JPS60229331A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS60229331A JPS60229331A JP59083727A JP8372784A JPS60229331A JP S60229331 A JPS60229331 A JP S60229331A JP 59083727 A JP59083727 A JP 59083727A JP 8372784 A JP8372784 A JP 8372784A JP S60229331 A JPS60229331 A JP S60229331A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- intensity
- secondary electron
- film forming
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、膜厚制御性に優れた薄膜形成装置に関する６
〔発明の背景〕
薄膜形成の分野では、近年の分子線エピタキシー技術に
による薄膜形成の例に見られるように、薄膜の形成時に
数原子層以下の膜厚を正確に測定することが増々重要に
なってきている。薄膜成長を行ないながら基板上に付着
した薄膜の膜厚を測定する方法としては楕円偏光解析法
（エリプソメトリ−）が知られている。しかし、薄膜の
成長室に２つの光学的真空窓を設は光源部と検出部を良
い精度で取りつけねばならないため、薄膜形成装置の構
成に制約がつくといった問題点がある。
による薄膜形成の例に見られるように、薄膜の形成時に
数原子層以下の膜厚を正確に測定することが増々重要に
なってきている。薄膜成長を行ないながら基板上に付着
した薄膜の膜厚を測定する方法としては楕円偏光解析法
（エリプソメトリ−）が知られている。しかし、薄膜の
成長室に２つの光学的真空窓を設は光源部と検出部を良
い精度で取りつけねばならないため、薄膜形成装置の構
成に制約がつくといった問題点がある。
本発明は、薄膜形成装置に薄膜評価のために付属してい
ることの多い反射高速電子回折（ＲＨｆ！ＨＤ） 。
ることの多い反射高速電子回折（ＲＨｆ！ＨＤ） 。
マイクロオージェ電子分光法（μ−ＡＥＳ）、あるいは
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの電子源から放出され
る電子ビームを用いて、数十原子層以下の薄膜の膜厚の
測定を手軽に行ない、高精度で薄膜成長を制御できる薄
膜形成装置および薄膜製造方法を提供することを目的と
する。
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの電子源から放出され
る電子ビームを用いて、数十原子層以下の薄膜の膜厚の
測定を手軽に行ない、高精度で薄膜成長を制御できる薄
膜形成装置および薄膜製造方法を提供することを目的と
する。
材料表面からの２次電子放出は、材料の種類やその表面
状態によって異なる。基板表面に薄膜を付着した試料に
一次電子ビームを照射し、試料表面から放出される２次
電子の強度を測定すると。
状態によって異なる。基板表面に薄膜を付着した試料に
一次電子ビームを照射し、試料表面から放出される２次
電子の強度を測定すると。
薄膜の膜厚に依存して２次電子強度が変化することが知
られている。２次電子放出効率に影響を及ぼす要因に１
元素の原子番号と仕事関数がある。
られている。２次電子放出効率に影響を及ぼす要因に１
元素の原子番号と仕事関数がある。
原子番号の大きい元素はど、また仕事関数の小さい材料
はど一般に２次電子放出効率が大きくなる。
はど一般に２次電子放出効率が大きくなる。
たとえば、薄膜と基板で仕事関数が同程度で薄膜の平均
の原子番号が大きい場合、薄膜の膜厚が増大するにつれ
て２次電子放出量が増大することになる。薄膜と２次電
子放出量の関係は、−次電子ビーム電流、加速電圧、入
肘角度などによって変化するが、あらかじめ設定された
条件で較正曲線を作製しておけば２次電子放出量を測定
することＫより膜厚を決定することができる。−次電子
