JPS60262420A - Electron beam drawing method and device therefor - Google Patents
Electron beam drawing method and device thereforInfo
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- JPS60262420A JPS60262420A JP59119455A JP11945584A JPS60262420A JP S60262420 A JPS60262420 A JP S60262420A JP 59119455 A JP59119455 A JP 59119455A JP 11945584 A JP11945584 A JP 11945584A JP S60262420 A JPS60262420 A JP S60262420A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等の基板に電子線を照射して基
板上にバタンを描画する電子線描画方法及び装置に係り
、特に、バタンデータを個々のショットデータに展開し
このショットデータに基づいて電子線を制御し所望のバ
タンを描画する際の外部近接効果補正を高速に処理する
ことを図った電子線描画方法及び装置に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an electron beam lithography method and apparatus for irradiating a substrate such as a semiconductor integrated circuit with an electron beam to draw a button on the substrate. The present invention relates to an electron beam lithography method and apparatus which is developed into individual shot data and controls the electron beam based on the shot data to rapidly process external proximity effect correction when drawing a desired pattern.
設計データを電子線描画用バタンデータに変換するには
通常電子計算機を使用する。従来のバタンデータは、電
子線の照射量をp、ショットの初期位置をX+ yrシ
ョットの幅と高さをw、hとして(ps X+ yr
Wr h)なる基本構造、あるいは、さらにショットの
繰返しピッチ及び個数をdx、 dY+ nX、 ny
として(P + X + Y + Wg h 、 dx
。An electronic computer is usually used to convert the design data into batten data for electron beam lithography. The conventional baton data is as follows: p is the electron beam irradiation dose, X+ yr is the initial position of the shot, w and h are the width and height of the shot (ps X+ yr
Wr h), or further the repetition pitch and number of shots as dx, dY+ nX, ny
As (P + X + Y + Wgh, dx
.
dyy nX+ nY)なる基本圧縮構造を持っている
。バタンルール1庫の1メガビツト・ダイナミックRA
Mの設計データを電子線描画用バタンデータに変換する
ための処理時間は、たとえばIMipsの処理能力を持
つ電子計算機を使用した場合、設計データ入力2輪郭化
、近接効果補正、ショット分割、バタンデータ出力に全
層合計で約200間要する。近接効果補正には、内部近
接効果補正と呼ばれるバタン面積に応じた照射量補正と
、外部近接効果補正と呼ばれるバタン近傍のバタンから
の近接効果をも考慮した照射量補正がある。バタンルー
ルが1岬以上では、バタン面積で決定される内部近接効
果補正のみで要求される精度のバタンか形成できるが、
サブミクロン領域の電子線描画には外部近接効果補正を
バタンデータに施す必要がある。外部近接効果補正は注
目しているバタン自身の面積だけでなく、そのバタンを
構成してい3−
るショット及び周囲に存在するショットの面積及びショ
ット間距離も処理対象となるため、処理時間はショツト
数の自乗に比例して増大し、前記バタンデータ変換をI
Mipsの処理能力を持つ電子計算機で行った場合処理
時間は1一層あたり約200時間と長時間化する欠点を
有している。It has a basic compression structure of dyy nX + nY). 1 Megabit Dynamic RA with 1 Batanurur
For example, when using a computer with IMips processing capacity, the processing time for converting M design data into batten data for electron beam lithography is as follows: design data input 2 contouring, proximity effect correction, shot division, batten data It takes a total of about 200 minutes for all layers to output. Proximity effect correction includes a dose correction that is called internal proximity effect correction that is based on the area of the batten, and a dose correction that also takes into consideration the proximity effect from the slams in the vicinity of the slam, which is called external proximity effect correction. When the slam rule is 1 cape or more, it is possible to form a slam with the required accuracy only by correcting the internal proximity effect determined by the slam area.
