JPS6022812A - Ｍｏｓｆｅｔ増幅器 - Google Patents
Ｍｏｓｆｅｔ増幅器Info
- Publication number
- JPS6022812A JPS6022812A JP58131655A JP13165583A JPS6022812A JP S6022812 A JPS6022812 A JP S6022812A JP 58131655 A JP58131655 A JP 58131655A JP 13165583 A JP13165583 A JP 13165583A JP S6022812 A JPS6022812 A JP S6022812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- circuit
- bias
- amplifier
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばプ・ノシュプル増幅などのために使用
するＭＯＳ ＦＥＴの温度補償手段を改良した！ｖ’Ｉ
ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ増幅器に関する。
するＭＯＳ ＦＥＴの温度補償手段を改良した！ｖ’Ｉ
ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ増幅器に関する。
従来の温度補償形プッシュプル増幅器は第１Ｍおよび第
２図のように構成ネわている。第１図は’Ｓ′ｉ’に、
ｉ器の＋１４成全体を示す模式図、第２図は鉛工図を具
体化した回路構成図である。即ち、このブツシュグル増
幅器に、シリコン系バイポーラトランジスタＪａ、Ｊａ
を用いた増幅回路ｌと、このバイポーラトランジスタ１
ａｌｌｂが取付けらノ９、該トランジスタｌａ、Ｊｂか
ら生ずる熱を放散するだめの放熱器２と、この放熱器２
や周囲の温度を枠出し７その温度ｅこ対応して電気信号
を出力する畠度センサ３と、バイアス回路４とで’！ｉ
；成ざ力でいる。
２図のように構成ネわている。第１図は’Ｓ′ｉ’に、
ｉ器の＋１４成全体を示す模式図、第２図は鉛工図を具
体化した回路構成図である。即ち、このブツシュグル増
幅器に、シリコン系バイポーラトランジスタＪａ、Ｊａ
を用いた増幅回路ｌと、このバイポーラトランジスタ１
ａｌｌｂが取付けらノ９、該トランジスタｌａ、Ｊｂか
ら生ずる熱を放散するだめの放熱器２と、この放熱器２
や周囲の温度を枠出し７その温度ｅこ対応して電気信号
を出力する畠度センサ３と、バイアス回路４とで’！ｉ
；成ざ力でいる。
ｒ）＝ｉｃ、０１図において具体的に述べると、増幅回
路ｌは、１１；郵Ｓｉｎか５位相尺転成分の信号を作り
出す入力倶Ｊ変成器１ｂと出力側［変成器ｌｃとの間に
前記バイポーラトランジスタ７ａ。
路ｌは、１１；郵Ｓｉｎか５位相尺転成分の信号を作り
出す入力倶Ｊ変成器１ｂと出力側［変成器ｌｃとの間に
前記バイポーラトランジスタ７ａ。
ｌａが介挿ざね１人カ側変成器１ｂがら出力づ出力側変
成器１ｃの１次１１４１１巻１′ｉ、＋の中点へは電源
ＶＣＣによってバイポ−ラトランジスタＩａ。
成器１ｃの１次１１４１１巻１′ｉ、＋の中点へは電源
ＶＣＣによってバイポ−ラトランジスタＩａ。
１ａの出力波形歪をなくするためのア、イｌ−’ル電流
Ｉｔｄが与えられている。仄に、温度センサ３としては
ダイオード３ａが月ｊいらす１、そのカソード伺：は接
地さね、アノードｌｌ１ｉｌζ１バイポーラトランジス
タｌａ、ｌａの入力４Ｉ：”、 ｖｃｖ ４’ ）＋−
１ｄ ’２介して接続てれている。このダイオード３ａ
けバイポーラトランジスタ１ａとほぼ同じ特性のもった
シリコン系のものがイ史月１妊ゎている。図中１ ＋Ｖ
はバイアス電源、ｖＢｌ−ｔバイアス電圧である。
Ｉｔｄが与えられている。仄に、温度センサ３としては
ダイオード３ａが月ｊいらす１、そのカソード伺：は接
地さね、アノードｌｌ１ｉｌζ１バイポーラトランジス
タｌａ、ｌａの入力４Ｉ：”、 ｖｃｖ ４’ ）＋−
１ｄ ’２介して接続てれている。このダイオード３ａ
けバイポーラトランジスタ１ａとほぼ同じ特性のもった
シリコン系のものがイ史月１妊ゎている。図中１ ＋Ｖ
はバイアス電源、ｖＢｌ−ｔバイアス電圧である。
しかして、増幅回路７ Ｋ使用さｈているバイポーラト
ランジスタｌａは温度変化に対し第３図に示すようなＶ
ＢＥ −Ｉ。特性を示す。っ−まり、シリコン系トラ
ンジスタのＶＢＥの温度特性は約−２ｍＶ／”Ｑの割合
で変化する。このことを式をもって表わすと、常温Ｔｎ
ｃｒ のときのトランジスタｌａのベース・エミッタ間
電圧ＶＢＥがｙ であり、この秋態においてΔ’Ｉ’
（’０ ）だＶｊ温度、が変化したとすると１電圧ＶＢ
Ｅば１ＶＢｇ ＝Ｖ１ ＋ （−２（ｍＶ’） ） Ｘ
７１曲・・（１）となる。
ランジスタｌａは温度変化に対し第３図に示すようなＶ
ＢＥ −Ｉ。特性を示す。っ−まり、シリコン系トラ
ンジスタのＶＢＥの温度特性は約−２ｍＶ／”Ｑの割合
で変化する。このことを式をもって表わすと、常温Ｔｎ
ｃｒ のときのトランジスタｌａのベース・エミッタ間
電圧ＶＢＥがｙ であり、この秋態においてΔ’Ｉ’
（’０ ）だＶｊ温度、が変化したとすると１電圧ＶＢ
Ｅば１ＶＢｇ ＝Ｖ１ ＋ （−２（ｍＶ’） ） Ｘ
