸窒化珪素も窒化硅
素と並んで考慮に入れた。膜応力は式０式中のｘ、ｙ及
びｌの値を変えることで制御される。
４ ＋ １２！１２Ｎ２担体 ・・・（１） Ｓｉｌｌ ４ ＋Ｎ１１３＋酸素源で弓、ｆｌＣＩｆｌ
−℃−３ｉ ＯＮＮ２担体 ｘｙｚ ・・・■ 酸窒化物もまた優れた拡散障壁であり、より応力の少な
い被覆をシリカ上に十分生ずるゆえ酸窒化珪素も窒化硅
素と並んで考慮に入れた。膜応力は式０式中のｘ、ｙ及
びｌの値を変えることで制御される。
上記反応の紫外線による活性化も可能である。
ＳｉＨ４の発火性及び毒性のため、初期の実験は密封シ
ステムを用いてライン外で行った。このライン外作業は
５ｆｓＮ４の生成についてのみであった。付着装置は基
本的には下の部分よりなっていた。
ステムを用いてライン外で行った。このライン外作業は
５ｆｓＮ４の生成についてのみであった。付着装置は基
本的には下の部分よりなっていた。
１０−
（Ｉ）気相系
（１）炉
（ＩＩＩ＞反応器
（Ｔ）Ａｌ１
ソースガスはライン内フィルタを有する研究／電子工業
用級のものであった。ガス流ｈ１は当初Ｓｉ１」４以外
は回転流出目で制御され、ＳｉＨ４は質吊流徂制御装置
て・制御された。窒素は担体／希釈ガスの両方に用いら
れ、またボンベ調整器、ガスライン及び反応器のパージ
ガスどじでも用いられた。かかるパージは発火＋！１物
質を用いる場合極めて必要なことである。反応器に入る
前にガス流は乱流を牛ぜしめる最終ライン内フィルタを
通過し、もってソースガスとの完全な混合が確保される
。
用級のものであった。ガス流ｈ１は当初Ｓｉ１」４以外
は回転流出目で制御され、ＳｉＨ４は質吊流徂制御装置
て・制御された。窒素は担体／希釈ガスの両方に用いら
れ、またボンベ調整器、ガスライン及び反応器のパージ
ガスどじでも用いられた。かかるパージは発火＋！１物
質を用いる場合極めて必要なことである。反応器に入る
前にガス流は乱流を牛ぜしめる最終ライン内フィルタを
通過し、もってソースガスとの完全な混合が確保される
。
（ＴＩ）炉
炉はカンタルＡ１抵抗線をアルミナ管に巻くこｊｌ′・
とで構成された・巻線の全長は約５００ ｍｍであっ
た・管はアルミニウムケース内にシンダニョ（ｓｒｎ（
１ａｎｙｏ）端板と共に取ト１けられカオウールで絶縁
され １１− た。
とで構成された・巻線の全長は約５００ ｍｍであっ
た・管はアルミニウムケース内にシンダニョ（ｓｒｎ（
１ａｎｙｏ）端板と共に取ト１けられカオウールで絶縁
され １１− た。
（Ｉｔ）反−東名
反応器は加熱されたアルミナファーネスチューブ内に正
しく嵌合（るシリカ管Ｊ：りなる。反応物は反応管の頂
部より流入し廃棄生成物は底部よりＩＪＩ出される。抽
気速度は全反応物流跡に児合うＪ：う平衡される。
しく嵌合（るシリカ管Ｊ：りなる。反応物は反応管の頂
部より流入し廃棄生成物は底部よりＩＪＩ出される。抽
気速度は全反応物流跡に児合うＪ：う平衡される。
ガスシール
非接触シールシステムが被覆システム端に強いファイバ
を確実ａ−ものとするｌこめ提案された。使用する反応
物の青竹及び発火性に鑑みこのシールシステムは極めて
有効なものであらねばならない。
を確実ａ−ものとするｌこめ提案された。使用する反応
物の青竹及び発火性に鑑みこのシールシステムは極めて
有効なものであらねばならない。
窒素ガスシールを用いるシステムがベンブユリ効果−［
アムーバー（＋−（Ｍ Ｃ−ブラウアーリミテッド）に
基づいて案出された。これらは周囲の空気の運動を誘起
することにより大ｔ１１の空気流を作り出す。
アムーバー（＋−（Ｍ Ｃ−ブラウアーリミテッド）に
基づいて案出された。これらは周囲の空気の運動を誘起
することにより大ｔ１１の空気流を作り出す。
各シールにつき２つのかがるエアムーバ−が背中合わせ
に取イ１けられ反対方向に動作する。この目的は一様な
窒素流を、反応器の出／入ロボートへ逆行するように、
そしてまた同時に炉内へも向け、 １２− 比較的［停ｆｌｌｌｌ）だ窒素のゾーンを２つの■−ア
ムーバー間に作り出すことにある。このようにして優れ
た非接触シールがファイバ振動を誘発する乱流問題なし
に形成される。手記の如くシールの反応性ガス及び窒素
流を掌編でシミコレートするｌ、：めフレオン１２を用
い、気相系で用いられるのと同一の感度の漏えい検知器
を用いたところフレオンの痕跡は入口あるいは出「１ボ
ートどちらにも検出されなかった。
