JPS60237864A - 高電圧サイリスタ変換装置 - Google Patents
高電圧サイリスタ変換装置Info
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- JPS60237864A JPS60237864A JP59093499A JP9349984A JPS60237864A JP S60237864 A JPS60237864 A JP S60237864A JP 59093499 A JP59093499 A JP 59093499A JP 9349984 A JP9349984 A JP 9349984A JP S60237864 A JPS60237864 A JP S60237864A
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- sealed container
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/112—Mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は交直′Ｒ撲所等に使用される尚電圧サイリスタ
変換装置に関するものである。
変換装置に関するものである。
ｒ ｚｔ二＃ ＡＧ ）
第１図は本発明が対象としている高電圧サイリスタ変換
装置の結線図であり、又流上＃帆Ｌ（Ｅ！＋。
装置の結線図であり、又流上＃帆Ｌ（Ｅ！＋。
ＦＴ）から供給される交流全ブリッジ接続のパルプ（Ｕ
）〜（Ｚ） ’に介して直流に変換し７ｃり、又直流ｍ
線（Ｐ）。
）〜（Ｚ） ’に介して直流に変換し７ｃり、又直流ｍ
線（Ｐ）。
（６））から供給きれる直流を交流に変換する。
（ＬＡＩ）〜（ＬＡＢ）は避宙話（アレスタ）で、バル
ブ（Ｕ）〜（Ｚ）の各々ｔｓ′電圧から保護する為にブ
リッジ接続の谷パルプ（Ｕ）〜（Ｚ）に並列接続される
。
ブ（Ｕ）〜（Ｚ）の各々ｔｓ′電圧から保護する為にブ
リッジ接続の谷パルプ（Ｕ）〜（Ｚ）に並列接続される
。
高電圧サイリスタ変換装置を構成するバルブ（Ｕ）〜（
局の各々は第２図に示すように複数のサイリスタ素子（
Ｓり〜（ｓｎ） とこれに付属するアノードリアクトル
（ＡＬ）及び抵抗器やコンデンサ等から成るブイリスタ
モジュール（ｓｍ）？！：、、第３１の如く、所用個数
だけ絶縁支柱ｔＢｌ ｆｆｉ用いて撓み重ねて構成され
る。
局の各々は第２図に示すように複数のサイリスタ素子（
Ｓり〜（ｓｎ） とこれに付属するアノードリアクトル
（ＡＬ）及び抵抗器やコンデンサ等から成るブイリスタ
モジュール（ｓｍ）？！：、、第３１の如く、所用個数
だけ絶縁支柱ｔＢｌ ｆｆｉ用いて撓み重ねて構成され
る。
第４図は促米：ＰＩ７．術におけるこれらのサイリスタ
パルプの具体的配置の一例でバルブ６アームで構成され
る整飾ブリッジのうちの８ア一ム分を表わしている。
パルプの具体的配置の一例でバルブ６アームで構成され
る整飾ブリッジのうちの８ア一ム分を表わしている。
プＩＪツジ５ｒｔＩ＆成するノ（ルプｆＵｌ 、 Ｍ
、 ＩＷＩけ−各々異なった密封容器に収納され気中の
じんあいから保護されている。こ几らの密封容器の内部
には絶縁性能を尚めるために通常絶縁油や絶縁ガスが封
入されることが多い◎そして、これらのパルプにｒｉ父
流母線ｔ”） Ｉ ｔＥｌ） −（Ｔ）及び直流母ｄ
（Ｐ）に接続されパルプと並列に、パルプを保護するだ
めの避電器（ＬＡＩ ） 、 （Ｌｊｌ ） 、 （Ｌ
ｉ２ ）が接続される〇 このようにブリッジを構成する谷バルブ（Ｕ） ｆｆ）
ｆｆ）を異なる密封容器に収納する従来のプイリスタ
質換装置においては、第４図に示すようにその配置構成
が大形化し、突流母線や直流母線が複雑に交鎖するため
、文直変換所の敷地面積ｔより一層細小化する上での問
題点となっていた。
、 ＩＷＩけ−各々異なった密封容器に収納され気中の
じんあいから保護されている。こ几らの密封容器の内部
には絶縁性能を尚めるために通常絶縁油や絶縁ガスが封
入されることが多い◎そして、これらのパルプにｒｉ父
流母線ｔ”） Ｉ ｔＥｌ） −（Ｔ）及び直流母ｄ
（Ｐ）に接続されパルプと並列に、パルプを保護するだ
