JPS6022819B2 - Mold for semiconductor devices - Google Patents

Mold for semiconductor devices

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JPS6022819B2
JPS6022819B2 JP9259978A JP9259978A JPS6022819B2 JP S6022819 B2 JPS6022819 B2 JP S6022819B2 JP 9259978 A JP9259978 A JP 9259978A JP 9259978 A JP9259978 A JP 9259978A JP S6022819 B2 JPS6022819 B2 JP S6022819B2
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JP
Japan
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mold
lead frame
resin
cavity
lead
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JP9259978A
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JPS5519848A (en
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敏克 経広
信明 稲屋
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体素子のモールド用金型にか)り、特に
半導体素子とIJードの一部とを合成樹脂モールドして
外園器が形成される半導体装置における半導体素子のモ
ールド用金型の改良構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a mold for molding a semiconductor element, and more particularly to a semiconductor element in a semiconductor device in which a mold is formed by molding a semiconductor element and a part of an IJ card with a synthetic resin. This invention relates to an improved structure of a molding die.

リードフレームを用いた合成樹脂(以降樹脂と略称)の
一例を第1図に斜視図示する。
An example of a synthetic resin (hereinafter abbreviated as resin) using a lead frame is shown in a perspective view in FIG.

図において1は一部の外園器を形成する樹脂モールド部
、2a,2b,2cはいずれも内封された半導体素子(
図示省略)の電極を導出するためのりードで、その一部
の先端が素子配設台床に形成されてなり、こ)に配設さ
れた半導体素子(ム非綾素子と略称)の電極がボンディ
ングワイヤによって各リードに接続され、素子とりード
の一部が上記樹脂モールド部によってモールド成形され
てなる。か)る構造の半導体装置は第2図に示す如く、
多数組のりードが橋絡部2e,2fによって支持された
りードフレーム2に、半導体素子(透視的に図示)3を
配設し、その電極をボンディングワイヤ4a,4cによ
って対応する各リード2a,2cに接続された組立体を
トランスファモールドマシンのモールド用金型に装入し
て第3図に示す如くモールドを達成する。ついでリード
の橋絡部分2e,2fをはじめリード‘こプレス抜きの
手段を施して成形し、第1図に示す如くでなる。前記に
おけるトランスフアモールド型による被覆形成において
、リード2aが橋絡部2eよりモールド側にある部位は
第4図およびモールド金型の上型を示す第7図、さらに
モールド金型の下型を示す第8図におけるリードガイド
により、上下方向(リードの主面に対向する方向)は樹
脂封止時の樹脂圧力が印加されても樹脂が洩れない様強
固に保持される構造にすることができる。
In the figure, 1 is a resin mold part that forms part of the outer container, and 2a, 2b, and 2c are all semiconductor elements (
A lead for leading out the electrode of the semiconductor element (not shown), whose tip is formed on the element mounting base, and the electrode of the semiconductor element (abbreviated as non-wire element) arranged on this lead. is connected to each lead by a bonding wire, and a part of the element lead is molded by the resin mold part. A semiconductor device having such a structure as shown in FIG.
A semiconductor element (illustrated in perspective) 3 is disposed on a lead frame 2 in which multiple sets of leads are supported by bridge parts 2e and 2f, and the electrodes are connected to corresponding leads 2a and 2c by bonding wires 4a and 4c. The assembly connected to the transfer molding machine is inserted into a molding die of a transfer molding machine to achieve molding as shown in FIG. Next, the leads, including the bridging portions 2e and 2f of the leads, are formed by press cutting, resulting in the shape shown in FIG. In the coating formation using the transfer mold described above, the portion where the lead 2a is closer to the mold than the bridge portion 2e is shown in FIG. 4 and FIG. 7 which shows the upper mold of the mold, and further shows the lower mold of the mold. The lead guide shown in FIG. 8 allows a structure in which the resin is firmly held in the vertical direction (direction facing the main surface of the lead) so that the resin does not leak even when resin pressure is applied during resin sealing.

