JPS60258169A - 2,3‐ビス(ジアルキルアミノフエニル)キノキサリン及び該化合物を含有する電子写真記録材料 - Google Patents

2,3‐ビス(ジアルキルアミノフエニル)キノキサリン及び該化合物を含有する電子写真記録材料

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JPS60258169A
JPS60258169A JP60113333A JP11333385A JPS60258169A JP S60258169 A JPS60258169 A JP S60258169A JP 60113333 A JP60113333 A JP 60113333A JP 11333385 A JP11333385 A JP 11333385A JP S60258169 A JPS60258169 A JP S60258169A
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quinoxaline
methyl
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dialkylaminophenyl
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ゲオルク・パヴロフスキー
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Hoechst AG
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    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D241/00Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings
    • C07D241/36Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D241/38Heterocyclic compounds containing 1,4-diazine or hydrogenated 1,4-diazine rings condensed with carbocyclic rings or ring systems with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atoms
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    • C07D241/42Benzopyrazines with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the hetero ring

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規2.3−ビス(ジアルキルアミノフェニ
ル)キノキサリン及び殊に平版印刷及びレフストに適用
するための該化合物を光導電性物質として含有する電子
写真記録材料に関する、 従来の技術 キノキサリン誘導体を電子写真記録材料の光導電体とし
て使用することは知られている(西ドイツ国特許第12
54469号明細書−英国特許第1062935号明細
書及び同第1004461号明細書)。しかしながらそ
こに記載されているキノキサリン誘導体による感光性は
低過ぎて高度な要件を満足しない。それらのむしろ低い
感光性により、この先導成体を含有する電子写真記録材
料はレーザ露光にあまり好適ではない。それというのも
層の露光区域と未露光区域との間の十分な電荷コントラ
ストが得られないからである。常用の光源を使う場合で
も、これらの記録材料はあまり好適ではないことが判明
する。それというのも長時間の強い露光の後でも残留電
荷が不所望な程に高いからであるへこのことが、露光層
区域が現像過程でトナー材料を受容し、その結果として
