JPS60234792A - フィラーワイヤの製造方法 - Google Patents
フィラーワイヤの製造方法Info
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- JPS60234792A JPS60234792A JP60083596A JP8359685A JPS60234792A JP S60234792 A JPS60234792 A JP S60234792A JP 60083596 A JP60083596 A JP 60083596A JP 8359685 A JP8359685 A JP 8359685A JP S60234792 A JPS60234792 A JP S60234792A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、チューブ状金属ジA7ゲツト乃至被覆と該ジ
ャケット乃至被覆により囲まれた粉体充填材料からなる
任意長さのフィラーワイヤ(filterwire )
及びその製造方法に関する。
ャケット乃至被覆により囲まれた粉体充填材料からなる
任意長さのフィラーワイヤ(filterwire )
及びその製造方法に関する。
従来の技術とその問題点
任意長さを有し、特に機械化された溶接装置において使
用されるフィラーワイヤは、チニ1−ブ状の金属被覆を
有し、その中に粉体充填材利か導入されている。斯かる
フイラーワイA7を製造する種々な方法及び装置が知ら
れている。
用されるフィラーワイヤは、チニ1−ブ状の金属被覆を
有し、その中に粉体充填材利か導入されている。斯かる
フイラーワイA7を製造する種々な方法及び装置が知ら
れている。
公知方法(Ff”A−3270)では、金属スi〜リッ
プからデー17ンネル(溝形)か形成され、その中に粉
体充填41利か導入され、そのあと該チャンネルは成形
され、溶接ステーションで溶接される。例えば、粉体充
填材利は異なる成分からなるミクスチコ77でよく、そ
れは例えばフラックス形成相別、スラグ形成材料及び/
又は金属乃至金属酸化物を含有りる材料を有する。斯か
るミクスチ]−アは、保管中に分離し、当初のミクスチ
ュア組成物とは異なる組成状態で前記チャンネル中へ導
入される。該分離の危険性は、集塊相粒子からなる充填
材を用いることにより避けられるようであるか、それで
は製造コストが高くつく。
プからデー17ンネル(溝形)か形成され、その中に粉
体充填41利か導入され、そのあと該チャンネルは成形
され、溶接ステーションで溶接される。例えば、粉体充
填材利は異なる成分からなるミクスチコ77でよく、そ
れは例えばフラックス形成相別、スラグ形成材料及び/
又は金属乃至金属酸化物を含有りる材料を有する。斯か
るミクスチ]−アは、保管中に分離し、当初のミクスチ
ュア組成物とは異なる組成状態で前記チャンネル中へ導
入される。該分離の危険性は、集塊相粒子からなる充填
材を用いることにより避けられるようであるか、それで
は製造コストが高くつく。
充填材の流動性を確保するには、vJ利粒子リすイズは
相当に小さくされねばならない。従って、斯かる粒子は
上側に開口した前記チャンネルの長手方向エツジ上に載
る危険性かあり、その場合、溶接がうまく行かず、良好
な溶接か1−jえない。この不都合は、強磁性材又はフ
エライ1〜系の成分を有するパウダー充填材の場合は特
に発生する、1該′A:9子は溶接中あられれる磁場に
よつ−C動かされる。
相当に小さくされねばならない。従って、斯かる粒子は
上側に開口した前記チャンネルの長手方向エツジ上に載
る危険性かあり、その場合、溶接がうまく行かず、良好
な溶接か1−jえない。この不都合は、強磁性材又はフ
エライ1〜系の成分を有するパウダー充填材の場合は特
に発生する、1該′A:9子は溶接中あられれる磁場に
よつ−C動かされる。
この問題は、導入充填材を、ますカパーストリップによ
り被覆し、その場合にのみ前記チャンネルかヂュ、−ブ
形成のため圧縮され、長手方向エツジが溶接されるよう
にして解決できることは知られている(DE−AQ−2
515342>。
り被覆し、その場合にのみ前記チャンネルかヂュ、−ブ
形成のため圧縮され、長手方向エツジが溶接されるよう
にして解決できることは知られている(DE−AQ−2
515342>。
またこの問題は、フィラーワイヤ製造のため用いられる
連続ストリップの長手方向エツジ上に階段上補強シーム
(seam )乃至フィンを形成し、プロファイリング
(profiling )装置を用いることによって解
決できる。前記チャンネルの圧縮の間、前記補強シー1
5 (、’1. ’f]、fに対づ−る市る位置を維持
し、そこでそれは内側において前記2つの長手プ)向−
1−フジ間のスリットをカバーし、前記横方向■7ツジ
ーにへの粒子載りを防止する(DE−1−3027?>
’I 7 )。余分な製)問コストは制限されるか、
補強シームを形成するための付加的材料が不利に影響づ