For electron beam lithography in the submicron region, it is necessary to apply external proximity effect correction to the baton data. External proximity effect correction processes not only the area of the baton itself, but also the areas and distances between the three shots that make up the baton and surrounding shots, so the processing time is short. increases in proportion to the square of the number, and the batan data transformation is
When carried out using an electronic computer with a Mips processing capacity, the processing time has the disadvantage of being long, approximately 200 hours per layer.
また、外部近接効果補正を施すことにより各ショットの
照射量が変化するため、従来の基本圧縮バタンデータ形
式を使用することが困難となりデータ量が増大する欠点
を有している。Furthermore, since the irradiation amount of each shot changes by applying external proximity effect correction, it is difficult to use the conventional basic compressed button data format, resulting in an increase in the amount of data.
本発明の目的は、従来技術での上記した欠点をなくシ9
時間を要する電子計算機による近接効果補正処理を行わ
ず、照射量pを含まない(X+3’+w、h)なる基本
構造あるいは圧縮データ構造(X r Y + Wr
h y dx、 dy+ nx、 ny)を実現し。It is an object of the present invention to overcome the above-mentioned drawbacks of the prior art.
The basic structure (X + 3' + w, h) or compressed data structure (X r Y + Wr
h y dx, dy+ nx, ny).
このデータ構造の電子線描画用バタンデータをビットマ
ツプメモリ上にショットデータの形で展開し、このショ
ットデータに内部近接効果補正及び外部近接効果補正を
高速に施し記録する電子線描4−
両方法及び装置を提供することにある。Electron beam lithography 4--Both methods and methods in which the electron beam lithography button data having this data structure is developed in the form of shot data on a bitmap memory, and this shot data is subjected to internal proximity effect correction and external proximity effect correction at high speed and recorded. The goal is to provide equipment.
本発明の特徴は、バタンデータを個々のショットデータ
に展開し、このショットデータに基づいて電子線を制御
し所望のバタンを描画する電子線描画方法において、実
際の描画前に、上記ショットデータをメモリに書込み、
このショットデータに対して外部近接効果補正を施して
照射量データを生成し、この照射量データを照射量メモ
リに記録した後、この照射量データと前記バタンデータ
とに基づいて実際の描画を行う電子線描画方法とするこ
と、及び、バタンデータを蓄える磁気ディスク装置及び
バッファメモリ装置と、上記バタンデータを個々のショ
ットデータに展開する展開回路と、上記ショットデータ
に基づいて電子線を制御する電子線偏向装置と、前記各
装置を制御する電子計算機とを備えて所望のバタンを描
画する電子線描画装置において、前記展開回路に接続さ
れた上記ショットデータの送り先を変更して処理モード
を切替えるモード切替スイッチと、このモード切替スイ
ッチにより接続されたショットデータを蓄えるメモリと
、このメモリに接続された照射量演算回路と、この照射
量演算回路に接続された照射量メモリとから構成され、
実際の描画前に前記モード切替スイッチを照射量演算状
態に切替えて前記ショットデータの照射量データを生成
し。A feature of the present invention is that in an electron beam drawing method in which batten data is developed into individual shot data and the electron beam is controlled based on this shot data to draw a desired batten, the above shot data is write to memory,
External proximity effect correction is applied to this shot data to generate dose data, and after this dose data is recorded in the dose memory, actual drawing is performed based on this dose data and the slam data. An electron beam lithography method, a magnetic disk device and a buffer memory device for storing baton data, a decompression circuit for decompressing the baton data into individual shot data, and an electron beam lithography method for controlling the electron beam based on the shot data. In an electron beam lithography apparatus that is equipped with a beam deflection device and an electronic computer that controls each of the devices and draws a desired baton, a mode in which a processing mode is switched by changing the destination of the shot data connected to the expansion circuit. It is composed of a changeover switch, a memory connected by this mode changeover switch to store shot data, a dose calculation circuit connected to this memory, and a dose memory connected to this dose calculation circuit,
Before actual drawing, the mode changeover switch is switched to a dose calculation state to generate dose data of the shot data.