得られた可視画像が低い鮮鋭性(crispness 
)及び貧弱な解像力を有する理由であるー 発明が解決しようとする問題点 それ故、本発明の目的は、感光性及び画像コントラスト
の点でより一層有効である電子写真記録材料の光導電体
を提供することである。
問題点を解決するための手段 炭素環に1個又は数個のアルギル基又はアルコキシ基を
含有するキノキサリン誘導体を光導電性物質として使用
する場合に、低残留電位と高いコントラストの高度に感
光性の電子写真記録材料が得られ、その際に暗所での放
電又は印刷特性のような電子写真プロセスにとって適当
である他の特性が損なわれないことが判明し驚異的であ
った。
本発明は、一般式: 〔式中 Rは炭素原子4個までを有するアルキルを表わし、 R1は水素又は炭素原子4個までを有するアルキルを表
わし。
R2はR1と同じか又は異なっていて、炭素原子4個ま
でのアルキル又はアルコキシを表わし、R3はR2と同
じか又は異なっていて、水素、炭素原子4個までのアル
キル又はアルコキシを表わす〕の2.3−ビス(ジアル
キルアミノフェニル)キノキサリンに関する。
更に1本発明は、本発明により生成した前記式の2,3
−ビス(ジアルキルアミノフェニル)キノキサリンを光
導電性物質として含有する、殊に平版印刷版又はレジス
ト材料用の電子写真記録材料に関し、その際に本発明に
よるキノキサリン誘導体を他の種類の有機又は無機光導
電体及び常用の付加物と組合せて使用することもできる
前記の一般式において、Rがメチル又はエチルを衷わし
、R1が水素又はメチルを表わし、R2がメチル、エチ
ル、メトキシ又はエトキシを表わしかつR3が水素、メ
チル又はメトキシを表t)−j2 、3−ビス(、)ア
ルキルアミノフェニル)キノキサリンが優れている、 殊に優れているのは、前記の一般式中Rがメチル又はエ
チルを表わし、R1及びR5が水素又はメチルを表わし
かつR2がメチル、メトキシ又はエトキシを表わす2,
3−ビス(ジ゛アルキル 1アミノフエニル)キノキサ
リンであり、例えば次のものである: 2.3−ビス(4′−ジメチルアミノフェニル)−6−
メチル−キノキサリン、m、P、 (融点):163〜
164℃; 2.3−ビス(4’−Jメチルアミノフェニル)−6−
メドキシーキノキサリン、mp、:194〜195℃; 2.3−ビス(4’−−9メチルアミノフエニル)−6
−エトキシーキノキサリン、mp、:179〜1・81
℃; 2.3−ビス(4’−ジメチルアミノフェニル)−5,
6−・クメチルーキノキサリン、mp、 :212〜2
13℃; 2.3−ビス(4′−ジメチルアミノフェニル’)−6
,7−シメチルーキノキサリン、mp、 :196〜1
97℃; 2.3−ビス(4′−ジエチルアミノフェニル)−6−
メチル−キノキサリン、mp、:142〜143.5℃
; 2.3−ビス(4’−ジエチルアミノフェニル)−6−
メドキシーキノキサリン、mp、:129〜130.5
℃; 2.31’ス(4’−ジエチルアミノフェニル)−6−
エトキシーキノキサリン、mp、:112〜113℃; 2 、3−ビス(4’−−、’エチルアミノフェニル)
−5、6−シメチルーキノキサリン、mp、 :142
〜143℃; 2.3−ビス(4’−ジエチルアミノフェニル)−6,
7−シメチルーキノキサリン、mp、 :126〜12
8C。
本発明のキノキサリンは新規である。その製造は原理的
には公知である。例えば、相応する :ビスージアルキ
ルアミノ4ンジルを相応する〇−フェニルジアミンと極
性プロトン溶剤中で、70巻、903頁(1948年)
参照〕。
4.4′−ビス−ジメチルアミノベンジル、牛。
Φ′−ビスージエチルアミノペンジル、壬、4′−ビス
−ジプロピルアミノペンジル等のような適5ynth、
 Co1t、 ”)、第7巻、111頁(1973年)
〕。
多数の0−フェニル誘導体は市販されているか又は文献
公知の方法により生成することができる。例えば、5.
4−ジアミノトルエン、3.4−ジアミノアニソール、
3.4−ジアミノアニソ−ル、3.4−ジアミノ−〇−