−る。
連続ストリップの長手方向エツジ上に階段上補強シーム
(seam )乃至フィンを形成し、プロファイリング
(profiling )装置を用いることによって解
決できる。前記チャンネルの圧縮の間、前記補強シー1
5 (、’1. ’f]、fに対づ−る市る位置を維持
し、そこでそれは内側において前記2つの長手プ)向−
1−フジ間のスリットをカバーし、前記横方向■7ツジ
ーにへの粒子載りを防止する(DE−1−3027?>
’I 7 )。余分な製)問コストは制限されるか、
補強シームを形成するための付加的材料が不利に影響づ
−る。
本発明の課題は、前述の如き不都合の無いフィラーワイ
ヤにして、フィラーワイヤの長手方向エツジかイ」加的
費用を伴わずに信頼性ある状態に溶接されたフイラーワ
イA7及びその製造方法を提供リーることにある。
ヤにして、フィラーワイヤの長手方向エツジかイ」加的
費用を伴わずに信頼性ある状態に溶接されたフイラーワ
イA7及びその製造方法を提供リーることにある。
問題点を解決するための手段
本発明の上記課題は、前記粉体充填材が、2又はそれ以
上の積層形態に配置された複数の材料成分からなるフィ
ラーワイヤ、及び溶接に先立って少なくとも2つの並設
された粉体供給ステーションにより前記連続するスプリ
ットチューブ内に異なる粉体充填材を層状に導入し、該
導入に際しては第1の前記粉体供給ステーションにより
最下層材を導入し、スプリットチューブ移動方向に沿っ
て配置された次の粉供給ステーションにより他の層材を
導入する方法により解決される。
上の積層形態に配置された複数の材料成分からなるフィ
ラーワイヤ、及び溶接に先立って少なくとも2つの並設
された粉体供給ステーションにより前記連続するスプリ
ットチューブ内に異なる粉体充填材を層状に導入し、該
導入に際しては第1の前記粉体供給ステーションにより
最下層材を導入し、スプリットチューブ移動方向に沿っ
て配置された次の粉供給ステーションにより他の層材を
導入する方法により解決される。
本発明は、フィラーワイヤ充填用ミスクチュアの個々の
成分が、連続ストリップから形成されるフィラーワイヤ
製造用のスプリット(split )チューブへ別々に
導入された場合に、該ミクスチュアの分離を防止しよう
とすることに基づいている。
成分が、連続ストリップから形成されるフィラーワイヤ
製造用のスプリット(split )チューブへ別々に
導入された場合に、該ミクスチュアの分離を防止しよう
とすることに基づいている。
個々の成分を投与するようにしても、所望のミクスチュ
ア組成が、確実に、スプリットチューブのどの位置でも
得られる。
ア組成が、確実に、スプリットチューブのどの位置でも
得られる。
実施例
第1図はフィラーワイヤ製造用の連続ストリップ(1)
を示しており、該ストリップは、スプリットチューブ(
2)を形成するために、第1図に点線で示すように予め
成形される。スリツ1〜(4)の形態の開口部かストリ
ップ(1)の長手方向エツジ(3)間に形成され、そこ
から粉体充填材が移動中のスプリットチューブ(2)中
へ導入され1■る。粉体充填材料の保管及び充填の間に
それか分離しないように個々の材料成分は層状に連続的
に供給される。
を示しており、該ストリップは、スプリットチューブ(
2)を形成するために、第1図に点線で示すように予め
成形される。スリツ1〜(4)の形態の開口部かストリ
ップ(1)の長手方向エツジ(3)間に形成され、そこ
から粉体充填材が移動中のスプリットチューブ(2)中
へ導入され1■る。粉体充填材料の保管及び充填の間に
それか分離しないように個々の材料成分は層状に連続的
に供給される。
第1図に示すフィラーワイヤでは、2つの成分か層(5
)、(6)の形態で導入されている。チューブ底の下層
(5)は、例えば鉄又は鉄合金から成ることかできるか
、この層はフェライト系材粉及び伯の磁性材粉で形成さ
れることも可能である。層(6)は非磁性材、例えば無
機材料からなるのか適当−Cある。2つの層(5〉、(
6〉か導入されると、スプリットチューブ(2)は閉チ
ューブ(7)を形成するように圧縮され(第1図に連続
線で示されている)、そのあと長手方向エツジ(3)か
溶接される。鉄又は鉄合金粉体の下層(5)は、その」
二の層(6)によって保護され、溶接の間の渦電流によ
ってまったく又はごく僅かしか影響されない。従って層
(5)、(6)により好ましい溶接条件が提供される。
)、(6)の形態で導入されている。チューブ底の下層
(5)は、例えば鉄又は鉄合金から成ることかできるか
、この層はフェライト系材粉及び伯の磁性材粉で形成さ
れることも可能である。層(6)は非磁性材、例えば無
機材料からなるのか適当−Cある。2つの層(5〉、(
6〉か導入されると、スプリットチューブ(2)は閉チ
ューブ(7)を形成するように圧縮され(第1図に連続
線で示されている)、そのあと長手方向エツジ(3)か
溶接される。鉄又は鉄合金粉体の下層(5)は、その」
