JPS6023529B2 - push pull amplifier - Google Patents

push pull amplifier

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JPS6023529B2
JPS6023529B2 JP4924078A JP4924078A JPS6023529B2 JP S6023529 B2 JPS6023529 B2 JP S6023529B2 JP 4924078 A JP4924078 A JP 4924078A JP 4924078 A JP4924078 A JP 4924078A JP S6023529 B2 JPS6023529 B2 JP S6023529B2
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JP
Japan
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transistor
bias
base
output
transistors
Prior art date
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JP4924078A
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JPS54142048A (en
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善博 河那辺
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はオーディオ機器のパワーアンプ等に用いられる
プッシュプル増幅回路の改良に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in push-pull amplifier circuits used in power amplifiers and the like of audio equipment.

かかる増幅回路の基本となるものはA級とB級のコンブ
リメンタリープツシュプル増幅回路である。
The basis of such an amplifier circuit is a class A and class B combinational push-pull amplifier circuit.

ここでA級のものは一対の出力トランジスタは常に能動
領域にて動作し、遮断領域へ移行することがないのでス
イッチング歪が生じない利点が有るが、その反面バイア
ス電流を多く流す必要があり、熱損失が大きくなる欠点
がある。またB級のものはバイアス電流が少なくなって
熱損失は小さくなる利点が有るが、一対の出力トランジ
スタを交互に能動および遮断状態に切換えて動作させる
ため、スイッチング歪が発生する欠点がある。そこで本
発明が解決しようとする第1の目的はA級およびB級プ
ッシュプル増幅回路における欠点を共に除去して、熱損
失が少〈スイッチング歪のないプッシュプル増幅回路を
提供する点にあり、又本発明が解決しようとする第2の
目的はプッシュプル増幅動作を行なう出力トランジスタ
の動作電流を最小必要限度に容易に設定できるプッシュ
プル増幅回路を提供する点にある。以下図面に基づいて
本発明の一実施例を具体的に説明する。
Here, class A transistors have the advantage that a pair of output transistors always operate in the active region and never shift to the cutoff region, so switching distortion does not occur, but on the other hand, it is necessary to flow a large bias current. The disadvantage is that heat loss is large. Class B transistors have the advantage of reducing bias current and reducing heat loss, but have the disadvantage of generating switching distortion because the pair of output transistors are alternately switched between active and cutoff states. Therefore, the first object of the present invention is to eliminate the drawbacks of class A and class B push-pull amplifier circuits, and to provide a push-pull amplifier circuit with low heat loss and no switching distortion. A second object of the present invention is to provide a push-pull amplifier circuit in which the operating current of an output transistor performing push-pull amplification operation can be easily set to the minimum necessary limit. An embodiment of the present invention will be specifically described below based on the drawings.