７１曲・・（１）となる。
そこで、今、バイアス電圧をＶＢ＝Ｖ、に設定するも、
温度ぞ１ｉ供手￥：：を設はなかった場合、常温’Ｊ、
’ｎ ｃ ｒ ａ￥のアイドル’ＦＭｉ ｉＭ ｕ ｌ
ｉ （］ ：ｌ 、高温Ｔｈ時のそｉｌｄ’Ｔｉｄ２
、低１ｎｉＴ１時のそれｉｊ、’ Ｉ ｔｄ 、？ Ｖ
Ｃ変化する。このだ改ノ、高温ＴｈのときけＩｉｄ ２
＞Ｉｊｃ！ｌとなってバイポ”−ラトランジスタｌａの
５力利皆が大きくなり、逆に低温ＴｌのときはＩｉｄ
３（Ｉｉｄ ｌとなってバイポーラ］・ランジヌタｌａ
の電力料イｑが小さくなり、温度変化によってｊ＊ ’
！Ｖｑ回Ｃイｌの出方が汝化しＡｆ丑しい結果：６ｉ
ｑ５ Ｃ，７ｑない。従って、電力氾ｉ ＃ｊをは（・
了一定にイ呆つためには、 Ｉｉｄ １ ＝＝ Ｉｉｄ ２ ＝ Ｉｉｄ ３ ・・
曲内 （２）の関係が成立しなければならない。っ壕り
、シリコン系のバイポーラトランジスタＪＢは第３図の
ような特性を示すので、１：）温Ｔｎｏｒ から高温Ｔ
ｈまたは低温Ｔｌに変化したとき、Ｔ行移動させれば
、（２）式の閲保ヵｉ１足さノ］、出ノ月１ヶのコ１／
クタ電流が一定となる。
温度ぞ１ｉ供手￥：：を設はなかった場合、常温’Ｊ、
’ｎ ｃ ｒ ａ￥のアイドル’ＦＭｉ ｉＭ ｕ ｌ
ｉ （］ ：ｌ 、高温Ｔｈ時のそｉｌｄ’Ｔｉｄ２
、低１ｎｉＴ１時のそれｉｊ、’ Ｉ ｔｄ 、？ Ｖ
Ｃ変化する。このだ改ノ、高温ＴｈのときけＩｉｄ ２
＞Ｉｊｃ！ｌとなってバイポ”−ラトランジスタｌａの
５力利皆が大きくなり、逆に低温ＴｌのときはＩｉｄ
３（Ｉｉｄ ｌとなってバイポーラ］・ランジヌタｌａ
の電力料イｑが小さくなり、温度変化によってｊ＊ ’
！Ｖｑ回Ｃイｌの出方が汝化しＡｆ丑しい結果：６ｉ
ｑ５ Ｃ，７ｑない。従って、電力氾ｉ ＃ｊをは（・
了一定にイ呆つためには、 Ｉｉｄ １ ＝＝ Ｉｉｄ ２ ＝ Ｉｉｄ ３ ・・
曲内 （２）の関係が成立しなければならない。っ壕り
、シリコン系のバイポーラトランジスタＪＢは第３図の
ような特性を示すので、１：）温Ｔｎｏｒ から高温Ｔ
ｈまたは低温Ｔｌに変化したとき、Ｔ行移動させれば
、（２）式の閲保ヵｉ１足さノ］、出ノ月１ヶのコ１／
クタ電流が一定となる。
この平行移声（＋はぜる温度ｔｆｉｉ （γ［十！−θ
：し７て、温度センサ、？にバイポーラ１−′、）ンシ
スタノａど／１：Ｌヒ同じ特性のシリコン系のダ□（ｔ
−ｌ・、’／ ａ （７’＋Ａ度係数約−２ ｍＶ／
’０ ）を用い−ＣＬＬＪ化を抄出し、高温Ｔｈ時ＶＣ
ｆ’ｊ ｖｒ →Ｖ ２ 、（ｊｓ、’ ｆｆ１′１Ｔ
１％ ＫはＶ１→Ｖ、となるようにバイアス電ｕ：ｖ１
１’ を変化させてバイポーラトランジスタ１ａ、ｌａ
にバイアスをかけることにより、ｊ′８カ第１ｊ得が一
定となるようＶこ温度糊イ１′ｌを行ｆ、Ｑっている。
：し７て、温度センサ、？にバイポーラ１−′、）ンシ
スタノａど／１：Ｌヒ同じ特性のシリコン系のダ□（ｔ
−ｌ・、’／ ａ （７’＋Ａ度係数約−２ ｍＶ／
’０ ）を用い−ＣＬＬＪ化を抄出し、高温Ｔｈ時ＶＣ
ｆ’ｊ ｖｒ →Ｖ ２ 、（ｊｓ、’ ｆｆ１′１Ｔ
１％ ＫはＶ１→Ｖ、となるようにバイアス電ｕ：ｖ１
１’ を変化させてバイポーラトランジスタ１ａ、ｌａ
にバイアスをかけることにより、ｊ′８カ第１ｊ得が一
定となるようＶこ温度糊イ１′ｌを行ｆ、Ｑっている。
なお、従来、ダイオード３ａの代りに感熱抵抗を用いた
ものもある。
ものもある。
ところで、近年、ブツシュグルｊ’ｊ７ ”Ａ１１４ｉ
、”Ｈ” ７’ｊ’とにＭＯＳ Ｉｉ”ＥＴが非宮に多
く使用い）するようになってきている。４シ４図けその
具体的なｆ＋’； ／ｉ’ｉ、を示ス図であって、１ｅ
けエンハンスメント形のＩＶｊ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔを示
している。このＭＯ８ＦＥＴＪｅを使用したものは、熱
を放散するために放熱器ｌが使用されているものの、第
２図のような温度軸イｊｉ手段がとられていない。その
理由トしては、エンハンスメント形のＭＯ８ＦＥＴ１ｅ
のＶａｓ−Ｘｂ特＋′４：、は第５図から明らかなよう
に温度変化に対（７て一定の温度係数で変化しないこと
および交点電圧■０を境に［１，て高温Ｔ ｌｌ、低温
Ｔｌの伺）１の変化４’Ｃ対しても負特性と正特性を示
すためしで、バイポーラトランジスタｌａの況度袖ｆＩ
’ｉ手段の考入をその−まイ適用できないためである。
、”Ｈ” ７’ｊ’とにＭＯＳ Ｉｉ”ＥＴが非宮に多
く使用い）するようになってきている。４シ４図けその
具体的なｆ＋’； ／ｉ’ｉ、を示ス図であって、１ｅ
けエンハンスメント形のＩＶｊ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔを示
している。このＭＯ８ＦＥＴＪｅを使用したものは、熱
を放散するために放熱器ｌが使用されているものの、第
２図のような温度軸イｊｉ手段がとられていない。その
理由トしては、エンハンスメント形のＭＯ８ＦＥＴ１ｅ
のＶａｓ−Ｘｂ特＋′４：、は第５図から明らかなよう
に温度変化に対（７て一定の温度係数で変化しないこと
および交点電圧■０を境に［１，て高温Ｔ ｌｌ、低温
Ｔｌの伺）１の変化４’Ｃ対しても負特性と正特性を示
すためしで、バイポーラトランジスタｌａの況度袖ｆＩ
