JPS60232642A - シヤドウマスク - Google Patents
シヤドウマスクInfo
- Publication number
- JPS60232642A JPS60232642A JP8748584A JP8748584A JPS60232642A JP S60232642 A JPS60232642 A JP S60232642A JP 8748584 A JP8748584 A JP 8748584A JP 8748584 A JP8748584 A JP 8748584A JP S60232642 A JPS60232642 A JP S60232642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- skirt
- shadow mask
- skirt section
- notches
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/0766—Details of skirt or border
- H01J2229/0772—Apertures, cut-outs, depressions, or the like
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラーブラウン管用シャドウマスクに関し。
特にシャドウマスクをプレス成形する際に発生するスプ
リングバックを小さくしうるシャドウマスクに関する。
リングバックを小さくしうるシャドウマスクに関する。
最近、カラーブラウン管が種々な０ＡＩＩ器のディスプ
レイ、コンピュータの端末等に多く用いられている。
レイ、コンピュータの端末等に多く用いられている。
これらの用途では静止画像が多く、このため電子ビーム
がパネル及びシャドウマスクを局部的に長時間照射する
こととなり、シャドウマスクが局部的に加熱される。通
常、シャドウマスクはアルミキルド鋼で作られているが
、電子ビームによる局部的な加熱により熱膨張を生じ、
シャドウマスクの一部がドーム状に膨れ上がるいわゆる
ドーミングを起こし１画像が乱れるという問題があった
。この問題を解消するには、シャドウマスクの材質を熱
膨張率の小さいものとすればよく。
がパネル及びシャドウマスクを局部的に長時間照射する
こととなり、シャドウマスクが局部的に加熱される。通
常、シャドウマスクはアルミキルド鋼で作られているが
、電子ビームによる局部的な加熱により熱膨張を生じ、
シャドウマスクの一部がドーム状に膨れ上がるいわゆる
ドーミングを起こし１画像が乱れるという問題があった
。この問題を解消するには、シャドウマスクの材質を熱
膨張率の小さいものとすればよく。
また低熱膨張率の材料としては高Ｎｉ−Ｆｅ合金である
アンバー型合金（以下アンバー材という）が知られてい
るので、シャドウマスクをアンバー材で作ればよいと考
えられる。ところがアンバー材はアルミキルド鋼に比べ
硬度、降伏強度等が大きく成形性が悪く、特にスプリン
グバンクが大きくて、所定の形状に成形できない欠点が
あった。
アンバー型合金（以下アンバー材という）が知られてい
るので、シャドウマスクをアンバー材で作ればよいと考
えられる。ところがアンバー材はアルミキルド鋼に比べ
硬度、降伏強度等が大きく成形性が悪く、特にスプリン
グバンクが大きくて、所定の形状に成形できない欠点が
あった。
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、アンバー材
の薄板で作られたシャドウマスクに於いて、成形性を改
良し、且つスプリングバックを軽減して所望の形状にプ
レス成形しうる構造のシャドウマスクを提供することを
目的とする。
の薄板で作られたシャドウマスクに於いて、成形性を改
良し、且つスプリングバックを軽減して所望の形状にプ
レス成形しうる構造のシャドウマスクを提供することを
目的とする。
本発明者は上記目的を達成すべく、シャドウマスクの成
形性の改良、特にスプリングバンクの軽減化を鋭意検討
の結果、シャドウマスクのスカート部の周縁に複数の切
り込みを設けることにより、シャドウマスクのプレス成
形時にスカート部にしわや重なりが発生することが防止
され、しかもスプリングバンクを軽減できることを見出
し３本発明に到達したものである。
形性の改良、特にスプリングバンクの軽減化を鋭意検討
の結果、シャドウマスクのスカート部の周縁に複数の切
り込みを設けることにより、シャドウマスクのプレス成
形時にスカート部にしわや重なりが発生することが防止
され、しかもスプリングバンクを軽減できることを見出
し３本発明に到達したものである。
以下１図面の実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図はプレス成形前のシャドろマスク１を示す平面図
であり、シャドウマスク１はアンバー材の薄板により作
られている。第１図に於いて、ハツチングで示す部分は
多数の孔が形成された有効面積部２であり、その有効面
積部２の周囲にスカート部３がある。スカート部３は後
述するようにプレス成形により、有効面積部２に対して
ほぼ直角に折り曲げられて筒状のスカートを形成するも
のであり、スカート部３と有効面積部２との間には折り
