JPS6328517Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6328517Y2 JPS6328517Y2 JP1982112610U JP11261082U JPS6328517Y2 JP S6328517 Y2 JPS6328517 Y2 JP S6328517Y2 JP 1982112610 U JP1982112610 U JP 1982112610U JP 11261082 U JP11261082 U JP 11261082U JP S6328517 Y2 JPS6328517 Y2 JP S6328517Y2
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- JP
- Japan
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- insulator
- vacuum container
- container
- voltage
- high vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 43
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はイオンビーム加速装置等の高真空容器
内に正極性の直流高電圧を導入する場合のイオン
ビーム装置等における高圧導入碍子に関する。
内に正極性の直流高電圧を導入する場合のイオン
ビーム装置等における高圧導入碍子に関する。
一般にイオンビーム加速装置等の高真空容器内
に正極性の高電圧を導入する場合には、第１図の
様な構造とする場合が多い。図において、１は芯
線１ａ及び絶縁被覆１ｂで構成された高圧導入用
ケーブルで、該ケーブル１はナツト２及びＯリン
グ３により気密を保持されて押え金具４及び絶縁
体５を貫通して、例えば、接地電位に保たれた高
真空容器６内に導入されている。７は絶縁碍子
で、該絶縁碍子７を高圧ケーブル１内の芯線１ａ
に接続された高圧端子８が貫通しており、その先
端は絶縁碍子７より僅かに突出している。９は例
えば静電型対物レンズ用の高圧受電端子であり、
該高圧端子８は本図では図示しない内部に設けら
れたスプリングによつて常に高圧受電端子９を押
圧して接触している。１０は押え金具４を高真空
容器６に取り付けるための締付けネジであり、１
１は押え金具４を高真空容器６に取り付けた場合
に真空を保持するためのＯリングである。
に正極性の高電圧を導入する場合には、第１図の
様な構造とする場合が多い。図において、１は芯
線１ａ及び絶縁被覆１ｂで構成された高圧導入用
ケーブルで、該ケーブル１はナツト２及びＯリン
グ３により気密を保持されて押え金具４及び絶縁
体５を貫通して、例えば、接地電位に保たれた高
真空容器６内に導入されている。７は絶縁碍子
で、該絶縁碍子７を高圧ケーブル１内の芯線１ａ
に接続された高圧端子８が貫通しており、その先
端は絶縁碍子７より僅かに突出している。９は例
えば静電型対物レンズ用の高圧受電端子であり、
該高圧端子８は本図では図示しない内部に設けら
れたスプリングによつて常に高圧受電端子９を押
圧して接触している。１０は押え金具４を高真空
容器６に取り付けるための締付けネジであり、１
１は押え金具４を高真空容器６に取り付けた場合
に真空を保持するためのＯリングである。
ところで、この様に構成された従来の高圧導入
碍子では高真空容器６と絶縁碍子７との真空側接
触面に微小間隙が形成されている。このため、高
真空容器〜微小間隙〜絶縁碍子面が所謂トリプル
ジヤンクシヨン（Triple Junction）を構成し、
この微小間隙に電界が集中し、負電位である高真
空容器６と絶縁碍子７との接触面より電界放出電
子にもとずく微少放電が発生し真空絶縁を悪くす
る。第２図は従来装置の電位分布の概略を示した
もので、図に示す様に高真空容器６と絶縁碍子７
の接触面近傍の電界集中度が高く、従つてトリプ
ルジヤンクシヨンの微小間隙の電界強度も高くな
り、電界放出電子による微少放電の発生率が非常
に高くなる。ところで、この電位分布は、絶縁物
の絶縁抵抗にもとずく抵抗回路網により電位の分
布が決定されるが、いま第２図のＡ部分について
のみ考案すると、正極の高電圧が印加された芯線
１ａから絶縁被覆１ｂ、絶縁体５、絶縁碍子７、
高真空容器６へと有限の固有抵抗を有する絶縁物
を流れる漏洩電流i1〜i6は第３図の様に流れる。
ここで、絶縁碍子７の容器６の対向する面は第３
図の様にミクロ的にみると凹凸が無数にあり、容
器６に直接接触している部分や、微小間隙によつ
て容器６に接触していない部分がある。このた
め、高真空容器６への漏洩電流i1〜i6は芯線側に
最も近い接触点を通じて流れる。この為、第３図
の微小間隙Ｇには高真空容器６が陰極となる通常
数1000Å以下の大小の微小突起が無数にあるた
め、微小突起により電界放出電子が発生する。こ
の電界放出電子は絶縁碍子７の近傍の電界で加速
され微少放電から沿面放電へと移向する。ところ
