JPS60263458A - カラ−固体撮像素子の製造方法 - Google Patents

カラ−固体撮像素子の製造方法

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JPS60263458A
JPS60263458A JP59120543A JP12054384A JPS60263458A JP S60263458 A JPS60263458 A JP S60263458A JP 59120543 A JP59120543 A JP 59120543A JP 12054384 A JP12054384 A JP 12054384A JP S60263458 A JPS60263458 A JP S60263458A
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JP
Japan
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color
resin layer
light
semiconductor substrate
state image
Prior art date
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Pending
Application number
JP59120543A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Tatewaki
館脇 政行
Hideo Kanbe
秀夫 神戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS60263458A publication Critical patent/JPS60263458A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なカラー固体撮像素子の製造方法に関する
ものであり、色分解フィルターに集光機能を備えさせる
ことにより感度を高めることのできる新規なカラー固体
撮像素子の製造方法を提供しようとするものである。
背景技術とその問題点 カラー固体撮像素子はカラーでない固体撮像素子とは異
なり各光センサの開口部上に色分解フィルターを形成す
る必要がある。一方、カラー用であるか否かを問わず固
体撮像素子は受光セル全体の面積に占める光センサの開
口の面積の割合、即ち、開口率が低く、実効的な開口率
を高くする必要性がある。そして、その実効的な開口率
を高める方法として光センサの上方にマイクロレンズを
形成し、該マイクロレンズの働きにより光センサから少
しずれた領域に向う光も光センサに集光して光センサの
感度を良くし、実効的な開口率を高めることが考えられ
る。しかしながら、カラー固体撮像素子においてマイク
ロレンズを形成しようとする場合、色分解フィルターの
上部に形成する必要性から色分解フィルターの形成後に
マイクロレンズを形成しなければならなくなる。その結
果、マイクロレンズの形成過程において色分解フィルタ
ーが熱により劣化する等の問題が生じる。というのは色
分解フィルターは一般に有機材料からなり、熱に弱い等
の特性を有しているので、マイクロレンズ形成工程にお
いて色分解フィルターが熱により劣化する等の問題が発
生する惧れがあるのである。
そして、この問題は三原色の特定の色、一般に青色の光
の検知に関して特に深刻な問題となる。
というのは、カラー固体撮像素子においては波長の短か
い青色の光がより多く吸収されるので赤色、緑色の光に
対する感度に比して青色の光の感1 度が低い場合が多
く、従って、ダイナミックレンジを大きくするためには
青色の光に対する感度を赤色、緑色の光に対する感度に
近づける必要性があるからである。
発明の目的 しかして、本発明は、色分解フィルターに集光機能を備
えさせることにより感度を高めることのできる新規なカ
ラー固体撮像素子の製造方法を提供しようとするもので
ある。
発明の概要 上記目的を達成するため木考案カラー固体撮像素子の製
造方法は、撮像素子が形成された半導体基板の表面に第
1の色の光のみを通す熱可塑性の樹脂層を形成し、該樹
脂層を選択的に除去することにより第1の色の光のみを
検知する第1の光センサと対応する位置にのみ該樹脂層
が残存するようにし、その後半導体基板に対する加熱処
理により上記樹脂層を一旦溶融状態にすることにより上
記各第1の光センサ上に位置する上記各樹脂層をそれぞ
れレンズ状にし、その後、半導体基板表面の第2の色の
光を検知する第2の光センサと対応する位置に第2の色
の光のみを通す色分解フィルターを形成し、半導体基板
表面の第3の色の光を検知する第3の光センサと対応す
る位置に第3の色の光のみを通す色分解フィルターを形
成することを特徴とするものである。
実施例 以下に1本発明カラー固体撮像素子の製造方法を添付図
面に従って詳細に説明する。
第1図(A)乃至(G)は本発明カラー固体撮像素子の
製造方法を製造工程順に示すものである。