その後前記モード切替スイッチを描画状態に切替えて前
記バタンデータと前記照射量データとに基づいて実際の
描画を行う電子線描画装置とするにある。Thereafter, the mode changeover switch is switched to a drawing state, and the electron beam lithography apparatus performs actual drawing based on the slam data and the irradiation amount data.
本発明の一実施例を第1図から第6図を用いて説明する
。An embodiment of the present invention will be described using FIGS. 1 to 6.
描画用バタンデータはデータ量を減少させるために通常
圧縮された形式をとっており、またサブフィールドを単
位としブロック化されている。本発明の近接効果補正回
路はこのサブフィールドを単位として近接効果補正を施
すため、サブフィールドより約10μm外側の描画デー
タもサブフィールド内のデータとともに描画用バタンデ
ータとじてバッファメモリへ収納する。このサブフィー
ルドより外側のデータは近接効果補正にのみ使用され。The drawing button data is usually in a compressed format to reduce the amount of data, and is divided into blocks in units of subfields. Since the proximity effect correction circuit of the present invention performs proximity effect correction on a subfield basis, drawing data approximately 10 μm outside the subfield is also stored in the buffer memory together with data within the subfield as drawing batten data. Data outside this subfield is used only for proximity effect correction.
実際の描画には使用しない。サブフィールド内のデータ
とサブフィールドより外側の描画しないデータとの区別
は、電子計算機による描画用バタンデータ変換時にバタ
ンデータに適当なフラグを設けることで容易に実現でき
る。以後サブフィールドを近接効果補正フィールド、サ
ブフィールドとその外側のデータを含む領域を近接効果
データフィールドと呼ぶ(第1図)。Not used for actual drawing. Distinguishing between data within a subfield and data outside the subfield that is not drawn can be easily realized by providing an appropriate flag to the button data when converting the drawing button data by an electronic computer. Hereinafter, the subfield will be referred to as a proximity effect correction field, and the area including the subfield and data outside the subfield will be referred to as a proximity effect data field (FIG. 1).
処理の流れを第2図に示す。処理の流れは1:処理過程
(イ)における、描画用バタンデータのバッファメモリ
への収納。The flow of the process is shown in Figure 2. The processing flow is 1: In the processing step (a), storing the drawing button data in the buffer memory.
2:過程(ロ)における、圧縮データ展開回路による近
接効果データフィールド内全描画用バタンデータのショ
ットデータへの展開、及び(ハ)における、近接効果デ
ータフィールド内全ショットデータのビットマツプメモ
リへの書込み。2: In step (b), the compressed data expansion circuit develops all the drawing button data in the proximity effect data field into shot data, and in (c), the development of all the shot data in the proximity effect data field to the bitmap memory. writing.
3:過程(ニ)における、圧縮データ展開回路による近
接効果補正フィールド白描画用バタンデーフー
タのショットデータへの展開、及び(ホ)における、照
射量演算回路によるショットデータの近接効果影響範囲
の算出、及び(へ)における、ビットマツプメモリから
の近接効果影響範囲内のショットデータの読出し、及び
(ト)における、近接効果補正に基づくショットデータ
が受ける照射量の算出、及びこの照射量からショットデ
ータの適正照射量の算出、及び(チ)における、上記適
正照射量の照射量メモリへの書込み。3: In step (d), the proximity effect correction field white drawing batande footer is developed into shot data by the compressed data expansion circuit, and in (e), the proximity effect influence range of the shot data is calculated by the dose calculation circuit. In , and (f), reading the shot data within the proximity effect influence range from the bitmap memory, and in (g), calculating the dose of radiation received by the shot data based on the proximity effect correction, and calculating the shot data from this dose. calculation of the appropriate irradiation amount, and writing the appropriate irradiation amount into the irradiation amount memory in (h).
4:判断過程(す)における、近接効果補正フィールド
内全ショット終了か否かの判断、及び(ヌ)における、
全近接効果補正フィールド終了か否かの判断。4: Judgment of whether all shots in the proximity effect correction field are completed in the judgment process (S), and in (N),
Determine whether all proximity effect correction fields are finished.