二の層(6)によって保護され、溶接の間の渦電流によ
ってまったく又はごく僅かしか影響されない。従って層
(5)、(6)により好ましい溶接条件が提供される。
第5図は閉チューブ(6)を示しており、その中の粉体
充填材は3層(8)、(9)、(10)から成っている
。即ち、3つの異なる材料成分か3つの異なる供給装置
から供給される。この場合も最下層(8)は鉄又は鉄合
金粉てよく、他方、その上の@(9)は、例えば細粒成
分からなり、層(10)は粗粒成分からなっている。こ
のような組み合せの結果、該粗粒層(10)が比較的安
定した被覆層となり、溶接条件は更に改良される。
充填材は3層(8)、(9)、(10)から成っている
。即ち、3つの異なる材料成分か3つの異なる供給装置
から供給される。この場合も最下層(8)は鉄又は鉄合
金粉てよく、他方、その上の@(9)は、例えば細粒成
分からなり、層(10)は粗粒成分からなっている。こ
のような組み合せの結果、該粗粒層(10)が比較的安
定した被覆層となり、溶接条件は更に改良される。
第3図は材料成分がどのようにして層状に供給されるか
を示している。
を示している。
連続ストリップ(1)が、スプリットチューブ(2)を
得るため、成形装置(11)中で予め90°まで曲げら
れ、この形で粉体供給バランス(balance )の
そばを通過する。材料成分数に相当り゛る数のバランス
が必要である。該バランスは、最初の供給バランス(1
2)か下層(5)を形成する成分を収容しているように
配置される。スプリットチューブ(2)は層(5)と共
に供給バランス(13)へ移動し、そこで第2の層(6
)か層(5)上に置かれる。次にスプリットチューブ(
2)は調整(キャリプレイティング)乃至す”イジング
ステーション(14)を通過し、そこで長手方向エツ
ジ(3)が更に互いに相手エツジの方へ圧縮される。例
えば高周波溶接装置を有り−る次の溶接ステーション(
15)では、スプリットデユープ(2)の長手方向エツ
ジ(3)が溶接温度まで加熱され、引き続いて合わされ
、圧縮ローリングステーション(16)で溶接される。
得るため、成形装置(11)中で予め90°まで曲げら
れ、この形で粉体供給バランス(balance )の
そばを通過する。材料成分数に相当り゛る数のバランス
が必要である。該バランスは、最初の供給バランス(1
2)か下層(5)を形成する成分を収容しているように
配置される。スプリットチューブ(2)は層(5)と共
に供給バランス(13)へ移動し、そこで第2の層(6
)か層(5)上に置かれる。次にスプリットチューブ(
2)は調整(キャリプレイティング)乃至す”イジング
ステーション(14)を通過し、そこで長手方向エツ
ジ(3)が更に互いに相手エツジの方へ圧縮される。例
えば高周波溶接装置を有り−る次の溶接ステーション(
15)では、スプリットデユープ(2)の長手方向エツ
ジ(3)が溶接温度まで加熱され、引き続いて合わされ
、圧縮ローリングステーション(16)で溶接される。
溶接チューブ(17)は、圧延加工によつ−C1更に随
意引き扱き加工によって所望のフィラーワイヤ径ま(加
工される。第2図のノイラーワイA7を得る1、二は3
つの粉体供給バランスが必要である。
意引き扱き加工によって所望のフィラーワイヤ径ま(加
工される。第2図のノイラーワイA7を得る1、二は3
つの粉体供給バランスが必要である。
粉体充填材の材料成分を上述のように層状に配置しても
、溶接装動中でフイラーワイA7を使用するに何等不都
合はない。何故なら、フィラーワイヤ溶融時、該成分は
得られた液相中で互いに直らに均一に交り合うからでお
る。
、溶接装動中でフイラーワイA7を使用するに何等不都
合はない。何故なら、フィラーワイヤ溶融時、該成分は
得られた液相中で互いに直らに均一に交り合うからでお
る。
斯かる粉体充填材の層状配置によると更に利点がある。
即ら、最下層(5〉又は(8)か鉄粉から成っている場
合には、該層はスプリットデユープ(2)の高周波溶接
におCプる溶接性能の改良に貢献する。該層は、電流を
集中さ゛ぜる場合チューブ内部に配置されたインピーダ
(impeder )に類似の性質を有する。該インピ
ーダはノエライ1へ系材利から得られ、鉄粉の透磁率に
相当する透磁率を有し、その鉄粒子はフェライトの場合
のように酸化する。チューブ内ヘロット又は1ツイヤを
導入しても同じように作用する。粉体材料成分の層状配
置は、シームド(seamed >フィラーワイヤにつ
いても同様に用いることができる。
合には、該層はスプリットデユープ(2)の高周波溶接
におCプる溶接性能の改良に貢献する。該層は、電流を
集中さ゛ぜる場合チューブ内部に配置されたインピーダ
(impeder )に類似の性質を有する。該インピ
ーダはノエライ1へ系材利から得られ、鉄粉の透磁率に
相当する透磁率を有し、その鉄粒子はフェライトの場合
のように酸化する。チューブ内ヘロット又は1ツイヤを