第1図においてNPNの出力トランジスタQ,とPNP
の出力トランジスタQ2の両ェミッタがそれぞれ抵抗R
,,R2を介して出力点OUTにて共通接続され、出力
点OU汀にはスピーカ等の負荷RLが接続されて出力ト
ランジスタQ,,Q2で増幅した出力により駆動するよ
うになっている。トランジスタQ,およびQ2の両ベー
スにはそれぞれドライバートランジスタQおよびQ4の
ヱミッタが接続され、そのヱミッタと出力点OUTとの
間にはそれぞれェミッタ抵抗R3,R4が接続されてい
る。そして上記ドライバートランジスタQおよびQの両
ベース間には抵抗R5,R6,R7よりなる電圧分割手
段を介してベースバイアス発生手段からのベースバイア
ス電圧が供給されている。すなわちベースバイアス発生
手段はNPNのトランジスタQと、基準バイアスを発生
するダイオードD,,D2および電圧調整用抵抗R8と
PNPのトランジスタQ6との直列回路より構成してお
り、ここに定電流源1からの電流が供給されると共にベ
ースを入力端IN‘こ接続した入力トランジスタQ7に
より入力信号が印加されるよう構成されている。上記ト
ランジスタQ5,Q6は固定バイアス発生トランジスタ
として動作するものであり、該トランジスタQ5,Q6
には出力トランジスタQ,,Q2の電流を検出する可変
バイアストランジスタQ,Q9が接続されている。すな
わちPNPトランジスタQはエミツタがトランジスタQ
5のベースに接続されると共に抵抗R9を介してトラン
ジスタQ5のコレクタに接続され、又コレクタがトラン
ジスタQ5のェミッタに接続され、さらにベースが抵抗
R,.,ダイオードD3を介して出力点OUTに接続さ
れており、NPNのトランジスタQはェミッタがトラン
ジスタ松のベースに接続されると共にさらに抵抗R,o
を介してトランジスタQ6のコレクタに接続され、又コ
レクタがトランジスタQ6のェミツタに接続され、ざら
にべ−スが抵抗R,2、ダイオードD4を介して出力点
OUTに接続されている。抵抗R,.とダイオード○3
および抵抗R,2とダイオードD4には定電流源12,
13からの電流が供給されて、トランジスタQ,Q9の
ベースに出力点OUTに対し一定電圧を供給するように
なっている。ここで可変バイアストランジスタQ8,Q
9は無信号時の動作点が第2図に示すA点にあるよう、
すなわちコレクタ電流が流れ始めようとする最低限のベ
ースバイアスが印放されるよう設定されており、このた
め無信号時はトランジスタQ8,Q9のコレクタ電流は
非常に少ない。
In Figure 1, an NPN output transistor Q, and a PNP
Both emitters of output transistor Q2 of
, , R2 are commonly connected at the output point OUT, and a load RL such as a speaker is connected to the output point OU and is driven by the output amplified by the output transistors Q, , Q2. The emitters of driver transistors Q and Q4 are connected to the bases of transistors Q and Q2, respectively, and emitter resistors R3 and R4 are connected between the emitters and the output point OUT, respectively. A base bias voltage from a base bias generating means is supplied between the bases of the driver transistors Q and Q via a voltage dividing means consisting of resistors R5, R6, and R7. That is, the base bias generation means is composed of a series circuit of an NPN transistor Q, diodes D, D2 that generate a reference bias, a voltage adjustment resistor R8, and a PNP transistor Q6. The current is supplied to the input transistor Q7, and an input signal is applied by an input transistor Q7 whose base is connected to the input terminal IN'. The transistors Q5 and Q6 operate as fixed bias generating transistors, and the transistors Q5 and Q6 operate as fixed bias generating transistors.
are connected to variable bias transistors Q, Q9 that detect the currents of the output transistors Q, , Q2. In other words, the emitter of PNP transistor Q is transistor Q.
5 and the collector of transistor Q5 via resistor R9, the collector is connected to the emitter of transistor Q5, and the base is connected to resistors R, . , and the output point OUT via the diode D3, and the emitter of the NPN transistor Q is connected to the base of the transistor pine, and the resistors R, o
The collector is connected to the emitter of the transistor Q6, and the base is connected to the output point OUT via a resistor R2 and a diode D4. Resistance R,. and diode○3
and a constant current source 12 for the resistor R,2 and the diode D4,
13 is supplied, and a constant voltage is supplied to the bases of the transistors Q and Q9 with respect to the output point OUT. Here variable bias transistor Q8, Q
9, so that the operating point when there is no signal is at point A shown in Figure 2.
That is, the minimum base bias at which the collector current begins to flow is set to be released, and therefore the collector currents of the transistors Q8 and Q9 are extremely small when there is no signal.

従って抵抗R9,R,oの電圧降下も非常に小さくなり
、出力トランジスタQ,,Q2の両ベース間電圧はトラ
ンジスタQ5,Q6のそれぞれのベース・ェミツタ間電
圧と、ダイオードD,,D2の順方向降下電圧と、抵抗
R8で生じる電圧の和に基づいて設定される。こうして
入力トランジスタQ7から信号が印加され、出力点OU
Tがその入力信号により正側に遷移すると、出力トラン
ジスタQ,に電流が流れてそのトランジスタQ,のベー
スと出力点OUTとの間の電圧が増加するため、トラン
ジスタQによって電流を検出し、そのベース・ェミッタ
間電圧が増加し、トランジスタQ8にコレクタ電流が流
れる。
Therefore, the voltage drop across the resistors R9, R, and o becomes very small, and the voltage between the bases of the output transistors Q, Q2 is equal to the base-emitter voltage of each of the transistors Q5, Q6, and the forward direction voltage of the diodes D, D2. It is set based on the sum of the voltage drop and the voltage generated across resistor R8. In this way, a signal is applied from the input transistor Q7, and the output point OU
When T transitions to the positive side due to its input signal, current flows through the output transistor Q, and the voltage between the base of the transistor Q and the output point OUT increases. The base-emitter voltage increases and collector current flows through transistor Q8.