に取イ１けられ反対方向に動作する。この目的は一様な
窒素流を、反応器の出／入ロボートへ逆行するように、
そしてまた同時に炉内へも向け、 １２− 比較的［停ｆｌｌｌｌ）だ窒素のゾーンを２つの■−ア
ムーバー間に作り出すことにある。このようにして優れ
た非接触シールがファイバ振動を誘発する乱流問題なし
に形成される。手記の如くシールの反応性ガス及び窒素
流を掌編でシミコレートするｌ、：めフレオン１２を用
い、気相系で用いられるのと同一の感度の漏えい検知器
を用いたところフレオンの痕跡は入口あるいは出「１ボ
ートどちらにも検出されなかった。
図面を参照するにオンライン付着用システムの模式図が
示されている。気相系は］ンパク１〜な設計で全てのソ
ースガスはｍ、ｆ、ｃ、で制御され、また酸窒化珪素生
成用に一酸化窒素のラインが追加されている。
示されている。気相系は］ンパク１〜な設計で全てのソ
ースガスはｍ、ｆ、ｃ、で制御され、また酸窒化珪素生
成用に一酸化窒素のラインが追加されている。
装圃は線引き塔上の線引き炉下部に取付けられ、入口ア
イリス１と出口アイリス２．頂部の非接触入口シールシ
ステム３ど底部の非接触出口シールシステム４どを有す
る。
イリス１と出口アイリス２．頂部の非接触入口シールシ
ステム３ど底部の非接触出口シールシステム４どを有す
る。
前記の如く構成された炉５は前記の如く構成された反応
器６を囲む。電源７は炉の温度、従って １３− 反応器の調度を制御する。この温度は７！１０〜１１０
０℃の範囲内である。
器６を囲む。電源７は炉の温度、従って １３− 反応器の調度を制御する。この温度は７！１０〜１１０
０℃の範囲内である。
反応器６は０リング１０及び１１にＪ：り抽出マニホー
ルド１２及び入ロマニボールド１３に固定。
ルド１２及び入ロマニボールド１３に固定。
シールされる端面フランジ８及び９を有する。導入口マ
ニホールド１３は反応物導入口１４を有し出口マニホー
ルド１４は抽出ボー１〜１５を有する。
ニホールド１３は反応物導入口１４を有し出口マニホー
ルド１４は抽出ボー１〜１５を有する。
抽出ガス中のＮ２抽気用の抽気開口１６は空気及び抽出
速度のライン調整に用いられる平衡流１の逆拡散を防ぐ
のに用いられる。気相系からのバイパスボー１〜１７も
よた設【フられている。頂部及び底部シール及び抽出シ
ステムの平衡に用いられる窒素はパイブトサイ］・ガス
を用いた回転流出目を用いて制御される。互いに等量の
ガスを供給すべく分かれたエアムーバ一対には各々単一
の供給ラインが適合される。（必要なら各■アムーバー
に別々に供給することでＪζり正確な制御が達成できる
）。
速度のライン調整に用いられる平衡流１の逆拡散を防ぐ
のに用いられる。気相系からのバイパスボー１〜１７も
よた設【フられている。頂部及び底部シール及び抽出シ
ステムの平衡に用いられる窒素はパイブトサイ］・ガス
を用いた回転流出目を用いて制御される。互いに等量の
ガスを供給すべく分かれたエアムーバ一対には各々単一
の供給ラインが適合される。（必要なら各■アムーバー
に別々に供給することでＪζり正確な制御が達成できる
）。
初期の実験は以下の範囲の条着を用いた。
最高炉壁温度 −７００−１０００℃
１４−
Ｓ ！ Ｈ４流吊 −１０−５０ｃｃ／分Ｎ ｌ−１３
流早 −８００ｃｃ／分 Ｎｏ流間 −１２ｎｃｃ／分 Ｎ２流昂 −５０００ｃｃ／分 典型的反応物比 ＳｆＨ，＋ ：Ｎ１−１３ ：Ｎ２ ＝１ ：４０：
２５０頂部シールシステｌオの全 Ｎ２流量 −２０リツ１〜ル／分 底部シールシスフムの全 Ｎ２流吊 −２０リツＩヘル／分 頂点部及び底部アイリ ス開口 −７ｒＮｎ 線引き速度 −１０−８０ｍ／分 プリフオ′−ム２１の加熱域２１Ａから線引きされた光
ファイバ２０はアイリス１に入りシール３゜１１：：
反応室６・′−）Ｉｌ′４・ｊＪｊ １１７ （“Ｊ
、１２ ＠ ３山過トブーリー２３を回って貯蔵用の貯
藏ドラム（図示せず）へ走る。窒化されたファイバ２Ｏ
Ａを被覆−１５＝ するプラスデック被覆ト１与装回２２がまた存在づる。
流早 −８００ｃｃ／分 Ｎｏ流間 −１２ｎｃｃ／分 Ｎ２流昂 −５０００ｃｃ／分 典型的反応物比 ＳｆＨ，＋ ：Ｎ１−１３ ：Ｎ２ ＝１ ：４０：
２５０頂部シールシステｌオの全 Ｎ２流量 −２０リツ１〜ル／分 底部シールシスフムの全 Ｎ２流吊 −２０リツＩヘル／分 頂点部及び底部アイリ ス開口 −７ｒＮｎ 線引き速度 −１０−８０ｍ／分 プリフオ′−ム２１の加熱域２１Ａから線引きされた光
