JPS60255694A - ３−５族化合物薄膜の形成法 - Google Patents
３−５族化合物薄膜の形成法Info
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- JPS60255694A JPS60255694A JP10953384A JP10953384A JPS60255694A JP S60255694 A JPS60255694 A JP S60255694A JP 10953384 A JP10953384 A JP 10953384A JP 10953384 A JP10953384 A JP 10953384A JP S60255694 A JPS60255694 A JP S60255694A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
見更■狭先立互
本発明はｍ−ｖ族化合物半導体の薄膜形成法の改良に関
する。
する。
従来技術の説明
厚さ０．１μｍ程度以下の■族元素とＶ族元素の化合物
（以下単にｍ−ｖ族化合物という）の薄膜（超薄膜）の
形成法には分子ビーム成長法、液相成長法、気相成長法
、ＭＯＣＶＤ法、などがある。
（以下単にｍ−ｖ族化合物という）の薄膜（超薄膜）の
形成法には分子ビーム成長法、液相成長法、気相成長法
、ＭＯＣＶＤ法、などがある。
ＧａＡｓやＩｎＰなどの■−■族化合物半導体の場合は
専らクロライド法やハイドライド法などの気相成長法に
よって超薄膜の形成が試みられている。
専らクロライド法やハイドライド法などの気相成長法に
よって超薄膜の形成が試みられている。
この方法は一つの反応帯域中に、その上に薄膜を形成す
べき基体を置き９反応帯域中に、該基体上に■−■族化
合物半導体を形成する反応気体を流すことからなってい
る（例えば特公昭５５−７００６）。
べき基体を置き９反応帯域中に、該基体上に■−■族化
合物半導体を形成する反応気体を流すことからなってい
る（例えば特公昭５５−７００６）。
しかしながらこの単純な方法では９反応系が定常状態に
達するまでに長時間を要し、いか↓；反応速度を遅くす
るように設定しても、定常状態が達成されるまでに非定
常状態の過渡期間にも析出成長が起り均一な薄膜が形成
されない。
達するまでに長時間を要し、いか↓；反応速度を遅くす
るように設定しても、定常状態が達成されるまでに非定
常状態の過渡期間にも析出成長が起り均一な薄膜が形成
されない。
これを克服するために２反応帯域を反応（結晶成長）領
域と待機領域に別け、基体をまず待機領域におき２反応
領域に反応気体を流し、定常状態に達してから基体を反
応領域に移動させて結晶が所望厚さに成長した後に再び
待機領域に戻すという手法が取られている。
域と待機領域に別け、基体をまず待機領域におき２反応
領域に反応気体を流し、定常状態に達してから基体を反
応領域に移動させて結晶が所望厚さに成長した後に再び
待機領域に戻すという手法が取られている。
この手法は、多層膜を形成するための反応ガスの切り換
えのためにも使用されており、基体の支持台を水平に移
動させるか（例えば特開昭５７−１９８６２０）回転さ
せる（例えば特開昭５７−２００２９１）ことが提案さ
れているが、この手法では２反応気体の撹乱は不可避で
、良好な定常状態を維持することは不可能であり、また
気密な反応容器内に可動部分を設けることは種々の意味
で困難をともなう。
えのためにも使用されており、基体の支持台を水平に移
動させるか（例えば特開昭５７−１９８６２０）回転さ
せる（例えば特開昭５７−２００２９１）ことが提案さ
れているが、この手法では２反応気体の撹乱は不可避で
、良好な定常状態を維持することは不可能であり、また
気密な反応容器内に可動部分を設けることは種々の意味
で困難をともなう。
ド の と ・
本発明は上記の問題の解決を目指して、速やかに反応系
の定常状態を達成することのできる気相成長法によるｍ
−ｙ族化合物半導体薄膜の形成法を提供することを目的
とする。
の定常状態を達成することのできる気相成長法によるｍ
−ｙ族化合物半導体薄膜の形成法を提供することを目的
とする。
見１立豊處
本発明によれば、気体を流すことのできる反応帯域の第
１領域に第■族元素または該第■族元素と第■族元素と
の化合物を配置し、残りの第２領域に■−■族化合物か
らなる基体を置き２両領域をそれぞれの所望の温度に加
熱した状態で、第１領域に、そこに置かれた前記物質と