で、この様なトリプルジヤンクシヨンがあつても
微小間隙Ｇに電界を集中しない様にするには、絶
縁碍子の形状を変えて、該絶絶縁碍子と接地電位
である高真空容器６との接触部分での電位差をな
くすことによつて防止することができる。
碍子では高真空容器６と絶縁碍子７との真空側接
触面に微小間隙が形成されている。このため、高
真空容器〜微小間隙〜絶縁碍子面が所謂トリプル
ジヤンクシヨン（Triple Junction）を構成し、
この微小間隙に電界が集中し、負電位である高真
空容器６と絶縁碍子７との接触面より電界放出電
子にもとずく微少放電が発生し真空絶縁を悪くす
る。第２図は従来装置の電位分布の概略を示した
もので、図に示す様に高真空容器６と絶縁碍子７
の接触面近傍の電界集中度が高く、従つてトリプ
ルジヤンクシヨンの微小間隙の電界強度も高くな
り、電界放出電子による微少放電の発生率が非常
に高くなる。ところで、この電位分布は、絶縁物
の絶縁抵抗にもとずく抵抗回路網により電位の分
布が決定されるが、いま第２図のＡ部分について
のみ考案すると、正極の高電圧が印加された芯線
１ａから絶縁被覆１ｂ、絶縁体５、絶縁碍子７、
高真空容器６へと有限の固有抵抗を有する絶縁物
を流れる漏洩電流i1〜i6は第３図の様に流れる。
ここで、絶縁碍子７の容器６の対向する面は第３
図の様にミクロ的にみると凹凸が無数にあり、容
器６に直接接触している部分や、微小間隙によつ
て容器６に接触していない部分がある。このた
め、高真空容器６への漏洩電流i1〜i6は芯線側に
最も近い接触点を通じて流れる。この為、第３図
の微小間隙Ｇには高真空容器６が陰極となる通常
数1000Å以下の大小の微小突起が無数にあるた
め、微小突起により電界放出電子が発生する。こ
の電界放出電子は絶縁碍子７の近傍の電界で加速
され微少放電から沿面放電へと移向する。ところ
で、この様なトリプルジヤンクシヨンがあつても
微小間隙Ｇに電界を集中しない様にするには、絶
縁碍子の形状を変えて、該絶絶縁碍子と接地電位
である高真空容器６との接触部分での電位差をな
くすことによつて防止することができる。
本考案は以上の点に鑑みてなされたもので、導
電性真空容器の壁を貫通する絶縁碍子の中心部に
設けられた導線によつて、該絶縁碍子端部の真空
側の端子に、上記導電性容器に対して正の電位が
与えられる装置において、上記絶縁碍子の一部を
折り返し、該折り返し部と上記導電性容器壁が真
空側で接合される様に成したことを特徴としてい
る。
電性真空容器の壁を貫通する絶縁碍子の中心部に
設けられた導線によつて、該絶縁碍子端部の真空
側の端子に、上記導電性容器に対して正の電位が
与えられる装置において、上記絶縁碍子の一部を
折り返し、該折り返し部と上記導電性容器壁が真
空側で接合される様に成したことを特徴としてい
る。
以下本考案の一実施例を添付図面に基づき詳述
する。
する。
第４図は本考案の一実施例を示す断面図であ
る。第１図と同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。図中２０として本考案に基づく
絶縁碍子の形状の一実施例を示す。第４図に示す
ように、高真空容器６と該絶縁碍子２０の接合部
が電位差の発生しない個所になる様に絶縁碍子２
０の高真空容器６に接触する部分を折り返し屈曲
させた構造としてある。つまり、第５図に示す様
に芯線１ａの表面から絶縁被覆１ｂ、絶縁体５、
絶縁碍子７を流れる漏洩電流は、例えば第５図に
示す如くi1〜i8の様になる。これらの漏洩電流は
高真空容器６と絶縁碍子７の接合面Ｂには流れ
ず、又この様な形状とした場合には、第６図に示
す如く接合面Ｂ近傍の電位分布は比較的に疎の分
布となつているため、接合面Ｂがたとえトリプル
ジヤンクシヨンを構成していても、微小間隙Ｇに
は電位差が生ずることはなく、従つて電界放出電
子が発生せず微少放電を起こすことはない。その
ため、真空絶縁破壊による沿面放電の発生を防止
することができる。
る。第１図と同一部分には同一符号を付してその
説明を省略する。図中２０として本考案に基づく
絶縁碍子の形状の一実施例を示す。第４図に示す
ように、高真空容器６と該絶縁碍子２０の接合部
が電位差の発生しない個所になる様に絶縁碍子２
０の高真空容器６に接触する部分を折り返し屈曲
させた構造としてある。つまり、第５図に示す様
に芯線１ａの表面から絶縁被覆１ｂ、絶縁体５、
絶縁碍子７を流れる漏洩電流は、例えば第５図に
示す如くi1〜i8の様になる。これらの漏洩電流は
高真空容器６と絶縁碍子７の接合面Ｂには流れ
ず、又この様な形状とした場合には、第６図に示
す如く接合面Ｂ近傍の電位分布は比較的に疎の分
布となつているため、接合面Ｂがたとえトリプル
ジヤンクシヨンを構成していても、微小間隙Ｇに
は電位差が生ずることはなく、従つて電界放出電
子が発生せず微少放電を起こすことはない。その
ため、真空絶縁破壊による沿面放電の発生を防止
することができる。
以上本考案を詳述したが、本考案に基づく高圧
導入碍子は所謂トリプルジヤンクシヨンによる微
小放電及び沿面放電を防止すると共に、斯種装置