しかしリードの側面(左右方向)のピッチのプレス加工
またはエッチング加工の寸法精度、およびトランスフア
モールド金型、下型リードガイドの寸法精度、さらに樹
脂封止が150℃前後の高温で作業されることによるリ
ードフレームとトランスフアモールド金型相互の熱によ
る変型の問題等があるため、上述の問題があってもリー
ドフレームが正しくトランスフアモールド金型に装入で
きるよう第4図に示す様に、リード2aとモールド金型
5における下型5bのリードガイド側面との隙間6a,
6a′を0.1〜0.3側程度に設けた構造が一般に用
いられている。このため、樹脂封止後の製品の3図に示
すモールド樹脂部1とりードフレームの橋絡部2eとの
間の部分yにて第5図に断面で示す如く、上記隙間に樹
脂が流れこみ樹脂‘より20a,20a′、20b,2
0b′、20c,20c′を生ずる。この樹脂ばりは次
工程のリードへはんだをつけるときの大きな障害となる
ので除去する必要があるが、リードの表面にきずつける
ことなくしかも完全に除去することでほとんど不可能で
ある。上記に対してリードガイドの隙間を非常に小にす
ることが一般に行なわれているが、この場合にはリード
フレームのピッチの寸法精度、トランスフアモールド金
型の寸法精度および熱変型等の問題によりリードフレー
ムを金型に装入したときにトランスフアモ−ルド金型の
下型リードガイドにリードフレ−ムが正しく鉄まらない
部位が発生し、第6図に示す如く、リード2a,2b,
2cの夫々に側面が削られてリードの圧簿部200a,
200を、200b,200b′、200c,200c
′を生ずるという問題がある。第7図にはモールド用金
型の上型5aを、また第8図には同下型5bを、そして
図aは側面図、図bは正面図、図cは図aと直角方向の
側面図を夫々示す。
However, the dimensional accuracy of the press processing or etching of the pitch of the side surfaces (left and right direction) of the leads, the dimensional accuracy of the transfer mold mold and the lower lead guide, and the resin sealing work is performed at high temperatures of around 150°C. Due to the problem of mutual deformation due to heat between the lead frame and the transfer mold mold, etc., as shown in Fig. A gap 6a between the lead 2a and the lead guide side surface of the lower die 5b in the mold die 5,
A structure in which 6a' is provided on the 0.1 to 0.3 side is generally used. For this reason, the resin flows into the gap as shown in cross section in FIG. 5 at the part y between the mold resin part 1 and the bridge part 2e of the lead frame shown in FIG. 3 of the product after resin sealing. 20a, 20a', 20b, 2 from Komi resin'
0b', 20c, 20c' are generated. This resin burr must be removed because it becomes a major hindrance when soldering to the leads in the next step, but it is almost impossible to remove it completely without damaging the surface of the leads. In response to the above, it is common practice to make the gap between the lead guides very small, but in this case, due to problems such as the dimensional accuracy of the pitch of the lead frame, the dimensional accuracy of the transfer mold mold, and thermal deformation, etc. When the lead frame was inserted into the mold, there was a part where the lead frame did not fit properly in the lower lead guide of the transfer mold mold, and as shown in Fig. 6, the leads 2a, 2b,
The sides of the reeds 2c are shaved to form the reed pressure portions 200a,
200, 200b, 200b', 200c, 200c
′ occurs. Fig. 7 shows the upper mold 5a of the molding die, and Fig. 8 shows the lower mold 5b. Fig. a is a side view, Fig. b is a front view, and Fig. C is a side view perpendicular to Fig. a. Figures are shown respectively.

図中7はリードガイド、8a,8を、8b,8b′はい
ずれも上型、下型に設けられたキャビティブロツクへの
取着孔である。この発明は上記問題点にたし、しこれを
改良するために半導体素子のモールド金型の改良構造を
提供するものである。
In the figure, 7 is a lead guide, 8a, 8, and 8b, 8b' are mounting holes for cavity blocks provided in the upper mold and the lower mold. The present invention addresses the above-mentioned problems and provides an improved structure for a mold for a semiconductor element.