キシレン、4.5−ジアミノ−〇−キシ2頁(1947
年)参照〕を使用することができる。本発明によるキノ
キサリンはエタノール性溶液中で塩化水素触媒を用いて
又は酢酸溶液中で付加的な触媒なしに生成することがで
きる。反応は還流条件下に実施しかつ一般に約3時間で
ほぼ定量的収率で完結する。濃黄色の生成物を場合によ
りアルカリ性に調節されている水中で沈殿させることに
より単離する。
それらはアルコール/水−混合物から再結晶して精製す
る、 前記一般式に相当する本発明によるキノキサリンは西ド
イツ国特許第1254469号明細書(−英国特許第1
004461号明細書)から公知の化合部よりもはるか
に高い感光性を示し予想外である。キノキサリン環の2
位及び3位の少なくとも2個のジアルキルアミノフェニ
ル基と5−16−又は7位の少なくとも1個の 。
電子供与アルキル基又はアルコキシ基との相互作用が光
導電体の高い感光度を達成するのに必要であるのは驚異
的であった。
R1,R2及びR3が相互に同じか又は異なっており、
それぞれが水素、メチル、メトキシ又はエトキシを表わ
し、その際にR1,R2及びR5の 1うち2個以下が
同時に水素、メチル、メトキシ又はエトキシを表わす前
記一般式のキノキサリンが殊に有利であることが明らか
Kなった。
更に、電子写真プロセス及び印刷及びコピー挙動に重要
である本発明によるキノキサリンの他のパラメータが不
利に作用せず、反対に高度な要求を満たす性質を有する
こともiI異的であった。
例えば、前記の一般式に相当するキノキサリン誘導体を
含有する光導電性層は、帯電後に暗所に貯蔵する場合に
非常に僅かな電位降下を示すだけである。これは、多く
の光導電性物質に関しては、例えばジアルキルアミノ又
は類縁の電子供与置換基のような電子写真活性な置換基
を有する分子の過剰帯電によりしばしば高い暗放電が起
ることが知ら゛れているから驚くべきことである、 それと同時に、本発明による電子写真記録材料を露光す
る際に迅速で全く完全な放電が起るので1層の露光区域
と未露光区域との間に著しく高い電位差が生じ、かつ微
粒子状のトナー物質で現像後には完全に鮮釧な高度に解
像された原稿の複写が得られ、全く微細な像要素をも正
確に再現する。
本発明によるキノキサリン及びそれを含有する記録材料
により達成される優れた性質のために、他の興味深い適
用分野は液体現像液を使用するプロセス又は相応して増
感する場合にはレーザ照射である。
例えば、前記一般式のキノキサリン誘導体を含む記録材
料の他の有利な性質は、その迅速な帯電性、高い帯電容
量及び多種多様の組成の重合体との優れた相容性であり
、その際に本発明のキノキサリンの低い結晶化傾向によ
り、必要な場合にはキノキサリン95%までの量を使用
することができ、その際にも結晶化傾向は認められない
本発明によるキノキサリンは他の有機又は無機の光導電
体とも良好な相容性を有し、それ故これらのキノキサリ
ン数種の混合物を使用し得るばかりでなく、キノキサリ
ンと若干のものは優れた電子写真特性を有する他の化合
物との混合物を使用することもできる。
本発明によるキノキサリンを含有する電子写真記録材料
は日?ジチブにもネガテブにも帯電させることができる
最後に、毒性試験により本発明によるキノキサリンが生
理学的に申し分のないものであることが判明し、このこ
とは環境保護の点でとりわけ重要である。
本発明のキノキサリンは常用の溶剤中で直ちに可溶性で
ある。それ故、光導電体は被覆溶液に使用することので
きる溶剤又は次の処理過程で使用される化学薬品に対し
て特別な制限を有しておらず、従ってその選択は広範に
その環境安全性という観点で行なうことができる。
本発明によるキノキサリンはフィルム形成性を有するが
、機械的に抵抗性の記録材料を得るために有機重合体と
混合することは有利である8好適な結合剤の選択はその
フィルム形成性ばかりでなく、アルカリ性媒体中での可
溶性、電気的挙動及び導電性支持体に対する接着性、プ
リント数、生理的安全性のような他の性質によっても決
