JPS60250356A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

Info

Publication number
JPS60250356A
JPS60250356A JP10567184A JP10567184A JPS60250356A JP S60250356 A JPS60250356 A JP S60250356A JP 10567184 A JP10567184 A JP 10567184A JP 10567184 A JP10567184 A JP 10567184A JP S60250356 A JPS60250356 A JP S60250356A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
melt
melting
temp
photoreceptor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10567184A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Ueda
茂 上田
Tadashi Kaneko
兼子 正
Hiroyuki Nomori
野守 弘之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP10567184A priority Critical patent/JPS60250356A/ja
Publication of JPS60250356A publication Critical patent/JPS60250356A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、導電性支持体上に、キャリア発生層とキャリ
ア輸送層とを組合せてなる感光層を設けてなる電子写真
感光体に関するものである。
〔従来技術〕
現在までに、可視光を吸収して荷電キャリア(以下単に
「キャリア」という。)を発生ずるキャリア発生物質(
以下rcGMJどもいう。)を含有して成るキャリア発
生層(以下r CGL jともいう。)と、このCGL
において発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は
両方を輸送するキャリア軸道物質(以下r’CTMJと
もいう。)を含有して成るキャリア輸送層(以下rCT
LJともいう。)とを組合せることにより、電子写真感
光体の感光層を構成せしめることが提案されている。こ
のように、キャリアの発生と、その輸送という感光層に
おいて必要な2つの基礎的機能を、別個の層に分担せし
めることにより、感光層の構成に用い得る物質の選択範
囲が広範となる上、各機能を最適に果す物質又は物質系
を独立に選択することが可能となり、又そうすることに
より、電子写真プロセスにおいて要求される緒特性、例
えば帯電セしめたときの表面電位が高く、電荷保持性が
大きく、光感度が高く、又反復使用における安定性が大
きい等の優れた特性を有する電子写真感光体を構成せし
めることが可能となる。
従来このような感光層としては、セレンまたはセレンを
主成分とするセレン合金よりなる、いわゆるセレン系C
GLとセレン系CTLとを積層せしめたものが広く実用
化されている。特に可視領域における分光感度を高くす
るためには、ヒ素に比べて毒性の小さいテルルをセレン
に添加することが有効であり、このテルルの含有割合が
12〜35重量%の場合には光導電性が高い特長を有し
ておりこの点からCGLとして有用であり、一方テルル
の含有割合が12重量%未満の場合には暗減衰が小さく
て電荷保持性が大きい特長を有しておりこの点からCT
Lとして有用である。
然るに斯かるセレン系の感光層を有する電子写真感光体
においては、当該感光層の高温耐久性が小さく、このた
めに高温雰囲気下においては劣化が速くて早期にその優
れた特性が失われるようになる欠点がある。
セレン系感光層を有する電子写真感光体は、通常、所要
組成のセレン物質を蒸発源として用い、例えばアルミニ
ウム等の金属ドラムよりなる導電性支持体の表面にセレ
ン物質を蒸着せしめることによって製作される。そして
蒸発源とされるセレン物質は、通常その原料を一旦溶融
する工程を含む方法によって製造されるが、このセレン
物質の製造における条件は、最終的に形成される電子写
真感光体の感光層の特性に相当の影響を及ぼすものであ
る。
〔発明の目的〕
本発明は以上の如き事情に着目し、種々の研究を重ねた
結果完成されたものであって、その目的は、セレン系の
キャリア発生層とセレン系のキャリア輸送層とを組合せ
てなる感光層を具え、高温下においても結晶化が確実に
抑制され、優れた感光特性を長期に亘って安定して得る
ことができる電子写真感光体を提供することにある。
〔発明の構成〕
以上の目的は、キャリア発生層とキャリア輸送層とを組
合せてなる感光層を導電性支持体上に設けてなる電子写
真感光体において、前記キャリア発生層が、セレン原料
を380〜450℃の範囲内の温度で加熱溶融し、次い
