JPS60235132A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS60235132A JPS60235132A JP9204284A JP9204284A JPS60235132A JP S60235132 A JPS60235132 A JP S60235132A JP 9204284 A JP9204284 A JP 9204284A JP 9204284 A JP9204284 A JP 9204284A JP S60235132 A JPS60235132 A JP S60235132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- polythymidylic
- enzyme
- pattern
- polythymidylic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/73—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
- G03C1/731—Biological compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野］
この発明はパターン形成法、詳しくは感光性のパターン
形成法に関し、例えばＬＳＩなどのレジストパターンの
形成法に使用できるものである。
形成法に関し、例えばＬＳＩなどのレジストパターンの
形成法に使用できるものである。
〔従来技術］
従来、パターン形成法として、ネガ空きしてはケイ皮酸
残基およびジアゾ化物残基を光架橋性基として有するも
のを基板上に塗布し、光を画像状に照射した後、溶剤で
未反応物を抽出する方法が形成されなかった。
残基およびジアゾ化物残基を光架橋性基として有するも
のを基板上に塗布し、光を画像状に照射した後、溶剤で
未反応物を抽出する方法が形成されなかった。
この発明は上記従来のものの欠点を除去するためになさ
れたもので、基板上にポリチミジル酸層を形成する工程
、このポリチミジル酸層に紫外光を所定パターンに照射
してポリチミジル酸のチミン残基を２量化する工程、未
照射のポリチミジル酸を核酸分解酵素により分解する工
程、上記酵素を失活させる工程、および上記酵素により
分解されたポリチミジル酸を酸により除去して所定パタ
ーンを形成する工程を施すことにより、満足のいくパタ
ーンの得られるパターン形成法を提供することを目的と
する。
れたもので、基板上にポリチミジル酸層を形成する工程
、このポリチミジル酸層に紫外光を所定パターンに照射
してポリチミジル酸のチミン残基を２量化する工程、未
照射のポリチミジル酸を核酸分解酵素により分解する工
程、上記酵素を失活させる工程、および上記酵素により
分解されたポリチミジル酸を酸により除去して所定パタ
ーンを形成する工程を施すことにより、満足のいくパタ
ーンの得られるパターン形成法を提供することを目的と
する。
［発明の実施例］
この発明に係わるポリチミジル酸は、下記化学式（式中
ｎは整数である。）で示される核酸であ・・・・・・−
Ｔ−’ｌ’−’Ｉ’−Ｔ−Ｔ−・・・・・・の模式的構
造式テ表わす。又、ポリチミジル酸に紫外光（２４０〜
２８０Ｂ程）を照射すると、下記のようにチミン残基が
２量化する。
ｎは整数である。）で示される核酸であ・・・・・・−
Ｔ−’ｌ’−’Ｉ’−Ｔ−Ｔ−・・・・・・の模式的構
造式テ表わす。又、ポリチミジル酸に紫外光（２４０〜
２８０Ｂ程）を照射すると、下記のようにチミン残基が
２量化する。
・・・・・・「）−９−イｑ−「）・・・・・・この発
明においてポリチミジル酸を用いる場合、ポリチミジル
酸を例えばシリコン、ＧｅおよびＧａ−Ａｓ 等の半導
体などの基板上に、スピンコードなどによって塗布する
。塗膜の厚みは、形成されるパターンが微細であるため
には、０．３〜１．５μｍであるのが好ましい。
明においてポリチミジル酸を用いる場合、ポリチミジル
酸を例えばシリコン、ＧｅおよびＧａ−Ａｓ 等の半導
体などの基板上に、スピンコードなどによって塗布する
。塗膜の厚みは、形成されるパターンが微細であるため
には、０．３〜１．５μｍであるのが好ましい。
この発明に係わる核酸分解酵素は、ポリチミジル酸を、
チミン残基に対する酵素の基質特異性により切断する酵
素で、例えば、膵臓デオキシリポヌクレアーゼエがある
。ここで、核酸分解酵素は、ポリチミジル酸のリン酸結
合を切断してチミジル酸に迄分解するが、光によって２
撤化されたチミン残基（Ｔ−Ｔ）の結合したリン酸結合
は、切断されない。核酸分解酵素の濃度は、０．１〜０
．５ ｍｇ／ｍｔであるのが好ましい。又、ポリチミジ
ル酸の分解反応は５〜３０分間行なうのが好ましい。５
分以下では形成されたパターンに地かぶりが生じ、３０
分以−Ｅではパターンが残らない。
