JPS60246087A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPS60246087A JPS60246087A JP59100534A JP10053484A JPS60246087A JP S60246087 A JPS60246087 A JP S60246087A JP 59100534 A JP59100534 A JP 59100534A JP 10053484 A JP10053484 A JP 10053484A JP S60246087 A JPS60246087 A JP S60246087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory device
- temperature
- magnetic bubble
- bubble memory
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ装置に係わり、特に低温度お
よび高温度を検出して動作の釆止または停止する機能を
有する温度検出回路に関するものである。
よび高温度を検出して動作の釆止または停止する機能を
有する温度検出回路に関するものである。
第１図は磁気バブルメモリ装置内の例えはパワーダウン
情報を保鰻する信号を発生する回路等に用いられている
温度検出回路を示す図である。同図において、１は磁気
バブルメモリの動作を禁止まｌこは停止させるデータ保
睦侶号を出力する出力端子、２は第１のオペアンプ、３
は第２のオペアンプ、４は電源端子、５，６はＴに源端
子４と接地間に直列接続されかつその接続点を第１のオ
ペア、ンプ２の■入力端子に接続させて電源電圧ｖｃｃ
を分圧させる分圧抵抗、７，８は電源端子４と接地間に
直列接続されかつその接続点を第２のオペアンプ３の［
有］入力端子に接続させて電源電圧ｖｃｃを分圧させる
分圧抵抗、９，１０は電源端子４と接地間に直列接続さ
れかつその接続点を第１のオペアンプ２および第２のオ
ペアンプのＱ入力端子に接続させて電源電圧ｖｃｃを分
圧させる分圧抵抗、１１は第１のオペアンプ２のリコ）
入力端子と接地間に接続された高温度検出用正竹性ザー
ミスタ、１２は第２のオペアンプ３の■入力端子と接地
間に接続された低温度検出用負特性サーミスタである。
情報を保鰻する信号を発生する回路等に用いられている
温度検出回路を示す図である。同図において、１は磁気
バブルメモリの動作を禁止まｌこは停止させるデータ保
睦侶号を出力する出力端子、２は第１のオペアンプ、３
は第２のオペアンプ、４は電源端子、５，６はＴに源端
子４と接地間に直列接続されかつその接続点を第１のオ
ペア、ンプ２の■入力端子に接続させて電源電圧ｖｃｃ
を分圧させる分圧抵抗、７，８は電源端子４と接地間に
直列接続されかつその接続点を第２のオペアンプ３の［
有］入力端子に接続させて電源電圧ｖｃｃを分圧させる
分圧抵抗、９，１０は電源端子４と接地間に直列接続さ
れかつその接続点を第１のオペアンプ２および第２のオ
ペアンプのＱ入力端子に接続させて電源電圧ｖｃｃを分
圧させる分圧抵抗、１１は第１のオペアンプ２のリコ）
入力端子と接地間に接続された高温度検出用正竹性ザー
ミスタ、１２は第２のオペアンプ３の■入力端子と接地
間に接続された低温度検出用負特性サーミスタである。
しかしながら、このように構成される温度検出回路にお
いて、温度検出には、高温度センナ（正特性サーミスタ
１１）と低温度センサ（負特性サーミスタ１２）とがそ
れぞれ別々のコンパレータ回路（差動増幅器）に接続さ
れているので、各々２個のコンパレータ回路を必要とし
ていた。このため、部品点数が多くなるとともに温度検
出にばらつきが発生するなどの問題があった。
いて、温度検出には、高温度センナ（正特性サーミスタ
１１）と低温度センサ（負特性サーミスタ１２）とがそ
れぞれ別々のコンパレータ回路（差動増幅器）に接続さ
れているので、各々２個のコンパレータ回路を必要とし
ていた。このため、部品点数が多くなるとともに温度検
出にばらつきが発生するなどの問題があった。
したがって本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、部品点数を削
減させかつ高精度の温度検出を可能にした温度検出回路
を有する磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、部品点数を削
減させかつ高精度の温度検出を可能にした温度検出回路
を有する磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明は、１組のコン