めの避電器（ＬＡＩ ） 、 （Ｌｊｌ ） 、 （Ｌ
ｉ２ ）が接続される〇 このようにブリッジを構成する谷バルブ（Ｕ） ｆｆ）
ｆｆ）を異なる密封容器に収納する従来のプイリスタ
質換装置においては、第４図に示すようにその配置構成
が大形化し、突流母線や直流母線が複雑に交鎖するため
、文直変換所の敷地面積ｔより一層細小化する上での問
題点となっていた。
〔発明の概要〕
この発明は上記のような従来のものの欠点に鑑みて成さ
れたもので、その目的とするとＯろは、同一の直流４性
側に接続される谷８アーム分のパルプ及び避′ｍ器をそ
れぞれ単一の密封容器内に収納して高電圧サイリスタ変
換装置を構成することＩＣより父直変換所の敷地面積の
より一層の縮小化と、ｆ換所構成の簡素化を計ることに
ある。
れたもので、その目的とするとＯろは、同一の直流４性
側に接続される谷８アーム分のパルプ及び避′ｍ器をそ
れぞれ単一の密封容器内に収納して高電圧サイリスタ変
換装置を構成することＩＣより父直変換所の敷地面積の
より一層の縮小化と、ｆ換所構成の簡素化を計ることに
ある。
以ｆ１本発明の一夫施例ご第５図、第６図及び第７図全
参照して説明す゛る。第５図は本発明によるパルプを低
面から児た断面図で、ブリッジ？構成するパルプのうち
（Ｕ） 、 （Ｖ） ＊ （ｗ）の８ア一ム分が密封容
器（ＴＡ）内に一括して収納されている。この容器の内
側は例えば絶縁油や絶縁ガスなどの絶縁耐力の高い゛絶
縁性媒体（ＩＮＳ）で満たされており、その結果密封容
器（ＴＡ）とバルブ側、（ｖ）ｔＷ）の間の絶縁キヨＩ
Ｊ を短縮することが可能である。
参照して説明す゛る。第５図は本発明によるパルプを低
面から児た断面図で、ブリッジ？構成するパルプのうち
（Ｕ） 、 （Ｖ） ＊ （ｗ）の８ア一ム分が密封容
器（ＴＡ）内に一括して収納されている。この容器の内
側は例えば絶縁油や絶縁ガスなどの絶縁耐力の高い゛絶
縁性媒体（ＩＮＳ）で満たされており、その結果密封容
器（ＴＡ）とバルブ側、（ｖ）ｔＷ）の間の絶縁キヨＩ
Ｊ を短縮することが可能である。
密封容器（ＴＡ）には枝管状をした開口部（ＢＲＩ）が
設けられており、この開口部（ＢＲＩ）ｆおおうように
絶縁スペーサ（ＳＰＩ）が割封容器（ＴＡ）に収り付け
られている。
設けられており、この開口部（ＢＲＩ）ｆおおうように
絶縁スペーサ（ＳＰＩ）が割封容器（ＴＡ）に収り付け
られている。
この絶縁スペーサ（ＳＰＩ）’ｉ頁通するように三相交
流母線（ｔ’ｔ） ＊ ｔｓ） ＊ ［Ｔ）が三相分一
括化されて密封容器（ＴＡ）の外部から内部へ向って等
ひかれ、アノードリアクトル（ＡＬＩ）、（ＡＬ２）ｓ
（ＡＬ３）’ｉ経由して、パルプｔＵ） Ｉ ＥＶ）
Ｉ （Ｗ）へｉ続されている。
流母線（ｔ’ｔ） ＊ ｔｓ） ＊ ［Ｔ）が三相分一
括化されて密封容器（ＴＡ）の外部から内部へ向って等
ひかれ、アノードリアクトル（ＡＬＩ）、（ＡＬ２）ｓ
（ＡＬ３）’ｉ経由して、パルプｔＵ） Ｉ ＥＶ）
Ｉ （Ｗ）へｉ続されている。
パルプ（Ｕ）、（Ｖ）、（ｗ）の断面は通イ第５図に示
すように方形’ｋ ＩＪｔしているため、これらｔ３１
−八分−へして密封容器（ＴＡ）の内部に設置するとむ
だな空間が生じる。そこでこれらの空間金利用して、薔
バルノ（Ｕ） ｆｆ） （Ｗ）に並列設置する避電器（
ＬＡＩ）、（Ｌｊｌ）、（Ｌｈ８）ｋ図のように配置し
こ几らを接続導体（、ｒ３）、（Ｊｌ）、（Ｊ８）を介
してパルプ（Ｕ） 、 ｆｆ） 、 ｉＷ）に並列接続
する。
すように方形’ｋ ＩＪｔしているため、これらｔ３１
−八分−へして密封容器（ＴＡ）の内部に設置するとむ
だな空間が生じる。そこでこれらの空間金利用して、薔
バルノ（Ｕ） ｆｆ） （Ｗ）に並列設置する避電器（
ＬＡＩ）、（Ｌｊｌ）、（Ｌｈ８）ｋ図のように配置し
こ几らを接続導体（、ｒ３）、（Ｊｌ）、（Ｊ８）を介
してパルプ（Ｕ） 、 ｆｆ） 、 ｉＷ）に並列接続
する。
第６図は上述のようにして構成した３アーム一括杉パル
プの上方より見た平面図、第７図は同じく側面図であり
、いづれも断面を表わしている。
プの上方より見た平面図、第７図は同じく側面図であり
、いづれも断面を表わしている。