ビームは、薄膜形成装置に付属しているＲＨＥＥＤ 、
μｍＡＥＳ、ＳＥＭの電子ビームを流用することで十分
目的を達成できる。この手法で測定可能な薄膜の膜厚範
囲は材料によっても若干異なるがほぼ数原子層から数十
原子層である。数原子層以下の数膜には、以下に述べる
仕事関数の差による２次電子放出効率の変化現象を利用
することができる。
の原子番号が大きい場合、薄膜の膜厚が増大するにつれ
て２次電子放出量が増大することになる。薄膜と２次電
子放出量の関係は、−次電子ビーム電流、加速電圧、入
肘角度などによって変化するが、あらかじめ設定された
条件で較正曲線を作製しておけば２次電子放出量を測定
することＫより膜厚を決定することができる。−次電子
ビームは、薄膜形成装置に付属しているＲＨＥＥＤ 、
μｍＡＥＳ、ＳＥＭの電子ビームを流用することで十分
目的を達成できる。この手法で測定可能な薄膜の膜厚範
囲は材料によっても若干異なるがほぼ数原子層から数十
原子層である。数原子層以下の数膜には、以下に述べる
仕事関数の差による２次電子放出効率の変化現象を利用
することができる。
基板表面に局部的な仕事関数の差が存在すると２次電子
放出効率に差が生じる。しかし、試料表面に仕事関数が
異なる部分が隣りあって存在すると、その表面近傍の空
間に仕事関数の低い領域からの２次電子放出を防げるよ
うな電界が形成され仕事関数の差から期待されるほどの
２次電子放出効率の差は観察されない、この効果を防ぐ
ためには試料表面に試料側が負の電位になるような電界
を印加すれば良い（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｃｉｅｎｃｅ
９３ （１９８０）４５３）、基板表面に薄膜を付着し
ていくと、】原子層以下の付着量でも仕事関数は一般に
変化する。
放出効率に差が生じる。しかし、試料表面に仕事関数が
異なる部分が隣りあって存在すると、その表面近傍の空
間に仕事関数の低い領域からの２次電子放出を防げるよ
うな電界が形成され仕事関数の差から期待されるほどの
２次電子放出効率の差は観察されない、この効果を防ぐ
ためには試料表面に試料側が負の電位になるような電界
を印加すれば良い（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｃｉｅｎｃｅ
９３ （１９８０）４５３）、基板表面に薄膜を付着し
ていくと、】原子層以下の付着量でも仕事関数は一般に
変化する。
この変化を高い精度で検出するためには、同一基板上に
薄膜を付着した部分と付着しない部分を隣り合せて準備
し、随の試料表面に１０２〜１０’Ｖ ／ ｃｍ程度の
電界を印加して前記２筒所から放出された２次電子の強
度を比べれば良い、基板表面に薄膜を形成する場合、仕
事関数の変化はほぼ】〜２ＩＸ子層まで進行する。これ
以上の厚さになると仕事関数の変化に薄膜の原子番号に
よる効果が重なる。数原子層以下の膜厚の場合も、あら
かじめ薄膜と基板の組合せを決めて試料に電界をかけた
状態で２次電子放出強度を測定し、厚膜との関係を調べ
ておけば薄膜成長を行ないながら２次電子放出強度をモ
ニターすることにより極めて高精度で膜厚を知ることが
できる。
薄膜を付着した部分と付着しない部分を隣り合せて準備
し、随の試料表面に１０２〜１０’Ｖ ／ ｃｍ程度の
電界を印加して前記２筒所から放出された２次電子の強
度を比べれば良い、基板表面に薄膜を形成する場合、仕
事関数の変化はほぼ】〜２ＩＸ子層まで進行する。これ
以上の厚さになると仕事関数の変化に薄膜の原子番号に
よる効果が重なる。数原子層以下の膜厚の場合も、あら
かじめ薄膜と基板の組合せを決めて試料に電界をかけた
状態で２次電子放出強度を測定し、厚膜との関係を調べ
ておけば薄膜成長を行ないながら２次電子放出強度をモ
ニターすることにより極めて高精度で膜厚を知ることが
できる。
薄膜形成時には一般に、基板あるいは薄膜の結晶構造１
組成、形態などをその場観察することが多く、このため
Ｒ）ＩＥＩＩ！Ｄ 、μｍＡＥＳ、ＳＥＭなどの装置を
動作させる。薄膜形成装置に２次電子検出器を設けてお