反応して該第■族元素を気体状反応性化合物の形で遊離
させる物質（第１反応気体）を気相で導入し、遊離した
該気体状反応性化合物を第２領域に移送し、同時に第２
領域に１つの該気体状反応性化合物と反応して前記第■
族元素と前記第■族元素との化合物を形成する気相の反
応性物質（第２反応気体）を導入して前記基体上にｍ−
ｖ族化合物を析出成長させてその薄膜を形成する方法に
おいて：第１反応気体を定常的に導入しておき２反応に
関与しない不活性気体を第２領域の基体の上流側に導入
し。
１領域に第■族元素または該第■族元素と第■族元素と
の化合物を配置し、残りの第２領域に■−■族化合物か
らなる基体を置き２両領域をそれぞれの所望の温度に加
熱した状態で、第１領域に、そこに置かれた前記物質と
反応して該第■族元素を気体状反応性化合物の形で遊離
させる物質（第１反応気体）を気相で導入し、遊離した
該気体状反応性化合物を第２領域に移送し、同時に第２
領域に１つの該気体状反応性化合物と反応して前記第■
族元素と前記第■族元素との化合物を形成する気相の反
応性物質（第２反応気体）を導入して前記基体上にｍ−
ｖ族化合物を析出成長させてその薄膜を形成する方法に
おいて：第１反応気体を定常的に導入しておき２反応に
関与しない不活性気体を第２領域の基体の上流側に導入
し。
その流れが定常化した時点で、第２反応気体に切り換え
ることを特徴とする方法が提供される。
ることを特徴とする方法が提供される。
上に記されるように１本発明方法はハイドライド法およ
びクロライド法の両方に適用できる。
びクロライド法の両方に適用できる。
不活性気体には少量の水素（クロライド法の場合）また
は水素と第■族元素の水素化物（ハイドライド法の場合
）を混ぜておくと９反応の行われない期間も反応管内を
完全な非酸化状態に保つことができて有利である。
は水素と第■族元素の水素化物（ハイドライド法の場合
）を混ぜておくと９反応の行われない期間も反応管内を
完全な非酸化状態に保つことができて有利である。
また第２領域へ導入する第２反応気体を不活性気体で希
釈しておいてもよい。この場合析出成長速度を希釈度に
よって制御御できる利点がある。
釈しておいてもよい。この場合析出成長速度を希釈度に
よって制御御できる利点がある。
本発明の方法は、不活性気体の導入と第２反応気体の導
入を周期的に繰り返し行なうことができる。この場合以
下の記載において第２領域へ導入される不活性気体は反
応停止用不活性気体と呼ばれる。
入を周期的に繰り返し行なうことができる。この場合以
下の記載において第２領域へ導入される不活性気体は反
応停止用不活性気体と呼ばれる。
本発明の方法により何故特公昭５５−７００６記載の方
法よりも均一な超薄膜が形成、されるかの理由は未だ明
らかでないが、２つの反応気体が混合されながら基体面
に到達するよりは、１つの反応気体（第１反応気体）が
定常流として基体表面を通過する状態で第２反応気体が
第１反応気体に加わる方が基体表面で起る反応の均一性
にとって有利なのであろう。
法よりも均一な超薄膜が形成、されるかの理由は未だ明
らかでないが、２つの反応気体が混合されながら基体面
に到達するよりは、１つの反応気体（第１反応気体）が
定常流として基体表面を通過する状態で第２反応気体が
第１反応気体に加わる方が基体表面で起る反応の均一性
にとって有利なのであろう。
以下ＧａＡｓの場合を例として図面を参照して本発明の
詳細な説明するが、説明は第２反応気体と不活性気体の
導入を交互に行なう場合についてなされている。その理
由は入オーダーの超薄膜の厚さの均一性を測定すること
は容易でなく膜形成を周期的に繰り返した後に生じた膜
ならばその測定は容易であり、その膜厚が均一であれば
、１周期ご゛とに生じた超薄膜も均一であると推定され
、実施例もそのように実施されているからである。不活
性気体と第２反応気体が周期的に交互に切り換えられる
場合、第２反応気体の導入単位時間は少−くとも第２反
応気体が基体面を通過するに要する時間以上でなければ
ならぬ。
詳細な説明するが、説明は第２反応気体と不活性気体の
導入を交互に行なう場合についてなされている。その理
由は入オーダーの超薄膜の厚さの均一性を測定すること
は容易でなく膜形成を周期的に繰り返した後に生じた膜
ならばその測定は容易であり、その膜厚が均一であれば
、１周期ご゛とに生じた超薄膜も均一であると推定され