におけるこれらに起因する故障を大幅に減少させ
ることができる。尚本考案は上述した実施例に限
定されるものではなく、本実施例においては絶縁
碍子と高真空容器との接合部を逆Ｕ溝状としたが
ヘアピン状又は傘状としてもよい。
導入碍子は所謂トリプルジヤンクシヨンによる微
小放電及び沿面放電を防止すると共に、斯種装置
におけるこれらに起因する故障を大幅に減少させ
ることができる。尚本考案は上述した実施例に限
定されるものではなく、本実施例においては絶縁
碍子と高真空容器との接合部を逆Ｕ溝状としたが
ヘアピン状又は傘状としてもよい。
第１図は従来装置の高圧導入碍子の断面図、第
２図は従来装置の電位分布の概略図、第３図は従
来装置の高圧導入碍子と真空容器との接合部の拡
大図、第４図は本考案による高圧導入碍子の一実
施例を示す図、第５図は本考案による高圧導入碍
子の漏洩電流を説明するための図、第６図は本考
案よる高圧導入碍子の一実施例の電位分布の概略
図である。 １……高圧ケーブル、２……ナツト、３……Ｏ
リング、４……押え金具、５……絶縁体、６……
高真空容器、７……絶縁碍子、８……高圧端子、
９……高圧受電端子、１０……締付けネジ、１１
……Ｏリング、２０……絶縁碍子。
２図は従来装置の電位分布の概略図、第３図は従
来装置の高圧導入碍子と真空容器との接合部の拡
大図、第４図は本考案による高圧導入碍子の一実
施例を示す図、第５図は本考案による高圧導入碍
子の漏洩電流を説明するための図、第６図は本考
案よる高圧導入碍子の一実施例の電位分布の概略
図である。 １……高圧ケーブル、２……ナツト、３……Ｏ
リング、４……押え金具、５……絶縁体、６……
高真空容器、７……絶縁碍子、８……高圧端子、
９……高圧受電端子、１０……締付けネジ、１１
……Ｏリング、２０……絶縁碍子。
Claims (1)
- 導電性真空容器６の壁を貫通する絶縁碍子２０
の中心部に設けられた導線１ａによつて、該絶縁
碍子端部の真空側の端子に、上記導電性真空容器
６に対して正の電位が与えられる装置において、
上記絶縁碍子２０の一部を空間を開けて折り返
し、該折り返した先端部が上記導電性真空容器６
の真空側の壁の一部と接合される様に成したこと
を特徴とするイオンビーム装置等における高圧導
入碍子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261082U JPS5917552U (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | イオンビ−ム装置等における高圧導入碍子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261082U JPS5917552U (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | イオンビ−ム装置等における高圧導入碍子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917552U JPS5917552U (ja) | 1984-02-02 |
| JPS6328517Y2 true JPS6328517Y2 (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=30260996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11261082U Granted JPS5917552U (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | イオンビ−ム装置等における高圧導入碍子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917552U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022244054A1 (ja) * | 2021-05-17 | 2022-11-24 | 株式会社日立ハイテク | 高電圧絶縁構造体、荷電粒子銃および荷電粒子ビーム装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439974U (ja) * | 1977-08-24 | 1979-03-16 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP11261082U patent/JPS5917552U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439974U (ja) * | 1977-08-24 | 1979-03-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917552U (ja) | 1984-02-02 |
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