JPS6023864Y2 - プツシング

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【考案の詳細な説明】本考案は密封容器内に絶縁ガスを封入したガスしゃ断器
に使用される特に導体を改良したブッシングに関するも
のである。

従来のブッシング導体は、充電部である上部フランジの
中心部に、アルミ製の管状の導体を溶接するためのイン
ローをもったボスがある。

導体にもインローがあり、インローが嵌め合いとなって
溶接個所でアーク溶接されている。

導体の逆の端部は接触子に接触している。

導体の外側には、導体と同軸上に碍子がある。

碍子の上部には、アルミの材質でできているフランジが
あり、絶縁物でてきている碍子とフランジはセメンティ
ング部により接着されている。

フランジと上部フランジはボルトで締め付けら、れ、導
体を碍子に固着する。

碍子の下端にはフランジがあり、接地されたＳＦ６ガス
を密封した容器のフランジとボルトの締めにより固定さ
れている。

然るに従来のブッシングはアルミのブッシング導体の径
が大きいので碍子の電界が苛酷となり、電界制御用のシ
ールドを取付るため、経済的に不利である。

又、アルミの導体の代りに銅の導体を使用した場合には
、これによると導体の重さが非常に増加し、しゃ断器の
碍子の頭に地震時より大きな荷重がかかることにより碍
子の根元に大きな応力が発生し、碍子の根元を太くする
必要があり経済的に不利であるなどの不具合があった。

本考案はブッシング導体の上部をアルミニウムの管で形
成し、下部を銅の管で形成し、抵抗が少なく軽い導体と
したブッシングを得ることを目的とする。

本考案の一実施例を第１図及び第２図に示す。

充電部である上部フランジ１の中心部には、導体の上部
がアルミの管で形成された導体３、下部が銅の管で形成
された導体４を溶接するボス２がある。

上部導体と下部導体は異質材の溶接に適した溶接、例え
ば高エネルギー溶接（レーザービーム、電子ビーム）で
突合せ溶接１０をする。

導体とボス２も突合せ溶接をする。

これにより、導体は上部フランジ１に固定される。

導体の外側には、同軸上に碍子５がある。

碍子の上部には、アルミの材質でできているフランジ６
があり、絶縁物でできている碍子５とフランジ６はセメ
ンティング部７により接着されている。

フランジ６と上部フランジ１はボルト８により締め付け
、導体を固定する、碍子の下端には図示されていないフ
ランジがあり、接地されたＳＦ６ガス密封容器のフラン
ジとボルトにて締め付けられ、碍子を固定している。

充電部の上部フランジ１と容器は碍子５により絶縁され
ている。

本考案のように上部がアルミの管、下部が銅の管であれ
ば、アルミ一本の導体に比較して、電気抵抗が減るため
、通電時の導体の発熱を少なくできるため導体を太くす
る必要がない。

又銅一本の導体に比べて、導体の重量が軽くなり、且つ
重心が下がるため、地震に対して碍子の根元の応力が減
り、碍子を強化する必要がない。

又溶接部に高エネルギー溶接を使用するため、熱影響が
少なく歪が小さく、溶込み深さが調整できるため内側に
ビードを出さなくてすむので、突合せ溶接ができ、溶接
部の通電容量を減らさない。

又電蝕防止のため、アルミの上部フランジに対して、導
体の上部はアルミであるから溶接が簡単にできる。

以上本考案により、上部アルミ下部鋼の異材を高エネル
ギー溶接で突合せした導体を得ることにより、熱特性、
耐震性能のすぐれたブッシングを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示すブッシング導体の断面
図、第２図は第１図の矢視“°Ｘ゛°部の拡大断面図で
ある。１・・・・・・上部フランジ、２・・・・・・ボス、３
・・・・・・導体、４・・・・・・導体、５・・・・・
・碍子、６フランジ、７・・・・・・セメンティング部
、訃・・・・・ボルト。

【実用新案登録請求の範囲】