、実施例もそのように実施されているからである。不活
性気体と第２反応気体が周期的に交互に切り換えられる
場合、第２反応気体の導入単位時間は少−くとも第２反
応気体が基体面を通過するに要する時間以上でなければ
ならぬ。
本発明方、法は第１図に示すように１例えば石英ガラス
で製作された反応管１内の第１領域■に第■族元素を含
む第■族元素からなる原料（クロライド法の場合２例え
ばＧａＡｓ） １あるいは第■族元素からなる原料（ハ
イドライド法の場合、例えばＧａ） ２を例えば石英ガ
ラスの容器３内に収容して配置し、また第２領域■に基
体４を適当な支持体５上に載置して配置し、添書きされ
ている温度分布曲線で示されるように第１領域Ｉの温度
を第２領域■のそれと等しく（イで示される）、又は高
く （口で示される）あるいは低く （ハで示される）
保ち、又反応管１にその第１領域■とは反対側にＮ２ガ
ス導入口６を設け、Ｎ２ガス導入口６と基体４との中間
において排気管８を設け２反応管１内の第１領域Ｉに第
２領域■とは反応側より第■族元素のハロゲン化物（ク
ロライド法の場合２例えばＡｓＣ１３）ガス（あるいは
ＨＣＩガス（ハイドライド法の場合））Ａ（第１反応気
体）を導入管９を介してＮ２を０．５−１０％含んでも
よいＨｅ、Ｎ２゜Ａｒ等の不活性ガスまたはＮ２ガス（
ハイドライド法の場合）Ｂの流れに乗せて外部より導入
し原料２と反応させてその反応生成ガス（生成する気体
状反応性化合物）（クロライド法の場合ＧａＣ１＋Ａｓ
４．ハイドライド法の場合ＧａＣ１十８２）を得。
で製作された反応管１内の第１領域■に第■族元素を含
む第■族元素からなる原料（クロライド法の場合２例え
ばＧａＡｓ） １あるいは第■族元素からなる原料（ハ
イドライド法の場合、例えばＧａ） ２を例えば石英ガ
ラスの容器３内に収容して配置し、また第２領域■に基
体４を適当な支持体５上に載置して配置し、添書きされ
ている温度分布曲線で示されるように第１領域Ｉの温度
を第２領域■のそれと等しく（イで示される）、又は高
く （口で示される）あるいは低く （ハで示される）
保ち、又反応管１にその第１領域■とは反対側にＮ２ガ
ス導入口６を設け、Ｎ２ガス導入口６と基体４との中間
において排気管８を設け２反応管１内の第１領域Ｉに第
２領域■とは反応側より第■族元素のハロゲン化物（ク
ロライド法の場合２例えばＡｓＣ１３）ガス（あるいは
ＨＣＩガス（ハイドライド法の場合））Ａ（第１反応気
体）を導入管９を介してＮ２を０．５−１０％含んでも
よいＨｅ、Ｎ２゜Ａｒ等の不活性ガスまたはＮ２ガス（
ハイドライド法の場合）Ｂの流れに乗せて外部より導入
し原料２と反応させてその反応生成ガス（生成する気体
状反応性化合物）（クロライド法の場合ＧａＣ１＋Ａｓ
４．ハイドライド法の場合ＧａＣ１十８２）を得。
この反応生成ガスを第２領域■に到らせ、−力筒２領域
■に導入管１ｏを介して成長を生じさせるガスＣ（第２
反応気体）としてＨｅ、 Ｎ２ 、 Ａｒ等の不活性ガ
スで希釈されていてもよいＮ２（クロライド法）あるい
はＮ２＋ＡｓＨ３ガス（ハイドライド法）と２反応停止
用不活性気体りとしてｙＨ２を０．５〜゛１０％含んで
もよいＨｅ、 Ｎ２ 、 Ａｒ等の不活性ガス（クロラ
イド法）または水素またはＡｓＨ３を含んでもよい不活
性ガス（ハイライド法）を切替弁１１で交互に切替えて
送入し前記第１領域Ｉがら輸送されてきた反応生成ガス
と反応させ、成長を生じさせるガスＣが間欠的に送入さ
れたときのみ、基体４上に■−■族化合物半導体を析出
成長させるように実施させる。
■に導入管１ｏを介して成長を生じさせるガスＣ（第２
反応気体）としてＨｅ、 Ｎ２ 、 Ａｒ等の不活性ガ
スで希釈されていてもよいＮ２（クロライド法）あるい
はＮ２＋ＡｓＨ３ガス（ハイドライド法）と２反応停止
用不活性気体りとしてｙＨ２を０．５〜゛１０％含んで
もよいＨｅ、 Ｎ２ 、 Ａｒ等の不活性ガス（クロラ
イド法）または水素またはＡｓＨ３を含んでもよい不活
性ガス（ハイライド法）を切替弁１１で交互に切替えて
送入し前記第１領域Ｉがら輸送されてきた反応生成ガス
と反応させ、成長を生じさせるガスＣが間欠的に送入さ
れたときのみ、基体４上に■−■族化合物半導体を析出
成長させるように実施させる。
なお２反応管１内に導入された反応に与えない反応停止
用不活性ガスＤおよび反応生成ガス等は排気管８を通し
て外部へ導出される。
用不活性ガスＤおよび反応生成ガス等は排気管８を通し
て外部へ導出される。