＠６図において、（Ｊ４）、（Ｊ５）、（Ｊ６）は、パ
ルプ（Ｕ） 、 （Ｖ） 、 ＦＷ）と避電器（ＬＡＩ
Ｊ、（Ｌｉ２）。
ルプ（Ｕ） 、 （Ｖ） 、 ＦＷ）と避電器（ＬＡＩ
Ｊ、（Ｌｉ２）。
（ｒ、Ａａ）１上方で接続するための接続導体であり、
これらは接続４体（Ｊ７）に一括して連結されて、直流
母線ＣＰ）に接続されている。直流母線ＣＰ）は密封容
器（ＴＡ）に設けられた枝管（ＢＲｓ）及びスペーサ（
ｓＰりｉ貫通して密封容器（ＴＡ）の外部に尋かれてい
る。なお、この技Ｉ＃（ＢＲＩ）は図が明らかなように
任意の方向に設置することが可能で、例えば図中のＱ線
で示すように（ＢＨ３）や（ＢＨ３）の位置に設置して
も差支えない、 （ＣＬ）は密封容器（ＴＡ）内部の絶
縁媒体（ＩＮＳ）やパルプ（Ｕ） 、、 ｆｆｌ ｅ
（ｗ） ｋ冷却するための冷ｆｉｔ］装置である。
これらは接続４体（Ｊ７）に一括して連結されて、直流
母線ＣＰ）に接続されている。直流母線ＣＰ）は密封容
器（ＴＡ）に設けられた枝管（ＢＲｓ）及びスペーサ（
ｓＰりｉ貫通して密封容器（ＴＡ）の外部に尋かれてい
る。なお、この技Ｉ＃（ＢＲＩ）は図が明らかなように
任意の方向に設置することが可能で、例えば図中のＱ線
で示すように（ＢＨ３）や（ＢＨ３）の位置に設置して
も差支えない、 （ＣＬ）は密封容器（ＴＡ）内部の絶
縁媒体（ＩＮＳ）やパルプ（Ｕ） 、、 ｆｆｌ ｅ
（ｗ） ｋ冷却するための冷ｆｉｔ］装置である。
第７図に示した（工ｐ’ｉ）及び（工Ｐ２）はペース（
ＢＳ）上に一足されたＩＰ３縁支柱で、各パルプ（Ｕ）
（Ｖ） ｆｆ）及び各避電器（ＬＡＩ） 、（ＬＡＮ）
、 （Ｌｉ２．） ’Ｉｉ密封容器（ＴＡ）から絶縁
して支えている。
ＢＳ）上に一足されたＩＰ３縁支柱で、各パルプ（Ｕ）
（Ｖ） ｆｆ）及び各避電器（ＬＡＩ） 、（ＬＡＮ）
、 （Ｌｉ２．） ’Ｉｉ密封容器（ＴＡ）から絶縁
して支えている。
三相交流母線（８）Ｉ （Ｓ） 、 （Ｔ）及び直流母
線ＣＰ）の引出し綱部はブッシングやグープルヘッドに
直伝接続する外に例えば管路気中母線を用いて他の機器
と接続することが可能である。
線ＣＰ）の引出し綱部はブッシングやグープルヘッドに
直伝接続する外に例えば管路気中母線を用いて他の機器
と接続することが可能である。
特に、三相交流母線（Ｅ） 、 （Ｓ） 、 ＦＴ）
ｒｉ三相一括化されているため、交流−の引込み口を三
相一括形の管路気中母線と直接接続することが可能で、
変換所の構成？極めて簡素化し、細小化することができ
る。
ｒｉ三相一括化されているため、交流−の引込み口を三
相一括形の管路気中母線と直接接続することが可能で、
変換所の構成？極めて簡素化し、細小化することができ
る。
なお、密封容器（ＴＡ）内部のパルプ（Ｕ） 、 （Ｖ
） 。
） 。
［）及び避宙１１ｃＬＡｌ）（Ｌｉ２）（Ｌｉ８）の配
置構成は、上記実凡例に現らす、本発明の要旨を変えな
い範囲で種々変形可能であることは言う１でもない◎さ
らに、密封容器（ＴＡ）の断面形状としては図に示した
円形のみならず、だ円形や方形のものを用いることも可
能である。
置構成は、上記実凡例に現らす、本発明の要旨を変えな
い範囲で種々変形可能であることは言う１でもない◎さ
らに、密封容器（ＴＡ）の断面形状としては図に示した
円形のみならず、だ円形や方形のものを用いることも可
能である。
以上説明したように本発明によれば、パルプｔ８アーム
一括化し、かつ並列避萌滲ヲ併わせて同−密封容器内に
収納することによって１％電圧サイリスタ変換装置を構
成したので、交直変換所の敷地面積のより一層の釉小化
と変換所構成の簡素化金計ることがでさる効果がある。
一括化し、かつ並列避萌滲ヲ併わせて同−密封容器内に
収納することによって１％電圧サイリスタ変換装置を構
成したので、交直変換所の敷地面積のより一層の釉小化
と変換所構成の簡素化金計ることがでさる効果がある。
第１図は尚電圧サイリスタ変換装置の結線図、第２図は
そのサイリスタモジュールの結線図、第８図は各パルプ
内部の構成図、＠４因は従来の一畦圧サイリスタ変換装
置の配置図、第５図、第６図及び第７図はこの発明の一
大施における島電圧プイリスタ質換装置のそれぞれ低面
からみた断叩図、上方からみた平面断印図及び側曲断１