この発明にか)るモールド金型は一方の金型の合わせ面
にリードフレームを袋入する如く形成されたキャビティ
が、リードフレームの板厚より深くかつその低部がリー
ドフレームにおけるキヤビティへの装入側主面と側面と
に密接し、合わせ面側に拡幅して形成され、他方の金型
はリードフレームの他の主面についてのみ密接する如く
形成されたキャビティに対応する突起部を具備し、両金
型の対向面間に空隙が設けられたことを特徴とする。
The molding die according to the present invention has a cavity formed on the mating surface of one of the molds so as to accommodate the lead frame, which is deeper than the plate thickness of the lead frame, and whose lower part is used to fit the cavity in the lead frame. The mold is formed in close contact with the entry side main surface and the side surface and widened toward the mating surface side, and the other mold is provided with a protrusion corresponding to a cavity formed so as to be in close contact with only the other main surface of the lead frame. , characterized in that a gap is provided between the opposing surfaces of both molds.

次にこの発明を一実施例の半導体素子のモールド用金型
につき図面を参照して詳細に説明する。
Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings regarding an embodiment of a mold for a semiconductor element.

第9図および第10図にはモールド用金型15の上型1
5aおよび下型15bを夫々示し、図aは側面図、図b
は図aのリードガイド部の一部の拡大図である。まず、
第10図において、上型との接合面に穿設されたキャビ
ティ17bがリードフレームの板厚より深くなり、その
低部17けがリードフレームにおけるキヤビテイへの装
入側主面と側面とに密接し、かつ合わせ面側に至る側壁
は拡幅して斜面27b′と、曲面27b″とを組み合わ
せ形成した案内部17b″になる。次に上型15aには
前期下型のキャビティ17bに対向する突起部17aが
形成され、その頂面17a′は前記キャビティ内のりー
ドフレームの上面に密接し、側面17a″は前記キャビ
ティの案内部17b″に沿うとともに実装状態を示す第
11図に示される如く、空隙9a,9b・・・9iが充
分なコンダクタンスを備えて形成される。なお、18a
,18a′,18b,18b′はいずれもキヤビテイブ
ロツク(図示省略)への取着孔である。上述の如くこの
発明にか)るモールド用金型には次にあげる利点がある
9 and 10 show the upper die 1 of the molding die 15.
5a and the lower mold 15b, respectively, where figure a is a side view and figure b is a side view.
FIG. 2 is an enlarged view of a part of the lead guide section in FIG. first,
In FIG. 10, the cavity 17b drilled in the joint surface with the upper die is deeper than the plate thickness of the lead frame, and the lower part 17 is in close contact with the main surface and side surface of the lead frame on the side where the cavity is charged. , and the side wall reaching the mating surface side is widened to become a guide portion 17b'' formed by combining a slope 27b' and a curved surface 27b''. Next, the upper mold 15a is formed with a protrusion 17a that faces the cavity 17b of the lower mold, the top surface 17a' of which is in close contact with the upper surface of the lead frame in the cavity, and the side surface 17a'' of the projection 17a that faces the cavity 17b of the lower mold. As shown in FIG. 11, which shows the mounting state along the portion 17b'', gaps 9a, 9b, . . . , 9i are formed with sufficient conductance. In addition, 18a
, 18a', 18b, and 18b' are all attachment holes to a cavity block (not shown). As described above, the molding die according to the present invention has the following advantages.

‘1} キャビティへのIJードフレームの菱入がきわ
めて容易なるため、リードフレームの変形不良を生じな
い。
'1} Since it is extremely easy to insert the IJ lead frame into the cavity, deformation defects of the lead frame will not occur.