ファイバ２０はアイリス１に入りシール３゜１１：：
反応室６・′−）Ｉｌ′４・ｊＪｊ １１７ （“Ｊ
、１２ ＠ ３山過トブーリー２３を回って貯蔵用の貯
藏ドラム（図示せず）へ走る。窒化されたファイバ２Ｏ
Ａを被覆−１５＝ するプラスデック被覆ト１与装回２２がまた存在づる。
以下シール３及び４の１つを訂細に説明する。
シール３及び１を形成するため用いられたベンチコリ効
果装館は第２図にその原理を示すバウアー（Ｂａｕｅｒ
）により製作されたエアムーバ−である。
果装館は第２図にその原理を示すバウアー（Ｂａｕｅｒ
）により製作されたエアムーバ−である。
第１及び第２の装置２８及び２９は背中合ゼに取４＝ｔ
ｔｊられ、その結果結合された効果が両エアムーバ−
の中心に共通な停滞ゾーン３０を生じる。
ｔｊられ、その結果結合された効果が両エアムーバ−
の中心に共通な停滞ゾーン３０を生じる。
圧縮窒素が小さな導入口３１から環状室３２へ流入Ｊる
。窒素はその後環状ギャップ３３を通って加速される。
。窒素はその後環状ギャップ３３を通って加速される。
その際窒素の薄層が生じ、輪郭３／ｌに（Ｎ＋ 盾しシ
ールの軸方向へ平行に流れる。しかし２つの装置６は反
対方向に働いているので１味の結果として停滞ゾーン３
０が生じ、これがファイバがシールを通過して動く際光
フアイバ周囲に効果的４丁シールを１−することを見出
した。シール内孔の直径は約２０ｍｍであるが１０−７
５ ｍｍの範囲でもよい。
ールの軸方向へ平行に流れる。しかし２つの装置６は反
対方向に働いているので１味の結果として停滞ゾーン３
０が生じ、これがファイバがシールを通過して動く際光
フアイバ周囲に効果的４丁シールを１−することを見出
した。シール内孔の直径は約２０ｍｍであるが１０−７
５ ｍｍの範囲でもよい。
シールは光ファイバがない揚台も働く。
１６一
本発明者は窒素密封化ガスをそれがガスシール３及び４
に入る前に予熱り−ることを提案し、さらにシール３及
び４自体を加熱し、もってファイバを予熱し、ファイバ
をイ」着に必要な温度又はそれに近接して反応室内での
反応のためりえることを提供する。この調度は窒化物又
は酸窒化物１１名では約８００℃である。ファイバ湿度
はシールに入る際プリフォーム２１．２１△から線引ぎ
される際の２０００℃よりやや」−の温度から１００℃
前後まで落ちている。従って密封化ガスを用いてファイ
バを予熱することを提案し、またこれは達成し得る伺着
速度を著しく増大せしめるのが見出された。
に入る前に予熱り−ることを提案し、さらにシール３及
び４自体を加熱し、もってファイバを予熱し、ファイバ
をイ」着に必要な温度又はそれに近接して反応室内での
反応のためりえることを提供する。この調度は窒化物又
は酸窒化物１１名では約８００℃である。ファイバ湿度
はシールに入る際プリフォーム２１．２１△から線引ぎ
される際の２０００℃よりやや」−の温度から１００℃
前後まで落ちている。従って密封化ガスを用いてファイ
バを予熱することを提案し、またこれは達成し得る伺着
速度を著しく増大せしめるのが見出された。
明らかに密封は伯のオンライン被覆処理及び反応付着に
も用途を有づるが、特に過程内でシラン等、毒性でまた
発火↑ｑのガスを用いる場合利点を有する。かかるガス
Ｃはシステムの全部品は調整器を含めガスのシステムへ
の導入前に無空気であるのが重要である。ＮＯ，Ｎ１−
１３及びＳ！１−１４ボンベにはパージラインが設けら
れる。このパージ用導入ガスは実際の付着の際１１１休
／希釈ガスとし−１７＝ て用いられるのと同じＮ２供給源から取られる。
も用途を有づるが、特に過程内でシラン等、毒性でまた
発火↑ｑのガスを用いる場合利点を有する。かかるガス
Ｃはシステムの全部品は調整器を含めガスのシステムへ
の導入前に無空気であるのが重要である。ＮＯ，Ｎ１−
１３及びＳ！１−１４ボンベにはパージラインが設けら
れる。このパージ用導入ガスは実際の付着の際１１１休
／希釈ガスとし−１７＝ て用いられるのと同じＮ２供給源から取られる。
気相系の混合フィルタ通過後反応ガスラインは線引き塔
Ｉ（１部の分離したマニホールドに導かれ、ここで三方
タップを用いることによりガスは反応器を流れることｂ
抽出システムへ直接にバイパス１」ること−し可能であ
