JP3059389B2 - カーボン被覆装置及びカーボン被膜形成方法 - Google Patents
カーボン被覆装置及びカーボン被膜形成方法Info
- Publication number
- JP3059389B2 JP3059389B2 JP8214465A JP21446596A JP3059389B2 JP 3059389 B2 JP3059389 B2 JP 3059389B2 JP 8214465 A JP8214465 A JP 8214465A JP 21446596 A JP21446596 A JP 21446596A JP 3059389 B2 JP3059389 B2 JP 3059389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- optical fiber
- air
- chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
- C03C25/1062—Carbon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、線引きされた光フ
ァイバにカーボン被覆を施すカーボン被覆装置及びカー
ボン被膜形成方法に関する。
ァイバにカーボン被覆を施すカーボン被覆装置及びカー
ボン被膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバには、外部雰囲気による強度
低下等の悪影響を防ぐために、種々の被覆がなされてい
る。その一つとして、有機材料による被覆が一般に行わ
れるものの、該材料では水蒸気や水酸基イオンの浸透を
防ぐことができない。このため、有機材料による被覆を
施す前に、シリコンやカーボン、或いは各種金属のよう
な無機材料によるハーメチック被覆が行われる。
低下等の悪影響を防ぐために、種々の被覆がなされてい
る。その一つとして、有機材料による被覆が一般に行わ
れるものの、該材料では水蒸気や水酸基イオンの浸透を
防ぐことができない。このため、有機材料による被覆を
施す前に、シリコンやカーボン、或いは各種金属のよう
な無機材料によるハーメチック被覆が行われる。
【０００３】該ハーメチック被覆を施すために、今日用
いられている最も有利な方法の１つとして化学的気相成
長（ＣＶＤ）法が知られている。ＣＶＤ法においては、
被覆材料は単一のガス状反応材料からそのような材料を
生成するために必要な温度で被覆材料を反応により生成
するか、或いは２つ以上のガス状反応材料を所要の反応
温度で反応させるかして気相で形成する。
いられている最も有利な方法の１つとして化学的気相成
長（ＣＶＤ）法が知られている。ＣＶＤ法においては、
被覆材料は単一のガス状反応材料からそのような材料を
生成するために必要な温度で被覆材料を反応により生成
するか、或いは２つ以上のガス状反応材料を所要の反応
温度で反応させるかして気相で形成する。
【０００４】ＣＶＤ法により光ファイバに被覆を施すた
めの装置は、例えば特公昭６０−２５３８１号公報に示
されている（図４参照）。この反応装置１１は光ファイ
バ１０が連続的に送り込まれる第１隔離室１２、反応室
１３及び第２隔離室１４とからなり、それぞれの入口及
び出口には小径となった開口部１５，１６，１７，１８
が形成されており、光ファイバは開口部１５から入り第
１隔離室１２、反応室１３及び第２隔離室１４を経て開
口部１８から引き出される。
めの装置は、例えば特公昭６０−２５３８１号公報に示
されている（図４参照）。この反応装置１１は光ファイ
バ１０が連続的に送り込まれる第１隔離室１２、反応室
１３及び第２隔離室１４とからなり、それぞれの入口及
び出口には小径となった開口部１５，１６，１７，１８
が形成されており、光ファイバは開口部１５から入り第
１隔離室１２、反応室１３及び第２隔離室１４を経て開
口部１８から引き出される。
【０００５】ここで、第１及び第２隔離室１２，１４は
反応室１３を周囲の大気から隔離するものでそれぞれに
は不活性ガスの導入口１９，２０が設けられており、両
隔離室１２，１４内の圧力は、開口部１５，１８から炉
内に周囲大気が流入しないような圧力となるように設定
されている。また、開口部１５，１６，１７，１８の内
径は充分大きくとられているので、ファイバ１０と内壁