チミン残基に対する酵素の基質特異性により切断する酵
素で、例えば、膵臓デオキシリポヌクレアーゼエがある
。ここで、核酸分解酵素は、ポリチミジル酸のリン酸結
合を切断してチミジル酸に迄分解するが、光によって２
撤化されたチミン残基（Ｔ−Ｔ）の結合したリン酸結合
は、切断されない。核酸分解酵素の濃度は、０．１〜０
．５ ｍｇ／ｍｔであるのが好ましい。又、ポリチミジ
ル酸の分解反応は５〜３０分間行なうのが好ましい。５
分以下では形成されたパターンに地かぶりが生じ、３０
分以−Ｅではパターンが残らない。
なお、この発明における酵素反応を行なわせるのに溶媒
を用いる場合はポリチミジル酸が溶解せず、かつ核酸分
解酵素が失活しない条件のものを選ぶのが好ましい。こ
の条件を満たすものとして、侠］えげ３０〜５０％エタ
ノール−水混合溶媒がある。エタノール濃度が３０係以
下ではポリチミジル酸が溶け、５０係以上では核酸分解
酵素が失活し沈殿する。
を用いる場合はポリチミジル酸が溶解せず、かつ核酸分
解酵素が失活しない条件のものを選ぶのが好ましい。こ
の条件を満たすものとして、侠］えげ３０〜５０％エタ
ノール−水混合溶媒がある。エタノール濃度が３０係以
下ではポリチミジル酸が溶け、５０係以上では核酸分解
酵素が失活し沈殿する。
なお、この発明に係わる酸としては、例えば、塩酸、硫
酸、硝酸およびｕ１酸等があね、その濃度は０，０１〜
ＩＮであるのが好ましい。０．０１Ｎ以下ではポリチミ
ジル酸が溶解し、ＩＮ以上であるとポリチミジル酸が分
解する。又、酸は、例えば基板を浸漬させることにより
作用させるが、その時間は、５〜３０分間であるのが好
ましい。５分間以下ではチミジル酸が溶出しないで伐り
、３０分以上ではポリチミジル酸が分解する。
酸、硝酸およびｕ１酸等があね、その濃度は０，０１〜
ＩＮであるのが好ましい。０．０１Ｎ以下ではポリチミ
ジル酸が溶解し、ＩＮ以上であるとポリチミジル酸が分
解する。又、酸は、例えば基板を浸漬させることにより
作用させるが、その時間は、５〜３０分間であるのが好
ましい。５分間以下ではチミジル酸が溶出しないで伐り
、３０分以上ではポリチミジル酸が分解する。
図面（ａ）〜（ｄ）は、この発明の一実施例を工程順に
示す模式図であり、図中、（１）は基板、（２）はポリ
チミジル酸、（３）はマスク、（４）は紫外光である。
示す模式図であり、図中、（１）は基板、（２）はポリ
チミジル酸、（３）はマスク、（４）は紫外光である。
即ち、基板（１）にポリチミジル酸（２）を所定厚さ塗
布したものニ、所定パターンのマスク（３）を施し、紫
外光（４）を照射する。（図面（ａ））この場合、ポリ
チミジル酸（２）は、上記のように、紫外光の照射され
た部分はチミン残基が２量化する。（図面（ｂ））次に
、例えば膵臓デオギシリボヌクレアーゼエ等の核酸分解
酵素を作用させると、紫外光の照射されていないポリチ
ミジル酸は酵素の作用によりチミジル酸に迄切断され、
光の照射されたポリチミジル酸は酵素により分解されず
に高分子のままである。
布したものニ、所定パターンのマスク（３）を施し、紫
外光（４）を照射する。（図面（ａ））この場合、ポリ
チミジル酸（２）は、上記のように、紫外光の照射され
た部分はチミン残基が２量化する。（図面（ｂ））次に
、例えば膵臓デオギシリボヌクレアーゼエ等の核酸分解
酵素を作用させると、紫外光の照射されていないポリチ
ミジル酸は酵素の作用によりチミジル酸に迄切断され、
光の照射されたポリチミジル酸は酵素により分解されず
に高分子のままである。
（図面（Ｃ））核酸分解酵素を失活させ、さらに酸を作
用させると、高分子量の核酸であるポリチミジル酸は酸
に不溶であるが、酵素によシチミジル酸に迄切断された
モノヌクレオチドやオリゴヌクレオチドは酸に可溶であ
り、その為、紫外光の照射によりチミン残基の２量化し
たポリチミジル酸の部分のみが伐り、ネガ型のパターン
が形成される。
用させると、高分子量の核酸であるポリチミジル酸は酸
に不溶であるが、酵素によシチミジル酸に迄切断された
モノヌクレオチドやオリゴヌクレオチドは酸に可溶であ
り、その為、紫外光の照射によりチミン残基の２量化し
たポリチミジル酸の部分のみが伐り、ネガ型のパターン
が形成される。
（図面（ｄ））
以下、実施例によりこの発明を説明するが、これに限定
されない。
されない。
実施例
ポリチミジル酸（シグマ社製）を１０％水溶液とし、ス
ピンコードで、膜厚０，５μｍになるようにシリコン基
板上に塗布する。このものに、１５０ｍｗ／ｄの光強度
の超高圧水銀灯を用いて、所定パターンのマスクを施し
５分間露光する。これを、１０ｍＭ 酢酸緩衝液（Ｐ
Ｈ５，５） −５ｍ Ｍ Ｍｆａｌｌ −０，２ＭＮａ
Ｃ／−０，５ｍｙ／ｍ／ ウシ血清アルズミンの４０％
エタノール−水混合溶媒に、膵１１デオキシリボヌクレ
アーゼＩ （Ｗｏｒｔｈｉｍｙｔｏｎ Ｂｉｏｃｈｅｍ
ｉｃａ１社ＩＭ）を０．４ ｍ ｙ／ｍ ｌの濃度に溶