定する。酸又は有利にアルカリを添加した水性又はアル
コール性溶剤中で可溶性である結合剤が特に好適である
。十分なアルカリ可溶性の高分子量結合剤を使用すると
有利である。
アルカリ可溶性は例えば酸アンヒドリド基、カルゼキシ
゛ル基、フェノール性及び脂肪族性ヒドロキシル基、ス
ルホン酸基、スルホンアミド基又はスルホンイミド基か
又は電子吸引基により活性化されたウレタン基のような
特定の基により達成される。
酸アンヒドリP基、部分エステル化酸アンヒドリド基、
カル2キシル基を含有する共重合体及びフェノール樹脂
は、印刷分野の感光性層の製造に殊に適当である。
殊に適当な重合体の例は次の通りである:スチレン又は
置換スチレンと無水マレイン酸との共重合体、スチレン
又は置換スチレンと部分エステル化無水マレイン酸との
共重合体、アクリル酸、メタクリル酸及びアクリル酸エ
ステルの共重合体並びに遊離ヒドロキシル基を含有する
ポリビニルアセタールとスルホニルイソシアネートの反
応生成物。
フェノール性樹脂を結合剤として使用する場合、ヒト四
キシスチレン又はノ2ランク樹脂のホモ−又は共重合体
が優れており、例えば後者はフェノール又はクレゾール
とホルムアルデヒドとの縮合により生成することができ
る。
本発明のキノキサリンのフィルム形成性故に、結合剤の
量は、光導電性物質の結晶化又は滲出なしに広範に変動
させることができる。重合体と光導電体の重量比が1:
20−4:lの間で変動する実施形が優れている。比が
1=2〜2:1である場合に最良の結果が達成される。
それ故、光導電体の量は光導電体層の重量に苅して20
〜95重量%で変動する。
本発明の電子写真記録材料がそれ自体光導電性であるが
、可視光線に対する感光性は増感染料を添加することに
より著しく高めることができる。
好適な増感染料の例はトリフェニルメタン染料例えばマ
ラカイトグリーン(C,1,42000)、ブリリアン
トグリーン(C,1,42040)、クリスタルノ々イ
オレット(C,1,42555)等、チアジン染料、例
えばメチレンブルー(C,1,52015)、メチレン
グリーン(C,1,52020)等、オキサジン染料、
例えばカプリルブルー(C,1,48035)等、アス
トラゾン染料、例えばアストラゾンイエロー3GL (
C,1,48035)、アストラゾンオレンジR(C,
1,48o4cl、アストラゾンレツド(C,1,48
020)等、シアニン染料、例えばアイゼンアストラフ
ロキシンF F (C,l。
4807C1等、キサンチン染料、例えばロー・ダミン
FB (C,1,45170)等、ビリリウム又はベン
ゾピリリウム染料並びに好適なこれらの染料の組合せ物
である。
更K、これらのマトリックス中に可溶性で・あるインジ
ザイド染料、キナクリドン染料及びアゾ染料を使用する
ことができる。
殊に優れている増感染料はアストラゾンオレンジR(C
,1,48040)、ローダミンFB(C,1,451
70)及びブリリアントグリ−7(C,1,42040
)であり、これらを単独で又は混合物として使用するこ
とができる。
光導電層に添加することのできる増感染料のである。
本発明の電子写真記録材料て好適な支持体は親水性表面
を有する導電性フィルム又は金属シート、例えば導電性
の紙、アルミニウム又は亜鉛の箔及びシート、銅/アル
ミニウムシート、クロム/銅シート等のような多種金属
シート、又はメッキするか又は蒸着による金属皮膜を有
するプラスチックフィルムである。
殊に優れている層支持体は1表面を親水性にするために
前処理したアルミニウムのシート又は箔である。
このために、艶出しローラ掛けしたアルミニウムシート
を機械的なブラシ掛は又は電気化学的手段により粗面化
し、場合によりアルカリ性又は酸性媒体中でエツチング
し、好適な酸中で陽極酸化しかつ最後にシリケート又は
ポリビニルホスホン酸で処理して親水性にする、これら
の処理工程は層支持体の表面を親水住処するばかりでな
く、支持体の表面上に形成する電子写真層との不所望な
不利な反応の発性を阻止する。
所望の場合には、例えば光導電材料の接着性を改良する