で加熱温度よりも低い温度に一定時間以上保持し、その
後冷却固化せしめて得られた、テルルの含有割合が12
〜35重量%の感光体用材料より形成され、前記キャリ
ア輸送層が、セレン原料を370〜430℃の範囲内の
温度で加熱溶融し、次いで加熱温度よりも低い温度に一
定時間以上保持し、その後冷却固化せしめて得られた、
テルルの含有割合が12重景%未満の感光体用材料より
形成されることを特徴とする電子写真感光体によって達
成される。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明においては、その詳細は後述する方法により製造
された12〜35重量%のテルルを含有する感光体用材
料をCGL用材料として用いてCGLを形成し、その詳
細は後述する方法により製造されたテルルの含有割合が
12重量%未満の感光体用材料をCTL用材料として用
いてCTLを形成し、ごれらのCGLとCTLとを組合
せることにより、キャリアの発生と輸送とをそれぞれ別
個の物質で行なういわゆる機能分離型感光体の感光層を
構成する。
本発明においてCGL用材料として用いるテルルの含有
割合が12〜35重量%の感光体用材料は次のようにし
て製造する。
即ち、セレンに所要割合のテルルを加えてなるセレン原
料を用意する。このセレン原料を組成するセレン及びテ
ルルは、インゴットを破砕したもの、粒状のもの、粉末
状のものなど種々の形態の何れであってもよいが、簡単
に溶融できる点から粒状のもの或いは粉末状のものが好
適であり、その粒度は例えば直径で0.5〜5顛が望ま
しい。このセレン原料には特性改良剤として例えば銅、
白金、金などが例えば1〜100重量ppmの割合で含
有されていてもよい。
このようなセレン原料を加熱して溶融する。例えばルツ
ボ内にセレン原料を入れ、真空雰囲気下またはヘリウム
、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気下において、
電気オーブンなどを用いて室温から急速に若しくは段階
的に380〜450℃の範囲内の温度にまで昇温せしめ
て加熱溶融し、この溶融物をその加熱温度に一定に保ぢ
ながら通常30〜240分間好ましくは60〜180分
間に亘りセレン原料をスクリュー撹拌器などにより攪拌
し続けて溶融物の組成を十分に均一化する。セレン原料
を溶融せしめるための」二記加熱温度は、当該セレン原
料が溶融する温度であってかつテルルの融点(450°
C)以下の温度であり、その範囲は380〜450℃と
する。この加熱温度が450℃を越える場合には、得ら
れる感光体用材料より形成したCGLO中には高温時に
結晶化し易いものも存在することがあり、高温時の結晶
化抑制が確実なものとはならない。またこの加熱温度は
テルルの含有割合が小さいほど低いものとすることがで
きるが、380℃未満の場合には溶融が不十分となって
得られる感光体用材料にテルルの偏析が発生し易く、こ
のため形成したCGLが均質性の劣ったものとなり、所
期の特性が得られないことがある。
このような加熱溶融に続いて、セレン原料の溶融物を加
熱溶融時の加熱温度よりも低い温度でかつひき続き溶融
状態が維持される保持温度、例えば240〜360℃、
好ましくは260〜360°Cの範囲内の温度に低下せ
しめて、当該溶融物を攪拌して組成の均一性を保ちなが
ら当該保持温度に一定時間例えば30分間以上保持する
。、二の加熱温度から保持温度への温度低下は急速に行
なうのが好ましい。保持温度があまり低いと溶融物が同
化するようになるので好ましくない。そして保持温度に
保持する時間は30分間以上であれば十分であるが、実
用上は30〜120分間の範囲内であることが好ましい
このように保持温度に一定時間保持した後、溶融物を例
えば水中に投入してほぼ常温にまで急速に冷却して固化
せしめ、この固化物を回収して以て12〜35重量%の
テルルを含有する感光体用材料を得る。
本発明においてCTL用材料として用いるテルルの含有
割合が12重量%未満の感光体用材料は次のようにして
製造する。
即ち、セレンに所要割合のテルルを加えてなるセレン原
料を用意する。このセレン原料を組成するセレン及びテ
ルルは、インゴットを破砕し゛たもの、粒状のもの、粉
末状のものなど種々の形態の何れであってもよいが、簡
単に溶融できる点から粒状のもの或いは粉末状のものが
好適であり、その粒度は例えば直径で0.5〜5龍が望
ましい。
このようなセレン原料を加熱して溶融する。例えばルツ
ボ内にセレン原料を入れ、真空雰囲気下またはヘリウム
、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気下において、
電気オーブンなどを用いて室温から急蓮に若しくは段階
的に370〜430°Cの範囲内の温度にまで昇温せし
めて加熱溶融し、この溶融物をその加熱温度に一定に保
ちながら通常30〜240分間好ましくは60〜180
分間に亘りセレン原料をスクリュー攪拌器などにより攪
拌し続けて溶融物の組成を十分に均一化する。セレン原
料を溶融せしめるための上記加熱温度は、当該セレン原
料が溶融する温度であってかつテルルの融点(450℃