図である。図において、（Ｕ） 、 （ｖ） 、 （Ｗ
）はバルブ、（ＬＡＩ）（Ｌｉ２）（Ｌｉ２）は避苗器
、（Ｐ）は直流母線、（ＴＡ）は密封容器である。 なお、図中同一符号は同−丑たは相当部分を示す・ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ｓＴ
そのサイリスタモジュールの結線図、第８図は各パルプ
内部の構成図、＠４因は従来の一畦圧サイリスタ変換装
置の配置図、第５図、第６図及び第７図はこの発明の一
大施における島電圧プイリスタ質換装置のそれぞれ低面
からみた断叩図、上方からみた平面断印図及び側曲断１
図である。図において、（Ｕ） 、 （ｖ） 、 （Ｗ
）はバルブ、（ＬＡＩ）（Ｌｉ２）（Ｌｉ２）は避苗器
、（Ｐ）は直流母線、（ＴＡ）は密封容器である。 なお、図中同一符号は同−丑たは相当部分を示す・ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ｓＴ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｌ）６アームのパルプとこれらのバルブの各々に並列
接続された避′−甜とでブリッジ回路全構成するものに
おいて、同一極性の直流母線に接続される各８ア一ム分
の上記パルプ及び避甫器をそれぞれ単一の密封容器内に
収納したこと全特徴とする高電圧サイリスタ変換装置。 （２１＠封容器に引き込まれる三相交流母線は三相一括
に構成されたこと全特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の高電圧サイリスタ変換装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093499A JPS60237864A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 高電圧サイリスタ変換装置 |
| PCT/JP1985/000254 WO1985005233A1 (en) | 1984-05-08 | 1985-05-08 | High-tension thyristor converter |
| US06/800,648 US4747037A (en) | 1984-05-08 | 1985-05-08 | High-voltage thyristor conversion/inversion apparatus |
| DE8585902158T DE3583993D1 (de) | 1984-05-08 | 1985-05-08 | Hochspannungs-thyristor-umrichter. |
| EP85902158A EP0183850B1 (en) | 1984-05-08 | 1985-05-08 | High-tension thyristor converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093499A JPS60237864A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 高電圧サイリスタ変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237864A true JPS60237864A (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=14084037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093499A Pending JPS60237864A (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 高電圧サイリスタ変換装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4747037A (ja) |
| EP (1) | EP0183850B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60237864A (ja) |