’ｉ手段の考入をその−まイ適用できないためである。
具体的には、ＭＯ８ＦＥＴ７ｅのゲート・ソース間電圧
ＶＧＳがΔＶＣＳだけ変化したとすると、そのΔＶ’Ｇ
Ｓ ＜ Ｖ ｏのときｖｒ−に負特性を示［−ｓ Ｖｃ
ｓ ） Ｖｏのときには正特性を示すことになる。これ
はシリコン系のトランジスタのように温度係数が一定で
ないことに起因し、このためバイアス電圧ｖＢを前述の
ようにアイドル電流を一定に保つように温度補償］２て
も、平行移動の［）１係が成立せず、結局出力時のドｌ
メイン電流の温処特１ｓｊをカバーすることができない
。
ＶＧＳがΔＶＣＳだけ変化したとすると、そのΔＶ’Ｇ
Ｓ ＜ Ｖ ｏのときｖｒ−に負特性を示［−ｓ Ｖｃ
ｓ ） Ｖｏのときには正特性を示すことになる。これ
はシリコン系のトランジスタのように温度係数が一定で
ないことに起因し、このためバイアス電圧ｖＢを前述の
ようにアイドル電流を一定に保つように温度補償］２て
も、平行移動の［）１係が成立せず、結局出力時のドｌ
メイン電流の温処特１ｓｊをカバーすることができない
。
一般に、傾斜部の領域でに温Ｑ＞１一定の問合に（−１
アイドル電流を増大すれは相互コンダクタンスｇｍが増
大し、電力オリイ０がＩ盾大する。よって、温度上昇に
伴ないアイドル電流をＪ−″ずことでｇｉが増大し出力
を一定に保つことができる。
アイドル電流を増大すれは相互コンダクタンスｇｍが増
大し、電力オリイ０がＩ盾大する。よって、温度上昇に
伴ないアイドル電流をＪ−″ずことでｇｉが増大し出力
を一定に保つことができる。
しかし、シリコン系のトランジスタのような一定の法１
ｕｌｌが存在しないので、交点は１．ｊ圧■。を境［Ｃ
してバイアス電圧ｖＢが変化ｆｆ′Ｉは上記前えが適用
しにくくなり、丑た常温を挾んで低泥から高温まで広範
囲に温度補償をすることができない問題がある。
ｕｌｌが存在しないので、交点は１．ｊ圧■。を境［Ｃ
してバイアス電圧ｖＢが変化ｆｆ′Ｉは上記前えが適用
しにくくなり、丑た常温を挾んで低泥から高温まで広範
囲に温度補償をすることができない問題がある。
本発明は上記実情にかんがみてなΔ力だもので、温ｆ＆
Ｒ化に対して一足の１Ｎ、・ｌｌ所係４シを有しないＭ
Ｏ３ＦＥＴを用いた２口合でも、その温度１て対応［７
て温度センサの？、届度Ｌ“ｆ・２□、１４何ｊ丁４す
るとともにバイアス調整信岩ＴＩｃ基づいてバイアス電
圧を調整することにより、Ｍ ＯＳ Ｆ ＩＩン’ｌ’
Ｋ所要のバイアス電圧を加えて均幅回路の電力利得を
一定に保持するＭＯ８ＦＥＴ増幅器を提供すＺ、ことに
ある。
Ｒ化に対して一足の１Ｎ、・ｌｌ所係４シを有しないＭ
Ｏ３ＦＥＴを用いた２口合でも、その温度１て対応［７
て温度センサの？、届度Ｌ“ｆ・２□、１４何ｊ丁４す
るとともにバイアス調整信岩ＴＩｃ基づいてバイアス電
圧を調整することにより、Ｍ ＯＳ Ｆ ＩＩン’ｌ’
Ｋ所要のバイアス電圧を加えて均幅回路の電力利得を
一定に保持するＭＯ８ＦＥＴ増幅器を提供すＺ、ことに
ある。
笠だ、本発明は、温度センサの増刊は位置などによって
生ずる温度ｈ１ｊ償の時間遅れを改善するＭ Ｏ８Ｆ
Ｅ Ｔ増幅器を提供することにある。
生ずる温度ｈ１ｊ償の時間遅れを改善するＭ Ｏ８Ｆ
Ｅ Ｔ増幅器を提供することにある。
以下、本発明の実施例について説明する。第６図は本発
明に係るλ４０Ｓ ＦＥＴ増幅器の基本構成図であって
、ｌ）は例えばエンハンスメント形ＭＯ８ＦＥＴ ｌ
ｌ ａ、 １１ ａを片いたプッシュプルｊＩ７幅回路
であって、ｆＩｉえげ第４図に示すように構成でｆｌで
いるものとする。１２はＭＯ８ＦＥＴＪノａ、１１ａそ
の他の機能要素が増刊けられ、これらの機能要素などに
よって４Ｆ：する熱を放散する放熱？）である。１３は
ＭＯ８ＦＥＴ７７ａのケースまたは放熱器１２などに取
付けらｆｉ、Ｍ’Ｏ８ＦＥＴ１ｌａ甘たけＭＯＳ Ｆ
ＥＴ １１ ａを含む周囲の温度を検出Ｉ７その温度に
対応して電気信郵を発生する温度センサである。この温
度センサ１３の出力端には温度変化に対応して温度係数
を変換するとともに、バイアス電圧を所俄の値に制御す
る回路１４が接続ざ力ている。１５は信号Ｓｉｎの立上
りを検出して前記回′ｌｉ！８１４ＶＣ電源を与える入
力信号検出回路である。
明に係るλ４０Ｓ ＦＥＴ増幅器の基本構成図であって
、ｌ）は例えばエンハンスメント形ＭＯ８ＦＥＴ ｌ
ｌ ａ、 １１ ａを片いたプッシュプルｊＩ７幅回路
であって、ｆＩｉえげ第４図に示すように構成でｆｌで
いるものとする。１２はＭＯ８ＦＥＴＪノａ、１１ａそ
の他の機能要素が増刊けられ、これらの機能要素などに
よって４Ｆ：する熱を放散する放熱？）である。１３は
ＭＯ８ＦＥＴ７７ａのケースまたは放熱器１２などに取
付けらｆｉ、Ｍ’Ｏ８ＦＥＴ１ｌａ甘たけＭＯＳ Ｆ
ＥＴ １１ ａを含む周囲の温度を検出Ｉ７その温度に
対応して電気信郵を発生する温度センサである。この温
度センサ１３の出力端には温度変化に対応して温度係数
を変換するとともに、バイアス電圧を所俄の値に制御す
る回路１４が接続ざ力ている。１５は信号Ｓｉｎの立上
りを検出して前記回′ｌｉ！８１４ＶＣ電源を与える入
力信号検出回路である。
次に、本発明の第１の実施９１１ Ｋついて第７図を診
照して説明する。この増幅器は、特に入力信号Ｓｉｎの
立上りを考慮しない長１υｉ間の温度補償の場合だけに