(A)同図(A)に示すように、半導体基板lの表面部
に光センサ2.2、・・・その他必要な領域を形成する
等して撮像素子を形成した後、半導体基板1表面上に透
明な樹脂層3を塗布形成する。この樹脂層3は凹凸のあ
る半導体基板1表面を平担化するために形成するもので
あり、半導体基板lが充分に平担であるならば樹脂層3
の形成工程は必要ではない。
尚、2bは青色の光を受光するための光センサ、2gは
緑色の光を受光するための光センサ、2rは赤色の光を
受光するための光センサである。
(B)次に、同図(B)に示すように、樹脂層3表面上
に青の染料を含んだアクリル系の樹脂層4を塗布形成す
る。該樹脂層4は青用の色分解フィルターとなるもので
ある。
(C)孜に、同図(C)に示すように、樹脂層4の表面
上に低温でシリコン酸化膜(Si02)5を成長させる
(D)次に、同図(D)に示すように、シリコン酸化膜
5の表面上にレジスト膜6を形成し、写真処理技術を駆
使してレジスト膜6を青色の色分解フィルターを形成す
べき部分」二にのみ、換言すれば青色の光を受光するた
めの光センサ2bの上方にのみレジスト膜6を残存させ
る。
(E)次に、レジスト膜6をマスクとしてシリコン酸化
膜5に対するエツチングを施す。エツチング液として例
えばHF 、!−N H4Fとの混合液(体積比12:
100)を用い、半導体基板(ウェハ)1をこのエツチ
ング液中に浸漬することにより行う。
次に、このエツチング後に残存するレジスト膜4をマス
クとして樹脂層4をドライエツチングする。第1図(E
)はそのドライエツチング後のカラー固体撮像素子の状
態を示す。
(F)その後、レジスト膜6及びシリコン酸化膜5を除
去すると、青色の光を検知するための各光センサ2b上
に断面矩形の樹脂層3が形成された状態になる。この状
態で半導体基板(ウエノ\)1を青の染料を含んだアク
リル系の樹脂層4の軟化温度以上の温度になるように加
熱する。すると。
樹脂層4が溶融してレンズ状になり、マイクロレンズ4
′が得られる。第1図(F)はそのマイクロレンズ4′
ができた状態のカラー固体撮像素子ヲ示ス。このマイク
ロレンズ4′は青色に着色さ1 れており、青の色分解
フィルターとしても機能する。
(G)その後、通常の色分解フィルター形成技術により
緑の色分解フィルターとして機能する樹脂層7を緑色の
光を検知するための各光センサ2g上方に形成し、更に
赤の色分解フィルターとして機能する樹脂層8を赤色の
光を検知する光センサ2r上方に形成する。これによっ
て、第1図(G)に示すような青、赤、緑の色分解フィ
ルター付カラー固体撮像素子が得られる。
このようなカラー固体撮像素子は、青の色分解フィルタ
ーとして機能する樹脂層4′がレンズ状になっているの
で集光機能を有し、光センサ2bの周辺に向う光も光セ
ンサ2bに入射される。
従って、青色の光に対する感度を樹脂層4′の持つ集光
機能により高め、緑色及び赤色の光に対する感度と同じ
値にすることが可能となる。
第2図(A)乃至(D)は本発明カラー固体撮像素子の
製造方法の三原色のうちの二色の色分解フィルターをレ
ンズ状に形成する実施例を工程順に示すものである。
(A)第1図に示すカラー固体撮像素子の製造方法の(
A)乃至(F)の工程と同じ工程で青色の色分解フィル
ターとして機能する樹脂層4′が半導体基板l上に形成
された状態にする。第2図(A)はその状態を示す。
(B)次に、第2図(B)に示すように、例えば緑色の
色分解フィルターとして機能する樹脂層7を通常の色分
解フィルター形成技術により光センサ2g上に形成する
。この樹脂層7は樹脂層4(4′)よりも軟化温度の低
い樹脂材料により形成することが好ましい。
(C)次に、半導体基板(ウニ/\)lを樹脂層7の軟
化温度よりも高く樹脂層4(4’)の軟化温度を越えな
い温度になるように加熱する。すると、樹脂層7が溶融
してレンズ状になり、マイクロレンズ7′が得られる。
第2図(C)はそのマイクロレンズ7′が形成された状
態を示す。
(D)その後、第2図(D)に示すように、通常の色分
解フィルター形成技術に上り赤の色分解フィルターとし
て機能する樹脂層8を光センサ2r上に形成する。
このようにすれば、色分解フィルターによって青色のみ
ならず緑色の光に対する感度も高めることができる。即
ち、三原色のうちの二色の色分解フィルターをレンズ状
にすることによって二色の光に対する感度を高めること
ができる。
尚、三色とも色分解フィルターをレンズ状にすることに
より感度を高める場合は、第2図(D)に示す工程の終
了後、更に半導体基板lに対する加熱処理を施して赤色
の色分解フィルターとして機能する樹脂層8を溶融させ
、それをマイクロレンズ8′にする。第3図はマイクロ
レンズ8′を形成した後の状態を示す。このようにする
場合は、樹脂層8は樹脂層7(7′)の軟化温度よりも
低い軟化温度を有する樹脂材料により形成することが好
ましい。そして、樹脂層8を溶融させる温度は樹脂層7
(7”)の軟化温度よりも適宜低くする。
尚、第2図に示すように二色の光に対する感度を高める
場合、あるいは第3図に示すように三原色すべてについ
