JPS60244106A - Current mirror circuit - Google Patents

Current mirror circuit

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JPS60244106A
JPS60244106A JP59098515A JP9851584A JPS60244106A JP S60244106 A JPS60244106 A JP S60244106A JP 59098515 A JP59098515 A JP 59098515A JP 9851584 A JP9851584 A JP 9851584A JP S60244106 A JPS60244106 A JP S60244106A
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JP
Japan
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transistor
npn
collector
current
pnp
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Application number
JP59098515A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Haga
満 芳賀
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/265Current mirrors using bipolar transistors only

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Abstract

PURPOSE:To decide accurately a constant current by securing the coincidence between the reference current value and the current value of an output mirror after obtaining the coincidence between the collector voltage levels of two differential NPN transistors. CONSTITUTION:The voltage equivalent to the collector voltage of the 2nd PNP transistors TRQ24-Q2n is applied to a reference voltage terminal 22. Thus the base of the 2nd NPN TRQ22 is set at the same potential of the base of the 1st NPN TRQ23. Therefore the collector voltage of the 1st TRQ21, i.e., the base potential of the TRQ22 is coincident with the collector voltage used to TRs Q24-Q2n by applying the voltage equivalent to the collector voltage of the TRs Q24-Q2n to the terminal 22.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) この発明は、集積回路におけるカレントミラー回路に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a current mirror circuit in an integrated circuit.

(従来技術) 従来、送シ出し型(電流ドライブ出力を有するもの)の
カレントミラー回路は、集積回路において非常によく使
用されているが、一般に定電流特性が非常に悪いラテラ
ル構造のPNP型トランジスタを使用せざる得ないため
、基準電流値と出力ミラー電流値に差が生じ、正確な定
電流値を規定しにくいという欠点があった。
(Prior art) Current mirror circuits of the feed-out type (having a current drive output) have been very commonly used in integrated circuits, but they are generally made of PNP transistors with a lateral structure that have very poor constant current characteristics. This has the disadvantage that there is a difference between the reference current value and the output mirror current value, making it difficult to specify an accurate constant current value.

この点を詳述すると、第2図は従来の送シ出し型のカレ
ントミラー回路全示し、11は電源端子、Qll〜QI
Hはラテラル構造のPNP型トランシ“スタ、■は基準
電流、■′は出力ミラー電流である。
To explain this point in detail, FIG. 2 shows the entire conventional feed-out type current mirror circuit, in which 11 is a power supply terminal, Qll to QI
H is a PNP transistor with a lateral structure, ■ is a reference current, and ■' is an output mirror current.

また、第3図は、一般に集積回路に使用されるラテラル
構造のPNP型トランジスタのコレクタ電流ICの飽和
電流特性である。この図のように、ラテラル構造のP 
N’P型トランジスタは、コレクタ電流rcの飽和電流
特性が悪く、コレクターエミッタ間電圧VCEによって
コレクタ電流Icが大幅に変化する。
Furthermore, FIG. 3 shows the saturation current characteristics of the collector current IC of a PNP transistor with a lateral structure generally used in integrated circuits. As shown in this figure, P of the lateral structure
The N'P type transistor has poor saturation current characteristics of the collector current rc, and the collector current Ic changes significantly depending on the collector-emitter voltage VCE.

したがって、本来カレントミラー回路においては基準電
流I−出出足ミラー電流′でなければならないが、第2
図のような従来の回路においては、PNP型トランジス
タQssのコレクタ電圧力、電源端子]1の電圧よりV
nv(ペース・エミッタ間電圧)2段分下がった電位°
にクランプされるので、これとPNP型トランジスタ。
Therefore, originally in a current mirror circuit, the reference current I must be minus the output mirror current', but the second
In the conventional circuit shown in the figure, the collector voltage of the PNP transistor Qss is lower than the voltage at the power supply terminal 1 by V
nv (pace-emitter voltage) potential decreased by two steps °
Since it is clamped to, this and a PNP type transistor.

13〜Qinのコレクタ電位が同電位である場合以外は
I = I’が成り立たなくなる。
I=I' does not hold unless the collector potentials of 13 to Qin are at the same potential.