したものに１０分間浸す。
ピンコードで、膜厚０，５μｍになるようにシリコン基
板上に塗布する。このものに、１５０ｍｗ／ｄの光強度
の超高圧水銀灯を用いて、所定パターンのマスクを施し
５分間露光する。これを、１０ｍＭ 酢酸緩衝液（Ｐ
Ｈ５，５） −５ｍ Ｍ Ｍｆａｌｌ −０，２ＭＮａ
Ｃ／−０，５ｍｙ／ｍ／ ウシ血清アルズミンの４０％
エタノール−水混合溶媒に、膵１１デオキシリボヌクレ
アーゼＩ （Ｗｏｒｔｈｉｍｙｔｏｎ Ｂｉｏｃｈｅｍ
ｉｃａ１社ＩＭ）を０．４ ｍ ｙ／ｍ ｌの濃度に溶
したものに１０分間浸す。
このものを、５０％エタノールにさらに２分間浸して、
膵臓デオキシリボヌクレアーゼエを失活した後、０．
Ｉ Ｎ塩酸に１０分間浸す。その結果、光の反射を利用
して、シリコン基板上に、上記画像状ツバターンが得ら
れていることを傭認した。
膵臓デオキシリボヌクレアーゼエを失活した後、０．
Ｉ Ｎ塩酸に１０分間浸す。その結果、光の反射を利用
して、シリコン基板上に、上記画像状ツバターンが得ら
れていることを傭認した。
［発明の効果Ｊ
以上説明したとうり、この発明は、基板上にポリチミジ
ル酸層を形成する工程、このポリチミジル酸層に紫外光
を所定パターンに照射してポリチミジル酸のチミン残基
を２量化する工程、未照射のポリチミジル酸を核酸分解
酵素により分解する工程、上記酵素を失活させる工程、
および上記酵素により分解されたポリチミジル酸を酸に
より除去して所定パターンを形成する工程を施すことに
より、満足のいくパターンの得られるパターン形成法を
得ることができる。
ル酸層を形成する工程、このポリチミジル酸層に紫外光
を所定パターンに照射してポリチミジル酸のチミン残基
を２量化する工程、未照射のポリチミジル酸を核酸分解
酵素により分解する工程、上記酵素を失活させる工程、
および上記酵素により分解されたポリチミジル酸を酸に
より除去して所定パターンを形成する工程を施すことに
より、満足のいくパターンの得られるパターン形成法を
得ることができる。
図面は、この発明の一実施例を工程順に示す模式図であ
る。 図中、（１）は基板、（２）はポリチミジル酸、（３）
はマスク、（４）は紫外光である。 代理人大岩 増磁 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自発） １、事イ！１の表示 特願昭 ５９−９２０４２号２、
発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代Ｈ］区丸の白玉丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５ 補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６ 補正の内容 ＋ｌ） 明細書の第２頁第ｄ行「分子円」を「分子第４
図」に訂正する。 （３） 同第６頁第５行の「する。（図面（ａ））Ｊを
「する（第１図）。」に訂正する。 （４） 同第６頁第７行の１する。（図面（ｂ） ）Ｊ
を「する（第２図）。」に訂正する。 （５） 同第６頁第１２行〜第１８行の「ある。 （図面（Ｃ））ｊを「ある（第８図）。」に訂正する。 （６） 同第６頁第１９行〜２０行の［される。 （図面（ｄ））ｊを「される（第４図）。」に訂正する
。 以 上 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭 ５９−９２０４２号２、発明
の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 代表者片１１１仁八部 ５ 補正命令の日付 昭利１５９年７月８１日 ６ 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄及び図面７、 補正の内
容 （１）明細書第８頁第１１行〜第１２行の「図面は、〜
式図である。」を次のとおりに訂正する。 ［第１図〜第４図はこの発明のパターン形成法の一実施
例を工程順に示すもので、第１図はポリチミジル酸に所
定パターンの紫外光を照射している状態を示す模式的断
面図、第２図は紫外光照射部分のチミン残基が２量化し
た状態を示す模式的断面図、第８図は酵素により紫外光
の非照射部分がチミジル酸に迄切断された状態を示す模
式的断面図、第４図は酸により紫外光の非照射部分が溶
出した状態を示す模式的断面図である。」（２）図面に
おいて［（ａ）図〜（ｄ）図」を添付図面のとおりそれ
ぞれ「第１図〜第４図」に訂正する。 ８ 添付書類の目録 訂正した図面 １通
る。 図中、（１）は基板、（２）はポリチミジル酸、（３）
はマスク、（４）は紫外光である。 代理人大岩 増磁 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書（自発） １、事イ！１の表示 特願昭 ５９−９２０４２号２、