ために、層支持体と光導電層との間に中間層を施すこと
ができる。光導電層を上層で被覆することもでき、この
上層は層分離工程で溶解除去し、この上層により光導電
層の静電特性が場合により改良されかつ層自体が機械的
作用から保護される。
電子写真記録層は、好適な溶剤又は溶剤混合物中に結合
剤、光導電体、増感剤及び付加物を 1・溶かすことに
より生成する。このよう処して得られた均質な溶液を層
支持体に施しかつ乾燥させる。乾燥した層の重量は1〜
200F/ly+’、殊罠2〜15P/m”である。
前記の成分の均質な溶液を生成するのに好適である溶剤
にはアルコール、ケトン、エーテルアルコール、エーテ
ル及びエステル力”−包含す:h、。
殊に使用する溶剤の沸点は150℃より低く、溶剤は生
理的に申し分のないものでなければならない。
本発明による電子写真記録材料を平版印刷版を製造する
のに使用する場合、被覆したアルミニウム箔をコロナ放
電により帯電させ、かつ例えばスクリン露光、密着電光
又はレーザ露光(aより露光1−る。層上に形成された
潜像を微粒子トナーで処理し、生成するトナー像を定着
させかつ次の皮膜除去過程でトナーを含まない層区域を
除去すると印刷原稿が得られる。
得られた印刷原稿は、層支持体表面が露出した区域で親
水性であり、トナーが感光層に接着している区域で親油
性である。それ故、印刷原稿は直ちに印刷に使うことが
できる。プリント配線も同様に製造する。
本発明による電子写真記録材料はキノンジアジド化合物
のような好適な添加物により変性することができ、それ
により全体的な露光後にトナー像の形成に続いて非画像
区域の可溶性の改良が惹起される。
光導電層中に含有されてより他の常用の添加物は均展剤
、可塑剤又は接着促進剤である。
本発明による電子写真記録材料を高い感光性、良好な解
像性、インキ受容性及び高い刷数の印刷版の製造尤使つ
と有利である。本発明による記録材料はエツチレ、クス
トの製造にも好適である。
実施例 次に、本発明を実施例により詳説するが、これに限定さ
れるものではない。次の表1には本発明による優れたキ
ノキサリン化合物I〜■の式を示し、表2には前記の技
術文献(西ドイツ国特許第1254469号明細書、英
国特許第1004461号明細書)に挙げられている若
干のキノキサリン(v〜■)を示し、それらを比較する
表1 し2”5 表2 これらの化合物のデータは次の通りである。
例1 電気化学的に粗面化しかつポリビニルホスホン酸で後処
理した厚さ0.3 mのアルミニウム箔をドクターブレ
ードを用いて、次の成分:テトラヒドロフラン 220
.Of エチレングリコールモノメチルエーテル 140.of
及び酢酸ブチル 44.C1中の 平均分子量aooooを有するスチレンと無水マレイン
酸との共重合体 30.C12,3−ビス(4′−ジエ
チルアミノフェニル)−6−エトキシキノキサリン(化
合物III’) 23.Of ローダミンFB(C,1,45170) O,lr及び
アストラゾンオレンジR(C,1,48040) O,
el の被覆溶液で、溶剤混合物の蒸発後に重量5,2t/−
を有する光導電層が得られるように塗布する・ 1゜ コロナにより、・層を一450vに帯電させかつ電子複
写カメラで各々600Wのハロゲンランプ10個により
14秒間露光する。使用するオリジナルは通常のテスト
エレメントを含有するマウンティングフラットである。
露光により生成した潜像を市販のドライトナーで現像し
かり熱的に定着させる。無階調であるオリジナルのクリ
ーンで鮮鋭な画像が得られる。
印刷版を製造するに肖り、光導電層上に定着したトナー
像を担持するアルミニウム箔を皮膜除去溶液を含有する
容器中に浸漬する。皮膜除去溶液はグリセロール250
f中に珪酸ナトリウム50?を溶解しかつこの溶液をエ
チレングリコール3902及びメタノール31Ofで稀
釈することにより得られた。この現像した印刷版を用い
て枚葉紙オフセット印刷機で数十枚の完全な印刷物が得
られる。
例2 例1に記載したように生成した電子写真記録材料をダイ
ンテス) (Dyntast ) IN置で試験する。