曲げを容易にするため、ｖＡ状若しくは帯状のハーフエ
ツチング部４が形成されている。
であり、シャドウマスク１はアンバー材の薄板により作
られている。第１図に於いて、ハツチングで示す部分は
多数の孔が形成された有効面積部２であり、その有効面
積部２の周囲にスカート部３がある。スカート部３は後
述するようにプレス成形により、有効面積部２に対して
ほぼ直角に折り曲げられて筒状のスカートを形成するも
のであり、スカート部３と有効面積部２との間には折り
曲げを容易にするため、ｖＡ状若しくは帯状のハーフエ
ツチング部４が形成されている。
スカート部３の周縁にはその全周にわたって、多数の切
り込み５が設けられている。この切り込み５はスカート
部３の周縁を不連続にし、シャドウマスクのプレス成形
時にスカート部３にしわや重なりが発生するのを防止す
る。即ち、シャドウマスクのプレス成形時にはスカート
部３は図示の平面状態から筒状に変形され、スカート部
の最内周を除いた他の部分は周方向の長さが短縮される
が、この長さの短縮が切り込み５で吸収され、スカート
部３に面方向の過大な圧縮応力が生じることがなく、シ
わや重なりが防止される。しかも、切り込み５はスカー
ト部３のしわや重なりの防止のみならず、有効面積部２
に対して所定の角度に折り曲げられたスカート部３が元
の位置に戻ろうとする傾向、即ちスプリングバンクを軽
減する効果を有することが確認された。この理由ははっ
きりしないが、切り込み５によりスカート部での過大な
圧縮応力の発生が防止された結果、残留応力が小さくな
ったため及び切り込みによりスカート部に作用する復元
力が分断されたためと考えられる。スカート部３の切り
込み５の寸法１個数等は成形時のスカート部の変形量２
強度等を考慮して適宜定められるもので、スカート部３
の幅Ａに対する切り込み６の深さＢ（第３図参照）の比
率は４０〜９０％が好ましい。切り込みはスカート部全
周に設けることが望ましいが、場合によっては第４図の
ように、コーナ一部のみに約９０度の切り込み６を設け
てもよい。幅Ａに対する切り込み６の深さＢの比率は２
０〜９０％が好ましい。
り込み５が設けられている。この切り込み５はスカート
部３の周縁を不連続にし、シャドウマスクのプレス成形
時にスカート部３にしわや重なりが発生するのを防止す
る。即ち、シャドウマスクのプレス成形時にはスカート
部３は図示の平面状態から筒状に変形され、スカート部
の最内周を除いた他の部分は周方向の長さが短縮される
が、この長さの短縮が切り込み５で吸収され、スカート
部３に面方向の過大な圧縮応力が生じることがなく、シ
わや重なりが防止される。しかも、切り込み５はスカー
ト部３のしわや重なりの防止のみならず、有効面積部２
に対して所定の角度に折り曲げられたスカート部３が元
の位置に戻ろうとする傾向、即ちスプリングバンクを軽
減する効果を有することが確認された。この理由ははっ
きりしないが、切り込み５によりスカート部での過大な
圧縮応力の発生が防止された結果、残留応力が小さくな
ったため及び切り込みによりスカート部に作用する復元
力が分断されたためと考えられる。スカート部３の切り
込み５の寸法１個数等は成形時のスカート部の変形量２
強度等を考慮して適宜定められるもので、スカート部３
の幅Ａに対する切り込み６の深さＢ（第３図参照）の比
率は４０〜９０％が好ましい。切り込みはスカート部全
周に設けることが望ましいが、場合によっては第４図の
ように、コーナ一部のみに約９０度の切り込み６を設け
てもよい。幅Ａに対する切り込み６の深さＢの比率は２
０〜９０％が好ましい。
ハーフエツチング部４は第２図、第３図に誇張して示す
ように、連続した溝の形態をなしており、有効面積部２
の孔のエツチング時に同時にハーフエツチングにより形
成される。ハーフエツチング部４はシャドウマスクの曲
げ強度を小さくして曲げやす＜シ、且つスプリングバッ
クを軽減させる作用を有する。ハーフエツチング部４の
幅及び深さはシャドウマスクの物性。
ように、連続した溝の形態をなしており、有効面積部２
の孔のエツチング時に同時にハーフエツチングにより形
成される。ハーフエツチング部４はシャドウマスクの曲
げ強度を小さくして曲げやす＜シ、且つスプリングバッ
クを軽減させる作用を有する。ハーフエツチング部４の
幅及び深さはシャドウマスクの物性。
折り曲げやすさ、折り曲げ部分の幅や曲率半径、スプリ
ングバンク軽減度等を考慮して定められるが１通常ハー
フエツチング部の幅は０．５〜２１ｍ、深さは板厚の５
０〜９０％が好ましい。このように狭い幅のハーフエツ
チング部４はスカート部３の折り曲げ位置を正確にコン
トロールし、正確な形状の成形を可能にするので好適で
ある。しかしながら、ハーフエツチング部４の幅を更に
広＜シ１例えば１０〜１５龍とし、この中でシャドウマ
スクが折り曲げられるようにしてもよい。
ングバンク軽減度等を考慮して定められるが１通常ハー
フエツチング部の幅は０．５〜２１ｍ、深さは板厚の５
０〜９０％が好ましい。このように狭い幅のハーフエツ
チング部４はスカート部３の折り曲げ位置を正確にコン
トロールし、正確な形状の成形を可能にするので好適で
ある。しかしながら、ハーフエツチング部４の幅を更に
広＜シ１例えば１０〜１５龍とし、この中でシャドウマ