とが接触しないようになっており、汚染物質が炉壁から
ファイバ１０に付着するのが防止される。
反応室１３を周囲の大気から隔離するものでそれぞれに
は不活性ガスの導入口１９，２０が設けられており、両
隔離室１２，１４内の圧力は、開口部１５，１８から炉
内に周囲大気が流入しないような圧力となるように設定
されている。また、開口部１５，１６，１７，１８の内
径は充分大きくとられているので、ファイバ１０と内壁
とが接触しないようになっており、汚染物質が炉壁から
ファイバ１０に付着するのが防止される。
【０００６】上記反応室１３へは、導入ガスが流入口２
１から導入されるとともに流出口２２から排出されてお
り、この反応室１３内の反応ガスは加熱コイル２３によ
り所定温度に維持される。なお、加熱コイル２３への給
電は通常の商用電源によって行われている。
１から導入されるとともに流出口２２から排出されてお
り、この反応室１３内の反応ガスは加熱コイル２３によ
り所定温度に維持される。なお、加熱コイル２３への給
電は通常の商用電源によって行われている。
【０００７】そして反応室１３内においては、導入され
た反応ガスの化学物質同士が化学反応してファイバの表
面上に例えばカーボン等の所定の厚さの被膜が形成され
る。この反応は光ファイバの表面上で進行するか、ある
いは気相中で一様に進行した後、反応生成物がファイバ
上に沈積する。また上記両プロセスの組合わせで反応全
体が進行することもある。炉内への熱エネルギを周知の
ようにマイクロ波もしくは高周波プラズマにより又は光
化学的な励起により供給することにより反応ガスの活性
化を促進することができる。
た反応ガスの化学物質同士が化学反応してファイバの表
面上に例えばカーボン等の所定の厚さの被膜が形成され
る。この反応は光ファイバの表面上で進行するか、ある
いは気相中で一様に進行した後、反応生成物がファイバ
上に沈積する。また上記両プロセスの組合わせで反応全
体が進行することもある。炉内への熱エネルギを周知の
ようにマイクロ波もしくは高周波プラズマにより又は光
化学的な励起により供給することにより反応ガスの活性
化を促進することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ハーメチック被覆を施
す従来の図４で示した反応装置１１では、反応室１３内
を外気からシールすべく、該反応室１３の上下に夫々隔
離室１２，１４が設けられている。これらの隔離室１
２，１４には共に不活性ガスが導入され、且つこのガス
が外気より高圧に保たれることによってシール効果が発
生するようになっている。
す従来の図４で示した反応装置１１では、反応室１３内
を外気からシールすべく、該反応室１３の上下に夫々隔
離室１２，１４が設けられている。これらの隔離室１
２，１４には共に不活性ガスが導入され、且つこのガス
が外気より高圧に保たれることによってシール効果が発
生するようになっている。
【０００９】また、反応室１３内では原料ガスの反応が
進行して、該反応室１３内の光ファイバ１０表面にカー
ボン微粒子等の被覆層が形成される。ところが、該被覆
層形成に用いられなかった微粒子は排気ガス中に混入し
たまま流れ、反応室１３や特に隔離室１２，１４の小径
開口部１５，１６，１７，１８に付着して目づまりを起
こす。
進行して、該反応室１３内の光ファイバ１０表面にカー
ボン微粒子等の被覆層が形成される。ところが、該被覆
層形成に用いられなかった微粒子は排気ガス中に混入し
たまま流れ、反応室１３や特に隔離室１２，１４の小径
開口部１５，１６，１７，１８に付着して目づまりを起
こす。
【００１０】ところが該目づまりは、隔離室１２，１４
内に供給され且つこれら開口部１５，１６，１７，１８
を流動する前述した不活性ガスによって、取り除かれる
ようにもなっていた。つまり、この不活性ガスは、前述
した如くシール用として用いられるのみではなく、目づ
まり防止のためにも極めて重要な役割を果している。
内に供給され且つこれら開口部１５，１６，１７，１８
を流動する前述した不活性ガスによって、取り除かれる
ようにもなっていた。つまり、この不活性ガスは、前述
した如くシール用として用いられるのみではなく、目づ
まり防止のためにも極めて重要な役割を果している。
【００１１】従って、この目づまり防止を実現するため
