JPS60253033A - 光学ピツクアツプ装置 - Google Patents
光学ピツクアツプ装置Info
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- JPS60253033A JPS60253033A JP59110002A JP11000284A JPS60253033A JP S60253033 A JPS60253033 A JP S60253033A JP 59110002 A JP59110002 A JP 59110002A JP 11000284 A JP11000284 A JP 11000284A JP S60253033 A JPS60253033 A JP S60253033A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば記録媒体上の螺旋或いは同心円状の記
録トラ、りに対物レンズを経て光スボ。
録トラ、りに対物レンズを経て光スボ。
トを集光し、情報の書き込み、読み取り、消去を実現す
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
光ディスクは高密度大容量の情報記録媒体として期待さ
れており、近年消去可能な光ディスクの開発もさかんに
行なわれている。消去用の光ヘッドはその光スポツト形
状が従来の記録再生用の光スポツト形状と異なり、たと
えば記録トラック方向の長い楕円状のものが用いられる
。第１図ａはこの楕円状スポットの平面図であり、ｂは
トラック方向断面での光強度分布である。１は記録トラ
ック、２は記録信号であり、矢印３方向に進む楕円状ス
ポット４を照射することにより記録信号２は消去される
。第１図すの如き強度分布の光スポットを用いる・場合
記録を消去するにはレーザー発光源に高出力の半導体レ
ーザーが必要とされるが、そのレベルの高出力半導体レ
ーザーは未だ商品化に至っていない。さて、楕円スポッ
トのＡ部は消去に貢献せずＢ部のみが消去に関与するこ
とを考えて、低レーザーパワ一時での消去を可能とする
効率的な光スポットの強度分布として第２図のものが提
案されている。一般に第２図の如き強度分布の消去スポ
ットを単一ビームで得ることは困難であり、実際には２
ビーム、すなわち円形スポットと楕円状スポットとを組
み合せたものが用いられ、第３図ａにこの２ビーム消去
スポツトの平面図、ｂに強度分布を示す。６は円形スポ
ット、６は楕円状スポットである。このように２ビーム
を用いればレーザーパワーとして十分な消去スポットを
提供することになるが、一般に２ビーム光学ピツクアツ
プ装置の構成は２つの光源、２つの光学系を合せた複雑
なものとなり、２つの光ビームを近位置に収束させるこ
とも高度の組立て調整技術が必要となる。そのため１つ
の光源、１つの光学系で、パワーとして十分な、できれ
ば第２図の如き効率的な強度分布をもった消去スポット
を得る方法が必要とされている。
れており、近年消去可能な光ディスクの開発もさかんに
行なわれている。消去用の光ヘッドはその光スポツト形
状が従来の記録再生用の光スポツト形状と異なり、たと
えば記録トラック方向の長い楕円状のものが用いられる
。第１図ａはこの楕円状スポットの平面図であり、ｂは
トラック方向断面での光強度分布である。１は記録トラ
ック、２は記録信号であり、矢印３方向に進む楕円状ス
ポット４を照射することにより記録信号２は消去される
。第１図すの如き強度分布の光スポットを用いる・場合
記録を消去するにはレーザー発光源に高出力の半導体レ
ーザーが必要とされるが、そのレベルの高出力半導体レ
ーザーは未だ商品化に至っていない。さて、楕円スポッ
トのＡ部は消去に貢献せずＢ部のみが消去に関与するこ
とを考えて、低レーザーパワ一時での消去を可能とする
効率的な光スポットの強度分布として第２図のものが提
案されている。一般に第２図の如き強度分布の消去スポ
ットを単一ビームで得ることは困難であり、実際には２
ビーム、すなわち円形スポットと楕円状スポットとを組
み合せたものが用いられ、第３図ａにこの２ビーム消去
スポツトの平面図、ｂに強度分布を示す。６は円形スポ
ット、６は楕円状スポットである。このように２ビーム
を用いればレーザーパワーとして十分な消去スポットを
提供することになるが、一般に２ビーム光学ピツクアツ