パレータ回路の入力端に高温度センサと低温度センサと
を直列または並列接続することにより、温度検出回路を
構成したものである。すなわち、高温度センサおよび低
温度センサの抵抗値に対する温度特性は、第２図に示す
ように高温度センサ単体のみでは曲線Ｉ、低温度七ンサ
単体のみでは曲線■となり、また両者を直列接続すると
曲線Ｉとなり、さらに両者を並列接続すると曲線■に示
す特性曲線となる。したがって、これらの高温度センサ
と低温度センサとを直列接続または並列接続して複合セ
ンサを構成し、この複合センサを適当な電源に接続する
と、この複合センナの両端電位差は、前述した抵抗値と
同様に温度に対して下に凸（曲線量）または上に凸（曲
線■）形状となる特性曲線となる。そこでこの電圧を用
いて温度検出用のコンパレータ回路を高温度および低温
度共用とするものである。
パレータ回路の入力端に高温度センサと低温度センサと
を直列または並列接続することにより、温度検出回路を
構成したものである。すなわち、高温度センサおよび低
温度センサの抵抗値に対する温度特性は、第２図に示す
ように高温度センサ単体のみでは曲線Ｉ、低温度七ンサ
単体のみでは曲線■となり、また両者を直列接続すると
曲線Ｉとなり、さらに両者を並列接続すると曲線■に示
す特性曲線となる。したがって、これらの高温度センサ
と低温度センサとを直列接続または並列接続して複合セ
ンサを構成し、この複合センサを適当な電源に接続する
と、この複合センナの両端電位差は、前述した抵抗値と
同様に温度に対して下に凸（曲線量）または上に凸（曲
線■）形状となる特性曲線となる。そこでこの電圧を用
いて温度検出用のコンパレータ回路を高温度および低温
度共用とするものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ装置の一実施例
を示す温度検出回路であり、第１図と同一部分は同一符
号を付す。同図において、１組のオペアンプ２と、その
分圧抵抗５．６，９．１０と、オペアンプ２のＯ入力端
子に温度センサとして正特性サーミスタ１１と負徴性サ
ーミスタ１２とを直列接続した複合センサ１３とでコン
ノ（レーク回路が構成されている。このような構成にお
いて、この複合センサ１３に流れる電流は分圧抵抗９．
１００抵抗値を調整し、このとき、点ＰＫ現われる電圧
は第４図に示すような温度特性となる。
を示す温度検出回路であり、第１図と同一部分は同一符
号を付す。同図において、１組のオペアンプ２と、その
分圧抵抗５．６，９．１０と、オペアンプ２のＯ入力端
子に温度センサとして正特性サーミスタ１１と負徴性サ
ーミスタ１２とを直列接続した複合センサ１３とでコン
ノ（レーク回路が構成されている。このような構成にお
いて、この複合センサ１３に流れる電流は分圧抵抗９．
１００抵抗値を調整し、このとき、点ＰＫ現われる電圧
は第４図に示すような温度特性となる。
ここで、低温度（ＴＬ） 、高温度（ＴＵ）で出力端子
１に動作禁止信号を発生させたい場合、点ＱＬｆ）電圧
がＶＰＤとなるように分圧抵抗５，６の抵抗値を調整す
れば良い。
１に動作禁止信号を発生させたい場合、点ＱＬｆ）電圧
がＶＰＤとなるように分圧抵抗５，６の抵抗値を調整す
れば良い。
第５図は本発明による磁気バブルメモリ装置の他の実施
例を示す温度検出回路であり、前述の図と同一部分は同
一符号を付す。同図において、オペアンプ２の■入力端
子に正特性サーミスタ１１と負特性サーミスタ１２とを
並列接続した複合センサ１４が接続されてコンパレータ
回路が構成されている。このような構成において、この
複合センサ１４に流れる電流は分圧抵抗５．６の抵抗値
を調整し、このとき点Ｒに現われる電圧は第６図に示す
ような温度特性となる。ここで、点Ｓの電圧をＶｐｎ’
となるように分圧抵抗９，１０の抵抗値を調整すると、
低温度（Ｔｔ、’） ＋高温度（Ｔυ′）て出力端子１
に動作禁止信号を発生させることができる。
例を示す温度検出回路であり、前述の図と同一部分は同
一符号を付す。同図において、オペアンプ２の■入力端
子に正特性サーミスタ１１と負特性サーミスタ１２とを
並列接続した複合センサ１４が接続されてコンパレータ
回路が構成されている。このような構成において、この
複合センサ１４に流れる電流は分圧抵抗５．６の抵抗値
を調整し、このとき点Ｒに現われる電圧は第６図に示す
ような温度特性となる。ここで、点Ｓの電圧をＶｐｎ’
となるように分圧抵抗９，１０の抵抗値を調整すると、
低温度（Ｔｔ、’） ＋高温度（Ｔυ′）て出力端子１
に動作禁止信号を発生させることができる。
このように前述した２つの実施例の構成によれば、特性