る。
Ｉ（１部の分離したマニホールドに導かれ、ここで三方
タップを用いることによりガスは反応器を流れることｂ
抽出システムへ直接にバイパス１」ること−し可能であ
る。
本発明の利点は光ファイバをオンラインで窒化珪素又は
酸窒化珪素又は仙の材料で被覆しファイバにハーメデッ
クシールを与え、（Ｆｉ１時にファイバを乱したり振動
さけることなしに反応室に気密シールを与え、ファイバ
の表面ぎずの危険を最小化する能力にある。
酸窒化珪素又は仙の材料で被覆しファイバにハーメデッ
クシールを与え、（Ｆｉ１時にファイバを乱したり振動
さけることなしに反応室に気密シールを与え、ファイバ
の表面ぎずの危険を最小化する能力にある。
第１図は本発明にＪ：る光ファイバのオンライン被覆装
置の実施例を示す図、第２図は第１図の訂細を示づ図で
ある、。 １・・・入口アイリス、２・・・出口アイリス、３・・
・入口シールシステム、４・・・出口シールシステム、
５・・・炉、６・・・反応器、７・・・電源、８，９・
・・端面フランジ、１０．１１・・・Ｏリング、１２・
・・抽出７ニホ １８− −ルド、１３・・・導入ロマニボールド、１４・・・反
応物導入口、１５・・・抽出ボー１−１１６・・・抽気
開口、１７・・・バイパスポート、２０・・・光ファイ
バ、２１・・・プリフォーム、２１Ａ・・・加熱域、２
２・・・プラスデック被覆付与装置、２３・・・プーリ
ー、２８・・・第１の装置、２９・・・第２の装置、３
０・・・停滞ゾーン、３１・・・導入口、３２・・・環
状室、３３・・・環状ギャップ、３４・・・輪郭。 特許出願人 スタンダード テレフォンズアンド ケー
ブルス パブリック −１９＝ 手続？ｍｔｌＥ書 昭和６０年６月２８［１ 昭和６０年 特許願 第１１８６６６号２、発明の名称 光フアイバ製造方法、製造装置及び非接触シール３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 イギリス国 ［１ンドン ダブリューシー２ア
ール１デイーニー ストランド １９０番地名 称 ス
タンダード テレフォンズ アンド ケーブルスパブリ
ック リミテッド カンパニー 代表者 シトニー ロス キャブシイ （国籍 イギリス国） ４、代理人 住 所 〒１０２ 東京都千代田区麹町５丁目７番地電
話０３ （２６３） ３２７１番（代表）５、補正命令
の日付 ６、７＋ｉ正の対象 図面。 ７、補正の内容 図面の浄ｎ）（内容に変更なし）を別紙の通り補充する
。 ２ −
置の実施例を示す図、第２図は第１図の訂細を示づ図で
ある、。 １・・・入口アイリス、２・・・出口アイリス、３・・
・入口シールシステム、４・・・出口シールシステム、
５・・・炉、６・・・反応器、７・・・電源、８，９・
・・端面フランジ、１０．１１・・・Ｏリング、１２・
・・抽出７ニホ １８− −ルド、１３・・・導入ロマニボールド、１４・・・反
応物導入口、１５・・・抽出ボー１−１１６・・・抽気
開口、１７・・・バイパスポート、２０・・・光ファイ
バ、２１・・・プリフォーム、２１Ａ・・・加熱域、２
２・・・プラスデック被覆付与装置、２３・・・プーリ
ー、２８・・・第１の装置、２９・・・第２の装置、３
０・・・停滞ゾーン、３１・・・導入口、３２・・・環
状室、３３・・・環状ギャップ、３４・・・輪郭。 特許出願人 スタンダード テレフォンズアンド ケー
ブルス パブリック −１９＝ 手続？ｍｔｌＥ書 昭和６０年６月２８［１ 昭和６０年 特許願 第１１８６６６号２、発明の名称 光フアイバ製造方法、製造装置及び非接触シール３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 イギリス国 ［１ンドン ダブリューシー２ア
ール１デイーニー ストランド １９０番地名 称 ス
タンダード テレフォンズ アンド ケーブルスパブリ
ック リミテッド カンパニー 代表者 シトニー ロス キャブシイ （国籍 イギリス国） ４、代理人 住 所 〒１０２ 東京都千代田区麹町５丁目７番地電
話０３ （２６３） ３２７１番（代表）５、補正命令
の日付 ６、７＋ｉ正の対象 図面。 ７、補正の内容 図面の浄ｎ）（内容に変更なし）を別紙の通り補充する
。 ２ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ファイバをオンライン処理室を通して線引きし