プ装置の構成は２つの光源、２つの光学系を合せた複雑
なものとなり、２つの光ビームを近位置に収束させるこ
とも高度の組立て調整技術が必要となる。そのため１つ
の光源、１つの光学系で、パワーとして十分な、できれ
ば第２図の如き効率的な強度分布をもった消去スポット
を得る方法が必要とされている。
発明の目的
本発明の目的は、光学的な構造を簡単にし、組み立て調
整を容易にした消去用光学ピックアップ装置を提供する
ことにある。
整を容易にした消去用光学ピックアップ装置を提供する
ことにある。
発明の構成
本発明は光源から放射された光を収束させて、記録トラ
ック上に照射する対物レンズと、この対物レンズと光源
間に配置され光源からの光を対物レンズに導く積層媒質
とを備え、積層媒質の表面及び各積層境界面は積層媒質
より高い屈折率の薄膜で構成された半透鏡であり、積層
媒質の最下層の境界面は反射鏡であり、各積層境界面は
積層媒質表面に対し角度をなし、各積層境界面での反射
光と積層媒質表面を含めた各積層境界面間の繰り返し反
射光とけ積層媒質表面での反射光とは積層媒質表面での
反射光に対し角度をなして対物レンズに導かれ、それぞ
れ記録トラック上に絞り込１れることを詩徴とした光学
ピンクアップ装置であり、積層媒質の入射側媒質から数
えて１層目の媒質の屈折率をｎｉ、厚さをｔ□とし、１
層目媒質中での光の波面法線が１層目媒質の入射側境界
面法線となす屈折角をβ□とし、１層目媒質の入射側境
界面での反射光の入反射間に生ずる位相おくれをψ、と
し、１層目媒質の出射側境界面での反射光の入反射間に
生ずる位相おくれをψ、＋１とし、光の波長をλとして （ψｉ−ψ１＋１＋２ｍπ）λ ｔ・−。、。、。。３０．（＝は整数）の関係をもたせ
、積層媒質表面での反射光と、各積層境界面での反射光
と、積層媒質表面を含めた各積層境界面間の繰り返し反
射光との位相差を２πの整数倍とすることにより、記録
トラ、り上に有効な消去スポットを形成でき、光源を１
つとし光学的な構造を簡単にする消去用光学ピックアッ
プ装置である。
ック上に照射する対物レンズと、この対物レンズと光源
間に配置され光源からの光を対物レンズに導く積層媒質
とを備え、積層媒質の表面及び各積層境界面は積層媒質
より高い屈折率の薄膜で構成された半透鏡であり、積層
媒質の最下層の境界面は反射鏡であり、各積層境界面は
積層媒質表面に対し角度をなし、各積層境界面での反射
光と積層媒質表面を含めた各積層境界面間の繰り返し反
射光とけ積層媒質表面での反射光とは積層媒質表面での
反射光に対し角度をなして対物レンズに導かれ、それぞ
れ記録トラック上に絞り込１れることを詩徴とした光学
ピンクアップ装置であり、積層媒質の入射側媒質から数
えて１層目の媒質の屈折率をｎｉ、厚さをｔ□とし、１
層目媒質中での光の波面法線が１層目媒質の入射側境界
面法線となす屈折角をβ□とし、１層目媒質の入射側境
界面での反射光の入反射間に生ずる位相おくれをψ、と
し、１層目媒質の出射側境界面での反射光の入反射間に
生ずる位相おくれをψ、＋１とし、光の波長をλとして （ψｉ−ψ１＋１＋２ｍπ）λ ｔ・−。、。、。。３０．（＝は整数）の関係をもたせ
、積層媒質表面での反射光と、各積層境界面での反射光
と、積層媒質表面を含めた各積層境界面間の繰り返し反
射光との位相差を２πの整数倍とすることにより、記録
トラ、り上に有効な消去スポットを形成でき、光源を１
つとし光学的な構造を簡単にする消去用光学ピックアッ
プ装置である。
実施例の説明
第４図は本発明の実施例における光学ピックアップ装置
の構成説明図である。半導体レーザー６から放射された
光ビームは集光レンズア、凹／リントリカルレンズ８、
凸／リントリカルレンズ９によってビーム成形され楕円
形平行ビームとなり、ビームスプリッタ１０により反射
され積層反射板１１に至る。ａは楕円平行ビームのＣ−
Ｄ断面を示し、その長軸は尤ディスク記録面１４に対し
平行である。第５図Ｖｉ１層の積層反射板１１での光ビ
ーム反射を示す説明図である。積層反射板１１の表面１
６はたとえば二酸化チタンや硫化伊鉛の如き非常に高い
屈折率を持つ薄膜で均一に覆われており、良好な半透鏡
の働きをする。積層反射板１１の裏面１６はメッキや蒸
着などによって反射ミラーを形成している。積層反射板
１１に入射した光ビームはその表面１６で反射される光
ビーム２０と、表面１５を透過し裏面１６で反射し表面