の相異なるサーミスタ１１．１２を直列または並列接続
して複合センサを構成して使用することにより、１組の
コンパレータ回路で高温度。
の相異なるサーミスタ１１．１２を直列または並列接続
して複合センサを構成して使用することにより、１組の
コンパレータ回路で高温度。
低温度の温度検出が可能となるので、温度検出回路が簡
素化でき、使用部品が少なくなり、温度検出精度を向上
させることができる。
素化でき、使用部品が少なくなり、温度検出精度を向上
させることができる。
以上説明したように本発明によれば、温度検出回路の簡
略化１部品点数の削減がはかれ、また温度検出回路を高
温度、低温度１本化することにより、温度検出精度が向
上できるので、信頼性の高い磁気バブルメモリ装置が低
コストで得られるという極めて優れた効果を有する。
略化１部品点数の削減がはかれ、また温度検出回路を高
温度、低温度１本化することにより、温度検出精度が向
上できるので、信頼性の高い磁気バブルメモリ装置が低
コストで得られるという極めて優れた効果を有する。
第１図は従来の温度検出回路の一例を示す図、第２図は
温度センサの抵抗値一温度付性を示す図、第３図は本発
明による磁気バブルメモリ装置の一実施例を示す温度検
出回路図、第４図は第３図の温度特性を示す図、第５図
は本発明の他の実施例を示す温度検出回路図、第６図は
第５図の温度特性を示す図である。 ２．３・―・・オペアンプ、５，６，７，８，９゜１０
・・・１分圧抵抗、１１・書・・正特性サーミスタ、１
２・嗜寺・負特性サーミスタ、１３゜ｍ 叉Ｔ（”Ｃ）
温度センサの抵抗値一温度付性を示す図、第３図は本発
明による磁気バブルメモリ装置の一実施例を示す温度検
出回路図、第４図は第３図の温度特性を示す図、第５図
は本発明の他の実施例を示す温度検出回路図、第６図は
第５図の温度特性を示す図である。 ２．３・―・・オペアンプ、５，６，７，８，９゜１０
・・・１分圧抵抗、１１・書・・正特性サーミスタ、１
２・嗜寺・負特性サーミスタ、１３゜ｍ 叉Ｔ（”Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電源と接地間に接続された分圧抵抗と、周囲温度に
より抵抗値が変化する複合温度センサとが温度検出回路
の入力端に接続され、周囲温度の変化に対応して前記温
度検出回路の出力端から磁気バブルメモリのデータ保護
信号を出力させる回路を具備することを特徴とした磁気
バブルメモリ装置。 ２、前記複合温度センナを、正特性サーミスタと負特性
サーミスタとを直列接続して構成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ装置。 ３゜前記複合温度センサを、正特性サーミスタと負特性
サーミスタとを並列接続して構成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100534A JPS60246087A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59100534A JPS60246087A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246087A true JPS60246087A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14276621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59100534A Pending JPS60246087A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6640637B2 (en) | 1999-02-20 | 2003-11-04 | Lg Electroncis Inc. | Vibration detecting apparatus and method thereof |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100534A patent/JPS60246087A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6640637B2 (en) | 1999-02-20 | 2003-11-04 | Lg Electroncis Inc. | Vibration detecting apparatus and method thereof |
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