JPS60225425A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS60225425A JPS60225425A JP8153284A JP8153284A JPS60225425A JP S60225425 A JPS60225425 A JP S60225425A JP 8153284 A JP8153284 A JP 8153284A JP 8153284 A JP8153284 A JP 8153284A JP S60225425 A JPS60225425 A JP S60225425A
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- semiconductor substrate
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板の配線に使用されるＡｔの堆積法に
関するものである。
関するものである。
半導体基板にアルミニュウム（以下Ａｊと書く）を堆積
させる方法として従来用いられている方法は蒸着法ある
いはスパッター法といわれる真空の雰囲気でＡノヲ堆積
させるやり方がある。
させる方法として従来用いられている方法は蒸着法ある
いはスパッター法といわれる真空の雰囲気でＡノヲ堆積
させるやり方がある。
一般に半導体基板に配線としてＡｔを堆積させる時点で
は半導体基板の断面ば凹凸かあＶ（決して平坦にはなっ
ていない。配線としての役目からいなければならない。
は半導体基板の断面ば凹凸かあＶ（決して平坦にはなっ
ていない。配線としての役目からいなければならない。
蒸着法ではＡ４の蒸発源がほぼ煮蒸発源のため、上記の
凹凸部はカバーしきれなく、断差部で断切れを起してし
まうので、半導体基板を加熱して断差部での断切れを防
止している。しかし実際にはこれで充分とは言えない。
凹凸部はカバーしきれなく、断差部で断切れを起してし
まうので、半導体基板を加熱して断差部での断切れを防
止している。しかし実際にはこれで充分とは言えない。
第１図に従来の方法による半導体基板へのＡｔ配線の様
子を示すが、半導体基板５の上には必ず酸化膜２があり
、その断面は［ｉ２＋のように平坦ではない。蒸着法で
堆積させたＡ４４は平坦部、側壁部ともに一様ではなく
、第１図のように酸化膜の断面形状以上に凹凸の激しい
ものとなってくる。
子を示すが、半導体基板５の上には必ず酸化膜２があり
、その断面は［ｉ２＋のように平坦ではない。蒸着法で
堆積させたＡ４４は平坦部、側壁部ともに一様ではなく
、第１図のように酸化膜の断面形状以上に凹凸の激しい
ものとなってくる。
さらに後の工程でＡｔヲ配線形状にエツチング加工した
時断差部の底部のＡｔが大抵結晶学的に不安定なため４
のような穴ができたり断切れが発生したシする。
時断差部の底部のＡｔが大抵結晶学的に不安定なため４
のような穴ができたり断切れが発生したシする。
このような欠点を克服するためにスパッター法がｈｔ堆
積法として使用さｔたが大幅な改善Ｉ／ｉ得られなく、
Ａｌ配線の断面形状は第１図に示す状ｎｆあスと）−に
打蓼り索りいへ 以上のように従来の方法では半導体基板の凹凸の多い断
面に対して平坦部も側壁部も均一に堆積させることが難
しく、脆弱なＡｌの膜となる仁とがある。
積法として使用さｔたが大幅な改善Ｉ／ｉ得られなく、
Ａｌ配線の断面形状は第１図に示す状ｎｆあスと）−に
打蓼り索りいへ 以上のように従来の方法では半導体基板の凹凸の多い断
面に対して平坦部も側壁部も均一に堆積させることが難
しく、脆弱なＡｌの膜となる仁とがある。
本発明はこのような従来の欠嵐を克服し、断差部に訃け
るＡｔ配線が断切れｌく、信頼性の高いＡ２ Ｍを製造
する装置Ｋ関するものである。
るＡｔ配線が断切れｌく、信頼性の高いＡ２ Ｍを製造
する装置Ｋ関するものである。
本発明による製造装置の概略を第２図に示す。
本発明の製造装置は半導体基板を導入する予備室、半導
体基板に溶融Ｌ５たＡ、５を滴下し塗亜する室、溶融し
たＡｌを貯蔵する室、Ａｔを塗布した後冷却して取出す
室の４つのブロックで構成される。以下に各部分の自答
と役割の説明をする。半導体基板を導入する予備室１０
には半導体基板を収納するカセット１２があり、ここに
多数枚の半導体基板が収納されている。
体基板に溶融Ｌ５たＡ、５を滴下し塗亜する室、溶融し
たＡｌを貯蔵する室、Ａｔを塗布した後冷却して取出す
室の４つのブロックで構成される。以下に各部分の自答
と役割の説明をする。半導体基板を導入する予備室１０
には半導体基板を収納するカセット１２があり、ここに
多数枚の半導体基板が収納されている。
ｈｔ ２塗布する室には活性なガスが微ｆｋ′ｆｘｖと
も混入してはならないので、予備室１０とＡｔ會塗布す
る呈とは弁１５で仕切ってあり、大気中での半導体基板
導入時のガスを排気するため高真空用のポンプ１１が取
付けら扛である。このポンプは微量なガスを排気するた
め１０”” Ｔｏｒｒ台まで排気する能力有している。