有効な構成である。具体的には、温度センサ１３として
は例えばシリコン系のダイオード１３ｈが用いら力、こ
ねは例えば放熱器Ｊ２ｉＣ［付けられている。このダイ
オード１．９ ａは、例えば−２ｍＶ／”Ｏの温度係数
を持ったもので、放熱器１２並びにＷｉｉ ｂ＋Ｊの温
度を検出しその温度に対応し、た電圧Ｖが出力されるよ
うになっている。前記回路１４と［７てけ、抵抗Ｒ１，
Ｒ２の抵抗分圧回路を備え、電圧Ｖを受けて温度センサ
Ｊ３の温度係姶を可変する温度係数変換回路１４にと、
ＭＯ８ＦＥＴ１ｌａの動作バイアスを調整するためのバ
イアス調整信号ＶＲＥＦを出力するバイアス電源１４Ｂ
と、演算糟幅器ＯＰおよび抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗分圧回
路を４ｊ川７、温度係数変換回路１４にの出力とバイア
ス調整４ｇ号ＶＲＥＦとを受けて前記ＩＶＩ）ＳＦＥＴ
Ｊｌａに加えろための所要バイアス電圧ＶＢそ出力する
バイアス制御回路１’４Ｃとで構成名へこのバイアス匍
」御回路１４ｃの出力端は第４図に示す両コイルＩｄ、
ｌｄ間ＶＣ接続ざ力でいる。
照して説明する。この増幅器は、特に入力信号Ｓｉｎの
立上りを考慮しない長１υｉ間の温度補償の場合だけに
有効な構成である。具体的には、温度センサ１３として
は例えばシリコン系のダイオード１３ｈが用いら力、こ
ねは例えば放熱器Ｊ２ｉＣ［付けられている。このダイ
オード１．９ ａは、例えば−２ｍＶ／”Ｏの温度係数
を持ったもので、放熱器１２並びにＷｉｉ ｂ＋Ｊの温
度を検出しその温度に対応し、た電圧Ｖが出力されるよ
うになっている。前記回路１４と［７てけ、抵抗Ｒ１，
Ｒ２の抵抗分圧回路を備え、電圧Ｖを受けて温度センサ
Ｊ３の温度係姶を可変する温度係数変換回路１４にと、
ＭＯ８ＦＥＴ１ｌａの動作バイアスを調整するためのバ
イアス調整信号ＶＲＥＦを出力するバイアス電源１４Ｂ
と、演算糟幅器ＯＰおよび抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗分圧回
路を４ｊ川７、温度係数変換回路１４にの出力とバイア
ス調整４ｇ号ＶＲＥＦとを受けて前記ＩＶＩ）ＳＦＥＴ
Ｊｌａに加えろための所要バイアス電圧ＶＢそ出力する
バイアス制御回路１’４Ｃとで構成名へこのバイアス匍
」御回路１４ｃの出力端は第４図に示す両コイルＩｄ、
ｌｄ間ＶＣ接続ざ力でいる。
次に、以上のように桟成された増幅器の作用について説
り１」する。
り１」する。
Ｍ ＯＳ 丁’ＥＴ７７ａ（７’）動作によって生じた
訃は１４’ ７１．； ７’ケースを）川って放熱器１
２に伝達ざわ、さらに）６３囲温度の影４夕を受けなが
ら放熱器１２の温ｋが変化していく。この放熱器１２の
温度は温、＋ｕｌセンサ１３である例１えはシリコン系
のダイオードＪ ３ａによって４＜セ出−Ｊｈ、−２ｍ
Ｖ／’Ｑの温度係数をもって電圧Ｖに変換きねた後、こ
の温度係数変換回路１４にへ導入される。ここで、変換
回路７４Ａは、電圧■を抵抗Ｒ７゜Ｒ２によって分圧し
て決算増幅器ＯＰの反転入力端に加えられる。−カ、こ
の演鏝バ、１］ｗ４器ｏＰの非反転入力端にはバイアス
電圧源１４■３がらバイアス調整俗信ＶＲＥＦが入力さ
れている。従って、バイアス制御回路１４ｃがら６：１
１Ｒ２Ｒ２ ＶＢ＝＜ １ ＋Ｒ，） Ｖ＋ｔＥＦ−Ｂ 、 Ｖ−・
・（３）なるバイアス電圧が出力ζね、る。ここで、温
度Ｔの変化によって温度センサ１３の出力ｔｌｊ圧Ｖが
変化するから、 となり、温度センサノ、？としてシリコンダイオード１
３ａを用いた場合には、 となるので、（３）式にふ・いて特に電圧Ｖ １７）ｍ
：ｆ度依存性についてみると、 となる。従って、抵抗Ｒノを可変することにようにして
温度係舷が決定された後、（３）式に基づいてバイアス
ａ’ｒ ｉ信号ＶＲＢＦを可変することにより、ληＯ
８ＦＥＴ７Ｊａに加えるためのバイアス電圧ＶＢをθＦ
要の値に決定するものである０ 次に、本発明の第２の実施例について第８図ないし第１
０図を参照δ蝕明する。これは特に短Ｊυｉ間に温度祁
・償が可能としたものである。アイドル時に八４０Ｓ
ＦＥＴ７Ｊａの電力損失をなくずために、無信号時にバ
イアスをかけないでおき、信号Ｓ ｉ １１が入力され
たときに入力信号検出回路１５でその信号Ｓｉｎの立上
りを柊出し７て演ｚ′コ垢ｊ ４ｉｉ、ｉ器ＯＰに箪訓
乏ｖＤを加えて動作ζせＭＯＳ ＦＥＴ１ｌａにバイア
スを加える場合がある。この場合、Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ ） ｌ ａは温度上ケ１を伴なうが、温黒センサ１
３は放熱器１２に取付けらねているので、時間遅力を生
ずる。このため、ＭＯＳ ＦＥＴ１ｌａは温度上昇に伴
なってｇｍが下がり、これによって利（４ｆか下がるた
め、第８図（４）のよ−）に振幅一定の信号Ｓ Ｉｌｌ
が入力されてもＭＯＳ ＦＥＴ１ｌａの第１得低下によ
ってＭＯＳ ＦＥＴ７７ａの出力からは第８図０３）の
ような信号５ｏｕｔが出力さゎてし貰う。この原因を検
討するに、Ｍ Ｏ５ＦＥＴチヤネルケ一ス間の時間遅ゎ
Ｔ７と該ケースから温度センサ１３才での時間遅ｉｔ、
ｒＦ２とによって生じていることが判明された。そこ
で、Ｔノ、およびＴ２の時間遅ツク、を補４，１１すわ
ば、信号入力と（母とんど同時にＲ４０Ｓ Ｆ Ｅ ’