この装置で使用する白熱電球は温度2300Kを有する
。層を一500Vに帯電させかつ暗所での放電を記録す
る。1分後に残留電位UDは一402V=80.4%テ
アル。
この層を一500Vに帯電させかつ露光する際に、1分
後に測定した残留電位UHは一3■=0.6%テアル。
12秒後に、E暑Q=−50Vに放電している。半値感
度E彬は11.5μJ/cJである。
比較例 次の例において層の組成は例1と同様であるが、但し例
1で使用した本発明によるキノキサリンを表2に記載の
化合物に代える。生じる層は重量5.0〜5.3 t/
r/?を有する。得られた層に 。
ついて例2に記載したようにして試験する。
八 光導電体:2−(4’−ジメチルアミノフェニル)
−3−(4’−クロロフェニル)−キノキサリン(化合
物■) 帯電+−500V 1 分後の残M11位U□ : −418V=83.6
%1 分後F)残Mt1位OH: −85V=17.O
%半値感度E匈:33.6μJ/i 日 光導電体:2−(4’−ジメチルアミノフェニル)
−3−フェニル−6−メドキシーキノキサリン(化合物
■) 帯電ニー500V 1分後の残留電位U□ : −405V=81.0%1
 分径(1’)Wc留tlL位UH: −71V=14
.O%半値感度Eq:3o、oμJ/I C光導電体:2−(4’−ジメチルアミノフェニル)−
3−フェニル−キノキサリン(化合物■) 帯11Lニー500V 1 分径の残留11.位U1): 458V=91.6
%1 分径(7’) a留[位UH: −68V=13
.5%半値感度E ’、/2 : 26.6 μJ /
1riD 光導電体:2−(4’−ジメチルアミノフェ
ニル)−3−フェニル−6−メチル−キノキサリン(化
合物■) 帯′成ニー500V 1分後の残留電位U□ : −463V−92,6%1
分後の残留電位OH: −61V=12.2%半値感度
E !4 : 32.6 μJ /cr/1例3 被覆溶液を例1に記載したように生成するが、例1の光
導電体の代りに化合物2,3−ビス(4′−ジメチルア
ミノフェニル)−6−メチルキノキサリン(化合物l)
を使用する。ドクターブレードを用いて、電気化学的に
粗面化しかつポリビニルホスホン酸で後処理したアルミ
ニウム箔にその溶液を施し、その際に乾燥層重量5゜9
 ff/rr?が得られる。この材料を例2に記載した
ように試験する。
帯電ニー500V 1分’jfのfi留を位U1): 445V=89.0
%1 分’e−ノ’AM 11位UH: −11V =
 2.2 %半値感度E 1/2: l 0.8 μJ
 /cr1例5 次の組成:1゜ テトラヒドロフラン 220.Cl エチレングリコール七ツメチルエーテル 140.0j
及び酢酸ブチル 44.(l中の 平均分子量80000を有しかつビニルブチ5−ル単位
71重量係、ビニルアルコール単位27重量係及び酢酸
ビニル電位2重量係を含有するポリビニルブチラールと
酸価1δ8のプロペニルスルホニルイソシアネートとの
反応生成物 30.C1 2,3−ビス(41−ジエチルアミノフェニル)−6−
メチルキノキサリン(化合物I)23.(1より成る被
覆溶液を例1に記載したように、乾燥層重量6.○f 
/ff1″が得られるようにアルミニウム箔に施す。層
を例2に記載したように試験すると、次の結果が得られ
ろ: 帯電ニー500V 1 分径F)残留’rL位U□ : −407V=81
.4%1分後の残留電位UHニー5V=1.0%半値感
度E″/2:12、OttJ/cd例6 次の組成: テトラヒドロフラン 125.0f エチレングリコールモノメチルエーテル ao、or及
び酢酸ブチル 25.O9中の スチレンと無水マレイン酸との共重合体 25.0?2
.3−ビス(4/−ジエチルアミノフェニル)−6−メ
チルキノキサリン(化合物I) 17.5r アストラゾンオレンジR(C,1,48040) o、
+t ブリリアントグリーン(C,1,42040) 0.2
f の被覆溶液を、電気化学的に粗面化しかつポリビニルホ
スホン酸で後処理したアルミニウム箔に乾燥層重量6.