１里又羞米
本発明によれば、ｍ−ｖ族化合物半導体の薄膜を従来法
よりも、短時間で良好な再現性をもって形成することが
できる。
よりも、短時間で良好な再現性をもって形成することが
できる。
また基体を移動させる従来法の装置における機構上の困
難ないし不確実性がない。
難ないし不確実性がない。
実施態様
以下の実施例では、最終的に１〜５μｍの厚さの極めて
均一な膜が形成された。
均一な膜が形成された。
実施例１
上述の反応管１内の第１領域■にクラスト状ＧａＡｓ原
料２を容”器３内に容れて配置し、第２領域■に支持台
５に載せたＧａＡｓの基体４を配置し。
料２を容”器３内に容れて配置し、第２領域■に支持台
５に載せたＧａＡｓの基体４を配置し。
第２領域■の温度を７３１℃とし、第１領域■の温度も
第２領域■のそれと等しい７３１℃とし。
第２領域■のそれと等しい７３１℃とし。
Ｈ２を１％ふくむＨｅガス（Ｂ）を約７０ｍＱＩ分の流
量で７．５℃に調節したＡｓＣ１ａ液にバブリングして
から第１領域に導入し、一方Ｈｅを２３％ふくむＨ２ガ
ス（Ｃ）とＨ２ガスを１％ふくむＨｅガス（Ｄ）を。
量で７．５℃に調節したＡｓＣ１ａ液にバブリングして
から第１領域に導入し、一方Ｈｅを２３％ふくむＨ２ガ
ス（Ｃ）とＨ２ガスを１％ふくむＨｅガス（Ｄ）を。
切替弁１１で交互に切替えそれぞれ１分間づつ導管ｌＯ
を介して約１３０ＩＩＩＱ１分の流量で送入することを
８０回まで続けたところ、 ＧａＡｓの薄膜が基体４上
に第２図のイに示すようにガスＣの１ピリオド当り４５
０Ａの成長速度でガスＣのピリオド数に比例した厚さで
鏡面状に析出成長して得られた。
を介して約１３０ＩＩＩＱ１分の流量で送入することを
８０回まで続けたところ、 ＧａＡｓの薄膜が基体４上
に第２図のイに示すようにガスＣの１ピリオド当り４５
０Ａの成長速度でガスＣのピリオド数に比例した厚さで
鏡面状に析出成長して得られた。
実施例２
Ｈｅを６１．５％と８２３８．５％からなる反応ガスＣ
とすることを除いては実施例１倦同様に実施゛したとこ
ろ、第２図の口に示すようにガスＣの１ピリオド当り１
２５人の成長速度で、ガスＣのピリオド数に比例した厚
さで鏡面を有してＧａＡｓの薄膜が基体４上に析出成長
して得られた。
とすることを除いては実施例１倦同様に実施゛したとこ
ろ、第２図の口に示すようにガスＣの１ピリオド当り１
２５人の成長速度で、ガスＣのピリオド数に比例した厚
さで鏡面を有してＧａＡｓの薄膜が基体４上に析出成長
して得られた。
実施例３
ＡＳＣ１３（Ａ）をＨ２を１％ふくむ）Ｈｅガスからな
る約１００ｍＱ１分の流量を有する不活性ガス気流Ｂに
乗せてガスＡを第１領域に導入することと、約１００ｍ
８７分の流量を有するＨｅを９１％とガスＨ２９％から
なる反応ガスＣとすることを除いては実施１ζ同様に実
施したところ、ガスＣの１ピリオド肖り５２人の成長速
度でガスＣのピリオド数に比例した厚さでＧａＡｓの薄
膜が基体４上に析出成長して得られた。
る約１００ｍＱ１分の流量を有する不活性ガス気流Ｂに
乗せてガスＡを第１領域に導入することと、約１００ｍ
８７分の流量を有するＨｅを９１％とガスＨ２９％から
なる反応ガスＣとすることを除いては実施１ζ同様に実
施したところ、ガスＣの１ピリオド肖り５２人の成長速
度でガスＣのピリオド数に比例した厚さでＧａＡｓの薄
膜が基体４上に析出成長して得られた。
実施例４
第１領域Ｉの温度を第２領域Ｈの温度７３１℃より高い
８００℃としたことを除いては実施例１と同様に実施し
たところＧａＡｓの基体４上に約６００Ａ／ピリオドで
ＧａＡｓが鏡面を有して析出成長してえられた。
８００℃としたことを除いては実施例１と同様に実施し
たところＧａＡｓの基体４上に約６００Ａ／ピリオドで
ＧａＡｓが鏡面を有して析出成長してえられた。
実施例５
第１領域Ｉの温度を第２領域Ｈの温度７３１℃より低い
７００℃としＨ２を０．５％ふくむＨ２ガスをガスＤと
することを除いては実施例１と同様にして実施したとこ
ろ、ＧａＡｓの基体４上に約４００八／ピリオドでＧａ
Ａｓの薄膜が鏡面を有して析出成長してえられた。
７００℃としＨ２を０．５％ふくむＨ２ガスをガスＤと
することを除いては実施例１と同様にして実施したとこ
ろ、ＧａＡｓの基体４上に約４００八／ピリオドでＧａ
Ａｓの薄膜が鏡面を有して析出成長してえられた。
実施例６
第１領域にＧａを置き（２）、Ａ導入ガスをＨｃｌとし
。
。
Ｂ導入ガスで０．３ｖ／ｖ％に希釈し、Ｈ２（９９，７