)以下の温度であり、その範囲は370〜430℃とす
る。この加熱温度が430℃を越える場合には、得られ
る感光体用材料より形成したCTL′の中には漏湯時に
結晶化し易いものも存在することがあり、高温時の結晶
化抑制が確実なものとはならない。またこの加熱温度は
テルルの含有割合が小さいほど低いものとすることがで
きるが、370℃未満の場合には溶融が不十分となって
得られる感光体用材料にテルルの偏析が発生し易く、こ
のため形成したCTLが均質性の劣ったものとなり、所
期の特性が得られないことがある。
このような加熱溶融に続いて、セレン原料の溶融物を加
熱溶融時の加熱温度よりも低い温度でかつひき続き溶融
状態が維持される保持温度、例えば250〜420℃、
好ましくは250〜320℃の範囲内の温度に低下せし
めて、当該溶融物を攪拌して組成の均一性を保ちながら
当該保持温度に一定時間例えば30分間以上保持する。
この加熱温度から保持温度への温度低下は急速に行なう
のが好ましい。保持温度があまり低いと溶融物が固化す
るようになるので好ましくない。そして保持温度に保持
する時間は30分間以上であれば十分であるが、実用上
は30〜180分間の範囲内であることが好ましい。
このように保持温度に一定時間保持した後、溶融物を例
えば水中に投入してほぼ常温にまで急速に冷却して固化
せしめ、この固化物を回収して以てテルルの含有割合が
12重量%未満の感光体用材料を得る。
以上CGL用材料として用いるテルルの含有割合が12
〜35重量%の感光体用材料及びCTL用材料として用
いるテルルの含有割合が12重量%未満の感光体用材料
の製造例について説明したが、このようにして得られる
感光体用材料を用いてCGLまたはC且を形成するため
の手段としては、例えば蒸着法を好ましいものとして挙
げることができる。具体的には、例えば第1図に示すよ
うに、導電性支持体1上に既述のテルルの含有割合が1
2重量%未満の感光体用材料の蒸着膜を設けてCTL3
を形成し、このCTL 3上に既述のテルルの含有割合
が12〜35重景%の感光体用材料の蒸着膜を設けてC
GL 2を形成し、これらのCGL2とCTL 3とに
より感光層4を構成する。
ここに前記導電性支持体lの材質としては、例えばアル
ミニウム、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、イン
ジウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属の
シートを用いることができる。
前記CGL 2の厚さは、通常1〜10ミクロン、好ま
しくは2〜5ミクロンである。また前記CTL3の厚さ
は、通常30〜100ミクロン、好ましくは50〜60
ミクロンである。
〔発明の効果〕
本発明電子写真感光体は以上のような構成であるから、
後述する実施例の説明からも理解されるように、感光層
の高温下での結晶化が確実に抑止され、このため高温下
にさらされる場合があっても、感光層は依然として十分
な暗抵抗を有し、しかも光感度が十分に高くて良好な光
導電性を示し、結局電子写真プロセスを多数回に亘り繰
り返したときにも残留電位の上昇が大幅に抑制され、環
境温度の影響を受けることなく電子写真プロセスを長期
間安定して多数回に亘り繰り返して行なうことができる
。このような効果が得られる理由は厳密には解明されて
いないが、感光層のCGL及びCTLを形成する感光体
用材料の製造において、セレン原料をテルルの融点以下
の特定範囲内の加熱温度で加熱溶融し、次いで溶融物を
一気に冷却せずに加熱温度よりは若干低い温度で依然と
して溶融状態を維持できる保持温度に一定時間以上保持
するため、これにより得られるセレン物質が確実に結晶
化しにくい特性を有するものとなり、この特性がそのま
まCGL及びCTLとなったときにおいても引き継がれ
、この結果テルルを含有する場合であってもCGL及び
CTLにおける高温時の結晶化が確実に抑制されるよう
になるものと考えられる。
そしてCGLは、既述のCGL用の感光体用材料を蒸着
して形成することにより、テルルの含有割合が12〜3
5重景%のものとなるので光導電性が高くて優れたキャ
リア発生機能を有し、一方CTI、は、既述のC几用の
感光体用材料を蒸着して形成することにより、テルルの
含有割合が12重量%未満のものとなるので暗減衰が小
さくて電荷保持性が高く優れたキャリア輸送機能を有す
るものとなる。
またCGL及びCTLの2層構成の感光層の形成におい
ては、蒸着源を変えて蒸着を繰り返して行なうこととな
るが、2回目の蒸着時に1回目に蒸着した蒸着膜を加熱
しながら蒸着を行なうようにしても、1回目に蒸着した
蒸着膜の結晶化が発生せず、従って感光特性の劣化を招
くことなく良好な蒸着を行なうことができ、この結果得
られる感光層は良好な感光特性を有するものとなる。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
実施例1 (CGL用材料の製造) ルツボ中に入れた、78重量%の粒状セレン(純度99
.999%)及び22重量%の粒状テルル(純度99.