て感度を高める場合、第2色目(上記実施例では緑)、
第3色目(上記実施例では赤)の樹脂層の軟化温度を第
1色目(上記実施例では青)の樹脂層の軟化温度と略等
しくなるようにしても良い。そのようにした場合は第1
色目の樹脂層が第2色目、第3色目の樹脂層の形成工程
により、あるいは第2色目の樹脂層が第3色の樹脂層の
形成工程により溶融されるようにする。
発明の効果 以上に述べたように、本発明カラー固体撮像素子の製造
方法は、撮像素子が形成された半導体基板の表面に第1
の色の光のみを通す熱可塑性の樹脂層を形成し、該樹脂
層を選択的に除去することにより第1の色の光のみを検
知する第1の光センサと対応する位置にのみ該樹脂層が
残存するようにし、その後半導体基板に対する加熱処理
により上記樹脂層を一旦溶融状態にすることにより上記
1 各第1の光ゞ′す上に位置する上記各樹脂層をそれ
ぞれレンズ状にし、その後、半導体基板表面の第2の色
の光を検知する第2の光センサと対応する位置に第2の
色の光のみを通す色分解フィルターを形成し、半導体基
板表面の第3の色の光を検知する第3の光センサと対応
する位置に第3の色の光のみを通す色分解フィルターを
形成することを特徴とするものである。従って、色分解
フィルターを成す樹脂層がマイクロレンズとなるので集
光機能を持つに至る。従って、その樹脂層によってそれ
を通る色に対する感度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)乃至CG)は本発明カラー固体撮像素子の
製造方法の実施の一例を工程順に示す断面図、第2図(
A)乃至(D)は本発明カラー固体撮像素子の製造方法
の別の実施例を工程順に示す断面図、第3図は本発明カ
ラー固体撮像素子の製造方法の更に別の実施例を説明す
るための断面図である。 符号の説明 l・・・半導体基板、 1 2b・・・第1の色の光を検知する光センサ、2g・・
・第2の色の光を検知する光センサ、2r・争赤第3の
色の光を検知する光センサ、4・・拳第1の色の光のみ
を通す熱可塑性の樹脂層、 7.7′拳・・第2の色の
光のみを通す色分解フィルター、8.8′・・Φ第3の
色の光のみを通す色分解フィルター 2 1[1図 (,4) ) (B) (D)1 第1図 (E) ] (F) ] (G) 112図 第2図 (B) <C> (D) IIB図 (A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)撮像素子が形成された半導体基板の表面に第1の
    色の光のみを通す熱可塑性の樹脂層を形成し、該樹脂層
    を選択的に除去することにより第1の色の光のみを検知
    する第1の光センサと対応する位置にのみ該樹脂層が残
    存するようにし、その後半導体基板に対する加熱処理に
    より上記樹脂層を一旦溶融状態にすることにより上記各
    第1の光センサ上に位置する上記各樹脂層をそれぞれレ
    ンズ状にし、その後、半導体基板表面の第2の色の光を
    検知する第2の光センサと対応する位置に第2の色の光
    のみを通す色分解フィルターを形成し、半導体基板表面
    の第3の色の光を検知する第3の光センサと対応する位
    置に第3の色の光のみを通す色分解フィルターを形成す
    ることを特徴とするカラー固体撮像素子の製造方法
JP59120543A 1984-06-12 1984-06-12 カラ−固体撮像素子の製造方法 Pending JPS60263458A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677200A (en) * 1995-05-12 1997-10-14 Lg Semicond Co., Ltd. Color charge-coupled device and method of manufacturing the same
US5691116A (en) * 1995-01-06 1997-11-25 Eastman Kodak Company Pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays for solid state imagers
US5895943A (en) * 1995-05-17 1999-04-20 Lg Semicon Co., Ltd. Color charge-coupled device
US6043001A (en) * 1998-02-20 2000-03-28 Eastman Kodak Company Dual mask pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays
JP2006066931A (ja) * 2005-10-14 2006-03-09 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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