ここで各トランジスタの電流増幅率が大きければ、抵抗
R9に流れる電流の殆んどがトランジスタQ8のコレク
タ電流となり、抵抗R8に流れる電流は無信号時と同じ
になってトランジスタQ,Qの両コレクタ間の電圧は無
信号時と同一に保たれる。一方、トランジスタQの動作
点は第2図においてA点からB点に移行するが、この時
のベース・ェミツタ間の電圧の変化は微小であり、トラ
ンジスタQ8のベース・コレクタ間の電圧も無信号時と
略同じであ。又抵抗R,.とダイオードD3には定電流
ら‘こより電流が供聯合され、その電流降下は常に一定
である。従って出力点OUTに対するトランジスタQ2
のベース電圧は無信号時とほぼ同じ電圧に保たれること
になり、出力トランジスタQ2が遮断領域に移行するこ
とはない。次いで入力信号条件により出力点OUTが負
側に遷移して出力トランジスタQ2が増幅動作する場合
も、前述と同様の作用により出力トランジスタQ,は遮
断領域に移行することはない。
If the current amplification factor of each transistor is large, most of the current flowing through resistor R9 becomes the collector current of transistor Q8, and the current flowing through resistor R8 becomes the same as when there is no signal, and flows through both collectors of transistors Q and Q. The voltage between them is kept the same as when there is no signal. On the other hand, the operating point of transistor Q shifts from point A to point B in Figure 2, but the change in the voltage between the base and emitter at this time is minute, and the voltage between the base and collector of transistor Q8 also has no signal. Almost the same as time. Also, the resistance R,. A current is coupled to the diode D3 from a constant current source, and the current drop is always constant. Therefore, transistor Q2 for output point OUT
The base voltage of Q2 is maintained at approximately the same voltage as when there is no signal, and the output transistor Q2 does not enter the cutoff region. Next, even when the output point OUT shifts to the negative side due to the input signal condition and the output transistor Q2 performs an amplifying operation, the output transistor Q does not shift to the cutoff region due to the same effect as described above.

なお抵抗戊5〜R7で示した電圧分割手段は上記トラン
ジスタQ,Q6、ダイオードD,,D2、抵抗R8で構
成されるバイアス発生回路からの発生電圧を分割して出
力トランジスタQ,,Q2の両ベース間にバイアス電圧
を印加するよう作用するものである。
Note that the voltage dividing means shown by resistors 5 to R7 divides the voltage generated from the bias generation circuit composed of the transistors Q and Q6, diodes D, D2, and resistor R8, and divides the voltage generated from the bias generating circuit to both the output transistors Q, Q2. It acts to apply a bias voltage between the bases.

なわち上記したバイアス発生回路は前述の説明で明らか
なとおり、トランジスタQ5,Q6のベース・ェミツタ
間電圧を用いるため、いわゆるバリスタ等を用いるバイ
アス発生回路に比べて、出力トランジスタQ,,Q2の
両ベース間に加わる電圧が大きくなる鏡向にある。すな
わち出力トランジスタQ,,Q2の動作電流を必要最小
限の値まで下げられないこともあり、そのため上記バイ
アス発生回路に用いるトランジス外まベース・ェミッタ
間電圧の小さな、例えばチップサイズの大きなドライバ
ー用トランジスタ等を使用せざるを得ない。上記抵抗R
5〜R7で示す電圧分割手段はこの様にトランジスタを
含むバイアス発生回路からのバイアス電圧を容易に分割
し、出力トランジスタQ,,Q2の動作電流を必要最小
限の値まで下げることを可能とし、これにより、熱損失
が極端に少ない出力動作特性を持たせることを可能にし
ており、同時にその抵抗値を種々選定することによりバ
イアス回路に使用できるトランジスタの範囲を広げるこ
とを可能にしている。上記電圧分割手段は第3図又は第
4図に示すように抵抗R5とR7の組合せにしても、又
抵抗R6とR7の組合せにしても同一の作用効果が得ら
れることは明らかである。
In other words, as is clear from the above explanation, the bias generation circuit described above uses the base-emitter voltage of the transistors Q5 and Q6, so compared to a bias generation circuit using a so-called varistor, the voltage between the output transistors Q, Q2 is It is in the mirror direction where the voltage applied between the bases is greater. In other words, it may not be possible to reduce the operating current of the output transistors Q, Q2 to the minimum necessary value, and therefore the driver transistors with small base-emitter voltage, such as large chip size, are used in the bias generation circuit. etc. must be used. The above resistance R
The voltage dividing means indicated by 5 to R7 thus easily divides the bias voltage from the bias generation circuit including transistors, and makes it possible to reduce the operating current of the output transistors Q, Q2 to the minimum necessary value. This makes it possible to provide output operating characteristics with extremely low heat loss, and at the same time, by selecting various resistance values, it is possible to widen the range of transistors that can be used in the bias circuit. It is clear that the same effect can be obtained by using the above voltage dividing means by combining resistors R5 and R7 as shown in FIG. 3 or FIG. 4, or by combining resistors R6 and R7.