5;処理過程(ル)における、圧縮データ展開回路によ
る近接効果補正フィールド内描画データのショットデー
タへの展開、及び照射量メモリからの照射量の読出し及
び描画。5; In the processing step (1), the compressed data expansion circuit develops the drawing data in the proximity effect correction field into shot data, and reads out the dose from the dose memory and writes.
より成る。Consists of.
第3図及び第4図を用いて説明を加える。磁気ディスク
2に読込まれた描画用バタンデータは。Explanation will be added using FIGS. 3 and 4. The drawing button data read into the magnetic disk 2 is as follows.
8−
近接効果補正処理に先立ちバッファメモリ3に読込まれ
る。バッファメモリ3内のデータは近接効果データフィ
ールド毎に圧縮データ展開回路4に送られ、ここで電子
線の位置データ及び矩形の辺の長さデータ等から成るシ
ョットデータに展開される。近接効果補正処理中のビッ
トマツプメモリ書込時はモード切替スイッチ5によりシ
ョットデータを近接効果補正処理系へ送る。ショットデ
ータは予め全ビットOクリアしたビットマツプメモリ6
(第4図の11)に送られ、ここでビット1の集合で構
成されるシミツトイメージに変換され記録される(12
)。8- Read into buffer memory 3 prior to proximity effect correction processing. The data in the buffer memory 3 is sent for each proximity effect data field to the compressed data expansion circuit 4, where it is expanded into shot data consisting of electron beam position data, rectangular side length data, and the like. When writing the bitmap memory during proximity effect correction processing, the mode changeover switch 5 sends shot data to the proximity effect correction processing system. Shot data is stored in bitmap memory 6 with all bits cleared in advance.
(11 in Figure 4), where it is converted into a simmit image consisting of a set of bits 1 and recorded (12).
).
第5図(a)に本実施例において使用するビットマツプ
メモリの構成例のブロック図を、(b)にセレクタ回路
の構成例のブロック図を示す。FIG. 5(a) shows a block diagram of an example of the configuration of a bitmap memory used in this embodiment, and FIG. 5(b) shows a block diagram of an example of the configuration of a selector circuit.
本実施例において使用したビットマツプメモリは、ワー
ド線用に2個、ビット線用に2個、計4個のアドレス情
報から連続した複数のワード線及びビット線を選択し、
これらに囲まれたメモリセルを同時に選択する機能を有
するため、1ショットデータは1メモリサイクルでショ
ットイメージとして記録される。また、連続した複数の
センスアンプの出力を選択する機能を有するため、ワー
ド線上の連続した複数ビットを1メモリサイクルで読出
すことが可能である。The bitmap memory used in this embodiment selects a plurality of consecutive word lines and bit lines from four pieces of address information, two for word lines and two for bit lines.
Since it has a function of simultaneously selecting memory cells surrounded by these, one shot data is recorded as a shot image in one memory cycle. Furthermore, since it has a function of selecting the outputs of a plurality of consecutive sense amplifiers, it is possible to read a plurality of consecutive bits on a word line in one memory cycle.
一つの近接効果データフィールド内の全データをビット
マツプメモリに書込み後1個々のショットデータの適正
照射量を算出するために、再び同一近接効果データフィ
ールド内にある近接効果補正フィールド内の実際の描画
に使用されるバタンデータのみを圧縮データ展開回路4
でショク1−データに展開する。このショットデータは
モード切替スイッチ5により照射量演算回路7に送られ
る。After writing all the data in one proximity effect data field to the bitmap memory, the actual drawing in the proximity effect correction field in the same proximity effect data field is performed again in order to calculate the appropriate dose for each shot data. Data expansion circuit 4 compresses only the button data used for
Expand it to Shoku1-data. This shot data is sent to the dose calculation circuit 7 by the mode changeover switch 5.