ｌ”の温度′ｆ１９併を行なうことができる。このｗ合
、バイアス電圧ＶＢを下けると、ｇｍが下がり、こね、
に伴なって利得が下がるので ｇ：１１と［７て第９図
のようにバイアス電圧を可変してＭ ＯＳ Ｆ Ｆ；
ＴＪＩＥＬに加えてやれは時ｍ１遅・１１による不具合
を解決することができる。
訃は１４’ ７１．； ７’ケースを）川って放熱器１
２に伝達ざわ、さらに）６３囲温度の影４夕を受けなが
ら放熱器１２の温ｋが変化していく。この放熱器１２の
温度は温、＋ｕｌセンサ１３である例１えはシリコン系
のダイオードＪ ３ａによって４＜セ出−Ｊｈ、−２ｍ
Ｖ／’Ｑの温度係数をもって電圧Ｖに変換きねた後、こ
の温度係数変換回路１４にへ導入される。ここで、変換
回路７４Ａは、電圧■を抵抗Ｒ７゜Ｒ２によって分圧し
て決算増幅器ＯＰの反転入力端に加えられる。−カ、こ
の演鏝バ、１］ｗ４器ｏＰの非反転入力端にはバイアス
電圧源１４■３がらバイアス調整俗信ＶＲＥＦが入力さ
れている。従って、バイアス制御回路１４ｃがら６：１
１Ｒ２Ｒ２ ＶＢ＝＜ １ ＋Ｒ，） Ｖ＋ｔＥＦ−Ｂ 、 Ｖ−・
・（３）なるバイアス電圧が出力ζね、る。ここで、温
度Ｔの変化によって温度センサ１３の出力ｔｌｊ圧Ｖが
変化するから、 となり、温度センサノ、？としてシリコンダイオード１
３ａを用いた場合には、 となるので、（３）式にふ・いて特に電圧Ｖ １７）ｍ
：ｆ度依存性についてみると、 となる。従って、抵抗Ｒノを可変することにようにして
温度係舷が決定された後、（３）式に基づいてバイアス
ａ’ｒ ｉ信号ＶＲＢＦを可変することにより、ληＯ
８ＦＥＴ７Ｊａに加えるためのバイアス電圧ＶＢをθＦ
要の値に決定するものである０ 次に、本発明の第２の実施例について第８図ないし第１
０図を参照δ蝕明する。これは特に短Ｊυｉ間に温度祁
・償が可能としたものである。アイドル時に八４０Ｓ
ＦＥＴ７Ｊａの電力損失をなくずために、無信号時にバ
イアスをかけないでおき、信号Ｓ ｉ １１が入力され
たときに入力信号検出回路１５でその信号Ｓｉｎの立上
りを柊出し７て演ｚ′コ垢ｊ ４ｉｉ、ｉ器ＯＰに箪訓
乏ｖＤを加えて動作ζせＭＯＳ ＦＥＴ１ｌａにバイア
スを加える場合がある。この場合、Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ ） ｌ ａは温度上ケ１を伴なうが、温黒センサ１
３は放熱器１２に取付けらねているので、時間遅力を生
ずる。このため、ＭＯＳ ＦＥＴ１ｌａは温度上昇に伴
なってｇｍが下がり、これによって利（４ｆか下がるた
め、第８図（４）のよ−）に振幅一定の信号Ｓ Ｉｌｌ
が入力されてもＭＯＳ ＦＥＴ１ｌａの第１得低下によ
ってＭＯＳ ＦＥＴ７７ａの出力からは第８図０３）の
ような信号５ｏｕｔが出力さゎてし貰う。この原因を検
討するに、Ｍ Ｏ５ＦＥＴチヤネルケ一ス間の時間遅ゎ
Ｔ７と該ケースから温度センサ１３才での時間遅ｉｔ、
ｒＦ２とによって生じていることが判明された。そこ
で、Ｔノ、およびＴ２の時間遅ツク、を補４，１１すわ
ば、信号入力と（母とんど同時にＲ４０Ｓ Ｆ Ｅ ’
ｌ”の温度′ｆ１９併を行なうことができる。このｗ合
、バイアス電圧ＶＢを下けると、ｇｍが下がり、こね、
に伴なって利得が下がるので ｇ：１１と［７て第９図
のようにバイアス電圧を可変してＭ ＯＳ Ｆ Ｆ；
ＴＪＩＥＬに加えてやれは時ｍ１遅・１１による不具合
を解決することができる。
身−１２図は以上の理論に基づいて具体化した回路構成
図である０この回路は、信号Ｓｔｎの立上りを検出して
演算増＠器ｏＰに１ｉｔ源ＶＤを供給（−該演算況幅器
ＯＰをオン動作させる入力信号検出回路１５が設けら力
、才た第７図に示す抵抗Ｒ２を例えば３つの抵抗Ｒ：ｚ
Ｊ、Ｒｚｚ。
図である０この回路は、信号Ｓｔｎの立上りを検出して
演算増＠器ｏＰに１ｉｔ源ＶＤを供給（−該演算況幅器
ＯＰをオン動作させる入力信号検出回路１５が設けら力
、才た第７図に示す抵抗Ｒ２を例えば３つの抵抗Ｒ：ｚ
Ｊ、Ｒｚｚ。
Ｒ２，？に分割し、両抵抗Ｒ２２，Ｒ２３間にコンデン
サＣ７，抵抗Ｒ２３間にコンデンサＣ２をそれぞれ並列
に接続（７て傾斜をもってバイアス電圧ＶＢを上昇立せ
るバイアス制御回路１４ｃが設けられたものである〇 しかして、以上のような構成において、一般得られる。
サＣ７，抵抗Ｒ２３間にコンデンサＣ２をそれぞれ並列
に接続（７て傾斜をもってバイアス電圧ＶＢを上昇立せ
るバイアス制御回路１４ｃが設けられたものである〇 しかして、以上のような構成において、一般得られる。
Ｒ２７Ｒ２〕
ＶＢ ７＝（１＋ ）ＶＲＥＦ −Ｖ−−・・（７）Ｉ
ＲＩ Ｒ２１＋ Ｒ２２Ｒ２１＋ Ｒ２２ Ｖ Ｂ ２： （１” ）ＶＲＥＦ −Ｖ −（８）Ｒ
Ｉ ＲＩ Ｒ２１＋Ｒ２２＋■えｚ３Ｒ，ｚノ＋Ｒｚｚ＋ＲｚｓＶ
Ｂ ３：（１” ）ＶＲＥＦ−Ｖ Ｂ７ ＲＪ ・・・・・・・・ （９） 捷た、ＴＪ、Ｔ２はそｈぞれ時定数Ｒ２２”ＣＩ。
ＲＩ Ｒ２１＋ Ｒ２２Ｒ２１＋ Ｒ２２ Ｖ Ｂ ２： （１” ）ＶＲＥＦ −Ｖ −（８）Ｒ
Ｉ ＲＩ Ｒ２１＋Ｒ２２＋■えｚ３Ｒ，ｚノ＋Ｒｚｚ＋ＲｚｓＶ
Ｂ ３：（１” ）ＶＲＥＦ−Ｖ Ｂ７ ＲＪ ・・・・・・・・ （９） 捷た、ＴＪ、Ｔ２はそｈぞれ時定数Ｒ２２”ＣＩ。
Ｒ２、？・Ｃ２に関係するので、コンデンザＣノ、Ｃ２