導入しても同じように作用する。粉体材料成分の層状配
置は、シームド(seamed >フィラーワイヤにつ
いても同様に用いることができる。
発明の効果
かくの如く本発明によると従来のフィラーツイヤにおし
プる如き不都合か無く、スブリツ1〜デユープの長手方
向エツジか付加的費用を伴わずに信頼゛[(1ある状態
に溶接されたフィラーツイヤ及びその製造方法を提供−
りることかできる。
プる如き不都合か無く、スブリツ1〜デユープの長手方
向エツジか付加的費用を伴わずに信頼゛[(1ある状態
に溶接されたフィラーツイヤ及びその製造方法を提供−
りることかできる。
第1図は本発明の1実施例の断面図、第2図は本発明の
伯の実施例の断面図、第3図はフィラーソイ(l製造装
置の(■略説明図である。 (1)・・・スI〜リップ、 (2)・・・スプリツ1〜チューブ、 (3)・・・エツジ、 (/1)・・・スリン1へ、 (5)、(8)・・・最下層、 (6)・・・上層、 (7)・・・閉チューブ、 (9)、(10)・・・上層、 (11)・・・成形装置、 (12)、(13)・・・パウダー供給バランス、(1
4)・・・測定乃至サイジンクステーション、(15)
・・・溶接ステーション、 (16)・・・圧縮ローリング装置、 (17)・・・溶接デユープ。 (以 上)
伯の実施例の断面図、第3図はフィラーソイ(l製造装
置の(■略説明図である。 (1)・・・スI〜リップ、 (2)・・・スプリツ1〜チューブ、 (3)・・・エツジ、 (/1)・・・スリン1へ、 (5)、(8)・・・最下層、 (6)・・・上層、 (7)・・・閉チューブ、 (9)、(10)・・・上層、 (11)・・・成形装置、 (12)、(13)・・・パウダー供給バランス、(1
4)・・・測定乃至サイジンクステーション、(15)
・・・溶接ステーション、 (16)・・・圧縮ローリング装置、 (17)・・・溶接デユープ。 (以 上)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ チューブ状金属被覆に囲まれた粉体充填材を漏えた
任意長さのフィラーワイヤにして該粉体充填材か2又は
それ以上の積層形態に配置された複数材料成分からなる
フィラーワイヤ。 ■ 前記粉体充填材が2層からなり、そのうち一層は強
磁性材又はフェライト系材の粒子である特許請求の範囲
第1項記載のフィラーワイヤ。 ■ 前記粉体充填材が3層から成り、そのうち強磁性材
又はフェライト系材粒子層上に配置された他の層は、該
強磁性材又はフェライト系材粒子から遠い方の層か粗い
粒子層と成るような異なる粒子サイズ分配状態で形成さ
れている特許請求の範囲第1項記載のフイラーワイAy
。 ■ 連続ターるストリップからフプリットチューブを成
形し、該スプリットチューブの長手方向エツジを溶接す
るに先立って少なくとも2つの並設された粉体供給ステ
ーションにより前記連続するスプリットチューブ内に異
なる粉体充填+Δを層状に導入し、該導入に際しては第
1の前記粉体供給ステーションにより最下層材を導入し
、スプリットチューブ移動方向に沿って配置された次の
粉体供給ステーション【こより仙の層lを導入し、次に
前記スプリットデユープの長手方向エツジを溶接し、該
溶接デユープ径を所望フィラーワイヤ径まで縮少させる
フィラーワイヤ製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| EP84104383.9 | 1984-04-18 | ||
| EP84104383A EP0158691B1 (de) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | Fülldraht |
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|---|---|
| JPS60234792A true JPS60234792A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0237840B2 JPH0237840B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (7)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0158691B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60234792A (ja) |
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-
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| ATE31653T1 (de) | 1988-01-15 |
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