1f/m’が得られるように施す。
例2による試験で次の結果が得られる:帯電ニー500
V 1分後の残留電位UD: −355V=71.0%1分
後の残留電位UH: −2V=0.4%半値感度E″/
2ニア、δμJ/ciI例7 被覆組成は例1と同じであるが、但し光導電体(化合物
111)42.4r及び共重合体10.6fを使用する
。得られた電子写真層は乾燥層重蒙6.5f/dを有す
る。光導電体は結晶化しない。
例2による試験により次の結果が得られる:帯電?−5
00V 1 分径(r)残留11位U□ : −445V=89
.0%1分後の残留電位UH:実質的に0 半値窓度E捗:8.0μJ/i 例8 2.3−ビス(4′−ジメチルアミノフェニル)−6,
7−シメチルキノキサリン(化合物■)の生成: 酢酸100d中の4,4I−ビス−ジメチルアミノベン
ジル14.8f及び4,5−ジメチル−〇−フェニレン
ジアミン7.5tを3時間還流加熱する。
暗色の溶液を冷却させかつ氷水中に注ぐ。混合物を十分
に攪拌しかつ黄色沈殿を吸引により除去する。乾燥後、
エタノールからの再結晶を実施する。
濃黄色の針秋物の収量:18.2F−理論量の92% 融点:196〜197℃

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式: 〔式中 Rは炭素原子牛側までを有するアルキルを表わし、 R1は水素又は炭素原子牛側までを有するアルキルを表
    わし、 R2はR1と同じか又は異なっていて、炭素原子牛側ま
    でのアルキル又はアルコキシを表わし、 R3はR2と同じか又は異なっていて、水素、炭素原子
    牛側までのアルキル又はアルコキシを表わす〕の2.3
    −ビス(ジアルキルアミノフェニル)キノキサリン。 2、 Rがメチル又はエチルを表わし、R1が水素又は
    メチルを表わし、 R2がメチル、エチル、メトキシ又はエトキシを表わし
    かつ R3が水素、メチル又はメトキンを表わす特許請求の範
    囲@1項記載の化合物。 3、R1,R2及びR3が同じか又は異なってい 1て
    、水素、メチル、メトキシ又はエトキシを表わし、その
    際にR1,R2及びR3のうちの2個以下が同時に水素
    、メチル、メトキシ又はエトキシを表わす特許請求の範
    囲第1項又は第2項記載の化合物。 4.2.3−ビス(4’−シエチルアミノフエニル)−
    6−メチルキツキサリ/、2・3−ビス(4’−−、)
    メチルアミノフェニル)−6−メチルキノキサリン、2
    .3−ビス(4′−ジメチルアミノフェニル)−6−エ
    トキシキノキサリン又は2,3−ビス(4′−ジメチル
    アミノフェニル)−6,7−シメチルキノキサリンであ
    る特許請求の範囲第1項から第3項までのいずれか1項
    記載の化合物。 5、一般式: 〔式中 Rは炭素原子4個までを有するアルキルを表わし、 R1は水素又は炭素原子4個までを有するアルキルを表
    わし、 R2はR1と同じか又は異なっていて、炭素原子各個ま
    でのアルキル又はアルコキシを表わし、 R,はR2と同じか又は異なっていて、水素、炭素原子
    4個までのアルキル又はアルコキシを表わす〕の2.3
    −ビス(ジアルキルアミノフェニル)キノキサリンを光
    導電性物質として含有する電子写真記録材料。 6.2.3−に’ス(ジアルキルアミノフェニル)キノ
    キサリンをアルカリ可溶性結合剤及び増感染料と一緒に
    含有し、その際に光導電体の量が光導電性層に対して2
    0〜95重量%である特許請求の範囲第5項記載の電子
    写真記録材料。 7.2.3−に’ス(ジアルキルアミノフェニル)キノ
    キサリンを他の有機又は無機の光導電体少なくとも1種
    と混合して成る特許請求の 1□範囲第5項又は第6項
    記載の電子写真記録材料・
JP60113333A 1984-05-29 1985-05-28 2,3‐ビス(ジアルキルアミノフエニル)キノキサリン及び該化合物を含有する電子写真記録材料 Pending JPS60258169A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005009979A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. キノキサリン誘導体及びそれを用いた発光素子
JP2006016384A (ja) * 2004-06-03 2006-01-19 Mitsui Chemicals Inc アミン化合物、および該アミン化合物を含有する有機電界発光素子
US7601435B2 (en) 2003-04-18 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and organic semiconductor device, electric field light emitting device, and electronic device which have the same
US7901792B2 (en) 2005-09-12 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic appliance using the same
US8178216B2 (en) 2007-02-28 2012-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including quinoxaline derivative

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175109A (en) * 1986-09-10 1992-12-29 Toa Medical Electronics Co., Ltd. Reagent for classifying leukocytes by flow cytometry
US5179026A (en) * 1986-11-27 1993-01-12 Toa Medical Electronics Co., Ltd. Method of classifying leukocytes by flow cytometry and reagents used in the method
US5039613A (en) * 1986-11-27 1991-08-13 Toa Medical Electronics Co., Ltd. Reagents used in a method of classifying leukocytes by flow cytometry