１５を透過する光ビーム２１と、さらに表面１６で反射
し裏面１６で反射し表面１５を透過する光ビーム２２等
に分離され、それぞれ光デイスクトラック溝方向を短軸
とした楕円平行ビームの状態でλ／４板１板金２物レン
ズ１３に入射し、光デイスク記録面１４上に絞り込まれ
る。後述するように、記録面１４上の光ビームスポット
形状はトラック溝方向を長軸としだ長楕円形状となる。
の構成説明図である。半導体レーザー６から放射された
光ビームは集光レンズア、凹／リントリカルレンズ８、
凸／リントリカルレンズ９によってビーム成形され楕円
形平行ビームとなり、ビームスプリッタ１０により反射
され積層反射板１１に至る。ａは楕円平行ビームのＣ−
Ｄ断面を示し、その長軸は尤ディスク記録面１４に対し
平行である。第５図Ｖｉ１層の積層反射板１１での光ビ
ーム反射を示す説明図である。積層反射板１１の表面１
６はたとえば二酸化チタンや硫化伊鉛の如き非常に高い
屈折率を持つ薄膜で均一に覆われており、良好な半透鏡
の働きをする。積層反射板１１の裏面１６はメッキや蒸
着などによって反射ミラーを形成している。積層反射板
１１に入射した光ビームはその表面１６で反射される光
ビーム２０と、表面１５を透過し裏面１６で反射し表面
１５を透過する光ビーム２１と、さらに表面１６で反射
し裏面１６で反射し表面１５を透過する光ビーム２２等
に分離され、それぞれ光デイスクトラック溝方向を短軸
とした楕円平行ビームの状態でλ／４板１板金２物レン
ズ１３に入射し、光デイスク記録面１４上に絞り込まれ
る。後述するように、記録面１４上の光ビームスポット
形状はトラック溝方向を長軸としだ長楕円形状となる。
記録面１４より反射した光ビームは対物レンズ１３、λ
／４板１板金２て、積層反射板１１によって反射され、
ビームスプリッタ１０を通過して凸レンズ１６に絞られ
、ナイフエッヂ１６により凹レンズ１７、四分割光電素
子１８に至る光路と、四分割光電素子１９に至る光路に
分離される。すてに公知の方法によって光電素子１８．
１９で検出される光量の差信号でピックアップ装置のそ
れぞれ焦点制御、トラッキング制御を行なう。
／４板１板金２て、積層反射板１１によって反射され、
ビームスプリッタ１０を通過して凸レンズ１６に絞られ
、ナイフエッヂ１６により凹レンズ１７、四分割光電素
子１８に至る光路と、四分割光電素子１９に至る光路に
分離される。すてに公知の方法によって光電素子１８．
１９で検出される光量の差信号でピックアップ装置のそ
れぞれ焦点制御、トラッキング制御を行なう。
なお反射屈折の法則によれば第６図において次の関係が
ある。
ある。
”？β１−θ
β２＝β２−θ ・・・・・（１）
β２−ｒｌ−θ
β３−β２−θ
ここでｎは積層反射板の屈折率、σ１は表面１５での入
射角、β１．σ２．σ３は表面１５での屈折角、β２．
β３は表面１５での反射角、ｒｌ、β２は裏面１６での
反射角であり、裏面１６は表面１５に対しθの傾きをな
す。
射角、β１．σ２．σ３は表面１５での屈折角、β２．
β３は表面１５での反射角、ｒｌ、β２は裏面１６での
反射角であり、裏面１６は表面１５に対しθの傾きをな
す。
（１）式より
第６図は対物レンズ１３を通過した光ビームの記録面１
４上での強度分布を示す説明図であり、”０１ ”Ｏは
対物レンズ１３位置での直交座標、ｘ、、 ｙ工は記録
面上での直交座標、Ｚ軸は光軸方向の座標である。なお
ｙＯ”ｉ軸はトラック溝方向と平行にとる。
４上での強度分布を示す説明図であり、”０１ ”Ｏは
対物レンズ１３位置での直交座標、ｘ、、 ｙ工は記録
面上での直交座標、Ｚ軸は光軸方向の座標である。なお
ｙＯ”ｉ軸はトラック溝方向と平行にとる。
以下簡単のため光ビームは楕円平行ガウスビームと考え
る。光ビーム２１．２２は光軸２０に対しｙｏ−ｚ平面
内でそれぞれσ１−σ２．σ１−σ３だけ傾いているた
め、光ビーム２０，２１．２２の対］ ｋｙＯ３ｉｎ
（ａ １ａ ｓ） で表わされる。ただしｋは伝搬定数であり、光の波長を
λとしてに＝２π／λである。またＣ〉１である。
る。光ビーム２１．２２は光軸２０に対しｙｏ−ｚ平面
内でそれぞれσ１−σ２．σ１−σ３だけ傾いているた
め、光ビーム２０，２１．２２の対］ ｋｙＯ３ｉｎ
（ａ １ａ ｓ） で表わされる。ただしｋは伝搬定数であり、光の波長を
λとしてに＝２π／λである。またＣ〉１である。