また金型の長期使用による変型を生じてもリードフレー
ムの菱入が容易である。‘21 リードフレームがキャ
ビテイに正しく装入されるので、金型の上型と下型とを
接合した場合モールド樹脂に対する密閉が完全に施され
、リードの周面にモールド樹脂の不所望付着、「樹脂ば
り」が防止された。これにより「樹脂ばり」除去の困難
な作業が不要になり、工程の能率向上と、リードの損傷
、リードのはんだづけ不良が著るしく低減された。‘3
’金型内の空気抜きのための空隙が充分なコンダクタン
スを備えるため樹脂充填不良、樹脂内ピンホール、樹脂
ばり等の発生が防止できた。この発明は上記トランジス
タに限られず、サイリスタ、IC等樹脂モールド外囲器
を備える半導体装置のレジンモールド、トランスフアモ
ールド等に広く適用できる。
Furthermore, even if the mold is deformed due to long-term use, it is easy to insert the lead frame. '21 Since the lead frame is correctly inserted into the cavity, when the upper and lower molds are joined, the mold resin is completely sealed, preventing unwanted adhesion of the mold resin to the peripheral surface of the lead. "Resin burrs" were prevented. This eliminates the need for the difficult work of removing "resin burrs," improving process efficiency and significantly reducing lead damage and lead soldering defects. '3
'Since the air gap inside the mold has sufficient conductance, it is possible to prevent resin filling defects, pinholes in the resin, resin burrs, etc. The present invention is not limited to the above transistors, but can be widely applied to resin molds, transfer molds, etc. of semiconductor devices including thyristors, ICs, and other resin molded envelopes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は半導体装置の斜視図、第2図は樹脂モールド後
のりードフレーム組立体を示しかつ一部を透視的に示す
正面図、第3図は第2図の一部を示す斜視図、第4図は
金型内のりードフレームの状態を第3図のAN綾部につ
いて示す断面図、第5図および第6図はいずれも半導体
装鷹の一部の断面図、第7図は上型、第8図は下型を示
しいずれも図aおよび図cは側面図、図bは正面図、第
9図および第10図はいずれも本発明の一実施例のモー
ルド金型を示し、第9図は上型、第10図は下型に関し
、図aは側面図、図bは図aの一部を拡大して示す断面
図、第11図は本発明の一実施例のモールド金型による
モールドを説明するための断面図である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。1,1′……樹脂モールド部、2……リード
フレーム、15…・・・モールド用金型、15a・…・
・モールド用金型の上型、15b・・・・・・モールド
用金型の下型、17a・・・・・・上型の突起部、17
b・・・・・・下型のキャビティ、17b′……キャビ
ティの低部、17b″……キャビティの案内部、9a,
9b…9i・・・・・・接合面の空隙。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図
FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor device, FIG. 2 is a front view showing the lead frame assembly after resin molding and partially transparent, and FIG. 3 is a perspective view showing a portion of FIG. 2. , FIG. 4 is a cross-sectional view showing the state of the lead frame in the mold with respect to the AN twill part in FIG. 3, FIGS. 5 and 6 are both cross-sectional views of a part of the semiconductor device, and FIG. FIG. 8 shows the upper mold, FIG. 8 shows the lower mold, FIGS. a and c show a side view, FIG. , FIG. 9 is an upper mold, FIG. 10 is a lower mold, FIG. a is a side view, FIG. b is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a mold using a metal mold. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts, respectively. 1, 1'...Resin mold part, 2...Lead frame, 15...Molding die, 15a...
- Upper die of the molding die, 15b... Lower die of the molding die, 17a... Projection of the upper die, 17
b... lower mold cavity, 17b'... lower part of the cavity, 17b''... guide part of the cavity, 9a,
9b...9i...Void on joint surface. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure 9 Figure 10 Figure 11

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 上、下の金型を夫々の合わせ面にて接合するモール
ド金型において、一方の金型の合わせ面に形成されたリ
ードフレームを装入するキヤビテイが、リードフレーム
の板厚より深くかつその低部がリードフレームにおける
キヤビテイへの装入側主面と側面とに密接し、合わせ両
側に拡幅して案内部に形成され、他方の金型はリードフ
レームの他の主面につにでのみ密接する如く形成された
キヤビテイに対応する突起部を具備し、前記両金型の対
向面間に空隙が設けられたことを特徴とする半導体素子
のモールド用金型。
1. In a mold in which upper and lower molds are joined at their respective mating surfaces, the cavity formed on the mating surface of one of the molds into which the lead frame is inserted is deeper than the plate thickness of the lead frame and The lower part is in close contact with the main surface and side surface of the lead frame on the charging side to the cavity, and is widened on both sides to form a guide part, and the other mold is connected only to the other main surface of the lead frame. A mold for molding a semiconductor device, comprising a protrusion corresponding to a cavity that is formed in close contact with each other, and a gap is provided between opposing surfaces of the two molds.
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