き、また必要に応じて基板表面に電界をかけられるよう
にしておけば、前記の分析装置のいずれかから照射され
た電子ビームによって発生した２次電子ビーム強度を測
定することにより薄膜の膜厚を知ることができる。この
手法は数十原子層以下の異種材料の薄膜を重ねて形成す
るのに好都合である。また、走査型の一次電子ビームを
使用してその２次電子放出強度を画像として表示すれば
、膜厚の変化の様子を視覚的にとらえることもできる。
組成、形態などをその場観察することが多く、このため
Ｒ）ＩＥＩＩ！Ｄ 、μｍＡＥＳ、ＳＥＭなどの装置を
動作させる。薄膜形成装置に２次電子検出器を設けてお
き、また必要に応じて基板表面に電界をかけられるよう
にしておけば、前記の分析装置のいずれかから照射され
た電子ビームによって発生した２次電子ビーム強度を測
定することにより薄膜の膜厚を知ることができる。この
手法は数十原子層以下の異種材料の薄膜を重ねて形成す
るのに好都合である。また、走査型の一次電子ビームを
使用してその２次電子放出強度を画像として表示すれば
、膜厚の変化の様子を視覚的にとらえることもできる。
あるいは２次電子強度変化に連動して蒸着源のシャッタ
ーが開閉する様に構成しておけば、多重薄膜の自動生産
等も可能になる。
ーが開閉する様に構成しておけば、多重薄膜の自動生産
等も可能になる。
以下、本発明を実施例で説明する。
実施例１゜
第１図はＲ）Ｉｌｌ！ＨＤ観察用の電子銃ｌと蛍光面４
を備えた２元蒸着が可能な薄膜形成装置であり、２次電
子検出器３が新たにつけ加えられている。この装置を用
いて以下の手順でＳｔとＦｅ層からなる多重膜厚を形成
した。
を備えた２元蒸着が可能な薄膜形成装置であり、２次電
子検出器３が新たにつけ加えられている。この装置を用
いて以下の手順でＳｔとＦｅ層からなる多重膜厚を形成
した。
まず、第１図に示した薄膜形成装置を用いてＳｔ基板上
にＦｅを付着したときのＦａ膜厚と２次電子強度の関係
、およびＦｅ基板上にＳｉを付着したときのＳｔ膜厚と
２次電子強度の関係を調べた。結果をそれぞれ第２図、
第３図に示す、測定条件は装置の真空度２ｘ１０□’Ｔ
ｏｒｒ、−次電子ビームの加速電圧６０ｋＶ、ビーム電
流１．２μＡ、ビーム径３５μｍである。それぞれの基
板２をヒータ５によって加熱して清浄化した後、基板温
度２２℃に保ち、ＦｅもしくはＳｉの蒸着源６，７のシ
ャッタを開き薄膜形成を行なった。同時にＲＨＥＥＤ用
の電子銃を動作させて２次電子強度を測定した。膜厚較
正にはこの目的のために特別に取りつけた水晶振動子を
使用し、第２図、第３図を得た後、この水晶振動子は装
置からとりはずした。ＦｅとＳｉの原子番号Ｚと仕事関
数φはそれぞれ、Ｚ ｐ ｅ ＝ ２６ ＋ φｐｓ＝
４．３ ｅＶ。
にＦｅを付着したときのＦａ膜厚と２次電子強度の関係
、およびＦｅ基板上にＳｉを付着したときのＳｔ膜厚と
２次電子強度の関係を調べた。結果をそれぞれ第２図、
第３図に示す、測定条件は装置の真空度２ｘ１０□’Ｔ
ｏｒｒ、−次電子ビームの加速電圧６０ｋＶ、ビーム電
流１．２μＡ、ビーム径３５μｍである。それぞれの基
板２をヒータ５によって加熱して清浄化した後、基板温
度２２℃に保ち、ＦｅもしくはＳｉの蒸着源６，７のシ
ャッタを開き薄膜形成を行なった。同時にＲＨＥＥＤ用
の電子銃を動作させて２次電子強度を測定した。膜厚較
正にはこの目的のために特別に取りつけた水晶振動子を
使用し、第２図、第３図を得た後、この水晶振動子は装
置からとりはずした。ＦｅとＳｉの原子番号Ｚと仕事関
数φはそれぞれ、Ｚ ｐ ｅ ＝ ２６ ＋ φｐｓ＝
４．３ ｅＶ。
Ｚｓ＋＝１４．φ５ｔ＝４．９ｅＶであり、Ｆａの方が
２次電子放出効率が大きく、Ｓｉ基板上にＦｅを付着し
ていくと膜厚に対応して２次電子強度が第２図に示すよ
うに増大した。逆にＦａ基板上にＳｉを付着していくと
第３図に示すように２次電子強度が減少した。
２次電子放出効率が大きく、Ｓｉ基板上にＦｅを付着し
ていくと膜厚に対応して２次電子強度が第２図に示すよ
うに増大した。逆にＦａ基板上にＳｉを付着していくと
第３図に示すように２次電子強度が減少した。
