JPS60221436A - プラスチツク表面欠陥の除去方法 - Google Patents
プラスチツク表面欠陥の除去方法Info
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- JPS60221436A JPS60221436A JP60040982A JP4098285A JPS60221436A JP S60221436 A JPS60221436 A JP S60221436A JP 60040982 A JP60040982 A JP 60040982A JP 4098285 A JP4098285 A JP 4098285A JP S60221436 A JPS60221436 A JP S60221436A
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/14—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by electrical means
- B05D3/141—Plasma treatment
- B05D3/142—Pretreatment
- B05D3/144—Pretreatment of polymeric substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2201/00—Polymeric substrate or laminate
- B05D2201/02—Polymeric substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラスチック材料の表面処理に関し、特に表面
溶解物質の除去方法に関する。
溶解物質の除去方法に関する。
従来の技術とその問題点
プラスチック製品及び部材においてはスクラッチ等の表
面傷は極めて普通のことである。光学素子の如く部材が
連続して使用される場合にはかかる傷は性能に有害な影
響を与える。また部材に表面被覆が設けられる場合には
表面欠陥の存在により被覆の一体性が制限される。
面傷は極めて普通のことである。光学素子の如く部材が
連続して使用される場合にはかかる傷は性能に有害な影
響を与える。また部材に表面被覆が設けられる場合には
表面欠陥の存在により被覆の一体性が制限される。
表面欠陥の除去がプラスチック材料の溶融により行なわ
れることがある。しかしこれは多くのプラスチック材料
には適用できず、また当然部材自体の変形をまねく。こ
の問題点を解決するため、プラズマ溶融法特に部材の表
面のみを加熱するパルスプラズマ溶融法が使用される。
れることがある。しかしこれは多くのプラスチック材料
には適用できず、また当然部材自体の変形をまねく。こ
の問題点を解決するため、プラズマ溶融法特に部材の表
面のみを加熱するパルスプラズマ溶融法が使用される。
例えば英国特許出願N o、2105729 Aには、
1リットル当り少なくとも数kWのパワー密度を生ぜし
めるプラズマパルスによる平均パワーの低い強力無線周
波数パルスプラズマに基体表面を曝すことを特徴とする
、感熱基体材料の表面処理方法が記載されている。
1リットル当り少なくとも数kWのパワー密度を生ぜし
めるプラズマパルスによる平均パワーの低い強力無線周
波数パルスプラズマに基体表面を曝すことを特徴とする
、感熱基体材料の表面処理方法が記載されている。
表面の加熱は出願N o、2105729 Aに記載の
方法で行なえるが、プラズマによる架橋形成のため実効
融点が上昇するため適切な表面溶融を得るのは困難であ
った。
方法で行なえるが、プラズマによる架橋形成のため実効
融点が上昇するため適切な表面溶融を得るのは困難であ
った。
本発明の目的はこの欠点を減少又は解決するにある。
問題点を解決するための手段
本発明によれば、アルゴンが主たる又は単一の成分であ
るパルス状無線周波数プラズマにプラスチック表面を曝
すことを特徴とする、表面溶融によりプラスチック表面
から欠陥を除去する方法が提供される。
るパルス状無線周波数プラズマにプラスチック表面を曝
すことを特徴とする、表面溶融によりプラスチック表面
から欠陥を除去する方法が提供される。
また本発明においては大略プラスチック表面のスクラッ
チ等の欠陥は、アルゴンと水素との混合物からなるパル
ス状無線周波数プラズマに表面を曝すことで除去される
。溶融後表面は、平滑表面層を形成するよう架橋形成を
行なうためアルゴンプラズマに曝される。
チ等の欠陥は、アルゴンと水素との混合物からなるパル
ス状無線周波数プラズマに表面を曝すことで除去される
。溶融後表面は、平滑表面層を形成するよう架橋形成を
行なうためアルゴンプラズマに曝される。
パルスアルゴンプラズマを使用することにより有効な表
面溶融が行なわれる。プラズマは30体積%以下の水素
を含むのが有利である。これにより表面溶融を起こすの
に必要な無線周波数のパワーが減少することがわかって
いる。これはプラズマ中に発生した水素原子の化学作用
によりプラスチック表面での平均分子量が減少するため
表面の融点が低下することによると考えられる。平滑化
が完了すると(通常数分後)、表面は表面の融点を上げ
る架橋形成を起こさせるよう無水素アルゴンプラズマに
曝される。
面溶融が行なわれる。プラズマは30体積%以下の水素
を含むのが有利である。これにより表面溶融を起こすの
に必要な無線周波数のパワーが減少することがわかって
いる。これはプラズマ中に発生した水素原子の化学作用
によりプラスチック表面での平均分子量が減少するため
表面の融点が低下することによると考えられる。平滑化
が完了すると(通常数分後)、表面は表面の融点を上げ
る架橋形成を起こさせるよう無水素アルゴンプラズマに
曝される。
実施例
図面を参照するに、表面を処理しようとするプラスチッ
ク部材10は真空室11内に置かれる。
ク部材10は真空室11内に置かれる。
室11中の部材10が置かれる部分は、パルス状無線周
波数発生器13に接続されたコイル12により囲まれて
いる。発生器のパワー出力値は重要ではないが勿論部材
10の表面溶融を起こすに充分でなければならない。そ
のためには60kWの発生器が適当である。発生器は2
〜3 kW/ I!、のエネルギー密度をもたらすのが
有利である。典型的にはパルス幅は1〜5msであり、