を適宜選択して使用する必要がある。
を適宜選択して使用する必要がある。
なお、本発明は上記実施例に限定さｔするものではない
。例えば第１１１Ｔｈ＋に示す抵抗２０分；’：ｕ数を
増やしそれに対応（２てコンデンサＣ７゜Ｃ２，Ｃ、？
を増やしていけば、バイアス電圧ＶＢの上昇傾斜を細か
く補正することができる。
。例えば第１１１Ｔｈ＋に示す抵抗２０分；’：ｕ数を
増やしそれに対応（２てコンデンサＣ７゜Ｃ２，Ｃ、？
を増やしていけば、バイアス電圧ＶＢの上昇傾斜を細か
く補正することができる。
また、第１２図のように各抵抗Ｒ２２、Ｒ，２３に個別
にコンデンサＣ１，Ｃ２を並列に接続してもよいもので
ある。甘た、ＩＶＩＯ８Ｆ″ＥＴ ｌｌｈを用いている
ものであわば、ブ・ンシュフ′ルＪＳ！ＶＩｌｌｌ′ｉ
回路１１以外の増幅回路でもよいこと（法名う寸でもな
い。ざらに、温度センサ１３はダイオード７．９ａに限
るものではなく、一般的にＩＩＮＭセンサとして機能す
る素子のすべてかチー４ねるものである。
にコンデンサＣ１，Ｃ２を並列に接続してもよいもので
ある。甘た、ＩＶＩＯ８Ｆ″ＥＴ ｌｌｈを用いている
ものであわば、ブ・ンシュフ′ルＪＳ！ＶＩｌｌｌ′ｉ
回路１１以外の増幅回路でもよいこと（法名う寸でもな
い。ざらに、温度センサ１３はダイオード７．９ａに限
るものではなく、一般的にＩＩＮＭセンサとして機能す
る素子のすべてかチー４ねるものである。
以上詳記したように本発明によれは、Ｊ・３、゛幅回路
に使用さ台るＩＶｌ、Ｏ８ＩＴ が一定の温度係数を治
しない場合でも、温度センサの出力を受けて温度保針を
可変するとともにバイアス、１ＩＸ−１１！！′を行な
って夙要のバイアス電圧を得、これをＭＯＳＦＥＴ に
加えるようにしたので、温度変化に対し１ｌｉ８１幅回
路の電力利得を常に一定の値に保つことができる。Ａ・
た、温度係数り・換回路にコンデンサを接続し７である
時足斂をもたせＪ］、ば、ＭＯＳＦＥＴ と温度センサ
との取付は位１１が異なっても短時間に温度補償を行え
るＭＯＳ ＦＥＴ ＠幅器を提イＩＬできる。
に使用さ台るＩＶｌ、Ｏ８ＩＴ が一定の温度係数を治
しない場合でも、温度センサの出力を受けて温度保針を
可変するとともにバイアス、１ＩＸ−１１！！′を行な
って夙要のバイアス電圧を得、これをＭＯＳＦＥＴ に
加えるようにしたので、温度変化に対し１ｌｉ８１幅回
路の電力利得を常に一定の値に保つことができる。Ａ・
た、温度係数り・換回路にコンデンサを接続し７である
時足斂をもたせＪ］、ば、ＭＯＳＦＥＴ と温度センサ
との取付は位１１が異なっても短時間に温度補償を行え
るＭＯＳ ＦＥＴ ＠幅器を提イＩＬできる。
第１図は従来における増幅器の基本構成図、第２図は第
１図を具体化した回路構成図、第３図は第２図に示す増
幅回路に使用したシリコン糸のバイポーラトランジスタ
の温度変化に対するＶＥＥ−ＩＣの特性図、第４図はバ
イポーラトランジスタの代りにＴ１．・１０８ Ｆ’
Ｅ Ｔ を用いた場合の具体的な回路構成図、第５０は
Ｐ−１０Ｓ Ｆ Ｅ Ｔの淵匹変化に対するＶＧＳＩＤ
の特性図、第６図は本発明に係るＭＯＳ ＦＥＥＴ
増幅器の基本構成図、＃；７図は本発明の泥１の実施例
１の構成図、第８１切ない；−第１０図は本発、ψ」の
第２の実施例を説明するための図であって、第８（ｙ／
ｌはハ、７図の構成による温度袖イハの時１ｕｊ遅）１
を）（トす１する波形図、第９図はｌｉ、 １ｌ−ｔｌ
とバイアス電圧の１≠ｊ イＪ＋を示す図、第１０図は
本発明に伯るΔ］ ＯＳ Ｆ Ｔ８： ＴＪ’：＋″幅
器一部を具体化［７た回路構成図、８１”、 １１図お
よび第１２図はそれぞ力、第１０図の−ｐ７ｐを魚形し
て示す図で必る。 １１ ・・・増幅回路、１１ ａ＝ｌｌ（Ｏ８Ｙ’ＦＴ
、１２・・・放熱器、１３・・・温度センサ、１４Ａ
・・・鈷、１度係数亥換回路、１４Ｂ・・・バイアス′
ｒｉ？汎・、１４ｃ・・・バイアス制御回路、１５・・
・入力４４号′４ｆ・出回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１１図 Ｃ１ 第１２図 Ｒ２３）（２２）（２１ 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭５８−１３１６５５ 号 ２、発明の名称 ＭＯＳ ＦＥＴ増１ｐ昌器 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０５７）安立電気株式会社 ４、代理人 ８Ａ！ｌｌｌ書全文 ７、補正の内容 明細書の浄書（内容に変更なし） ６８
１図を具体化した回路構成図、第３図は第２図に示す増
幅回路に使用したシリコン糸のバイポーラトランジスタ
の温度変化に対するＶＥＥ−ＩＣの特性図、第４図はバ
イポーラトランジスタの代りにＴ１．・１０８ Ｆ’
Ｅ Ｔ を用いた場合の具体的な回路構成図、第５０は
Ｐ−１０Ｓ Ｆ Ｅ Ｔの淵匹変化に対するＶＧＳＩＤ
の特性図、第６図は本発明に係るＭＯＳ ＦＥＥＴ
増幅器の基本構成図、＃；７図は本発明の泥１の実施例
１の構成図、第８１切ない；−第１０図は本発、ψ」の
第２の実施例を説明するための図であって、第８（ｙ／
ｌはハ、７図の構成による温度袖イハの時１ｕｊ遅）１
を）（トす１する波形図、第９図はｌｉ、 １ｌ−ｔｌ