に、本来シール用として十分な量以上の不活性ガスを供
給せねばならず、高価な不活性ガスの大量使用を招き、
以てコスト高の大きな要因ともなっていたのである。
に、本来シール用として十分な量以上の不活性ガスを供
給せねばならず、高価な不活性ガスの大量使用を招き、
以てコスト高の大きな要因ともなっていたのである。
【００１２】
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明のカーボン被覆は、線引炉の下部に設置され、貫通し
て挿入される光ファイバにカーボン被覆を施す反応室
と、前記反応室の上下に外気と反応室内の雰囲気とをシ
ールするシール室をそれぞれ有するカーボン被覆装置に
おいて、前記反応室の上部に設けられたシール室には不
活性ガス導入口、下部シール室には空気導入口がそれぞ
れ設けられ、反応室には上部の光ファイバ導入側にカー
ボン被膜形成用の原料ガス導入口、下部の光ファイバ出
口側に反応室内の雰囲気を排気する排気口が設けられ、
該排気口には反応室内で生成されたカーボン粉を燃焼除
去する燃焼器が設置された事を特徴とする。
明のカーボン被覆は、線引炉の下部に設置され、貫通し
て挿入される光ファイバにカーボン被覆を施す反応室
と、前記反応室の上下に外気と反応室内の雰囲気とをシ
ールするシール室をそれぞれ有するカーボン被覆装置に
おいて、前記反応室の上部に設けられたシール室には不
活性ガス導入口、下部シール室には空気導入口がそれぞ
れ設けられ、反応室には上部の光ファイバ導入側にカー
ボン被膜形成用の原料ガス導入口、下部の光ファイバ出
口側に反応室内の雰囲気を排気する排気口が設けられ、
該排気口には反応室内で生成されたカーボン粉を燃焼除
去する燃焼器が設置された事を特徴とする。
【００１４】一方、本発明の第１のカーボン皮膜形成方
法は、光ファイバを線引後、光ファイバをカーボン被膜
形成用の原料ガスを導入した反応室に挿通し、線引後の
光ファイバ表面にカーボン被膜を形成する方法におい
て、該反応室は、光ファイバ導入口側を不活性ガスでシ
ールするとともに、光ファイバ出口側をシール用空気に
よりシールすることを特徴とする。
法は、光ファイバを線引後、光ファイバをカーボン被膜
形成用の原料ガスを導入した反応室に挿通し、線引後の
光ファイバ表面にカーボン被膜を形成する方法におい
て、該反応室は、光ファイバ導入口側を不活性ガスでシ
ールするとともに、光ファイバ出口側をシール用空気に
よりシールすることを特徴とする。
【００１５】本発明の第２のカーボン皮膜形成方法は、
前記第１の方法において、シール用空気の一部は該反応
室に流入し、該反応室の光ファイバ出口側に設けた排気
口より排出することを特徴とする。
前記第１の方法において、シール用空気の一部は該反応
室に流入し、該反応室の光ファイバ出口側に設けた排気
口より排出することを特徴とする。
【００１６】本発明の第３のカーボン皮膜形成方法は、
前記第２の方法において、前記排気口より排出される排
気ガスを流量計の前で燃焼させることを特徴とする。
前記第２の方法において、前記排気口より排出される排
気ガスを流量計の前で燃焼させることを特徴とする。
【００１７】〔作用〕ガスシール室に不活性ガスが導入
されて、反応室の一方側をシールし、該ガスシール室側
の反応室に設けられた導入口より原料ガスが流入して、
該反応室内にて光ファイバのハーメチック被覆が行わ
れ、該被覆に伴い生ずる排気ガスが、ガスシール室と反
対側の反応室に設けられた排出口から外部へと排出され
る。
されて、反応室の一方側をシールし、該ガスシール室側
の反応室に設けられた導入口より原料ガスが流入して、
該反応室内にて光ファイバのハーメチック被覆が行わ
れ、該被覆に伴い生ずる排気ガスが、ガスシール室と反
対側の反応室に設けられた排出口から外部へと排出され
る。
【００１８】同時に、反応室の他方側に連通して設けら
れた空気シール室内に空気が導入され、さらにこの空気
が反応室の前記排出口から排出されることにより、また
は、反応室の他方側の光ファイバ貫通口より空気が反応
室内へと流入し且つこの空気が前記排出口から排出され
ることにより、反応室内の一方側の大半を外部からシー
ルする。
れた空気シール室内に空気が導入され、さらにこの空気
が反応室の前記排出口から排出されることにより、また