％）＋ＡｓＨ３（ｏ、 ３％）と（Ｃ導入ガス）をＨ２
，０，５％とＡｓＨ２０１，３％をふくむＨｅ ＋ ｌ
ｓＨａ （Ｄ導入ガス）を導管１０より導入したことを
除いては実施例１と同様に実施したところ、ガスＣの１
ピリオド当り約４５０人の成長速度でＧａＡｓの基体４
上にＧａＡｓの薄膜が鏡面を有して析出成長して得られ
た。
％）＋ＡｓＨ３（ｏ、 ３％）と（Ｃ導入ガス）をＨ２
，０，５％とＡｓＨ２０１，３％をふくむＨｅ ＋ ｌ
ｓＨａ （Ｄ導入ガス）を導管１０より導入したことを
除いては実施例１と同様に実施したところ、ガスＣの１
ピリオド当り約４５０人の成長速度でＧａＡｓの基体４
上にＧａＡｓの薄膜が鏡面を有して析出成長して得られ
た。
実施例７
第１領域にＧａを置き（２）、Ａ導入ガスをＨＣ’ｌと
しＢ導入ガスで０．３ｖ／ｖ％に希釈し、 Ｈ２（９９
，７％）＋ＡｓＨ３（０，３％）からなるＣ導入ガスを
Ｈ２（Ｄ導入ガス）を導管１つより導入したことを除い
ては実施例１と同様にしたところガスＣ導入の１ピリオ
ド当り約４５０人の成長速度でＧａＡｓの基体４上にＧ
ａＡｓが析出成長して得られた。
しＢ導入ガスで０．３ｖ／ｖ％に希釈し、 Ｈ２（９９
，７％）＋ＡｓＨ３（０，３％）からなるＣ導入ガスを
Ｈ２（Ｄ導入ガス）を導管１つより導入したことを除い
ては実施例１と同様にしたところガスＣ導入の１ピリオ
ド当り約４５０人の成長速度でＧａＡｓの基体４上にＧ
ａＡｓが析出成長して得られた。
実施例８
第１領域にクラスト状ＩｎＰ（２）を置き、’ ＰＣＩ
’ａ （Ａ導入ガス）を用１．Ｎ （ＰＣＩａ液温度−
３２，５°Ｃ）基体４をＩｎＰ製としたことを除いては
実施例１と同様に実施したところ２次式 ％式％ の反応がガスＣを送入じたピリオドにのみ生じ。
’ａ （Ａ導入ガス）を用１．Ｎ （ＰＣＩａ液温度−
３２，５°Ｃ）基体４をＩｎＰ製としたことを除いては
実施例１と同様に実施したところ２次式 ％式％ の反応がガスＣを送入じたピリオドにのみ生じ。
２４０人／ピリオドの成長速度でガスＣ導入のピリオド
数に比例する厚さで■−ｖ族化合物半導体であるＩｎＰ
が基体４上に鏡面を有して析出成長して得られた。
数に比例する厚さで■−ｖ族化合物半導体であるＩｎＰ
が基体４上に鏡面を有して析出成長して得られた。
実施例９
第１領域に、 Ｉｎ （２）を置き、 ）ＩｃＩ （Ａ
導入ガス）をＢ導入ガスで０．５ ｖ／ｖ％に希釈して
、第１領域に導入し、 Ｈ２（９９，’５％）十ＰＨａ
（０，５％）ＣＣ導入ガス）とＨ２を１ ｖ／ｖ％Ｐ
Ｈ３０，１ｖ／ｖ％をふくむＨｅ（Ｄ導入ガス）を第２
領域に導入し、基体４をＩｎ、Ｐ製とすることを除いて
は実施例１と同様にしたところ次式 ％式％ の反応が、ガスＣが送入されたピリオドにのみ生じ２８
ＯＡ／ピリオドの成長速度でガスＣの導入の回数に比例
する厚さでＩｎＰの薄膜が基体４上に鏡面状に析出成長
して得られた。
導入ガス）をＢ導入ガスで０．５ ｖ／ｖ％に希釈して
、第１領域に導入し、 Ｈ２（９９，’５％）十ＰＨａ
（０，５％）ＣＣ導入ガス）とＨ２を１ ｖ／ｖ％Ｐ
Ｈ３０，１ｖ／ｖ％をふくむＨｅ（Ｄ導入ガス）を第２
領域に導入し、基体４をＩｎ、Ｐ製とすることを除いて
は実施例１と同様にしたところ次式 ％式％ の反応が、ガスＣが送入されたピリオドにのみ生じ２８
ＯＡ／ピリオドの成長速度でガスＣの導入の回数に比例
する厚さでＩｎＰの薄膜が基体４上に鏡面状に析出成長
して得られた。
実施例１０
Ｉｎ（２）を第１領域に置き、ガスＡとしてＨＣＩを使
用し、ガスＣをＨ２（９９，１％） ＋ ＰＩ（３（０
，９％）とし、ガスＤをＨ２とし基体４をＩｎＰ製とす
ることを除いては、実施例１と同様に実施したところ２
次式 ％式％ の反応がガスＣが送入されたピリオドにのみ生じ。
用し、ガスＣをＨ２（９９，１％） ＋ ＰＩ（３（０
，９％）とし、ガスＤをＨ２とし基体４をＩｎＰ製とす
ることを除いては、実施例１と同様に実施したところ２
次式 ％式％ の反応がガスＣが送入されたピリオドにのみ生じ。
３１０Ａ／ピリオドの成長速度でガスＣの導入の回数に
比例する厚さでＩｎＰが基体４上に析出成長して得られ
た。
比例する厚さでＩｎＰが基体４上に析出成長して得られ
た。
第２図は本発明による実施例の結果を示す図である。
１・・・反応管 ２・・・固体または液の反応剤３・・
容器 ４・・基体 ５・・・支持体 ６・・・ガス導入口 ８・・・排気管 ９・・・ガス導入管 １０・・・ガス導入管 １１・・切替弁Ａ・・・ハロゲ