999%)よりなるセレン原料を、窒素ガス雰囲気とし
た電気炉内において室温から390℃の加熱温度にまで
急激に昇温せしめて溶融し、溶融物をスクリュー攪拌器
により攪拌しながらその加熱温度に60分間に亘り保っ
た。続いて溶融物を依然として溶融状態が保たれる保持
温度300℃にまで急激に降下せしめ、溶融物をスクリ
ュー攪拌器により攪拌しながら、当該保持温度に30分
間に亘り保持した。この保持に続いてルツボ中の溶融物
を温度20℃の水中に石英製の直径2鰭のノズルを通し
て投入して急激に冷却して固化せしめた。次いで水中か
ら固化物を回収して22重量%のテルルを含有するセレ
ン−テルル合金よりなる感光体用材料を得た。
(CTL用材料の製造) ルツボ中に入れた、95重量%の粒状セレン(純度99
.999%)及び5重量%の粒状テルル(純度99.9
99%)よりなるセレン原料を、窒素ガス雰囲気とした
電気炉内において室温から380℃の加熱温度にまで急
激に昇温せしめて溶融し、溶融物をスクリュー攪拌器に
より攪拌しながらその加熱温度に60分間に亘り保った
。続いて溶融物を依然として溶融状態が保たれる保持温
度300′cにまで急激に降下せしめ、溶融物をスクリ
ュー攪拌器により攪拌しながら、当該保持温度に30分
間に亘り保持した。この保持に続いてルツボ中の溶融物
を温度20℃の水中に石英製の直径2flのノズルを通
して投入して急激に冷却して固化せしめた。
次いで水中から固化物を回収して5重量%のテルルを含
有するセレン−テルル合金よりなる感光体用材料を得た
以上のようにして得られたテルルの含有割合が5重量%
の感光体用材料を蒸発源として用い、真空藤着法により
温度280℃で加熱蒸発せしめて、アルミニウムよりな
り、厚さ4龍の円筒状の導電性支持体上に膜厚60ミク
ロンのCTLを形成した。
このCTL上に、上述のようにして得られたテルルの含
有割合が22重量%の感光体用材料を蒸発源として用い
、真空蒸着法により温度280”cで加熱蒸発せしめて
、膜厚5ミクロンのCGLを形成し、もって第1図に示
した構成と同様の電子写真感光体を得た。これを「試料
1」とする。
実施例2〜5及び比較例1〜4 CGL用またはC凡用の感光体用材料の製造条件を下記
第1表に示す通りとした他は実施例1と同様にして電子
写真感光体を得た。これらをそれぞれ「試料2」〜「試
料5」及び「比較試料1」〜「比較試料4」とする。
尚第2図〜第15図は各々感光体用材料の製造時におけ
る温度と時間との関係の概略を示す線図であり、上記の
実施例及び比較例の各々におけるCGL用材料の製造及
びCTL用材料の製造では、第2図〜第15図にそれぞ
れ示した曲線a−y nの何れかひとつに従って処理さ
れており、その対応関係は第1表中「図の符号」の欄に
a’−nの符号を付して示した。
以上のようにして得られた試料及び比較試料の各々を電
子写真複写機rU −Bix 1600J (小西六写
真工業社製)に装着し、温度20℃で相対湿度65%の
環境下において帯電及び露光試験を行ない、帯電電位及
び残留電位について調べた。帯電電位は、6.OKV、
200μAの帯電条件で、現像部位置に配置した表面電
位計プローブで測定される表面電位で評価した。また残
留電位については、帯電器により感光ドラムの表面を1
00OVに帯電せしめた後、露光量が201ux−se
cとなるようハロゲン光を露光するプロセスをl000
回繰り返した後において感光ドラムの表面に蓄積された
電位を測定し、これを残留電位とした。
次に上記試料及び比較試料を取り外してこれらを温度6
0℃、相対湿度50%の環境下に3日間放置することに
より強制的な劣化処理を施し、その後再び同様にして試
験を行ない帯電電位及び残留電位について調べた。
また既述と同様にして作製した試料及び比較試料の各々
を温度65℃、相対湿度50%に維持された恒温槽内に
放置して感光層の熱劣化を強制的に生ぜしめ感光層の表
面が白化し始めるまでの時間を調べた。感光層の表面が
白化するのは熱によってアモルファス状の構造が変化し
て結晶化が進行するからであり、この時間が大きいもの
ほど高温耐久性の優れたものである。
以上の試験の結果を第1表に併せて示す。
この第1表の結果から理解されるように、本発明の電子
写真感光体である試料1〜5によれば、感光層が高温耐
久性に優れていて、高温下にさらされた場合にも依然と
して高い帯電電位を保持ししかも残留電位が小さく、電
子写真プロセスを多数回に亘り安定に繰り返して実行す
ることができた。これに対して比較試料1及び2は、C
GL及びCTLを形成するための感光体用材料が、その
製造時において、保持温度に保持する過程を経ずに一気
に冷却して製造されるため、これを用いて作製した感光
層は高温耐久性が著しく低く、高温下にさらされた場合
には帯電電位が相当に低下し、かつ残留電位が大幅に上
昇し早期に実用に供することができなくなるものであっ
た。また比較試料3及び4は、CGL及びCTLを形成
するための感光体用材料が、その製造時において、保持
温度に一定時間以上保持する過程を経るものの加熱温度
がそれぞれ380〜450℃及び370〜430℃の範
囲外であるため、これらの感光体用材料を用いて作製し
た感光層は高温耐久性が若干劣り、高温下における結晶
化を確実に防止することのできないものであった。
また蒸発源の加熱温度を変えた以外は上述と同様にして
感光体を作製し、同様の試験を行なったところ、上記と
同様の傾向の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明電子写真感光体の構成例を示す説明用断
面図、第2図〜第15図は各々CGL用またはCTL用
の感光体用材料の製造時における温度と時間との関係の