照射量演算回路7はこのショットデータ(13)から、
この注目しているショット自身に近接効果を与えるショ
ットが存在する近接効果影響範囲(14)のビットマツ
プメモリ上におけるアドレスを計算しビットマツプメモ
リ6 (11)へ送る。ビットマツプメモリ6はこれに
基づいて影響範囲内のビット情報をワード線単位(15
)で順次読出しく16)。From this shot data (13), the dose calculation circuit 7 calculates
The address on the bitmap memory of the proximity effect influence range (14) in which there is a shot that exerts a proximity effect on the shot of interest is calculated and sent to the bitmap memory 6 (11). Based on this, the bitmap memory 6 stores bit information within the influence range in units of word lines (15
) to read out sequentially16).
このビット情報を適当なビット幅毎にビット数情報に変
換する。これはビット数をカウントするかビットをアド
レスと見なしてビット数を書込んだメモリを読出すこと
によりめることができる。This bit information is converted into bit number information for each appropriate bit width. This can be determined by counting the number of bits or by reading the memory into which the number of bits has been written, regarding the bits as an address.
近接効果の影響量は、注目しているショットと周囲に存
在するショットとの距離の関数で表わされる係数とショ
ット面積との積となる。注目しているショットも自分自
身に近接効果を与える。この係数は計算機による演算あ
るいは予め計算し係数を書込んだ係数メモリ(17)か
ら読出すことによりめることができる。ビットマツプメ
モリ(11)からのビット情報読出しと同時に近接効果
の係数を算出し、ビット数情報と掛は合わせたものが1
ワード線上の近接効果量となる。これを近接効果影響範
囲全領域に亘って積算することにより、高速に近接効果
量すなわち前記注目しているショットが受ける照射量を
算出することが可能となる。The amount of influence of the proximity effect is the product of the shot area and a coefficient expressed as a function of the distance between the shot of interest and surrounding shots. The shot you're focusing on also gives you a melee effect. This coefficient can be determined by calculation by a computer or by reading it from a coefficient memory (17) in which coefficients have been calculated in advance. At the same time as bit information is read from the bit map memory (11), the proximity effect coefficient is calculated, and the total of the bit number information and multiplication is 1.
This is the proximity effect amount on the word line. By integrating this over the entire proximity effect influence range, it becomes possible to quickly calculate the proximity effect amount, that is, the irradiation amount received by the shot of interest.
算出した近接効果量から適正照射量をめ、この照射量デ
ータを照射量メモリ8あるいは磁気ディスク2等の記憶
装置へ記録する。これらの処理を11−
近接効果補正フィールド内の各ショットデータに関して
行い、各々のショットの適正照射量を照射量メモリ8へ
記録する。一つの近接効果補正フィールドの処理が終了
後、ビットマツプメモリをクリアし次の近接効果データ
フィールドに対する処理を行う。全近接効果データフィ
ールドに対する処理終了後、モード切替スイッチ5を描
画状態に切替えて、バッファメモリ3内の近接効果補正
フィールド内の描画用バタンデータを圧縮データ展開回
路4によりショットデータに展開し、電子線偏向系およ
びステージ制御系9に送る。同時に。An appropriate dose is determined from the calculated proximity effect amount, and this dose data is recorded in a storage device such as the dose memory 8 or the magnetic disk 2. These processes are performed for each shot data in the 11-proximity effect correction field, and the appropriate dose of each shot is recorded in the dose memory 8. After the processing of one proximity effect correction field is completed, the bitmap memory is cleared and the next proximity effect data field is processed. After completing the processing for all the proximity effect data fields, the mode changeover switch 5 is switched to the drawing state, and the drawing button data in the proximity effect correction field in the buffer memory 3 is expanded into shot data by the compressed data expansion circuit 4, and electronic It is sent to the line deflection system and stage control system 9. at the same time.
照射量メモリ8にショット類に記録されている照射量デ
ータを順次読出しブランキング系10へ送り。The dose data recorded on the shots in the dose memory 8 is sequentially read out and sent to the blanking system 10.
実際の描画を実行する。第6図に照射量演算回路のブロ
ック図を示す。Perform the actual drawing. FIG. 6 shows a block diagram of the dose calculation circuit.