２ Ｘ １０−＋ａＴｏｒｒの真空中でＳｉ （１００
）基板を９００℃で２分間加熱して清浄化した後、基板
温度５０℃に保ってＦｅ層とＳｉ層を交互に蒸着した。
）基板を９００℃で２分間加熱して清浄化した後、基板
温度５０℃に保ってＦｅ層とＳｉ層を交互に蒸着した。
２次電子検出器の出力をシャッタ８，９の駆動機構に入
力し、Ｓｉ上にＦｅを蒸着する場合は２次電子強度が２
．３倍になったときシャッタが閉じ、ついでＳｉ蒸着源
のシャッタが開き２次電子強度が０，２５倍になるまで
Ｓｉ蒸着をするようにしたｅ Ｆ ｅとＳｉ蒸発源のシ
ャッタを上記の様に繰り返し動作させ、ＦｅとＳｉ層の
合計の数ｎが５００の第４図に示す多重薄膜を作製した
。
力し、Ｓｉ上にＦｅを蒸着する場合は２次電子強度が２
．３倍になったときシャッタが閉じ、ついでＳｉ蒸着源
のシャッタが開き２次電子強度が０，２５倍になるまで
Ｓｉ蒸着をするようにしたｅ Ｆ ｅとＳｉ蒸発源のシ
ャッタを上記の様に繰り返し動作させ、ＦｅとＳｉ層の
合計の数ｎが５００の第４図に示す多重薄膜を作製した
。
薄膜の断面を電子顕微鏡で調べた結果、各々のＦｅ、Ｓ
ｉ膜の厚さは約２０人であり、第２図と第３図の較正曲
線から予測される値に一致していた。
ｉ膜の厚さは約２０人であり、第２図と第３図の較正曲
線から予測される値に一致していた。
実施例２゜
第５図は試料表面の形態観察用のＳＩＥＭ１３を備えた
薄膜形成装置である。２次電子検出量はこの図には示さ
れていないが、基板２と同一レベルで手前側に設置され
ている。この装置を用いて（１１０） ＧａＡｓ基板上
に１原子層のＳｉとＧｅの層が合計１００層重なった超
格子膜を以下の手順で形成した。
薄膜形成装置である。２次電子検出量はこの図には示さ
れていないが、基板２と同一レベルで手前側に設置され
ている。この装置を用いて（１１０） ＧａＡｓ基板上
に１原子層のＳｉとＧｅの層が合計１００層重なった超
格子膜を以下の手順で形成した。
第５図に示す薄膜形成装置において、２は（１１０）
ＧａＡｓ基板、１５はＳｉ蒸着源、１６はＧｅ蒸着源で
あり、それぞれの蒸着源のシャッタ１７．１８は実施例
１と同様に２次電子検出器の出力で開閉ができるように
構成されている。１４は基板表面の近くに設けられた可
動シャッタであり、Ｓｉ、Ｇｅの基板への付着を防ぐ働
きをする。
ＧａＡｓ基板、１５はＳｉ蒸着源、１６はＧｅ蒸着源で
あり、それぞれの蒸着源のシャッタ１７．１８は実施例
１と同様に２次電子検出器の出力で開閉ができるように
構成されている。１４は基板表面の近くに設けられた可
動シャッタであり、Ｓｉ、Ｇｅの基板への付着を防ぐ働
きをする。
−次電子ビーム１９をシャッタの上端部付近で走査すれ
ば、シャッタで覆われて蒸着されてない領域と覆われて
いないため蒸着が行なわれている領域を同時に調べるこ
とができる。Ｓｉ、Ｇｅの蒸着源シャッタの開閉に対応
して、このシャッタ１４をステップ状で斜め上方に移動
すればＳｔとＧｅの蒸着境界部を常に調べることができ
る。
ば、シャッタで覆われて蒸着されてない領域と覆われて
いないため蒸着が行なわれている領域を同時に調べるこ
とができる。Ｓｉ、Ｇｅの蒸着源シャッタの開閉に対応
して、このシャッタ１４をステップ状で斜め上方に移動
すればＳｔとＧｅの蒸着境界部を常に調べることができ
る。
５ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒの真空中で、（１１０） Ｇ
ａＡｓ基板２を清浄化した後、５８Ｍ１３を動作させ、
シャッタ１４の上端部付近を電子ビームが走査するよう
にした。また、（１１０） ＧａＡｓ基板に一８００ｖ
の電圧を印加した。このときのＧａＡｓ基板表面の電界
強度は約１０’ Ｖ／Ｃ１１であった。まずＳｔ蒸着′
ｇ１５のシャッタ１７を開きＧａＡｓ基板上へＳｉを付
着した。このときＳＥＭビームを用いてＧａＡｓ基板と
Ｓｉ付着領域からの２次電子をパルス検出法で測定した
。すなわち、ＳＥＭの走査ビームがＧａＡｓ基板上に滞
在している間に一瞬２次電子検出器をパルス状で動作さ
せてその２次電子強度を測定し、ＳＥＭの走査ビームが