なお、以上のような従来に関する文献としては、アナロ
グ集積回路(近代科学社)4章、定電流段が挙げられる
Incidentally, examples of literature related to the above-mentioned conventional circuit include Analog Integrated Circuit (Kinda Kagakusha), Chapter 4, Constant Current Stage.

(発明の目的) この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、基準電流値と出方ミラー電流値とを一致させ、定電流
値を正確に決定できるようにすることにある。
(Object of the invention) This invention was made in view of the above points, and its purpose is to match the reference current value and the output mirror current value so that the constant current value can be determined accurately. .

(発明の概要) この発明の要点は、一般に集積回路で使用される送シ出
しくソース)型のカレントミラー回路に、差動動作をす
るNPN型のトランジスタを2つ設けることによシ、基
準電流値と出刃ミラー電流値とを一致させることにある
(Summary of the Invention) The main point of the present invention is to provide a standard current mirror circuit by providing two NPN transistors that perform differential operation in a current mirror circuit of the type that is generally used in integrated circuits. The purpose is to match the current value and the blade mirror current value.

(実施例) 以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図はこの発明の一実施例を示す回路図である。この図
において、2Iけ電源電圧端子で、この端子21に第1
のPNP型トランシ9スタ。2゜のエミッタが接続され
る。この第1のPNP型トランジスタQ21のエミッタ
には、複数の第2のPNP型トランジスタQ!4〜Q2
nのエミッタカ共通接続される。また、第2のPNP型
トランシ゛スタQ24〜Q2nのペースが第1のPNP
型トランソスタQ21のペースに接続されている。この
第1と第20PNP型トランジスl’ Q21 r Q
10〜Qn ノペース接続点には、第1のNPN型トラ
ンジスタQ2mのコレクタが接続され、この第1のNP
N型トランジスタQ12sのペースに基準電圧端子22
に接続される。また、第1のNPN型トランジスタQa
sのエミッタに第2のNPN型トランジスタQ22のエ
ミッタが接続されている。この第1と第2のNPN型ト
ランジスタQza l Q22のエミッタ接続点と接地
間には電流源23が接続される。また、前記第2のNP
NPNPトランジスタQ22コレクタが前記電源電圧端
子21に接続される一方、ベースカ前記第1のPNP型
トランジスタQ21のコレクタに接続される。
(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. In this figure, there are 2I power supply voltage terminals, and the first terminal is connected to this terminal 21.
PNP type transistor 9 star. A 2° emitter is connected. The emitter of the first PNP transistor Q21 is connected to a plurality of second PNP transistors Q! 4~Q2
n emitters are commonly connected. Further, the pace of the second PNP type transistors Q24 to Q2n is the same as that of the first PNP type transistor.
It is connected to the pace of type transostor Q21. These first and 20th PNP type transistors l' Q21 r Q
The collector of the first NPN transistor Q2m is connected to the node No. 10 to Qn, and the collector of the first NPN transistor Q2m is connected to the
Reference voltage terminal 22 is connected to the pace of N-type transistor Q12s.
connected to. In addition, the first NPN transistor Qa
The emitter of the second NPN transistor Q22 is connected to the emitter of the transistor Q22. A current source 23 is connected between the emitter connection point of the first and second NPN transistors Qzal Q22 and ground. Further, the second NP
The collector of the NPNP transistor Q22 is connected to the power supply voltage terminal 21, while the base of the transistor Q22 is connected to the collector of the first PNP transistor Q21.

このように構成された回路の動作を説明する。The operation of the circuit configured in this way will be explained.

この回路においては、基準電圧端子22に、第2のPN
P型トランジスタQ24〜Q2nで使われるコレクタ電
圧と同等の電圧を印加する。
In this circuit, a second PN is connected to the reference voltage terminal 22.
A voltage equivalent to the collector voltage used in P-type transistors Q24 to Q2n is applied.