発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代Ｈ］区丸の白玉丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５ 補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６ 補正の内容 ＋ｌ） 明細書の第２頁第ｄ行「分子円」を「分子第４
図」に訂正する。 （３） 同第６頁第５行の「する。（図面（ａ））Ｊを
「する（第１図）。」に訂正する。 （４） 同第６頁第７行の１する。（図面（ｂ） ）Ｊ
を「する（第２図）。」に訂正する。 （５） 同第６頁第１２行〜第１８行の「ある。 （図面（Ｃ））ｊを「ある（第８図）。」に訂正する。 （６） 同第６頁第１９行〜２０行の［される。 （図面（ｄ））ｊを「される（第４図）。」に訂正する
。 以 上 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭 ５９−９２０４２号２、発明
の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 代表者片１１１仁八部 ５ 補正命令の日付 昭利１５９年７月８１日 ６ 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄及び図面７、 補正の内
容 （１）明細書第８頁第１１行〜第１２行の「図面は、〜
式図である。」を次のとおりに訂正する。 ［第１図〜第４図はこの発明のパターン形成法の一実施
例を工程順に示すもので、第１図はポリチミジル酸に所
定パターンの紫外光を照射している状態を示す模式的断
面図、第２図は紫外光照射部分のチミン残基が２量化し
た状態を示す模式的断面図、第８図は酵素により紫外光
の非照射部分がチミジル酸に迄切断された状態を示す模
式的断面図、第４図は酸により紫外光の非照射部分が溶
出した状態を示す模式的断面図である。」（２）図面に
おいて［（ａ）図〜（ｄ）図」を添付図面のとおりそれ
ぞれ「第１図〜第４図」に訂正する。 ８ 添付書類の目録 訂正した図面 １通
Claims (2)
- （１）基板上にポリチミジル酸層を形成する工程、この
ポリチミジル酸層に紫外光を所定パターンに照射してポ
リチミジル酸のチミン残基（ｉ−２Ｊｌｔ化する工程、
未照射のポリチミジル酸を核酸分解酵素により分解する
工程、上記酵素を失活させる工程、および上記酵素によ
り分解されたポリチミジル酸を酸により除去して所定パ
ターンを形成する工程を施すパターン形成法。 - （２）核酸分解酵素が膵臓デオキシリボヌクレアーゼエ
である特＃’ＦＭ氷の範囲第１項記載のパターン形成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204284A JPS60235132A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204284A JPS60235132A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235132A true JPS60235132A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=14043462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9204284A Pending JPS60235132A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008145A1 (de) * | 1996-08-23 | 1998-02-26 | Eugen Ermantraut | Bäder zur erzeugung von mikrostrukturen |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP9204284A patent/JPS60235132A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998008145A1 (de) * | 1996-08-23 | 1998-02-26 | Eugen Ermantraut | Bäder zur erzeugung von mikrostrukturen |
| US6645744B2 (en) | 1996-08-23 | 2003-11-11 | Clondiag Chip Technologies Gmbh | Baths for producing microstructures |
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