この近接効果補正回路を使用することにより。By using this proximity effect correction circuit.
電子計算機による近接効果補正処理が不用となった。こ
の近接効果補正回路を用いた処理時間はおよそ500秒
であり、電子計算機を使用した同様の処理に比較してお
よそ1400倍の高速化が達成でき12−
た。照射量メモリに記録されている照射量データは同一
チップの描画に繰返し利用できるため、近接効果補正回
路を用いた近接効果補正処理は同一チップでは1度で終
了し、実際の描画における処理時間のオーバヘッドは無
視し得る。Proximity effect correction processing using an electronic computer is no longer necessary. The processing time using this proximity effect correction circuit was approximately 500 seconds, which was approximately 1400 times faster than similar processing using an electronic computer. The dose data recorded in the dose memory can be used repeatedly for writing on the same chip, so the proximity effect correction process using the proximity effect correction circuit can be completed once on the same chip, reducing the processing time for actual writing. The overhead is negligible.
なお、上記実施例ではビットマツプメモリを使用すると
して説明したが9本発明はこれに限定されず、一般のメ
モリを使用しても同じ効果を生じさせることができる。Although the above embodiment has been described as using a bitmap memory, the present invention is not limited thereto, and the same effect can be produced even if a general memory is used.
〔発明の効果〕
以上、説明したように2本発明は電子線描画装置に具備
されているハードウェアと組合わせた近接効果補正回路
を使用することにより9時間を要する電子計算機による
描画用バタンデータの近接効果補正処理を行わずに、高
速に近接効果補正処理を実行でき、しかも描画用バタン
データは圧縮状態のままで良いという利点がある。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention uses a proximity effect correction circuit combined with the hardware included in an electron beam lithography system, thereby producing pattern data for drawing by an electronic computer that takes 9 hours. This method has the advantage that the proximity effect correction process can be executed at high speed without performing the proximity effect correction process, and the drawing button data can remain in a compressed state.
第1図は本発明で使用するデータフィールドの概念図、
第2図は本発明の一実施例の処理の流れ図、第3図は本
発明の一実施例のブロック図、第4図は近接効果処理演
算の説明図、第5図(a)は本発明の一実施例で使用す
るビットマツプメモリの、(b)は同じくセレクタ回路
の構成図、第6図は本発明の一実施例で使用する照射量
演算回路のブロック図である。
〈符号の説明〉
1・・・制御用計算機 2・・・磁気ディスク3・・・
バッファメモリ 4・・・圧縮データ展開回路5・・・
モード切替スイッチ
6.11・・・ビットマツプメモリ
ー 7・・・照射量計算回路 8・・・照射量メモリ9
・・・電子線偏向系及びステージ制御系10・・・ブラ
ンキング系 12・・・ショットイメージ13・・・シ
ョットデータ 14・・・近接効果影響範囲15・・・
ビットマツプメモリ上のワード線16・・・ワード線1
5上のデータ
17・・・近接効果係数メモリテーブル特許出願人 日
本電信電話公社
代理人弁理士 中 村 純之助
15−Figure 1 is a conceptual diagram of data fields used in the present invention.
FIG. 2 is a flowchart of processing according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a block diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 4 is an explanatory diagram of proximity effect processing calculation, and FIG. 5(a) is a diagram of the present invention. (b) is a block diagram of a selector circuit of the bitmap memory used in one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a block diagram of a dose calculation circuit used in one embodiment of the present invention. <Explanation of symbols> 1... Control computer 2... Magnetic disk 3...
Buffer memory 4...Compressed data expansion circuit 5...
Mode selection switch 6.11...Bit map memory 7...Dose calculation circuit 8...Dose memory 9
...Electron beam deflection system and stage control system 10...Blanking system 12...Shot image 13...Shot data 14...Proximity effect range 15...