は、反応室の他方側の光ファイバ貫通口より空気が反応
室内へと流入し且つこの空気が前記排出口から排出され
ることにより、反応室内の一方側の大半を外部からシー
ルする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のハーメチック被覆
装置に係る一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
装置に係る一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】この一実施例の概略構成断面図を図１に示
した如く、図中下方へと移動する光ファイバ３１を囲繞
するように、側壁３２が設けられている。側壁３２の図
中上下の端部には、夫々隔壁３３，３４が一体的に設け
られ、且つこれらの隔壁３３，３４には光ファイバ３１
が上下に貫通する貫通口３５，３６が夫々穿設されてい
る。また側壁３２の図中上部には、該側壁３２を貫通し
て導入管３７が設けられていると共に、側壁３２の図中
下部には該側壁３２を貫通して排出管３８が設けられて
いる。
した如く、図中下方へと移動する光ファイバ３１を囲繞
するように、側壁３２が設けられている。側壁３２の図
中上下の端部には、夫々隔壁３３，３４が一体的に設け
られ、且つこれらの隔壁３３，３４には光ファイバ３１
が上下に貫通する貫通口３５，３６が夫々穿設されてい
る。また側壁３２の図中上部には、該側壁３２を貫通し
て導入管３７が設けられていると共に、側壁３２の図中
下部には該側壁３２を貫通して排出管３８が設けられて
いる。
【００２１】つまり、側壁３２と隔壁３３，３４とによ
って反応室３９が形成されていると共に、図示しない原
料ガス供給手段の作動により、原料ガス４０が前記導入
管３７を経て反応室３９内へと導入され、光ファイバ３
１表面にハーメチック被覆が施される（即ち、既述した
ＣＶＤ法によるハーメチック被覆）。さらに、反応後の
原料ガス４０は排気ガス４１として、図示しないガス排
出手段の作動により、排出管３８を経て反応室３９の外
部へと排出される。本例において、該ハーメチック被覆
はカーボン被覆層を形成するものであり、原料ガスとし
ては、例えばヘリウムガス等のキャリアガスにハロゲン
化炭化水素等を混在させたものを用いている。
って反応室３９が形成されていると共に、図示しない原
料ガス供給手段の作動により、原料ガス４０が前記導入
管３７を経て反応室３９内へと導入され、光ファイバ３
１表面にハーメチック被覆が施される（即ち、既述した
ＣＶＤ法によるハーメチック被覆）。さらに、反応後の
原料ガス４０は排気ガス４１として、図示しないガス排
出手段の作動により、排出管３８を経て反応室３９の外
部へと排出される。本例において、該ハーメチック被覆
はカーボン被覆層を形成するものであり、原料ガスとし
ては、例えばヘリウムガス等のキャリアガスにハロゲン
化炭化水素等を混在させたものを用いている。
【００２２】反応室３９の隔壁３３の図中上部には、蓋
部４２が一体的に設けられ、この蓋部４２と隔壁３３と
によってガスシール室４３が形成されている。また蓋部
４２の図中上部には、光ファイバ３１が貫通する貫通口
４４が穿設されていると共に、この蓋部４２には、該ガ
スシール室４３内に窒素などのシール用不活性ガス４５
を導入するための導入管４６が設けられている。
部４２が一体的に設けられ、この蓋部４２と隔壁３３と
によってガスシール室４３が形成されている。また蓋部
４２の図中上部には、光ファイバ３１が貫通する貫通口
４４が穿設されていると共に、この蓋部４２には、該ガ
スシール室４３内に窒素などのシール用不活性ガス４５
を導入するための導入管４６が設けられている。
【００２３】従って、図示しない不活性ガス供給手段を
作動させることにより、外気より高圧の不活性ガス４５
がガスシール室４３内へと導入され、その一部は蓋部４
２の貫通口４４を経て外部へ放出されると共に、残りは
隔壁３３の貫通口３５を経て反応室３９内へと流入す
る。この結果、反応室３９の図中上部は外気から完全に
シールされると共に、貫通口３５，４４の目づまりも防
止される。
作動させることにより、外気より高圧の不活性ガス４５
がガスシール室４３内へと導入され、その一部は蓋部４
２の貫通口４４を経て外部へ放出されると共に、残りは