一方、この回路においては、第1のNPN型トランジス
タQ2sのエミッタと第2のNPN型トランジスタQ2
2のエミッタが互いに接続されているので、第2のNP
N型トランジスタQzzの斗−スJ−笛1のNpN泪1
にランυフ々亀−のR−ブシ;面電位になるように動作
する。よって、前述のように、第2のPNP型トランジ
スタQxa〜Q2nで使われるコレクタ電圧と同等の電
圧を基準電圧端子22に印加しておけば、第2のNPN
型トランソスタQzzのペース電位すなわち第1のPN
P型トランジスタQ21のコレクタ電圧を、第2のPN
P型トランジスタQ!4〜Qznで使用されるコレクタ
′電圧と一致させることができる。
On the other hand, in this circuit, the emitter of the first NPN transistor Q2s and the second NPN transistor Q2s
Since the two emitters are connected to each other, the second NP
N-type transistor Qzz doo-su J-whistle 1 NpN tear 1
The R-brush of the run υ is operated so that the surface potential becomes the same. Therefore, as described above, if a voltage equivalent to the collector voltage used in the second PNP transistors Qxa to Q2n is applied to the reference voltage terminal 22, the second NPN
The pace potential of the type transoster Qzz, that is, the first PN
The collector voltage of the P-type transistor Q21 is set to the second PN
P-type transistor Q! 4 to Qzn can match the collector' voltage used.

また、第1のPNP型トランジスタQ21ト第2のPN
P型トランジスタQ24〜Qznのペースとエミッタが
各々共通であるから、これらトランジスタQ21 r 
Q24〜Q2nの構造が等しいとすれば同一バイアスと
なる。
In addition, the first PNP transistor Q21 and the second PNP transistor Q21
Since the pace and emitter of the P-type transistors Q24 to Qzn are common, these transistors Q21 r
If the structures of Q24 to Q2n are the same, they will have the same bias.

したがって、第1および第2のNPN型トランジスタQ
23 、 Q22をパーティカル構造で作力、それゆえ
電流利得が高いことから第1および第2のNPN型トラ
ンジスタQ23 + Qzzのベース電流を無視すれば
、第1図の回路においてはI = I’の式(Iは第1
のPNP型トランシ“スタQ2□を介して流れる基珈雷
流+ I’けM!、2のPNP刑トランジスタ(h4〜
Q2n t”介して流れる出力ミラー電流)が成夕立ち
、I′の電流値の決定がしやすくなる。
Therefore, the first and second NPN transistors Q
23. Since Q22 has a particle structure and therefore has a high current gain, if the base currents of the first and second NPN transistors Q23 + Qzz are ignored, in the circuit of Fig. 1, I = I'. (I is the first
The fundamental current flowing through the PNP transistor Q2□+ I'keM!,
The output mirror current flowing through Q2n t'' is established, making it easier to determine the current value of I'.

なお、上記動作のための条件としては、下記不等式(1
)を満足しなければならない。
Note that the conditions for the above operation are the following inequality (1
) must be satisfied.

Xn II>□ ・・・・・・(1) βp ここで、IIは第1および第2のNPN型トランジスタ
Qza r Qzzの共通エミッタ部電流源23の電゛
流、Iけ基準電流値、nは定電流源の個数(図で説明す
ると、PNP型トランジスタQ211Q24〜Qznの
個数)、βpは定電流源用PNP型トランジスタの電流
利得である。
Xn II>□ ...(1) βp Here, II is the current of the common emitter current source 23 of the first and second NPN transistors Qza r Qzz, I is the reference current value, n is the number of constant current sources (to explain with a diagram, the number of PNP transistors Q211Q24 to Qzn), and βp is the current gain of the PNP transistor for the constant current source.

また、第1図の回路において、第1および第2のNPN
型トランジスタQ23r Q22け差動動作をするため
、第2のNPN型トランジスタQzzのコレクタ電流と
第1のNPN型トランジスタQzsめコレクタ電流は等
しい方が望ましい。っまシ、第1のNPN型トランジス
タQzsのコレクタ電流をIc33 とすれば、次式(
2)のようになる。
Furthermore, in the circuit of FIG. 1, the first and second NPN
Since the transistors Q23r and Q22 operate differentially, it is desirable that the collector current of the second NPN transistor Qzz and the collector current of the first NPN transistor Qzs be equal. If the collector current of the first NPN transistor Qzs is Ic33, then the following equation (
2).

Xn ■(33=□ ・・・・・・(2) βp よって、第2のNPN型トランシ9スタQizのコレク
タにも同等のコレクタ電流を流すためには、次式(3)
を満足することになる。
Xn ■(33=□ ......(2) βp Therefore, in order to flow the same collector current to the collector of the second NPN transistor 9-star Qiz, the following equation (3) is used.
will be satisfied.