Ｓｉ付着領域上に滞在している間の一瞬２次電子検出器
をパルス状で動作させてＳｉ付着領域からの２洛電子強
度を測定した。２つの領域から得られた２次電子強度の
比があらかじめ設定された値に達したとき、Ｓｉ蒸着源
シャッタ１７を閉じ、Ｇｅ蒸着源のシャッタ１８を開い
た。またこれに対応して基板表面付近のシャッタ１４を
斜め上方にステップ状に移動し、ＳＥＭビーム走査領域
も同様に移動した。ついで、同様な手法で既に形成した
Ｓｉ付着領域とＧｅ付着が進行している領域からの２次
電子強度の比を測定し、この値があらかじめ設定された
別の値に達したとき、ＧｅとＳｉの蒸着源のシャッタの
開閉を入れかえ、またシャッタ１４．ＳＥＭビーム走査
領域を斜め上方に移動し、同様な操作を繰り返した。こ
の操作を合計１００回繰り返して、ＳｔとＧｅが互いに
（Ｍ子層ずつ交互に計１００層積み重なった超格子膜を
形成した。
ａＡｓ基板２を清浄化した後、５８Ｍ１３を動作させ、
シャッタ１４の上端部付近を電子ビームが走査するよう
にした。また、（１１０） ＧａＡｓ基板に一８００ｖ
の電圧を印加した。このときのＧａＡｓ基板表面の電界
強度は約１０’ Ｖ／Ｃ１１であった。まずＳｔ蒸着′
ｇ１５のシャッタ１７を開きＧａＡｓ基板上へＳｉを付
着した。このときＳＥＭビームを用いてＧａＡｓ基板と
Ｓｉ付着領域からの２次電子をパルス検出法で測定した
。すなわち、ＳＥＭの走査ビームがＧａＡｓ基板上に滞
在している間に一瞬２次電子検出器をパルス状で動作さ
せてその２次電子強度を測定し、ＳＥＭの走査ビームが
Ｓｉ付着領域上に滞在している間の一瞬２次電子検出器
をパルス状で動作させてＳｉ付着領域からの２洛電子強
度を測定した。２つの領域から得られた２次電子強度の
比があらかじめ設定された値に達したとき、Ｓｉ蒸着源
シャッタ１７を閉じ、Ｇｅ蒸着源のシャッタ１８を開い
た。またこれに対応して基板表面付近のシャッタ１４を
斜め上方にステップ状に移動し、ＳＥＭビーム走査領域
も同様に移動した。ついで、同様な手法で既に形成した
Ｓｉ付着領域とＧｅ付着が進行している領域からの２次
電子強度の比を測定し、この値があらかじめ設定された
別の値に達したとき、ＧｅとＳｉの蒸着源のシャッタの
開閉を入れかえ、またシャッタ１４．ＳＥＭビーム走査
領域を斜め上方に移動し、同様な操作を繰り返した。こ
の操作を合計１００回繰り返して、ＳｔとＧｅが互いに
（Ｍ子層ずつ交互に計１００層積み重なった超格子膜を
形成した。
（１１０） ＧａＡｓ上にＳｉが１原子層付着したとき
の２次電子放出強度は、Ｓｉが付着してない場合に比べ
て約０．８２倍であり、Ｓｉ上にＧｅが１原子層付着し
た場合は２次電子放出強度が１．２４倍に、Ｇｅ上にＳ
ｉが１原子層付着した場合には２次電子放出調度が０．
９１ 倍であった。
の２次電子放出強度は、Ｓｉが付着してない場合に比べ
て約０．８２倍であり、Ｓｉ上にＧｅが１原子層付着し
た場合は２次電子放出強度が１．２４倍に、Ｇｅ上にＳ
ｉが１原子層付着した場合には２次電子放出調度が０．
９１ 倍であった。
各々の値を前に述べたシャッタ１７．１８の開閉。
シャッタ１４の移動の際の目安とした。
このようにして作製した超格子膜の断面を透過電子顕微
鏡でＩＩ察したところ、ＳｉとＧｏがＩＭ子層ずつ交互
に積み重なっていることが確認された。
鏡でＩＩ察したところ、ＳｉとＧｏがＩＭ子層ずつ交互
に積み重なっていることが確認された。
また、薄膜形成帰にＳＥＭ像でＳｉとＧｅの１原子層毎
の形成の様子が明暗の変化として観察することもできた
。
の形成の様子が明暗の変化として観察することもできた
。
以上述べたように本発明によれば、２次電子の強度変化
を検出することにより非常に薄い膜厚を手軽にしかも高
感度で検出することができるのでこの検出手段を具備し
た薄膜形成装置は分子線エピタキシー等の分野で有用で
ある。また、このような装置を用いることにより所望の
薄膜を再現性よく、かつ量産することができる。
を検出することにより非常に薄い膜厚を手軽にしかも高
感度で検出することができるのでこの検出手段を具備し
た薄膜形成装置は分子線エピタキシー等の分野で有用で