従って２０．２１．２２の合成ビームの光分布ｑ（ｘ□
’ ｒ ”ｌ □ ）はビーム間の位相差を考え、ｌＨ
（ｋｙＯｓ＋ｎ （σ１−σ２）十ψ１）となる。よっ
て光デイスク記録面１４上での光分布Ｅ（ｘｌ、ｙｌ、
σ）はキルヒホッフの積分式のフレネル近似を用いて次
式で与えられる。ただしｆは対物レンズの焦点距離であ
る。
’ ｒ ”ｌ □ ）はビーム間の位相差を考え、ｌＨ
（ｋｙＯｓ＋ｎ （σ１−σ２）十ψ１）となる。よっ
て光デイスク記録面１４上での光分布Ｅ（ｘｌ、ｙｌ、
σ）はキルヒホッフの積分式のフレネル近似を用いて次
式で与えられる。ただしｆは対物レンズの焦点距離であ
る。
以下余白
ただし
ここで積層反射板表面１５、裏面１６０反射率をそれぞ
れｒ。、ｒｌ とすると、反射ビーム２０゜２１．２２
の光強度Ｒ８２、Ｒ，２、Ｒ２２は入射光強度を１とし
て、それぞれｒ ０′、 ｒ １２ （１，、、、ｒｏ
２ ）２゜また積層反射板の屈折率ｎ二１．５０ 入射角σ１＝４６０ 、傾きθ＝０．０２５゜とすれば
に））式より （２２＝：４４．９０７０ ａ ＝４４．８１３゜よっ
て対物レンズの焦点距離ｆ＝４−２６ｍｍとしてｙ１＝
６．９μｍ ｙ２二１３．９ｚ１ｍ となる。
れｒ。、ｒｌ とすると、反射ビーム２０゜２１．２２
の光強度Ｒ８２、Ｒ，２、Ｒ２２は入射光強度を１とし
て、それぞれｒ ０′、 ｒ １２ （１，、、、ｒｏ
２ ）２゜また積層反射板の屈折率ｎ二１．５０ 入射角σ１＝４６０ 、傾きθ＝０．０２５゜とすれば
に））式より （２２＝：４４．９０７０ ａ ＝４４．８１３゜よっ
て対物レンズの焦点距離ｆ＝４−２６ｍｍとしてｙ１＝
６．９μｍ ｙ２二１３．９ｚ１ｍ となる。
すなわちｙ１軸上てｙ４ ＝ Ｏ／１ｍ 、 ｙ、ユ。
、９工。
ｙ工＝１３．９７１ｍ を中心として３個のスポットが
存在し、それぞれの光強度ピーク値の比は： ０．３３
４ ： ０．１４１ となる。またＣ＞１であるからこ
れらのスポットはそれぞれｙｌ軸すなわちトラック溝方
向を長軸とする長楕円形状となる。
存在し、それぞれの光強度ピーク値の比は： ０．３３
４ ： ０．１４１ となる。またＣ＞１であるからこ
れらのスポットはそれぞれｙｌ軸すなわちトラック溝方
向を長軸とする長楕円形状となる。
これらの様子を第６図に示す。次に光ビーム間の位相差
による影響を考える。一般に任意の２点のＩＡ、（ｔ）
＋２＋ＩＡ２（ｔ＋τ月２＋Ａ、Ｉ（を吋（【十τ）＋
Ａ、ゞ（ｔ）Ａ２（ｔ＋で）で表わされる。この時間的
平均を工とすればＩ ＝ Ｉ、 土工、＋ ２ｒＶＴ２
Ｒ１ｒ１２（Ｔ）複素コヒーレンス” ｒｌ２（τ）ハ
コヒーレンスが上場合には次式で表わされる。
による影響を考える。一般に任意の２点のＩＡ、（ｔ）
＋２＋ＩＡ２（ｔ＋τ月２＋Ａ、Ｉ（を吋（【十τ）＋
Ａ、ゞ（ｔ）Ａ２（ｔ＋で）で表わされる。この時間的
平均を工とすればＩ ＝ Ｉ、 土工、＋ ２ｒＶＴ２
Ｒ１ｒ１２（Ｔ）複素コヒーレンス” ｒｌ２（τ）ハ
コヒーレンスが上場合には次式で表わされる。
１ｋｃｒ （Ｃ：光速）
ｒ１２＝”Ｏ’
よって干渉時の光の強さを最大にするＫはｋＣτ＝２ｍ
π （ｍ：整数） であればよい。よって光ビーム２０，２１．２間に位相
差がない場合、それらのビームの光デスク記録面上での
光分布は第６図破＃１１２３の如なり、光ビームのエネ
ルギーを効率よく記録面に集めることが出来る。
π （ｍ：整数） であればよい。よって光ビーム２０，２１．２間に位相
差がない場合、それらのビームの光デスク記録面上での
光分布は第６図破＃１１２３の如なり、光ビームのエネ
ルギーを効率よく記録面に集めることが出来る。
次に光ビーム２０，２１．２２間の位相差をなす方法に
ついて説明する。積層反射板１１から反射後に生ずる光
ビーム間の位相差Δψは積層動板１１の反射位置から光
デイスク記録面１４捷！／ ニア μｍ ｄ ＝ ２０
Ｍ λ＝８３０ｎｍ としてΔψ−９Ｘ １（Ｙ５ｒａ
ｄ であり無視出来る大きさである。よって積層反射板
１１での反射、繰り返しハ ２ 式で与えられる。
ついて説明する。積層反射板１１から反射後に生ずる光
ビーム間の位相差Δψは積層動板１１の反射位置から光
デイスク記録面１４捷！／ ニア μｍ ｄ ＝ ２０
Ｍ λ＝８３０ｎｍ としてΔψ−９Ｘ １（Ｙ５ｒａ
ｄ であり無視出来る大きさである。よって積層反射板