| DE (1) | DE3583993D1 (ja) |
| WO (1) | WO1985005233A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3642723A1 (de) * | 1986-12-13 | 1988-06-23 | Grundfos Int | Statischer frequenzumrichter, insbesondere frequenzumrichter zur steuerung und/oder regelung von leistungsgroessen eines elektromotors |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE197803C (ja) * | ||||
| JPS5147578B2 (ja) * | 1973-06-29 | 1976-12-15 | ||
| JPS5338027B2 (ja) * | 1974-01-25 | 1978-10-13 | ||
| CA1052195A (en) * | 1974-09-12 | 1979-04-10 | Moore Business Forms | Production of dual walled microcapsules by reducing ph to polymerize aminoaldehyde precondensate |
| JPS5845243B2 (ja) * | 1975-09-26 | 1983-10-07 | 株式会社東芝 | ミツペイガタチヨクリユウヘンカンシヨ |
| JPS5338027A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-07 | Kubota Ltd | Service car |
| US4142230A (en) * | 1977-03-24 | 1979-02-27 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Sealed DC power converting station |
| JPS55162880A (en) * | 1979-06-06 | 1980-12-18 | Hitachi Ltd | Water-cooled type thyristor valve |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59093499A patent/JPS60237864A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-08 US US06/800,648 patent/US4747037A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-08 DE DE8585902158T patent/DE3583993D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-08 WO PCT/JP1985/000254 patent/WO1985005233A1/ja active IP Right Grant
- 1985-05-08 EP EP85902158A patent/EP0183850B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0183850B1 (en) | 1991-09-04 |
| WO1985005233A1 (en) | 1985-11-21 |
| EP0183850A4 (en) | 1987-04-13 |
| EP0183850A1 (en) | 1986-06-11 |
| US4747037A (en) | 1988-05-24 |
| DE3583993D1 (de) | 1991-10-10 |
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