ン化ガスＢ・・・不活性気体Ｃ・・・反応ガス Ｄ・・
・不活性気体特許出願人三菱金属株式会社 代理人弁理士松井政広 第１＠ 蛾 解− 第２図 回 牧 手続補正書 昭和５９年６月２９日 特許庁長官 志 賀 字数 １、事件の表示 昭和５９年 特許 願第１０９５３３号２、発明の名称
■−Ｖ族化合物薄膜の形晟法３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自発 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の特許請求の範囲及び発明の１
、 特許請求の範囲を次のように訂正する。
容器 ４・・基体 ５・・・支持体 ６・・・ガス導入口 ８・・・排気管 ９・・・ガス導入管 １０・・・ガス導入管 １１・・切替弁Ａ・・・ハロゲ
ン化ガスＢ・・・不活性気体Ｃ・・・反応ガス Ｄ・・
・不活性気体特許出願人三菱金属株式会社 代理人弁理士松井政広 第１＠ 蛾 解− 第２図 回 牧 手続補正書 昭和５９年６月２９日 特許庁長官 志 賀 字数 １、事件の表示 昭和５９年 特許 願第１０９５３３号２、発明の名称
■−Ｖ族化合物薄膜の形晟法３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自発 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の特許請求の範囲及び発明の１
、 特許請求の範囲を次のように訂正する。
Ｆｌ、気体を流すことのできる反応帯域の第１領域に第
■族元素または該第■族元素と第Ｖ族元素との化合物を
配置し、残りの第２領域にｍ−ｖ族化合物からなる基体
を置き２両領域をそれぞれの所望の温度に加熱した状態
で、第１領域に、そこに置かれた前記物質と反応して該
第■族元素を気体状反応性化合物の形で遊離させる物質
（第１反応気体）を気相で導入し、遊離した該気体状反
応性化合物を第２領域に移送し、同時に第２領域に１つ
の該気体状反応性化合物と反応して前記第■族元素と前
記第Ｖ族元素との化合物を形成する気相の反応性物質（
第２反応気体）を導入して前記基体上にｍ−ｖ族化合物
を析゛出成長させてその薄膜を形成する方法において：
第１反応気体を定常的に導入しておき２反応に関与し゛
ない不活性気体を第２領域の基体の上流側に導入し、そ
の流れが定常化した時点で、第２反応気体に切り換える
ことを特徴とする方法。
■族元素または該第■族元素と第Ｖ族元素との化合物を
配置し、残りの第２領域にｍ−ｖ族化合物からなる基体
を置き２両領域をそれぞれの所望の温度に加熱した状態
で、第１領域に、そこに置かれた前記物質と反応して該
第■族元素を気体状反応性化合物の形で遊離させる物質
（第１反応気体）を気相で導入し、遊離した該気体状反
応性化合物を第２領域に移送し、同時に第２領域に１つ
の該気体状反応性化合物と反応して前記第■族元素と前
記第Ｖ族元素との化合物を形成する気相の反応性物質（
第２反応気体）を導入して前記基体上にｍ−ｖ族化合物
を析゛出成長させてその薄膜を形成する方法において：
第１反応気体を定常的に導入しておき２反応に関与し゛
ない不活性気体を第２領域の基体の上流側に導入し、そ
の流れが定常化した時点で、第２反応気体に切り換える
ことを特徴とする方法。
２、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
不活性気体が）ｌｅ、Ｎ２またはＡｒである方法。
３、 特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
第■族元素がＧａまたはＩｎであり、第Ｖ族元素がＰ。
Ａｓ、 Ｓｂからなる群より選ばれるものである方法。
４、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
第１領域に置かれる物質が第■族元素であり、第１反応
気体が塩化水素であり、第２反応気体が第Ｖ族元素の水
素化物である方法。
気体が塩化水素であり、第２反応気体が第Ｖ族元素の水
素化物である方法。
５、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
第１領域に置かれる物質が■−■族化合物であり。
第１反応気体が第Ｖ族元素の塩化物であり、第２反応気
体が、水素である方法。
体が、水素である方法。