繰返し周波数は5〜20H2である。ガス分圧は10〜
200m torrであるのが好ましい。室11はポン
プ15へ連なる排気口14から排気され、入口17を介
して吸込マニホルド16からガス又は蒸気を供給される
。
波数発生器13に接続されたコイル12により囲まれて
いる。発生器のパワー出力値は重要ではないが勿論部材
10の表面溶融を起こすに充分でなければならない。そ
のためには60kWの発生器が適当である。発生器は2
〜3 kW/ I!、のエネルギー密度をもたらすのが
有利である。典型的にはパルス幅は1〜5msであり、
繰返し周波数は5〜20H2である。ガス分圧は10〜
200m torrであるのが好ましい。室11はポン
プ15へ連なる排気口14から排気され、入口17を介
して吸込マニホルド16からガス又は蒸気を供給される
。
使用時部材10は室11内へ挿入され次いで室11は排
気口14から排気される。アルゴン又はアルゴンと水素
との混合物が入口17を介して室に入れられ、プラスチ
ック部材10の表面溶融を起こすプラズマを開始させる
ため発生器に通電される。プラズマ中の水素は体積で3
0%を越えてはならない。水素が多すぎると表面の分子
量が低下しすぎて浸食が起こり表面が削られる。アルゴ
ン中の水素の最適濃度は5〜10体積%である。
気口14から排気される。アルゴン又はアルゴンと水素
との混合物が入口17を介して室に入れられ、プラスチ
ック部材10の表面溶融を起こすプラズマを開始させる
ため発生器に通電される。プラズマ中の水素は体積で3
0%を越えてはならない。水素が多すぎると表面の分子
量が低下しすぎて浸食が起こり表面が削られる。アルゴ
ン中の水素の最適濃度は5〜10体積%である。
平滑化が完了するとく典型的には1〜10分後)プラズ
マへの水素供給が遮断され、部材はアルゴンプラズマに
曝される。これにより表面の架橋形成が起こり融点が上
昇する。次いで発生器への通電が遮断され室は大気圧ま
で戻される。発生器の出力を上げれば水素を使用しなく
ても溶融が起こる。この場合プラスチック表面は溶融し
、つまり平滑化が起こってから架橋が形成される。
マへの水素供給が遮断され、部材はアルゴンプラズマに
曝される。これにより表面の架橋形成が起こり融点が上
昇する。次いで発生器への通電が遮断され室は大気圧ま
で戻される。発生器の出力を上げれば水素を使用しなく
ても溶融が起こる。この場合プラスチック表面は溶融し
、つまり平滑化が起こってから架橋が形成される。
以下例により本発明を説明する。
例
直径2インチ(5,08cm )のポリカーボネート円
盤の表面欠陥が走査電子顕微11(SEM)技術を用い
て検査された。円盤表面にはスクラッチ及び微小粒があ
り、欠陥の平均は30ミクロンであった。
盤の表面欠陥が走査電子顕微11(SEM)技術を用い
て検査された。円盤表面にはスクラッチ及び微小粒があ
り、欠陥の平均は30ミクロンであった。
円盤は圧力100111 torrのアルゴンプラズマ
に8分間曝された。発生器のパルス幅は2IllSであ
り、繰返し周波数は14H2であった。計算によるエネ
ルギー密度は2.5kW/ eであった。処理終了後S
EM技術により決定された平均表面欠陥は200n−以
下であった。
に8分間曝された。発生器のパルス幅は2IllSであ
り、繰返し周波数は14H2であった。計算によるエネ
ルギー密度は2.5kW/ eであった。処理終了後S
EM技術により決定された平均表面欠陥は200n−以
下であった。
この例により本発明の方法の有効性が証明される。
処理を受けたプラスチック部材は場合により、次いで例
えば英国公開特許出願N o、2105729又は同日
出願である英国特許出願N o、8405649に記載
された方法によりプラズマ蒸着表面が設Cノられる。
えば英国公開特許出願N o、2105729又は同日
出願である英国特許出願N o、8405649に記載
された方法によりプラズマ蒸着表面が設Cノられる。
図はパルスプラズマ処理装置の概略図である。
10・・・プラスチック部材、11・・・室、12・・
・コイル、13・・・パルス状無線周波数発生器、14
・・・排気口、15・・・ポンプ、16・・・吸込マニ
ホルド、17・・・入口。 特許出願人 スタンダード テレフォンズアンド ケー
ブルス パブリック 第1頁の続き ■Int、C1,’ 識別記号 庁内整理番号// B
29 G 71104 6653−4F@発 明 者
サレツシュ ミシュリ イギリス国うル オージャ
7幡地 [相]発 明 者 イアン ポール レウ イギリス国
ニリン − ワイダブ エセツクス バーロー カーターズ メッドエセツクス
バーロー フォース アベニュリューシーエー (番
地なし) 手続補正書 昭和60年3月28日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、事件の表示 昭和60年 特許願 第40982号 2、発明の名称 プラスチック表面欠陥の除去方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー2アー
ル1デイーニー ストランド 190番地名 称 スタ
ンダード テレフォンズ アンド ケーブルスパブリッ
ク リミテッド カンパニー 代表者 マーク チャールズ デニス (国籍 イギリス国) 4、代理人 住 所 〒102 東京都千代田区麹町5丁目7番地5
、補正命令の日付 自発補正 6、補正の対象 図面。 7、補正の内容 図面の浄書(内容に変更なし)を別紙の通り補充する。
・コイル、13・・・パルス状無線周波数発生器、14
・・・排気口、15・・・ポンプ、16・・・吸込マニ
ホルド、17・・・入口。 特許出願人 スタンダード テレフォンズアンド ケー
ブルス パブリック 第1頁の続き ■Int、C1,’ 識別記号 庁内整理番号// B
29 G 71104 6653−4F@発 明 者
サレツシュ ミシュリ イギリス国うル オージャ
7幡地 [相]発 明 者 イアン ポール レウ イギリス国
ニリン − ワイダブ エセツクス バーロー カーターズ メッドエセツクス
バーロー フォース アベニュリューシーエー (番