、室内でファイバ表面を物理的及び／又は化学的に変化
させ、また室内の雰囲気を室の少なくとも一端で、密封
化ガスが内部に導入されて処理ガスが室から逃げるのを
防ぐよう制御されるシールにより、ファイバをシールの
壁に接触させることなくまたファイバを振動さ１！るこ
となく密封することを特徴とする光ファイバの製造方法
。 （２）窒化珪素がファイバ表面に反応室内における化学
気相蒸着法により形成される特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ■ 酸窒化珪素がファイバ表面に反応室内における化学
気相蒸着法により形成される特許請求の範囲第１項記載
の方法。 （４） シールは一対の背中合わせに取イ１けられ互い
に反対方向に動くベンヂコリ効果空気運動装置よりなる
特許請求の範囲第１項記載の方法。 （Ｆｌ）密４・１化ガスは窒素である特許請求の範囲第
１項記載の方法。 ６） ファイバは該処理に必要な湿１印より低い温度を
有し、ファイバは処理室に入る前に該必要な濃度近くに
加熱される特許請求の範囲第１項記載の方法。 ■ ファイバが内部を通って線引ぎされる処理室と、反
応ガスを処理室に導入する導入口と、ファイバと室入目
又は出口どの間を密封覆るシールどを有し、シールは密
封化ガスをシールへ導入する手段と、ファイバがシール
壁に接することなくまたファイバを振動ざ１することな
く処理ガスの室よりの逃げを防ぐＪ：うガスを制御する
手段と」；りなる、光フアイバ製造装置。 （８） ファイバ処理用貫通孔と、孔に沿って一方の軸
方向に向く第１のガスジ、［ツｌ〜と、孔に沿って該方
向と反対の、第１のジエツＩ〜から頗問する方向を指向
する第２のジェットとを有し、ジェノ］への間にファイ
バを振動させることなく停滞シールゾーンを作る構造よ
りなる直結ファイバ処理室の出入１」用非接触シール。 （９）特許請求の範囲第１項から第６項中いずれか一項
に記載した方法又は特許請求の範囲第７項記載の装置に
より表面処理を施された光ファイバ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08414054A GB2159812B (en) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | Manufacturing optical fibre |
| GB8414054 | 1984-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264347A true JPS60264347A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0653596B2 JPH0653596B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=10561821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118666A Expired - Lifetime JPH0653596B2 (ja) | 1984-06-01 | 1985-05-31 | 光フアイバ製造方法，製造装置及び非接触シール |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4608276A (ja) |
| EP (1) | EP0163457B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0653596B2 (ja) |
| AT (1) | ATE44722T1 (ja) |
| CA (1) | CA1261632A (ja) |
| DE (1) | DE3571601D1 (ja) |
| GB (1) | GB2159812B (ja) |
| ZA (1) | ZA853942B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0413635U (ja) * | 1990-05-23 | 1992-02-04 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2164934B (en) * | 1984-09-29 | 1988-10-05 | Stc Plc | Optical fibres |