スクが折り曲げられるようにしてもよい。
ハーフエツチング部４を形成する面はシャドウマスク１
の外面側であっても、裏面側であってもよい。
の外面側であっても、裏面側であってもよい。
ハーフエツチング部４は上記した溝に限定されず。
第４図、第５図に示すように、小さなドツト状の窪み７
の集合であってもよい。この窪み７もハーフエツチング
により形成されるもので、直径は１５０〜５００μｍ、
深さは板厚の３０〜８０％が好ましい。また。
の集合であってもよい。この窪み７もハーフエツチング
により形成されるもので、直径は１５０〜５００μｍ、
深さは板厚の３０〜８０％が好ましい。また。
窪み７の配列はそれぞれが正三角形の頂点に位置し。
ピンチが２５０〜６００μｍとなるようにすることが好
ましい。
ましい。
第１図、第６図に示す成形前の平板状シャドウマスク１
は所望の最終形状にプレス成形されるが、このさい、ス
カート部３の切り込み５．６がスカート部３の成形時に
スカート部３に過大な面方向の圧縮応力が生しるのを防
止し、しわや重なりの発生を防止するとともに１ スプ
リングバンクを軽減する。しかも２本実施例ではハーフ
エツチング部４を設けているので、ハーフエツチング部
が折り曲げを容易にするとともにスプリングバンクを軽
減し、上記した切り込み５．６によるスプリングバンク
軽減効果とあいまって、アンバー材のシャドウマスクが
所望形状にプレス成形される。
は所望の最終形状にプレス成形されるが、このさい、ス
カート部３の切り込み５．６がスカート部３の成形時に
スカート部３に過大な面方向の圧縮応力が生しるのを防
止し、しわや重なりの発生を防止するとともに１ スプ
リングバンクを軽減する。しかも２本実施例ではハーフ
エツチング部４を設けているので、ハーフエツチング部
が折り曲げを容易にするとともにスプリングバンクを軽
減し、上記した切り込み５．６によるスプリングバンク
軽減効果とあいまって、アンバー材のシャドウマスクが
所望形状にプレス成形される。
切り込み及びハーフエツチング部によるスプリングバン
ク軽減効果を確認のため、第７図に示すように。
ク軽減効果を確認のため、第７図に示すように。
アンバー材のテスト片１０を直線に沿って９０度折り曲
げ（折り曲げ部Ｒ＝１ｍ）、その時のスプリングバンク
量を測定して次表の結果を得た。なお、ここで使用した
アンバー材は窒素中で７５０℃、２０分間アニールした
もの、及び９００℃、２０分間アニールしたものである
。
げ（折り曲げ部Ｒ＝１ｍ）、その時のスプリングバンク
量を測定して次表の結果を得た。なお、ここで使用した
アンバー材は窒素中で７５０℃、２０分間アニールした
もの、及び９００℃、２０分間アニールしたものである
。
スプリングバンク測定結果
この表より明らかなように、アンバー材に切り込みを入
れることにより、アンバー材を単純に直線に沿って折り
曲げたさいにもスプリングバックが軽減されている。
れることにより、アンバー材を単純に直線に沿って折り
曲げたさいにもスプリングバックが軽減されている。
以上のように２本発明はアンバー材の薄板で作られたシ
ャドウマスクに於いて、そのスカート部の周縁に複数の
切り込みを設けたものであるので、プレス成形にあたっ
てスカート部の面方向の圧縮応力が軽減されてしわや重
なりの発生が防止され、成形が容易になるとともに、ス
プリングバックが軽減され、この結果。
ャドウマスクに於いて、そのスカート部の周縁に複数の
切り込みを設けたものであるので、プレス成形にあたっ
てスカート部の面方向の圧縮応力が軽減されてしわや重
なりの発生が防止され、成形が容易になるとともに、ス
プリングバックが軽減され、この結果。
アンバー材のシャドウマスクを所望の形状にプレス成形
することができ、ドーミングを起こしにくいシャドウマ
スクの製造を可能とする効果を有する。
することができ、ドーミングを起こしにくいシャドウマ
スクの製造を可能とする効果を有する。
第１図は本発明の一実施例のシャドウマスクを示すもの
で、プレス成形前のシャドウマスクの平面図、第２図は
第１図のｎ−ｎ矢視断面図、第３図は第１図のシャドウ
マスクのコーナ一部の拡大平面図、第４図は第１図とは
異なる実施例を示す平面図、第５図はハーフエツチング
部の変形例を示す平面図、第６図は第５図のＶｌ−ＶＩ
矢視断面図、第７図はテスト片のスプリングバンク量測
定状態を示す概略図である。 １−シャドウマスク ２・−・有効面積部３−スカート
部 ４−ハーフエツチング部５．６・−切り込み ７・
・・窪み 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第１図 牙２図 十３図 第５図 第４図 オフ図 手続補正書 昭和５９年 ５月２６日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第０８７４８５号 ２、発明の名称 シャドウマスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１２番地名称
（２８９）大日本印刷株式会社 （代表者）北 島 義 俊 ４、代理人 ■１１６ ６、補正の対象 図面
で、プレス成形前のシャドウマスクの平面図、第２図は
第１図のｎ−ｎ矢視断面図、第３図は第１図のシャドウ