１１での反射、繰り返しハ ２ 式で与えられる。
イ
く
上
く とすれば光ビーム２０．２１間に位相差はなくなつ
る。光ビーム２１．２２間の位相差も同じく（褐式父
で与えられ、（６）式が成り立てば、積層反射板から
の反射光はすべて同位相となる。
る。光ビーム２１．２２間の位相差も同じく（褐式父
で与えられ、（６）式が成り立てば、積層反射板から
の反射光はすべて同位相となる。
以上のようにこの実施例によれば、表面が良好な半透鏡
、裏面は表面に角度をなす全反射鏡で構成された１層の
積層反射板を用い、その厚さを（殉式で与えるとすれば
、光デイスク記録面上に有効な消去スポットを効率よく
形成することができる。
、裏面は表面に角度をなす全反射鏡で構成された１層の
積層反射板を用い、その厚さを（殉式で与えるとすれば
、光デイスク記録面上に有効な消去スポットを効率よく
形成することができる。
なお、上記実施例では１層の積層反射板を用いたが、表
面を含めた各積層境界面は良好な半透鏡で、最下層の境
界面は反射鏡であり、各積層境界面を表面に対し微小角
をもたせ構成した多層の積層反射板を用いても同様の効
果が得られ、各積層の厚さｔｌは、積層媒質の屈折率ｎ
□、入射側の屈折角をβ１、入射側境界面での反射によ
る位相おくれをψ０、出射側境界面での位相おくれをψ
１＋１として でちえることにより、上記実施例同様に光デイスク記録
面上に有効な消去スポットを効率よく形成゛）すること
が出来る。
面を含めた各積層境界面は良好な半透鏡で、最下層の境
界面は反射鏡であり、各積層境界面を表面に対し微小角
をもたせ構成した多層の積層反射板を用いても同様の効
果が得られ、各積層の厚さｔｌは、積層媒質の屈折率ｎ
□、入射側の屈折角をβ１、入射側境界面での反射によ
る位相おくれをψ０、出射側境界面での位相おくれをψ
１＋１として でちえることにより、上記実施例同様に光デイスク記録
面上に有効な消去スポットを効率よく形成゛）すること
が出来る。
発明の効果
本発明の光学ピックアップ装置は、表面を含めた各積層
境界面は良好な半透鏡であり、最１層の境界面は反射鏡
であり、各積層境界面を表面に対し微小角をもたせ、各
積層の厚さを反射光が同位相になるよう設定された多層
の積層反射板を用い、この反射板で反射された光をディ
スク記録面上に収束させることで、１つの光源、１つの
光学系で効率的な強度分布をもった消去スポットを記録
面上に結ばせることが出来、その実用的効果は大きい０
境界面は良好な半透鏡であり、最１層の境界面は反射鏡
であり、各積層境界面を表面に対し微小角をもたせ、各
積層の厚さを反射光が同位相になるよう設定された多層
の積層反射板を用い、この反射板で反射された光をディ
スク記録面上に収束させることで、１つの光源、１つの
光学系で効率的な強度分布をもった消去スポットを記録
面上に結ばせることが出来、その実用的効果は大きい０
第１図ａは従来の消去スポット形状説明のだめの図、同
図すはその光強度分布を示す特性図、第２図は効率的な
消去スポット強度分布を示す特性図、第３図ａは従来の
消去スポット形状説明のための図、同図すはその光強度
分／［］を／ｊゝす特性１％ｉ、第４図は本発明の一実
施例における光学ピックアップ装置の原理図、第６図は
−１−記実施例での積層メ射板での光の反射を示す原理
図、第６図は上記実施例での記録面上での光強度分布を
示す特性図である。 １１ ・・積層反射板、１２ ・λ／４板、１３・対物
レンズ、１４ 光デイスク記録面、１５積層反射板表面
、１６．・積層反射板裏面、２０．２１．２２ −反射
光ビーム、２３ 記録面上光強度分布。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 え１ 第４図 第６図 ？ｌ
図すはその光強度分布を示す特性図、第２図は効率的な
消去スポット強度分布を示す特性図、第３図ａは従来の
消去スポット形状説明のための図、同図すはその光強度
分／［］を／ｊゝす特性１％ｉ、第４図は本発明の一実
施例における光学ピックアップ装置の原理図、第６図は
−１−記実施例での積層メ射板での光の反射を示す原理
図、第６図は上記実施例での記録面上での光強度分布を
示す特性図である。 １１ ・・積層反射板、１２ ・λ／４板、１３・対物
レンズ、１４ 光デイスク記録面、１５積層反射板表面
、１６．・積層反射板裏面、２０．２１．２２ −反射