６、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
第２反応気体が不活性気体で希釈されている方法。
７、特許請求の範囲第６項記載の方法であって。
希釈用不活性気体が）ｌｅ、Ｎ２またはＡｒである方法
。
。
８、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
第１反応気体が混合気体全体として０，５〜１０ｖ／ｖ
％の水素を含む不活性気体で搬送される方法。
％の水素を含む不活性気体で搬送される方法。
９、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
不活性気体に少量の第２反応気体を混ぜて使用する方法
。
。
１０、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。
不活性気体の導入と第２反応気体の導入を一定周期を以
って繰り返し実施する方法回 ２、 明細書の発明の詳細な説明において次の表に示す
頁２行の「補正前」の記載を「補正後Ｊに訂正する。
って繰り返し実施する方法回 ２、 明細書の発明の詳細な説明において次の表に示す
頁２行の「補正前」の記載を「補正後Ｊに訂正する。
頁 行 補正前 補正後
４ ６ ｍ’−Ｖ族化合物 ｍ−ｖ族化合物半導体
７１０ 制御御 制御
８２０ １あるいは あるいは
１０１５ 与えない 当らない
１２ ５ からなる反応ガス５ からなる混合ガスを反
応ガス １２１５９１％とガス ９１％辷 １２１６ からなる反応ガス からなる労よｔスを反応
ガス １２１７ 実施１ 実施例１ １３ ９ ８２ガス Ｈｅガス １３１７ と（Ｃ導入ガス）を （Ｃ導入ガス）と１３
１８ 感官 導管 １４ ６ 導入ガスを 導入ガスと
応ガス １２１５９１％とガス ９１％辷 １２１６ からなる反応ガス からなる労よｔスを反応
ガス １２１７ 実施１ 実施例１ １３ ９ ８２ガス Ｈｅガス １３１７ と（Ｃ導入ガス）を （Ｃ導入ガス）と１３
１８ 感官 導管 １４ ６ 導入ガスを 導入ガスと
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 気体を流すことのできる反応帯域の第１領域に第
■族元素または該第■族元素と第Ｖ族元素との化合物を
配置し、残りの第２領域にｍ−ｖ族化合物からなる基体
を置き９両領域をそれぞれの所望の温度に加熱した状態
で、第１領域゛に、そこに置かれた前記物質と反応して
該第■族元素を気体状反応性化合物の形で遊離させる物
質（第１反応気体）を気相で導入し、遊離した該気体状
反応性化合物を第２領域に移送し、同時に第２領域に１
つの該気体状反応性化合物と反応して前記第■族元素と
前記第Ｖ族元素との化合物を形成する気相の反応性物質
（第２反応気体）を導入して前記基体上に■−Ｖ族化合
物を析出成長させてその薄膜を形成する方法において：
第１反応気体を定常的に導入しておき２反応に関与しな
い不活性気体を第２領域の基体の上流側に導入し、その
流れが定常化した時点で、第２反応気体に切り換えるこ
とを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 不活性気体がＨｅ、Ｎ２またはＡｒである方法。 ３、 特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 第■族元素がＧａまたはＩｎであり、第Ｖ族化合物がＰ
、 Ａｓ、 Ｓｂからなる群より選ばれるものである方
法。 ４、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 第１領域に置かれる物質が第■族元素であり、第１反応
気体が塩化水素であり、第２反応気体が第Ｖ族元素の水
素化物である方法。 ５、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 第１領域に置かれる物質がｍ−ｖ族化合物であり。 第１反応気体が第Ｖ族元素の塩化物であり、第２反応気
体が、水素である方法。 ６、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 第２反応気体が不活性気体で希釈されている方法。 ７、特許請求の範囲第６項記載の方法で″あって。 希釈用不活性気体がＨｅ、Ｎ２またはＡｒである方法。 ８、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 第１反応気体が混食気体全体として０．５〜１０ｖ／ｖ
％の水素を含む不活性気体で搬送される方法。 ９、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 不活性気体に少量の第２反応気体を混ぜて使用する方法
。 １０、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 不活性気体の導入と第２反応気体の導入を一定周期を以
って繰り返し実施する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10953384A JPS60255694A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | ３−５族化合物薄膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10953384A JPS60255694A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | ３−５族化合物薄膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255694A true JPS60255694A (ja) | 1985-12-17 |
| JPH0254317B2 JPH0254317B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14512660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10953384A Granted JPS60255694A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | ３−５族化合物薄膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286992A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Nippon Mining Co Ltd | 単結晶成長装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS56109898A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-31 | Fujitsu Ltd | Gaseous phase growing method for magnespinel |
| JPS56114898A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-09 | Toshiba Corp | Method for vapor-phase crystal growth |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP10953384A patent/JPS60255694A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS56109898A (en) * | 1980-01-31 | 1981-08-31 | Fujitsu Ltd | Gaseous phase growing method for magnespinel |
| JPS56114898A (en) * | 1980-02-12 | 1981-09-09 | Toshiba Corp | Method for vapor-phase crystal growth |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286992A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Nippon Mining Co Ltd | 単結晶成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254317B2 (ja) | 1990-11-21 |
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