マスクのコーナ一部の拡大平面図、第４図は第１図とは
異なる実施例を示す平面図、第５図はハーフエツチング
部の変形例を示す平面図、第６図は第５図のＶｌ−ＶＩ
矢視断面図、第７図はテスト片のスプリングバンク量測
定状態を示す概略図である。 １−シャドウマスク ２・−・有効面積部３−スカート
部 ４−ハーフエツチング部５．６・−切り込み ７・
・・窪み 代理人 弁理士 乗 松 恭 三 第１図 牙２図 十３図 第５図 第４図 オフ図 手続補正書 昭和５９年 ５月２６日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第０８７４８５号 ２、発明の名称 シャドウマスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区市谷加賀町１丁目１２番地名称
（２８９）大日本印刷株式会社 （代表者）北 島 義 俊 ４、代理人 ■１１６ ６、補正の対象 図面
Claims (1)
- アンバー材の薄板で作られたシャドウマスクであって、
スカート部周縁に複数個の切り込みを設けたことを特徴
とするシャドウマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8748584A JPS60232642A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | シヤドウマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8748584A JPS60232642A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | シヤドウマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60232642A true JPS60232642A (ja) | 1985-11-19 |
Family
ID=13916246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8748584A Pending JPS60232642A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | シヤドウマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60232642A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384522B1 (en) | 1997-03-14 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube for reducing landing drift of electron beams on phosphor layers |
| KR100470337B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-02-05 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 칼라 음극선관 섀도우 마스크 |
| US7002286B2 (en) * | 2002-01-23 | 2006-02-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Shadow mask frame assembly with etching portion and color cathode-ray tube having the same |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP8748584A patent/JPS60232642A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384522B1 (en) | 1997-03-14 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube for reducing landing drift of electron beams on phosphor layers |
| US7002286B2 (en) * | 2002-01-23 | 2006-02-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Shadow mask frame assembly with etching portion and color cathode-ray tube having the same |
| KR100470337B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-02-05 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 칼라 음극선관 섀도우 마스크 |
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