光ビーム、２３ 記録面上光強度分布。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 え１ 第４図 第６図 ？ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光源から放射された光を収束させて記録トラ。 り上に照射する対物レンズと、この対物レンズと前記光
源の間に配置され前記光源からの光を前記対物レンズに
導く積層媒質とを備え、前記積層媒質の表面及び各積層
境界面は前記積層媒質よシ高い屈折率の薄膜で構成され
た半透鏡であり、前記積層媒質の最下層の境界面は反射
鏡であり、前記各積層境界面は前記積層媒質表面に対し
角度をなし、前記各積層境界面での反射光と前記積層媒
質表面を含めた各積層境界面間の繰り返し反射光とは前
記積層媒質表面での反射光に対し角度をなして前記対物
レンズに導かれ、それぞれ前記記録トラ、り上に絞り込
捷れ、前記積層媒質の光入射側媒質から数えて１層目の
媒質の屈折率をｎｌとし、前記１層目媒質の厚さをｔ□
とし、前記１層目媒質中での光の波面法線が前記１層目
媒質の入射側境界面法線となす屈折角をβ１七し、前記
ｉ層目媒質の入射側境界面での反射光の入反射間に生ず
る位相おくれをψ、とし、前記１層目媒質の出射側境界
面での反射光の入反射間に生ずる位相おくれを９ｍ＋１
とし、前記光の波長をλとして、の関係をもたせ、前
記積層媒質表面での反射光と、各積層境界面での反射光
と、前記積層媒質表面を含めた各積層境界間の繰り返し
反射光とを同位相とすることを特徴とする光学ビックア
ップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110002A JPS60253033A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 光学ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110002A JPS60253033A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 光学ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253033A true JPS60253033A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14524606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110002A Pending JPS60253033A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 光学ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253033A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473071A2 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-04 | Sony Corporation | Beam combining apparatus for semiconductor lasers |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59110002A patent/JPS60253033A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473071A2 (en) * | 1990-08-31 | 1992-03-04 | Sony Corporation | Beam combining apparatus for semiconductor lasers |
| US5210643A (en) * | 1990-08-31 | 1993-05-11 | Sony Corporation | Wave combining apparatus for semiconductor lasers |
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