Word line 16 on bitmap memory...Word line 1
Data 17 on 5... Proximity effect coefficient memory table patent applicant Junnosuke Nakamura, patent attorney representing Nippon Telegraph and Telephone Corporation 15-
Claims (4)
このショットデータに基づいて電子線を制御し所望のパ
タンを描画する電子線描画方法において、実際の描画前
に、上記ショットデータをメモリに書込み、このショッ
トデータに対して外部近接効果補正を施して照射量デー
タを生成し、この照射量データを照射量メモリに記録し
た後、この照射量データと前記バタンデータとに基づい
て実際の描画を行うことを特徴とする電子線描画方法。(1) Develop pattern data into individual shot data,
In an electron beam lithography method in which a desired pattern is drawn by controlling an electron beam based on this shot data, the shot data is written into a memory before actual lithography, and external proximity effect correction is applied to this shot data. An electron beam lithography method characterized in that after generating irradiation amount data and recording this irradiation amount data in a irradiation amount memory, actual lithography is performed based on this irradiation amount data and the baton data.
ファメモリ装置と、上記バタンデータを個々のショット
データに展開する展開回路と、上記ショットデータに基
づいて電子線を制御する電子線偏向装置と、前記各装置
を制御する電子計算機とを備えて所望のパタンを描画す
る電子線描画装置において、前記展開回路に接続された
上記ショットデータの送り先を変更して処理モードを切
替えるモード切替スイッチと、このモード切替スイッチ
により接続されたショットデータを蓄えるメモリと、こ
のメモリに接続された照射量演算回路と、この照射量演
算回路に接続された照射量メモリとから構成され、実際
の描画前に前記モード切替スイッチを照射量演算状態に
切替えて前記ショットデータの照射量データを生成し、
その後前記モード切替スイッチを描画状態に切替えて前
記バタンデータと前記照射量データとに基づいて実際の
描画を行うことを特徴とする電子線描画装置。(2) a magnetic disk device and a buffer memory device that store the baton data; an expansion circuit that expands the baton data into individual shot data; an electron beam deflection device that controls the electron beam based on the shot data; In an electron beam lithography apparatus that draws a desired pattern and includes an electronic computer that controls the apparatus, a mode changeover switch connected to the expansion circuit changes the destination of the shot data and changes the processing mode; It consists of a memory that stores shot data connected by a switch, a dose calculation circuit connected to this memory, and a dose memory connected to this dose calculation circuit. switch to a dose calculation state to generate dose data of the shot data,
The electron beam lithography apparatus is characterized in that the mode changeover switch is then switched to a drawing state and actual drawing is performed based on the slam data and the irradiation amount data.
2個、計4個のアドレス情報から連続した複数のワード
線及びビット線を選択し、これらに囲まれたメモリセル
を同時に選択するセレクタ回路を有し、かつ、連続した
複数のセンスアンプの出力を選択するマルチプレクサ回
路を有するメモリであることを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載の電子線描画装置。(3) The memory selects a plurality of consecutive word lines and bit lines from a total of four pieces of address information, two for word lines and two for bit lines, and simultaneously operates memory cells surrounded by these. 3. The electron beam lithography apparatus according to claim 2, wherein the memory has a selector circuit for selecting and a multiplexer circuit for selecting outputs from a plurality of consecutive sense amplifiers.
加算器を備えて、メモリからのデータと予め与えられた
近接効果補正係数間の演算を並列に実行する照射量演算
回路であることを特徴とする特許請求の範囲第2項ある
いは第3項に記載の電子線描画装置。(4) The dose calculation circuit is a dose calculation circuit that includes a plurality of multipliers and a plurality of adders and executes calculations between data from the memory and a proximity effect correction coefficient given in advance in parallel. An electron beam lithography apparatus according to claim 2 or 3, characterized in that:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59119455A JPS60262420A (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Electron beam drawing method and device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59119455A JPS60262420A (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Electron beam drawing method and device therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60262420A true JPS60262420A (en) | 1985-12-25 |
Family
ID=14761794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59119455A Pending JPS60262420A (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Electron beam drawing method and device therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS60262420A (en) |
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1984
- 1984-06-11 JP JP59119455A patent/JPS60262420A/en active Pending
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