概略を示す線図である。 1・・・・導電性支持体 2・・・・キャリア発生層(CGL) 3・・・・キャリア輸送層(CTL) 4・・・・感光層 差/1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)キャリア発生層とキャリア輸送層とを組合せてなる
    感光層を導電性支持体上に設けてなる電子写真感光体に
    おいて、前記キャリア発生層が、セレン原料を380〜
    450℃の範囲内の温度で加熱溶融し、次いで加熱温度
    よりも低い温度に一定時間以上保持し、その後冷却固化
    せしめて得られた、テ、ルルの含有割合が12〜35重
    量%の感光体用材料より形成され、前記キャリア輸送層
    が、セレン原料を370〜430℃の範囲内の温度で加
    熱溶融し、次いで加熱温度よりも低い温度に一定時間以
    上保持し、その後冷却固化せしめて得られた、テルルの
    含有割合が12重量%未満の感光体用材料より形成され
    ることを特徴とする電子写真感光体。
JP10567184A 1984-05-26 1984-05-26 電子写真感光体 Pending JPS60250356A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10567184A JPS60250356A (ja) 1984-05-26 1984-05-26 電子写真感光体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10567184A JPS60250356A (ja) 1984-05-26 1984-05-26 電子写真感光体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60250356A true JPS60250356A (ja) 1985-12-11

Family

ID=14413898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10567184A Pending JPS60250356A (ja) 1984-05-26 1984-05-26 電子写真感光体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60250356A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3467548A (en) Method of making xerographic plate by vacuum evaporation of selenium alloy
US4842973A (en) Vacuum deposition of selenium alloy
US3524745A (en) Photoconductive alloy of arsenic,antimony and selenium
US3903107A (en) Direct alpha to X phase conversion of metal containing phthalocyanine
JPS60250356A (ja) 電子写真感光体
US4822712A (en) Reduction of selenium alloy fractionation
JPS60250357A (ja) 電子写真感光体
US3532496A (en) Xerographic plates and processes employing homogeneous dispersions of vitreous selenium and sensitizing dyes as the photoconductive layer
JPS60250351A (ja) 電子写真感光体用材料の製造方法
JPS60250352A (ja) 電子写真感光体用材料の製造方法
US4894307A (en) Processes for preparing and controlling the fractionation of chalcogenide alloys
JPS60250353A (ja) 電子写真感光体用材料の製造方法
JPS60250354A (ja) 電子写真感光体用材料の製造方法
JPS5944053A (ja) 電子写真用感光体
US5002734A (en) Processes for preparing chalcogenide alloys
JPS60250355A (ja) 電子写真感光体用材料の製造方法
JPS616655A (ja) 電子写真用感光材料の製法
US4859411A (en) Control of selenium alloy fractionation
US4370399A (en) Equisensitive ambipolar indium doped selenium containing electrophotographic materials, plates and method
US5035857A (en) Processes for preparing chalcogenide alloys
US4920025A (en) Control of selenium alloy fractionation
JPS59223436A (ja) セレンテルル合金電子写真用感光体の製造方法
JPS61109057A (ja) セレンの改質法
JPS60252353A (ja) 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜およびそれらの製造方法
JPS60250358A (ja) 電子写真感光体