JPS6024515A - 光制御素子 - Google Patents
光制御素子Info
- Publication number
- JPS6024515A JPS6024515A JP13196783A JP13196783A JPS6024515A JP S6024515 A JPS6024515 A JP S6024515A JP 13196783 A JP13196783 A JP 13196783A JP 13196783 A JP13196783 A JP 13196783A JP S6024515 A JPS6024515 A JP S6024515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- coupler
- light
- glass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ガラス等の基板上に形成された光導波路を
有する光制御素子、特にその一端に光カップを有するも
のに関する。
有する光制御素子、特にその一端に光カップを有するも
のに関する。
（従来技術）
ガラス等の基板衣面に、イオン交換によって光導波路を
形成し、この導波路の途中に導波路切断部を設け、この
切断部上面に薄膜ヒータを形成した光制御１累子は公知
である。この素子はヒータに通電することＫよって、ヒ
ータ直下の基板を列温させることによって該部分の屈折
率を増加させて導波路として作用させることにょ多光ス
イッチとして作動する。
形成し、この導波路の途中に導波路切断部を設け、この
切断部上面に薄膜ヒータを形成した光制御１累子は公知
である。この素子はヒータに通電することＫよって、ヒ
ータ直下の基板を列温させることによって該部分の屈折
率を増加させて導波路として作用させることにょ多光ス
イッチとして作動する。
この光制御素子は、音響光学効果を用いた光制御素子や
電気光学効果を用いた光制御素子に比べて構造が簡略で
あシ、特殊な結晶等の材料やトランスジューサ等の附属
装置を敦ぜず、構造が簡略で、低コストであるという特
徴を有する。
電気光学効果を用いた光制御素子に比べて構造が簡略で
あシ、特殊な結晶等の材料やトランスジューサ等の附属
装置を敦ぜず、構造が簡略で、低コストであるという特
徴を有する。
しかし、この先導波路は、ＫＮＯ，溶液中で行なわれる
イオン交換ＩＩ′１２μｍ程度しか進行しないため、極
めて細いものとなシ、端面に直接光を導入することが難
しくなる口 通常、処１図に示すように、導波路２よシも屈折率ｆ）
＾いＴｉＯ２や’ｌ’ａＦＤ 等の４５ カットのプリ
ズムカプラ４を導波路２の上に接触配設して仁の斜面か
ら入射光を導波路２中に尋人している。しかし、結晶は
尚価で、そのセットに特殊な治＾を必装とする等の問題
があシ、実用性の少ないものであった。
イオン交換ＩＩ′１２μｍ程度しか進行しないため、極
めて細いものとなシ、端面に直接光を導入することが難
しくなる口 通常、処１図に示すように、導波路２よシも屈折率ｆ）
＾いＴｉＯ２や’ｌ’ａＦＤ 等の４５ カットのプリ
ズムカプラ４を導波路２の上に接触配設して仁の斜面か
ら入射光を導波路２中に尋人している。しかし、結晶は
尚価で、そのセットに特殊な治＾を必装とする等の問題
があシ、実用性の少ないものであった。
（発明の目的）
この発明は、ガラス導波路に光を入射させるのに高価な
プリズムカプラーを用いることなく、製造が容易で低コ
ストのカプラーを有する光制御ｉＩｌ累子を得ようとす
るものである。
プリズムカプラーを用いることなく、製造が容易で低コ
ストのカプラーを有する光制御ｉＩｌ累子を得ようとす
るものである。
（発明の構成）
第２図はこの発明の光制御素子の１実ｔＩｆｆＡ同の千
面図を示し、第３図はその断面図である０図中、ｌはガ
ラス基板、２はに槍オン交換によ−多形成された導波路
、３は導波路切断部に形成されたＴｉ薄膜ヒータである
。この発明においては、この導波路を形成したガラス基
板１上に、尋阪路の屈折率よりも高い、例えばコーニン
グ７０５９のガラスを用いてテーパ状に光カッグラ８を
杉成しである◎５は円筒レンズで、カップラ８の端面に
線状に入射光を集束するためのものである。
面図を示し、第３図はその断面図である０図中、ｌはガ
ラス基板、２はに槍オン交換によ−多形成された導波路
、３は導波路切断部に形成されたＴｉ薄膜ヒータである
。この発明においては、この導波路を形成したガラス基
板１上に、尋阪路の屈折率よりも高い、例えばコーニン
グ７０５９のガラスを用いてテーパ状に光カッグラ８を
杉成しである◎５は円筒レンズで、カップラ８の端面に
線状に入射光を集束するためのものである。
上記の光制御素子は、既に知られているように、顕微鏡
用マイクロスライド等のガラス基板１を用い、Ａｔ蒸着
膜を導波路状にエツチングして窓明けを行ない、全体を
約３７０℃の招の。
用マイクロスライド等のガラス基板１を用い、Ａｔ蒸着
膜を導波路状にエツチングして窓明けを行ない、全体を
約３７０℃の招の。
溶液中に浸して約１時間イオン交換することによシ、約
２０μｍ幅の、基板ガラスよシもわずかに屈折率の高い
導波路２を形成する。欠いで導波路切断部６の上にパフ
フッ層として約２０ｏｏＸ＊のＳ ｒｏ ２ 膜を形成
し、その上にＴｉ 薄膜ヒータをスパッタで形成する口
この発明では、四に、カップラ８をコーニング７０５９
のターゲットを用いてテーパ状にスパッタすることによ
多形成する◎テーパ状のスパッタは、ナイフエッチ状の
シャッタを開用し、このナイフエッチを基板に密着して
、光入射端となる側からゆつくシと導波路方向に移動す
ることによって行なわれる。テーパ角θはナイフェツジ
の移動速Ｅを変化することによって変化し、移動速度が
速く“なると角度θは小さくなる。この方法にょシ、入
村面高さが５０μｍ程度のカップラ８が容易に形成出来
る。
２０μｍ幅の、基板ガラスよシもわずかに屈折率の高い
導波路２を形成する。欠いで導波路切断部６の上にパフ
フッ層として約２０ｏｏＸ＊のＳ ｒｏ ２ 膜を形成
し、その上にＴｉ 薄膜ヒータをスパッタで形成する口
この発明では、四に、カップラ８をコーニング７０５９
のターゲットを用いてテーパ状にスパッタすることによ
多形成する◎テーパ状のスパッタは、ナイフエッチ状の
シャッタを開用し、このナイフエッチを基板に密着して
、光入射端となる側からゆつくシと導波路方向に移動す
ることによって行なわれる。テーパ角θはナイフェツジ
の移動速Ｅを変化することによって変化し、移動速度が