とバイアス電圧の１≠ｊ イＪ＋を示す図、第１０図は
本発明に伯るΔ］ ＯＳ Ｆ Ｔ８： ＴＪ’：＋″幅
器一部を具体化［７た回路構成図、８１”、 １１図お
よび第１２図はそれぞ力、第１０図の−ｐ７ｐを魚形し
て示す図で必る。 １１ ・・・増幅回路、１１ ａ＝ｌｌ（Ｏ８Ｙ’ＦＴ
、１２・・・放熱器、１３・・・温度センサ、１４Ａ
・・・鈷、１度係数亥換回路、１４Ｂ・・・バイアス′
ｒｉ？汎・、１４ｃ・・・バイアス制御回路、１５・・
・入力４４号′４ｆ・出回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１１図 Ｃ１ 第１２図 Ｒ２３）（２２）（２１ 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭５８−１３１６５５ 号 ２、発明の名称 ＭＯＳ ＦＥＴ増１ｐ昌器 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０５７）安立電気株式会社 ４、代理人 ８Ａ！ｌｌｌ書全文 ７、補正の内容 明細書の浄書（内容に変更なし） ６８
Claims (3)
- （１） ＭＯＳ ＦＥＴまたは該ＭＯ８１ｉ”ＥＴの動
作によって生ずる熱を放散する放熱器に取付けられ、温
度に対応した電気信号を発生する温度センサーと；前記
ＭＯ８ＦＥＴの動作バイアスを真脩するためのバイアス
調整信号を出力するバイアス電ｄ９と；前記温度センサ
ーの１１気信号を受けて、前記温度センサーの温度係数
をｔ侠する回路と；該温度係数を変換する回路からの出
力信号と前記バイアス調整信号とを受けて前記Ｍ ＯＳ
Ｆ Ｅ Ｔに加えるためのだ［要のバイアス電圧を出
力するバイアス制御回路とを備えたことと、特徴とする
ＭＯＳ ＦＥＴ増幅器。 - （２）温度係数変換回路およびバイアス制御回路け：演
算増幅器と；この演算増幅器の反転入力♂出力端間に接
続さね、温度センサからの出力を分圧して該反転入力端
へ供給する抵抗分圧回路と；前記演算増幅器の非反転入
力端に供給されるバイアス電源からのバイアス調整信号
と前記抵抗分圧回路の分圧出力とによってバイアス電圧
を可変出力する回路とを備えたものであることを特徴と
する特許８青求の範囲第１項記載のＭ ＯＳ Ｆ ＥＴ
増幅器。 - （３）温度係数変換回路およびバイアス制御回路は：演
算増幅器と；この演初増幅器の反転入力端側と出力端間
に抵抗分圧回路およびこの抵抗分圧回路の一部の抵抗に
コンデンーりを並設してなり、温度センサからの出力を
時定数をもって分圧して該反転入力端へ（Ｉｆ給する時
定数回路と；前記演算増幅器の非反転入力端に供給され
るバイアス電源からのバイアス調整信号と前記時定数回
路の時定数によってバイアス電圧を可変出力する回路と
をａｌｌえたものであることを特徴とする特許請求の範
囲第・１１項記載のＭＯＳ ＦＥＴ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131655A JPS6022812A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Ｍｏｓｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131655A JPS6022812A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Ｍｏｓｆｅｔ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022812A true JPS6022812A (ja) | 1985-02-05 |
| JPH0471363B2 JPH0471363B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=15063125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131655A Granted JPS6022812A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Ｍｏｓｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022812A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203511U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-25 | ||
| US5483199A (en) * | 1994-10-21 | 1996-01-09 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for compensating thermal time constants in an electronic amplifier |