隔壁３３の貫通口３５を経て反応室３９内へと流入す
る。この結果、反応室３９の図中上部は外気から完全に
シールされると共に、貫通口３５，４４の目づまりも防
止される。
【００２４】また、反応室３９の隔壁３４の図中下部に
は、蓋部４７が一体的に設けられ、この蓋部４７と隔壁
３４とによって空気シール室４８が形成されている。ま
た蓋部４７の図中下部には、光ファイバ３１が貫通する
貫通口４９が穿設されていると共に、この蓋部４７に
は、該空気シール室４８内にシール用空気５０を導入す
るための導入管５１が設けられている。
は、蓋部４７が一体的に設けられ、この蓋部４７と隔壁
３４とによって空気シール室４８が形成されている。ま
た蓋部４７の図中下部には、光ファイバ３１が貫通する
貫通口４９が穿設されていると共に、この蓋部４７に
は、該空気シール室４８内にシール用空気５０を導入す
るための導入管５１が設けられている。
【００２５】従って、図示しない空気供給手段を作動さ
せることにより、外気より高圧の空気が空気シール室４
８内へと導入され、その一部は蓋部４７の貫通口４９を
経て外部へと放出される。残りの空気は、隔壁３４の貫
通口３６を経て反応室３９内へと流入し、且つその全て
は図示しない排気ガス排出手段からの吸引作用により、
排出管３８を経て外部へと排出される。
せることにより、外気より高圧の空気が空気シール室４
８内へと導入され、その一部は蓋部４７の貫通口４９を
経て外部へと放出される。残りの空気は、隔壁３４の貫
通口３６を経て反応室３９内へと流入し、且つその全て
は図示しない排気ガス排出手段からの吸引作用により、
排出管３８を経て外部へと排出される。
【００２６】こうして流入排出されるシール用の空気
は、反応室３９内のガスの流出を防ぎ該反応室３９を外
部からシールすると共に、該シール用の空気は全て排出
管３８より外部へと排出され該排出管３８より上方へは
上昇しないので、反応室３９央部におけるハーメチック
被覆形成を阻害することもない。つまり本発明の装置に
おいて、排気ガス４１の排出管３８側に設けられたシー
ル室４８には、シールガスとして空気が用いられ、これ
によって十分且つ好適なシール効果が実現されると共に
貫通口３６，４９の目づまり防止が実現され、従来の如
く高価な不活性ガスを用いる必要がないのである。
は、反応室３９内のガスの流出を防ぎ該反応室３９を外
部からシールすると共に、該シール用の空気は全て排出
管３８より外部へと排出され該排出管３８より上方へは
上昇しないので、反応室３９央部におけるハーメチック
被覆形成を阻害することもない。つまり本発明の装置に
おいて、排気ガス４１の排出管３８側に設けられたシー
ル室４８には、シールガスとして空気が用いられ、これ
によって十分且つ好適なシール効果が実現されると共に
貫通口３６，４９の目づまり防止が実現され、従来の如
く高価な不活性ガスを用いる必要がないのである。
【００２７】図３は、この一実施例を用いて行った実験
結果のグラフである。このグラフは、排気ガス４１の流
量を一定（６リットル／min ，８リットル／min ，１０
リットル／min ）とした条件下で、シール用空気５０の
流量を様々に変えた場合の、図１中Ａ点における原料ガ
ス（ここではその内のキャリアガスＨｅ）の濃度変化を
示したものである。そしてこの実験では、シール用空気
５０の流量変化に伴う該シール効果の有効性を検証する
ため、図中Ａ点における酸素濃度を同時に検出した。
結果のグラフである。このグラフは、排気ガス４１の流
量を一定（６リットル／min ，８リットル／min ，１０
リットル／min ）とした条件下で、シール用空気５０の
流量を様々に変えた場合の、図１中Ａ点における原料ガ
ス（ここではその内のキャリアガスＨｅ）の濃度変化を
示したものである。そしてこの実験では、シール用空気
５０の流量変化に伴う該シール効果の有効性を検証する
ため、図中Ａ点における酸素濃度を同時に検出した。
【００２８】この結果、Ａ点における酸素濃度は常にゼ
ロであり、また空気シール室４８内の図中Ｂ点における
Ｈｅの濃度も、シール用空気流量４リットル／min 以上
で常にゼロであった。また、貫通口３６，４９の目づま
りも発生し難く、連続して５０km以上の線引き作用を行
うことができた。
ロであり、また空気シール室４８内の図中Ｂ点における