速く“なると角度θは小さくなる。この方法にょシ、入
村面高さが５０μｍ程度のカップラ８が容易に形成出来
る。
この光制御素子にレーザ光或はインコヒーレント光を入
射し、円筒レンズ５によシカツプラの入射端面に線状に
集束させる。そしてＴｉ 膜に２０Ｖのパルス電圧を印
加したところ、立上少時間がＱ、 ５ ｍ ｍの光応答
が得られた口また、そのときのＳ／Ｎ比（ＯＮ１０ＦＦ
比）は約１０ｄＢであシ、従来の結晶カップラを用いた
ものと同程度以上の性能を有することが確認された◎（
発明の効果） この発８ＡＦｉ上記の４１１成を有するので、光導波路
端面に直接入射させるのに比して光の結合効率が高い光
制御素子を、光カップラとして結晶を使用しないで換作
でき、しかも取付は治夙、ＩＩｍ整作東等が不装であシ
、安価に供給できるという高い実用性を有するものであ
る。
射し、円筒レンズ５によシカツプラの入射端面に線状に
集束させる。そしてＴｉ 膜に２０Ｖのパルス電圧を印
加したところ、立上少時間がＱ、 ５ ｍ ｍの光応答
が得られた口また、そのときのＳ／Ｎ比（ＯＮ１０ＦＦ
比）は約１０ｄＢであシ、従来の結晶カップラを用いた
ものと同程度以上の性能を有することが確認された◎（
発明の効果） この発８ＡＦｉ上記の４１１成を有するので、光導波路
端面に直接入射させるのに比して光の結合効率が高い光
制御素子を、光カップラとして結晶を使用しないで換作
でき、しかも取付は治夙、ＩＩｍ整作東等が不装であシ
、安価に供給できるという高い実用性を有するものであ
る。
第１図は従来の光カップラを有する光制御素子の断面図
、第２図はこの発明の光制御ｌ素子の１実施例乎面図、
第３図はその断面図である。 １ニガラス基板 ２：イオン交換導波路３；薄膜ヒータ
４ニプリズムカップラ５：円筒レンズ ７ ： ５ｉ
ｎ２膜 ８：カップラ特１出願人 株式会社 リ コ
− 出願人代理人 弁理士 佐 藤 文 男（ほか１名）
、第２図はこの発明の光制御ｌ素子の１実施例乎面図、
第３図はその断面図である。 １ニガラス基板 ２：イオン交換導波路３；薄膜ヒータ
４ニプリズムカップラ５：円筒レンズ ７ ： ５ｉ
ｎ２膜 ８：カップラ特１出願人 株式会社 リ コ
− 出願人代理人 弁理士 佐 藤 文 男（ほか１名）
Claims (1)
- ガラス基板にイオン交換によって先導波路を形成し、こ
の導波路の途中に設けた導波路切断部の式面に薄膜ヒー
タを配した光制御素子において、上記導波路の一端にテ
ーパ状の薄膜からなる光カップラを形成したことを％黴
とする光制御素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13196783A JPS6024515A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13196783A JPS6024515A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024515A true JPS6024515A (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15070408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13196783A Pending JPS6024515A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | 光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024515A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423399A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Parking facility managing system |
| JPS6426300A (en) * | 1987-04-08 | 1989-01-27 | Nissei Build Kogyo Kk | System for reserving to go out of garage of parking device in housing complex or the like |
| US5534489A (en) * | 1989-05-19 | 1996-07-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating oxide superconducting films by laser deposition |
| JP2017211428A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 日産自動車株式会社 | 表示装置および表示装置の制御方法 |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP13196783A patent/JPS6024515A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426300A (en) * | 1987-04-08 | 1989-01-27 | Nissei Build Kogyo Kk | System for reserving to go out of garage of parking device in housing complex or the like |
| JPS6423399A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Parking facility managing system |
| US5534489A (en) * | 1989-05-19 | 1996-07-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating oxide superconducting films by laser deposition |
| JP2017211428A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 日産自動車株式会社 | 表示装置および表示装置の制御方法 |
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