も混入してはならないので、予備室１０とＡｔ會塗布す
る呈とは弁１５で仕切ってあり、大気中での半導体基板
導入時のガスを排気するため高真空用のポンプ１１が取
付けら扛である。このポンプは微量なガスを排気するた
め１０”” Ｔｏｒｒ台まで排気する能力有している。
最初に半導体基板を２０数枚収納したカセット１２を予
備室１０にセットし、一旦予備室をロータリーポンプ（
図示せず）にて荒引き後畠真空ポンプ（クライオポンプ
やターボモレキュラーポンプ）１１で１０ ” ＴＯｒ
ｒ台、もしくはそれ以上の高真空まで排気する。次の室
では半導体基板を７００℃前後の温度にする必要がおる
ので、予備室において赤外線ランプ等（図示せず）で〜
７５０℃に予備加熱しておく。
備室１０にセットし、一旦予備室をロータリーポンプ（
図示せず）にて荒引き後畠真空ポンプ（クライオポンプ
やターボモレキュラーポンプ）１１で１０ ” ＴＯｒ
ｒ台、もしくはそれ以上の高真空まで排気する。次の室
では半導体基板を７００℃前後の温度にする必要がおる
ので、予備室において赤外線ランプ等（図示せず）で〜
７５０℃に予備加熱しておく。
高真空に排気し予備加熱七一定時間した後仕切弁１５を
開けて半導体基板が一枚ずつ搬送される。
開けて半導体基板が一枚ずつ搬送される。
Ａｌを溶融する室８ではＡｌ１６を下部よりヒーター１
４で常にＡｌの融点以上の温度に加熱しておく。溶融し
たＡｔｉ適切量だけ供給するようにｈｌ塗布室内に伸び
たパイプの途中に弁１５を設けておく。又溶融Ａｔを供
給するパイプは途中でＡｔが凝固しないように周囲を高
温に加熱しておく（加熱のためのヒータ一部は図示せず
）。なおＡｌｆｔ溶融する容器、パイプはＡｔへの異物
混入を避けるため高純度な石英類を用いる。Ａｌ ｆｔ
塗布する室に送られてきた半導体基板５はヒーターブロ
ック９で７５０℃以上に加熱し几ステージ６に載せられ
て上部のパイプより溶融したｈｔが滴下された後ステー
ジに直結したモーター７にて一定の回転速度にて回転し
て溶融したＡｔヲ半導体基板内均一に塗布する。
４で常にＡｌの融点以上の温度に加熱しておく。溶融し
たＡｔｉ適切量だけ供給するようにｈｌ塗布室内に伸び
たパイプの途中に弁１５を設けておく。又溶融Ａｔを供
給するパイプは途中でＡｔが凝固しないように周囲を高
温に加熱しておく（加熱のためのヒータ一部は図示せず
）。なおＡｌｆｔ溶融する容器、パイプはＡｔへの異物
混入を避けるため高純度な石英類を用いる。Ａｌ ｆｔ
塗布する室に送られてきた半導体基板５はヒーターブロ
ック９で７５０℃以上に加熱し几ステージ６に載せられ
て上部のパイプより溶融したｈｔが滴下された後ステー
ジに直結したモーター７にて一定の回転速度にて回転し
て溶融したＡｔヲ半導体基板内均一に塗布する。
このようにしてＡｌを塗布した半導体基板を仕切弁１３
を開けて取出し予備室１０′へ送り込みカセット１２に
収納する。予備室１０′でＮ、ガスで室温近くまで冷却
した後大気へ取出す。
を開けて取出し予備室１０′へ送り込みカセット１２に
収納する。予備室１０′でＮ、ガスで室温近くまで冷却
した後大気へ取出す。
本発明の製造装置にて半導体基板へＡｔを塗布したとき
の断面図を第３図に示す。
の断面図を第３図に示す。
・溶融しｆｃＡｌを塗布する時半導体基板を１σ００回
転／分以上の高速で回転するために、Ａｌの膜厚は半導
体基板内で±５チ以内の分布となり、繰返しの膜厚分布
も±５％以内に収まる。塗布したＡｌの断面形状は第５
図に示すように半導体基板θ）ｒＬｒＩ＋ｒ１．ｖｒＩ
−１＋べｆ＞ ｈＩＨ畠Ｌ ｆｈ ｈ綴賛シ％リイ断薫
眸部でのｈｌ も結晶学的に正常な粒径となっていてエ
ツチング加工でのＡｔ配線に穴が開いたり、断切れを起
すというトラブルはない。
転／分以上の高速で回転するために、Ａｌの膜厚は半導
体基板内で±５チ以内の分布となり、繰返しの膜厚分布
も±５％以内に収まる。塗布したＡｌの断面形状は第５
図に示すように半導体基板θ）ｒＬｒＩ＋ｒ１．ｖｒＩ
−１＋べｆ＞ ｈＩＨ畠Ｌ ｆｈ ｈ綴賛シ％リイ断薫
眸部でのｈｌ も結晶学的に正常な粒径となっていてエ
ツチング加工でのＡｔ配線に穴が開いたり、断切れを起
すというトラブルはない。
この様に断面が滑らかになる男象は例えばレジストとい
う光で性質が変化する液体を半導体基板へ滴下し高速回
転した時も見られ、本発明による溶融Ａｔ塗布が凹凸あ
る部分へ平滑に）１を堆積させる方法として優れている
ものでおることを示唆している。
う光で性質が変化する液体を半導体基板へ滴下し高速回
転した時も見られ、本発明による溶融Ａｔ塗布が凹凸あ
る部分へ平滑に）１を堆積させる方法として優れている
ものでおることを示唆している。
又本発明によるＡｔ塗布では高温にて半導体基板へＡｔ
を堆積させるためＡｔ膜の粒径が大きく、Ａｌ配線の比
抵抗が小さく、半導体装置の信頼性が高いという利点を
有している。
を堆積させるためＡｔ膜の粒径が大きく、Ａｌ配線の比
抵抗が小さく、半導体装置の信頼性が高いという利点を
有している。
当然のことながら予備室にて半導体基板を高温、高真空