Ｈｅの濃度も、シール用空気流量４リットル／min 以上
で常にゼロであった。また、貫通口３６，４９の目づま
りも発生し難く、連続して５０km以上の線引き作用を行
うことができた。
【００２９】
【００３０】
【００３１】また、既述したような反応室３９の排出管
３８は、図２中の管路５３に連結されている。この管路
５３の下流側の途中には流量計５４が設けられ、該流量
計によって排気ガス４１の流量を計測し、以て反応室３
９内に供給される原料ガス４０の供給量を、常に好適な
ものとするような制御が図示しない制御装置によりなさ
れるのである。
３８は、図２中の管路５３に連結されている。この管路
５３の下流側の途中には流量計５４が設けられ、該流量
計によって排気ガス４１の流量を計測し、以て反応室３
９内に供給される原料ガス４０の供給量を、常に好適な
ものとするような制御が図示しない制御装置によりなさ
れるのである。
【００３２】しかるに、排気ガス４１内には反応室３９
内で形成されたカーボン微粒子等のダストが混入してお
り、該ダストが既述した流量計５４内に流入すると目づ
まり等を起こして正確な測定を行うことができなくな
る。このため、流量計５４より上流側の管路５３途中に
は、石英等でできた燃焼管５５が介装されると共に、そ
の周囲には加熱ヒータ５６が設けられている。つまり、
排気ガス４１がこの燃焼管５５内を通過するうちに加熱
ヒータ５６により加熱し、以て排気ガス４１中に含まれ
るダストを燃焼させ取り除いてしまうのである。また、
この燃焼管５５と流量計５４との間の管路５３には、高
温の排気ガスを冷却するための冷却器５７が設けられて
いる。
内で形成されたカーボン微粒子等のダストが混入してお
り、該ダストが既述した流量計５４内に流入すると目づ
まり等を起こして正確な測定を行うことができなくな
る。このため、流量計５４より上流側の管路５３途中に
は、石英等でできた燃焼管５５が介装されると共に、そ
の周囲には加熱ヒータ５６が設けられている。つまり、
排気ガス４１がこの燃焼管５５内を通過するうちに加熱
ヒータ５６により加熱し、以て排気ガス４１中に含まれ
るダストを燃焼させ取り除いてしまうのである。また、
この燃焼管５５と流量計５４との間の管路５３には、高
温の排気ガスを冷却するための冷却器５７が設けられて
いる。
【００３３】ところで、このような燃焼方式のダスト除
去装置を、図４のような従来のハーメチック被覆装置に
用いる場合、その排気ガス中に酸素が存在しないので、
図２に示した如く、燃焼管５５の上流側の管路５３内へ
と空気５８を供給してやらねばならない。これに対し本
発明の装置では、空気を用いてシールを行うので、排気
ガス４１中に酸素が存在し、このため特段に空気を供給
する必要がないという有利性も生ずるのである。
去装置を、図４のような従来のハーメチック被覆装置に
用いる場合、その排気ガス中に酸素が存在しないので、
図２に示した如く、燃焼管５５の上流側の管路５３内へ
と空気５８を供給してやらねばならない。これに対し本
発明の装置では、空気を用いてシールを行うので、排気
ガス４１中に酸素が存在し、このため特段に空気を供給
する必要がないという有利性も生ずるのである。
【００３４】なお、既述した実施例中においては、貫通
口３６から排出管３８へと空気が流されてシール効果及
び目づまり防止作用を奏したが、この空気の代わりに例
えば酸素等を用いてもよい。
口３６から排出管３８へと空気が流されてシール効果及
び目づまり防止作用を奏したが、この空気の代わりに例
えば酸素等を用いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】本発明のハーメチック被覆装置及び被覆
方法によれば、反応室の導入管側には不活性ガスのガス
シール室を設け、反応室の排出管側にはシール室を設け
ぬか或いは空気シール室を設けたことにより、反応室の
一方側開口部から反応室内へと流入し且つ排出管へと流
れる空気流動によって、該一方側開口部はシールされる
ので、反応室両開口部のシールを、共に高価な不活性ガ
スで行う場合より大幅にコスト低減が計れると共に、開
口部の目づまりも解消する。
方法によれば、反応室の導入管側には不活性ガスのガス
シール室を設け、反応室の排出管側にはシール室を設け
ぬか或いは空気シール室を設けたことにより、反応室の