| FI74269C (fi) * | 1985-12-17 | 1988-01-11 | Nokia Oy Ab | Foerfarande och anordning foer beklaedning av en optisk fiber med ett primaeroeverdrag. |
| DE3582682D1 (de) * | 1985-12-19 | 1991-05-29 | Hewlett Packard Co | Vorrichtung zur chemischen dampfphasenabscheidung einer beschichtung auf eine optische faser. |
| US4792347A (en) * | 1986-09-25 | 1988-12-20 | Corning Glass Works | Method for coating optical waveguide fiber |
| US4863760A (en) * | 1987-12-04 | 1989-09-05 | Hewlett-Packard Company | High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea; |
| AU624203B2 (en) * | 1988-12-21 | 1992-06-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for producing coated optical fiber |
| US5147432A (en) * | 1989-10-19 | 1992-09-15 | At&T Bell Laboratories | Methods of and apparatus for coating optical fibers |
| CA2026958C (en) * | 1989-10-19 | 1995-12-26 | Don R. Edmonston | Methods of and apparatus for coating optical fibers |
| US5199993A (en) * | 1989-10-19 | 1993-04-06 | At&T Bell Laboratories | Methods of and apparatus for coating optical fibers |
| US5242477A (en) * | 1989-10-19 | 1993-09-07 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for coating optical fibers |
| JP2785635B2 (ja) * | 1992-05-26 | 1998-08-13 | 住友電気工業株式会社 | ハーメチックコート光ファイバの製造装置 |
| DE4339077C2 (de) * | 1993-11-16 | 1997-03-06 | Rheydt Kabelwerk Ag | Verfahren zum Ziehen einer optischen Faser und Vorrichtung zu dessen Durchführung |
| DE9317617U1 (de) * | 1993-11-18 | 1994-01-05 | Rheydt Kabelwerk Ag | Vorrichtung zum Beschichten einer optischen Faser |
| US5942020A (en) * | 1996-01-11 | 1999-08-24 | Tensor Machinery Limited | Apparatus for evacuating air from curing area of UV lamps for fiber-like substrates |
| US6767579B1 (en) * | 1998-11-24 | 2004-07-27 | Corning Incorporated | Methods for protecting silica-containing article in optical fiber manufacturing |