本発明は以上のように構成されているので、出力トラン
ジスタは常に能動領域で動作し、遮断領域へ移行するこ
とがないのでB級プッシュプル増幅回路にみられるスイ
ッチング歪を発生させることはなく、又バイアス発生回
路からの発生電圧を電圧分割手段を介して出力トランジ
スタの両ベース間に印加するよう構成したため、最小必
要限の動作電流で出力トランジスタを駆動することが出
来、そのため熱損失を極端に少なくできる効果が有る
Since the present invention is configured as described above, the output transistor always operates in the active region and never shifts to the cut-off region, so switching distortion seen in class B push-pull amplifier circuits does not occur. In addition, since the voltage generated from the bias generation circuit is applied between both bases of the output transistor via the voltage dividing means, the output transistor can be driven with the minimum required operating current, which minimizes heat loss. There is an effect of reducing

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図の実施例に用いられるトランジスタの動作特性図、第
3図および第4図は電圧分割手段の変形例を示す結線図
である。 Q,,Q2…出力トランジスタ、Q5,Q・・・バイア
ス発生トランジスタ、Q8,Q9…電流検出トランジス
タ、R5〜R7・・・抵抗(電圧分割手段)。 第l図肇2図 繁3図 第4図
Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
The operating characteristic diagram of the transistor used in the embodiment shown in the figure, and FIGS. 3 and 4 are connection diagrams showing modifications of the voltage dividing means. Q,,Q2...output transistor, Q5,Q...bias generation transistor, Q8,Q9...current detection transistor, R5-R7...resistor (voltage dividing means). Figure l Figure 2 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 エミツタが夫々抵抗を介して出力点にて共通接続さ
れる第1および第2の出力トランジスタのベース間に接
続されたベースバイアス手段をしてプツシユプル動作す
る増幅回路において、前記ベースバイアス手段は前記出
力点に対し一定電圧を発生する第1および第2の定電圧
発生手段と、前記第1の出力トランジスタのベースに抵
抗を介してエミツタが接続され、かつ前記第1の定電圧
発生手段にベースが接続された第1のバイアストランジ
スタと、前記第2の出力トランジスタのベースに抵抗を
介してエミツタが接続され、かつ前記第2の定電圧発生
手段にベースが接続された第2のバイアストランジスタ
と、前記第1の出力トランジスタのベースにコレクタが
接続され、前記第1のバイアストランジスタのエミツタ
にベースが接続され、前記第1のバイアストランジスタ
のコレクタにエミツタが接続された第3のバイアストラ
ンジスタと、前記第2の出力トランジスタのベースにコ
レクタが接続され、前記第2のバイアストランジスタの
エミツタにベースが接続され、前記第2のバイアストラ
ンジスタのコレクタにエミツタが接続された第4のバイ
アストランジスタと、前記第3および第4のバイアスト
ランジスタのエミツタ間に接続された基準バイアス発生
手段とを備え、さらに前記第1および第2の出力トラン
ジスタのベースと前記バイアス発生回路との間に、該バ
イアス発生回路からの発生電圧を分割する手段を接続し
たことを特徴とするプツシユプル増幅器。
1. In an amplifier circuit that performs a push-pull operation using base bias means connected between the bases of first and second output transistors whose emitters are connected in common at an output point via a resistor, the base bias means is first and second constant voltage generating means for generating a constant voltage with respect to an output point; an emitter is connected to the base of the first output transistor via a resistor, and a base is connected to the first constant voltage generating means. and a second bias transistor whose emitter is connected to the base of the second output transistor via a resistor and whose base is connected to the second constant voltage generating means. , a third bias transistor having a collector connected to the base of the first output transistor, a base connected to the emitter of the first bias transistor, and an emitter connected to the collector of the first bias transistor; a fourth bias transistor having a collector connected to the base of the second output transistor, a base connected to the emitter of the second bias transistor, and an emitter connected to the collector of the second bias transistor; a reference bias generating means connected between the emitters of the third and fourth bias transistors, and a reference bias generating means connected between the bases of the first and second output transistors and the bias generating circuit; A push-pull amplifier characterized in that a means for dividing the generated voltage is connected.
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JPS54142048A JPS54142048A (en) 1979-11-05
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