一方側開口部から反応室内へと流入し且つ排出管へと流
れる空気流動によって、該一方側開口部はシールされる
ので、反応室両開口部のシールを、共に高価な不活性ガ
スで行う場合より大幅にコスト低減が計れると共に、開
口部の目づまりも解消する。
【図１】本発明によるハーメチック被覆装置の一実施例
を表す概略構成断面図である。
を表す概略構成断面図である。
【図２】ダストの燃焼装置の概略構成図である。
【図３】実験結果を表すグラフである。
【図４】従来のハーメチック被覆装置の一例を表す概略
構成断面図である。
構成断面図である。
２１ 光ファイバ ２３，２４ 隔壁 ３５，３６，４４，４９ 貫通口 ３７，４６，５１ 導入管 ３８ 排出管 ３９ 反応室 ４０ 原料ガス ４１ 排気ガス ４３ ガスシール室 ４５ 不活性ガス ４８ 空気シール室 ５０ 空気 ５３ 管路 ５４ 流量計 ５５ 燃焼管 ５６ 加熱ヒータ ５７ 冷却器
フロントページの続き (72)発明者 石黒 洋一 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社 横浜製作所内 (72)発明者 相川 晴彦 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社 横浜製作所内 (72)発明者 吉澤 信幸 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−192438（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03C 25/44
Claims (4)
- 【請求項１】 線引炉の下部に設置され、貫通して挿入
される光ファイバにカーボン被覆を施す反応室と、反応
室の上下に外気と反応室内の雰囲気とをシールするシー
ル室をそれぞれ有するカーボン被覆装置において、 前記反応室の上部に設けられたシール室には不活性ガス
導入口、下部シール室には空気導入口がそれぞれ設けら
れ、且つ前記反応室には上部の光ファイバ導入側にカー
ボン被膜形成用の原料ガス導入口、下部の光ファイバ出
口側に反応室内の雰囲気を排気する排気口が設けられ、
該排気口には反応室内で生成されたカーボン粉を燃焼除
去する燃焼器が設置されたことを特徴とするカーボン被
覆装置。 - 【請求項２】 光ファイバを線引後、光ファイバをカー
ボン被膜形成用の原料ガスを導入した反応室に挿通し、
線引後の光ファイバ表面にカーボン被膜を形成する方法
において、 前記反応室は、光ファイバ導入口側を不活性ガスでシー
ルするとともに、光ファイバ出口側をシール用空気によ
りシールすることを特徴とするカーボン被膜形成方法。 - 【請求項３】 シール用空気の一部は前記反応室に流入
し、該反応室の光ファイバ出口側に設けた排気口より排
出することを特徴とする請求項２記載のカーボン被膜形
成方法。 - 【請求項４】 前記排気口より排出される排気ガスを流
量計の前で燃焼させることを特徴とする請求項３記載の
カーボン被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8214465A JP3059389B2 (ja) | 1996-08-14 | 1996-08-14 | カーボン被覆装置及びカーボン被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8214465A JP3059389B2 (ja) | 1996-08-14 | 1996-08-14 | カーボン被覆装置及びカーボン被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09175842A JPH09175842A (ja) | 1997-07-08 |
| JP3059389B2 true JP3059389B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=16656180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8214465A Expired - Lifetime JP3059389B2 (ja) | 1996-08-14 | 1996-08-14 | カーボン被覆装置及びカーボン被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3059389B2 (ja) |