| US20030070452A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-17 | Alcatel | Process for online spheroidization of quartz and silica particles |
| KR100664545B1 (ko) * | 2005-03-08 | 2007-01-03 | (주)씨엔티 | 탄소나노튜브 대량합성장치 및 대량합성방법 |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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| US4526599A (en) * | 1981-08-28 | 1985-07-02 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber fabrication process |
| US4518628A (en) * | 1982-05-28 | 1985-05-21 | International Telephone And Telegraph Corporation | Hermetic coating by heterogeneous nucleation thermochemical deposition |
-
1984
- 1984-06-01 GB GB08414054A patent/GB2159812B/en not_active Expired
-
1985
- 1985-05-17 AT AT85303467T patent/ATE44722T1/de not_active IP Right Cessation
- 1985-05-17 DE DE8585303467T patent/DE3571601D1/de not_active Expired
- 1985-05-17 EP EP85303467A patent/EP0163457B1/en not_active Expired
- 1985-05-21 US US06/736,327 patent/US4608276A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-05-23 CA CA000482229A patent/CA1261632A/en not_active Expired
- 1985-05-24 ZA ZA853942A patent/ZA853942B/xx unknown
- 1985-05-31 JP JP60118666A patent/JPH0653596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4896613A (ja) * | 1972-02-02 | 1973-12-10 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0413635U (ja) * | 1990-05-23 | 1992-02-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0163457A2 (en) | 1985-12-04 |
| JPH0653596B2 (ja) | 1994-07-20 |
| EP0163457A3 (en) | 1986-07-30 |
| ATE44722T1 (de) | 1989-08-15 |
| ZA853942B (en) | 1986-06-25 |
| DE3571601D1 (en) | 1989-08-24 |
| GB2159812B (en) | 1988-02-10 |
| GB8414054D0 (en) | 1984-07-04 |
| EP0163457B1 (en) | 1989-07-19 |
| US4608276A (en) | 1986-08-26 |
| CA1261632A (en) | 1989-09-26 |
| GB2159812A (en) | 1985-12-11 |
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