工・=尤王ユ×2 ・・・・・・(3)βp なお、第1図の一実施例では、第1のPNP型トランソ
スタQ21のエミッタが電、源電圧端子21に直結され
ているが、間に抵抗全介在させてもよい。同様に、第2
のPNP型トランシ゛スタ(h4〜Q2nのエミッタと
電源電圧端子21間に抵抗全介在させてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 1, the emitter of the first PNP type transformer Q21 is directly connected to the power source voltage terminal 21. However, it is also possible to completely interpose a resistor between them. Similarly, the second
A resistor may be entirely interposed between the emitters of PNP type transistors (h4 to Q2n and the power supply voltage terminal 21).

また、第2のPNP型トランシ゛スタは少なくとも1つ
めればよい。
Furthermore, it is sufficient to provide at least one second PNP type transistor.

(発明の効果) 以上詳述したように、この発明のカレントミラー回路に
よれば、差動動作する2つのNPN型トランシ゛スタを
設けて、基準電流を得るためのPNP型トランソスタの
コレクタ電圧と、出力ミラー電流ヲ得るためのPNP型
トランシ9スタで使用されるコレクタ電圧とを一致させ
るようにしたので、基準電流値と出力ミラー電流値上一
致させることができ、定電流全正確に決定することカニ
できる。
(Effects of the Invention) As detailed above, according to the current mirror circuit of the present invention, two NPN type transistors that operate differentially are provided, and the collector voltage of the PNP type transistor for obtaining a reference current and the output Since the collector voltage used in the PNP type transistor 9 to obtain the mirror current is made to match, the reference current value and the output mirror current value can be matched, making it possible to accurately determine the constant current. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明のカレントミラー回路の一実施例を示
す回路図、第2図は従来のカレントミラー回路の回路図
、第3図はラテラル構造のPNP型トラ/ジヌタのコレ
クタ電流の飽和電流特性図である。 21・・・電源電圧端子、22・・・基準電圧端子、2
3・・・電流源、Q21・・・第1のPNP型トランシ
“スタ、Qzz・・・第2のNPNWトランジスタ、Q
2m・・・第1のNPN型ト;ンジスタ、Q23〜Q2
n・・・第2のPNP型トランシ“スタ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第1図 第2図 第3図 ic
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the current mirror circuit of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of a conventional current mirror circuit, and Fig. 3 is the saturation current of the collector current of a lateral structure PNP type tiger/jinuta. It is a characteristic diagram. 21...Power supply voltage terminal, 22...Reference voltage terminal, 2
3... Current source, Q21... First PNP type transistor, Qzz... Second NPNW transistor, Q
2m...first NPN type transistor, Q23~Q2
n...Second PNP type transistor. Patent applicant Oki Electric Industry Co., Ltd. Figure 1 Figure 2 Figure 3 ic

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] エミッタを電源に接続した第1のPNP型ト長ンジスタ
と、この第1のPNP型トランシ9スタの・エミッタに
エミッタが接続され、かつ第1のPNP型トランジスタ
のペースにペースが接続された少なくとも1つの第2の
PNP型トランジスタと、この第2のPNP型トランジ
スタと前記第1のPNP型トランシ9スタのペース接続
点にコレクタが接続され、ペースに基準電圧が印加され
る第1のNPN型トランジスタと、この第1のNPNP
NPトランジスタミッタにエミッ、りが接続される一方
、コレクタが前記電源に接続され、さらにペースが前記
第1のPNP型トランジスタのコレクタに接続された第
2のNPN型トランジスタと、この第2のNPN型トラ
ンジスタと前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ
接続点と接地間に接続された電流源とを具備してなるカ
レントミラー回路。
a first PNP transistor whose emitter is connected to a power supply; and at least one transistor whose emitter is connected to the emitter of the first PNP transistor and whose pace is connected to the pace of the first PNP transistor. one second PNP transistor, a first NPN transistor whose collector is connected to a pace connection point between the second PNP transistor and the first PNP transistor, and a reference voltage is applied to the pace; transistor and this first NPNP
a second NPN type transistor having an emitter connected to the NP transistor emitter, a collector connected to the power supply, and a second NPN transistor having a conductor connected to the collector of the first PNP transistor; A current mirror circuit comprising a current source connected between an emitter connection point of the first NPN transistor and ground.
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