-
1996
- 1996-08-14 JP JP8214465A patent/JP3059389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09175842A (ja) | 1997-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2112103C (en) | Methods and apparatus for externally treating a container with application of internal bias gas | |
| KR100282853B1 (ko) | 연속기체분사에의한반도체박막증착장치 | |
| JP3861036B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US5223308A (en) | Low temperature plasma enhanced CVD process within tubular members | |
| US4435445A (en) | Photo-assisted CVD | |
| US5250323A (en) | Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap | |
| US5288325A (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| WO2005007283A2 (en) | Apparatus and method for downstream pressure control and sub-atmospheric reactive gas abatement | |
| KR960005775A (ko) | 원격 여기 소오스를 이용한 증착챔버 세척방법 및 세척가능한 증착장치 | |
| KR20070098122A (ko) | 반도체 제조설비 | |
| US5562841A (en) | Methods and apparatus for treating a work surface | |
| JP2798486B2 (ja) | ハーメチックコート光ファイバの製造方法及び製造装置 | |
| EP0163457B1 (en) | Manufacturing optical fibre | |
| JPH04259378A (ja) | 再循環高速対流リアクター | |
| JP3059389B2 (ja) | カーボン被覆装置及びカーボン被膜形成方法 | |
| US6475620B1 (en) | Method for depositing a coating layer on an optical fiber while it is being drawn and device for its implementation | |
| JPH0274542A (ja) | 光ファイバの被覆装置 | |
| JP6717632B2 (ja) | 蒸着処理装置 | |
| KR950006203B1 (ko) | 밀봉피복 광파이버의 제조장치 및 제조방법 | |
| JP3456933B2 (ja) | 半導体処理装置のクリーニング方法および半導体処理装置 | |
| EP0426105B1 (en) | Chemical vapor growth apparatus | |
| EP0382987A1 (en) | Gas supplying apparatus | |
| KR20010022888A (ko) | 처리기용 가스 분배 시스템 및 반도체 기판의 처리 방법 | |
| JPH02212340A (ja) | 光ファイバ薄膜被覆装置 | |
| JP2785745B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000404 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 11 |