DE69214002T2 (de) * 1991-04-24 1997-02-20 Canon Kk Elektrophotographisches, lichtempfindliches Element und elektrophotographisches Gerät sowie Vorrichtungseinheit und Faksimile-Gerät unter Verwendung desselben
DE60227492D1 (de) * 2001-04-10 2008-08-21 Merck & Co Inc Hemmstoffe der akt aktivität
AU2003223467B2 (en) * 2002-04-08 2007-10-04 Merck Sharp & Dohme Corp. Inhibitors of Akt activity
WO2007108403A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, electronic device using the quinoxaline derivative
EP2573075B1 (en) * 2007-02-21 2014-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and quinoxaline derivative
EP2067778B1 (en) * 2007-12-03 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light emitting element, light emitting device and electronic appliance using the same
JP5574598B2 (ja) * 2007-12-03 2014-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 キノキサリン誘導体、およびキノキサリン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器
EP2075860A3 (en) * 2007-12-28 2013-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE595696A (ja) * 1960-10-04
NL300539A (ja) * 1962-11-24
DE2039861C3 (de) * 1970-08-11 1973-12-13 Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich Photopolymensierbare Kopier masse
CH599569A5 (en) * 1970-08-11 1978-05-31 Hoechst Ag Photoinitiators
US4125725A (en) * 1976-04-06 1978-11-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Phenylated carboxyquinoxalines
DE3100856A1 (de) * 1981-01-14 1982-08-12 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch auf basis von o-napthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7601435B2 (en) 2003-04-18 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and organic semiconductor device, electric field light emitting device, and electronic device which have the same
US8231984B2 (en) 2003-04-18 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and organic semiconductor device, electric field light emitting device, and electronic device which have the same
US8758905B2 (en) 2003-04-18 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and organic semiconductor device, electric field light emitting device, and electronic device which have the same
WO2005009979A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. キノキサリン誘導体及びそれを用いた発光素子
US7245073B2 (en) 2003-07-28 2007-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivatives, and light emitting element using thereof
JP2006016384A (ja) * 2004-06-03 2006-01-19 Mitsui Chemicals Inc アミン化合物、および該アミン化合物を含有する有機電界発光素子
US7901792B2 (en) 2005-09-12 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic appliance using the same
US8173277B2 (en) 2005-09-12 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance using the same
US8623523B2 (en) 2005-09-12 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic appliance using the same
US8178216B2 (en) 2007-02-28 2012-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Quinoxaline derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including quinoxaline derivative

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