地なし) 手続補正書 昭和60年3月28日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、事件の表示 昭和60年 特許願 第40982号 2、発明の名称 プラスチック表面欠陥の除去方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー2アー
ル1デイーニー ストランド 190番地名 称 スタ
ンダード テレフォンズ アンド ケーブルスパブリッ
ク リミテッド カンパニー 代表者 マーク チャールズ デニス (国籍 イギリス国) 4、代理人 住 所 〒102 東京都千代田区麹町5丁目7番地5
、補正命令の日付 自発補正 6、補正の対象 図面。 7、補正の内容 図面の浄書(内容に変更なし)を別紙の通り補充する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)アルゴンが主たる又は単一の成分であるパルス状
無線周波数プラズマにプラスチック表面を曝すことを特
徴とする、表面溶融によりプラスチック表面から欠陥を
除去する方法。 ■ プラズマは30体積パーセント以下の水素を含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラスチッ
ク表面欠陥の除去方法。 ■ プラズマは5乃至10体積パーセントの水素を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のプラスチ
ック表面欠陥の除去方法。 4)表面は2hw/g乃至3 kw/ iのエネルギー
密度を受けることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のプラスチック表面欠陥の除去方法。 6) プラズマの圧力はio+n torr乃至200
1+1 torrであることを特徴とする特許請求の範
囲第4項0 パルス幅は1ms乃至5msであることを
特徴とする特許請求の範囲第5項記載のプラスチック表
面欠陥の除去方法。 の パルスの繰返し周波数は5Hz乃至201−1zで
あることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載のプラ
スチック表面欠陥の除去方法。 (a プラスチック本体を、プラスチックの表面溶融を
起こさせるような体積比でアルゴンと水素とを含むパル
ス状無線周波数プラズマに曝し、溶融表面をパルス状無
線周波数アルゴンプラズマに曝して表面に架橋形成する
ことを特徴とする表面溶融によるプラスチック本体の表
面処理方法。 ■)後から被覆を表面に設けることを特徴とする特許請
求の範囲第1項又は第8項記載の方法。 (10)該被覆はプラズマ蒸着被覆であることを特徴と
する特許請求の範囲第9項記載の方法。 (11)特許請求の範囲第1項記載の方法により処理さ
れたプラスチック部材。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8405648 | 1984-03-03 | ||
GB08405648A GB2155024A (en) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | Surface treatment of plastics materials |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60221436A true JPS60221436A (ja) | 1985-11-06 |
JPH0357145B2 JPH0357145B2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=10557571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60040982A Granted JPS60221436A (ja) | 1984-03-03 | 1985-03-01 | プラスチツク表面欠陥の除去方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4684535A (ja) |
EP (1) | EP0156516B1 (ja) |
JP (1) | JPS60221436A (ja) |
AT (1) | ATE35107T1 (ja) |
DE (1) | DE3563324D1 (ja) |
GB (2) | GB2155024A (ja) |
Families Citing this family (41)
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---|---|---|---|---|
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US4960611A (en) * | 1987-09-30 | 1990-10-02 | Kansai Paint Company, Limited | Method of remedying coating |
KR930011413B1 (ko) * | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
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AU4965896A (en) * | 1995-01-23 | 1996-08-14 | Sandia Corporation | Pulsed ion beam assisted deposition |
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FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
FR2857953B1 (fr) | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
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FR2891281B1 (fr) | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
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