の雰囲気にしであるのでＡｔ膜中、半導体基板との接触
界面で不純物が析出するという問題はない。
の雰囲気にしであるのでＡｔ膜中、半導体基板との接触
界面で不純物が析出するという問題はない。
さらに本発明の装置は予備室に高真空ポンプと溶融する
ｈｔを保存する箱と半導体基板を加熱し回転させるもの
だけでよいので従来の蒸着機やスバッター装置に比べ機
構的に簡単であり、安価に製造出来るし、構成自答から
も装置寸法は非常に小さく出来る。− 以上述べてきたように本発明による製造装置によれば半
導体基板へのｈｔ膜形成が半導体基板の断面形状によら
ず平滑に出来、品質良く高信頼性のＡｌ配線を形成する
ことが可能である。又製造装置が簡単な構成であること
から安い設備費で、しかも小面積で設置出来ることがら
半導体工業ではＡｔ配線工程のコストダウンがなさｎ工
業的に有益なものであるといえる。
ｈｔを保存する箱と半導体基板を加熱し回転させるもの
だけでよいので従来の蒸着機やスバッター装置に比べ機
構的に簡単であり、安価に製造出来るし、構成自答から
も装置寸法は非常に小さく出来る。− 以上述べてきたように本発明による製造装置によれば半
導体基板へのｈｔ膜形成が半導体基板の断面形状によら
ず平滑に出来、品質良く高信頼性のＡｌ配線を形成する
ことが可能である。又製造装置が簡単な構成であること
から安い設備費で、しかも小面積で設置出来ることがら
半導体工業ではＡｔ配線工程のコストダウンがなさｎ工
業的に有益なものであるといえる。
第１図は従来の製造装ｆｌｌＫよる半導体基板へＡｌ配
線したときの断面図であり、第２図は本発明による製造
装置の斜視図である。第３図は本発明による製造装置を
用いて半導体基板にＡ４配線を施した時の断面図である
。 １・・・・・・Ａｌ配線 ２・・・・・・酸化膜 ５・・・・・・ウェハーを刃口熱するヒーターブロック
８・・・・・・溶融ｈｔ ｆ保存する容器９・・・・・
・半導体基板 １０．１０’・旧・・予備室 １１・・・・・・真空ポンプ １６・・・・・・溶融アルミ 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
線したときの断面図であり、第２図は本発明による製造
装置の斜視図である。第３図は本発明による製造装置を
用いて半導体基板にＡ４配線を施した時の断面図である
。 １・・・・・・Ａｌ配線 ２・・・・・・酸化膜 ５・・・・・・ウェハーを刃口熱するヒーターブロック
８・・・・・・溶融ｈｔ ｆ保存する容器９・・・・・
・半導体基板 １０．１０’・旧・・予備室 １１・・・・・・真空ポンプ １６・・・・・・溶融アルミ 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (1)
- 半導体基板に溶融アルミニュウムを滴下し回転して前記
アルミニュウムを塗布することを特徴とする半導体装置
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153284A JPS60225425A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153284A JPS60225425A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225425A true JPS60225425A (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=13748921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8153284A Pending JPS60225425A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144547A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06120165A (ja) * | 1990-12-14 | 1994-04-28 | Samsung Semiconductor Inc | 集積回路の接触抵抗低減方法と半導体へのオーミック金属コンタクト形成方法 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP8153284A patent/JPS60225425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144547A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06120165A (ja) * | 1990-12-14 | 1994-04-28 | Samsung Semiconductor Inc | 集積回路の接触抵抗低減方法と半導体へのオーミック金属コンタクト形成方法 |
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