| JP2002094333A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Ge Yokogawa Medical Systems Ltd | 温度補償方法、増幅装置および磁気共鳴撮影装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036141A (ja) * | 1973-08-01 | 1975-04-05 |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58131655A patent/JPS6022812A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036141A (ja) * | 1973-08-01 | 1975-04-05 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203511U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-25 | ||
| US5483199A (en) * | 1994-10-21 | 1996-01-09 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for compensating thermal time constants in an electronic amplifier |
| JP2002094333A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Ge Yokogawa Medical Systems Ltd | 温度補償方法、増幅装置および磁気共鳴撮影装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0471363B2 (ja) | 1992-11-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100188622B1 (ko) | 고tcr 저항기를 갖는 온도 보상 기준전류 발생기 | |
| US4583037A (en) | High swing CMOS cascode current mirror | |
| US5525897A (en) | Transistor circuit for use in a voltage to current converter circuit | |
| KR20010089826A (ko) | 클래스 ａｂ 증폭기 | |
| US20100201406A1 (en) | Temperature and Supply Independent CMOS Current Source | |
| US5021730A (en) | Voltage to current converter with extended dynamic range | |
| JP7334081B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
| US5661395A (en) | Active, low Vsd, field effect transistor current source | |
| US6353365B1 (en) | Current reference circuit | |
| US6124754A (en) | Temperature compensated current and voltage reference circuit | |
| US5739682A (en) | Circuit and method for providing a reference circuit that is substantially independent of the threshold voltage of the transistor that provides the reference circuit | |
| JPS6022812A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ増幅器 | |
| US5506543A (en) | Circuitry for bias current generation | |
| JPH0675648A (ja) | 基準電流発生回路 | |
| US6072306A (en) | Variation-compensated bias current generator | |
| JP2004030064A (ja) | 基準電圧回路 | |
| JP3322357B2 (ja) | 定電圧発生回路 | |
| KR100668414B1 (ko) | 기준 전류 발생기 | |
| TW202046044A (zh) | 參考電壓產生裝置 | |
| KR100554441B1 (ko) | 캐스코드 전류 미러의 전류 바이어스 회로 | |
| KR19980078497A (ko) | 기준전압 발생기 | |
| JPH03139873A (ja) | 温度検出回路 | |
| US5406145A (en) | Push-pull-type amplifier circuit | |
| US7095271B2 (en) | Bias circuit | |
| US7019589B1 (en) | Transimpedance amplifier |