ある。また、このような装置を用いることにより所望の
薄膜を再現性よく、かつ量産することができる。
第１図は本発明の一実施例の装置構成を示す図、第２図
、第３図はそれぞれＦｅ、Ｓｉ膜厚と２次電子強度の関
係を示す較正曲線、第４図は本発明による薄膜形成装置
を用いて作製した積層薄膜の断面図、第５図は本発明の
他の実施例の装置構成を示す図である。 １・・・電子銃、２・・・基板、３・・・２次電子検出
塁、４・・・蛍光面、５・・・ヒータ、６・・・Ｆｅ蒸
着源、７・・・Ｓｉ蒸着源、８，９・・・シャッタ、１
０・・・５ｉ（１００）基板、１１＝ｌ’ｅ層、１２−
３ｉ層、１３・・・ＳＥＭ装置、１４・・・シャッタ、
１５・・・Ｓｉ蒸着源、１６・・・Ｇｅ蒸着源、１７．
１８・・・シャッタ、１９・・・−次電子ビーム。 罫 １ 口 ４２図 不３図 第４図 第５図 ４．２ｉ
、第３図はそれぞれＦｅ、Ｓｉ膜厚と２次電子強度の関
係を示す較正曲線、第４図は本発明による薄膜形成装置
を用いて作製した積層薄膜の断面図、第５図は本発明の
他の実施例の装置構成を示す図である。 １・・・電子銃、２・・・基板、３・・・２次電子検出
塁、４・・・蛍光面、５・・・ヒータ、６・・・Ｆｅ蒸
着源、７・・・Ｓｉ蒸着源、８，９・・・シャッタ、１
０・・・５ｉ（１００）基板、１１＝ｌ’ｅ層、１２−
３ｉ層、１３・・・ＳＥＭ装置、１４・・・シャッタ、
１５・・・Ｓｉ蒸着源、１６・・・Ｇｅ蒸着源、１７．
１８・・・シャッタ、１９・・・−次電子ビーム。 罫 １ 口 ４２図 不３図 第４図 第５図 ４．２ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に電子ビームを照射することによって発生する
２次電子の強度をｔｉｔｍすることによって基板表面に
付着する簿膜の膜厚を検出する手段を具備したことを特
徴とする薄膜形成装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置において
、基板表面ｉｃ １０” −１０’ Ｖ／３の電界を印
加し、薄膜が付着する領域と付着しない参照領域から放
出される２次電子をそれぞれ検出し、その比を観測する
手段を具備したことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083727A JPS60229331A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59083727A JPS60229331A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229331A true JPS60229331A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13810549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59083727A Pending JPS60229331A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046444A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | シャープ株式会社 | 成膜・分析複合装置、成膜・分析複合装置の制御方法、および真空チャンバ |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59083727A patent/JPS60229331A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016046444A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | シャープ株式会社 | 成膜・分析複合装置、成膜・分析複合装置の制御方法、および真空チャンバ |
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