JPS60221367A - セラミツク焼結体の製造方法 - Google Patents
セラミツク焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60221367A JPS60221367A JP7476184A JP7476184A JPS60221367A JP S60221367 A JPS60221367 A JP S60221367A JP 7476184 A JP7476184 A JP 7476184A JP 7476184 A JP7476184 A JP 7476184A JP S60221367 A JPS60221367 A JP S60221367A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- powder material
- microwave
- ceramic powder
- sintered body
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の１」的
産業上の利用分野
本発明は、セラミンク焼結体の製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来技術
一般に、セラミンク粉末材料を加圧しながら高温で加熱
焼成するホントプレスでは高密度等の特性が良好なセラ
ミック焼成体を得るようにできることが知られている。
焼成するホントプレスでは高密度等の特性が良好なセラ
ミック焼成体を得るようにできることが知られている。
従来、このセラミンク焼結体を製造するホットプレス（
第１図参照）は電気炉ｌの周囲に装着したＳｉＣ等の発
熱体２で電気炉１の内部を８００〜１４００°Ｃ程度に
Ａ温し、その昇温で窒化珪素等よりなる磁器型３に挿置
したセラミック粉末材料Ａを加圧機構４ａ、 ４ｂで１
０（１−１０００Ｋｇ／ ｃｍ２程度に押圧しつつ加熱
焼成するよう行うのが通常である。
第１図参照）は電気炉ｌの周囲に装着したＳｉＣ等の発
熱体２で電気炉１の内部を８００〜１４００°Ｃ程度に
Ａ温し、その昇温で窒化珪素等よりなる磁器型３に挿置
したセラミック粉末材料Ａを加圧機構４ａ、 ４ｂで１
０（１−１０００Ｋｇ／ ｃｍ２程度に押圧しつつ加熱
焼成するよう行うのが通常である。
発明が解決しようとする問題点
このホットプレスでは磁器型３に収容したセラミンク粉
末材料を外部から加熱することになるため、温度Ｊ−Ｆ
Ｉに長時間を要しまた加熱効率も極めて悪く、しかも装
置が大型で発熱体２の保守管理に手間が掛る等の欠点が
ある。
末材料を外部から加熱することになるため、温度Ｊ−Ｆ
Ｉに長時間を要しまた加熱効率も極めて悪く、しかも装
置が大型で発熱体２の保守管理に手間が掛る等の欠点が
ある。
（２）発明の構成
問題点を解決するための手段
本発明は、短時間に効率よくセラミック粉末材料を焼成
可能にするセラミック焼成体の製造方法を提供するもの
で、マイクロ波空洞共振器或いは導波管の内部で磁器型
に収容したセラミック粉末材料を加圧機構で押圧しつつ
当該マイクロ波空洞共振器或いは導波管の内部にマイク
ロ波を導入し、そのマイクロ波の電界が大きなところに
セラミック粉末材料を位置させて内部発熱することによ
り誘電加熱で焼成してセラミンク焼結体を製造するよう
にされている。
可能にするセラミック焼成体の製造方法を提供するもの
で、マイクロ波空洞共振器或いは導波管の内部で磁器型
に収容したセラミック粉末材料を加圧機構で押圧しつつ
当該マイクロ波空洞共振器或いは導波管の内部にマイク
ロ波を導入し、そのマイクロ波の電界が大きなところに
セラミック粉末材料を位置させて内部発熱することによ
り誘電加熱で焼成してセラミンク焼結体を製造するよう
にされている。
作 用
通常はアルミナ、マイクロ波用フェライト等のセラミン
ク粉末材料はマイクロ波に対する損失が少ないため、誘
電加熱が困難であると考えられている。然し、セラミッ
ク粉末の単位体積当りで吸収されるマイクロ波電力Ｐは
マイクロ波発振源の角周波数：ω、゛セラミック粉末内
の−ｙイクロ波電界：Ｅ、真空の誘電率：ε。、セラミ
ック粉末の複素比誘電率＝（＝ε′−Ｊε″とすると、
Ｐ・（＋／２）ωε。ε′１Ｅ１２で与えられるもので
あり、低損失ε゛が小さなセラミック粉末材料でもマイ
クロ波の電界Ｅが大きくなっているところに位置するこ
とにより発熱乃至温度上昇が可能である。また、低損失
のアルミナ粉末やフェライト粉末の成型体はマイクロ波
に対する複素銹電率が温度で変化するものであり、例え
ばアルミナに周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を照射
するとε゛の値は温度による変化が僅かである（第２図
一点鎖線参照）が、（″は常温では非常に小さな値でも
５００〜ｅｏｏ ’ｃ程度から急激に上昇して大きな値
を示すようになる（第２図実線参照）。従って、上述し
た式からも明らかな如く、セラミック粉末材料を電界Ｅ
が大きくなっている場所に位置するとマイクロ波電力を
効率よく吸収して温度上昇が可能であり、僅かに２〜３
分程度でｔ ｏ ｏ ｏ ”ｃ以上の焼成温度にまで達
することができる。
ク粉末材料はマイクロ波に対する損失が少ないため、誘
電加熱が困難であると考えられている。然し、セラミッ
ク粉末の単位体積当りで吸収されるマイクロ波電力Ｐは
マイクロ波発振源の角周波数：ω、゛セラミック粉末内
の−ｙイクロ波電界：Ｅ、真空の誘電率：ε。、セラミ
ック粉末の複素比誘電率＝（＝ε′−Ｊε″とすると、
Ｐ・（＋／２）ωε。ε′１Ｅ１２で与えられるもので
あり、低損失ε゛が小さなセラミック粉末材料でもマイ
クロ波の電界Ｅが大きくなっているところに位置するこ
とにより発熱乃至温度上昇が可能である。また、低損失
のアルミナ粉末やフェライト粉末の成型体はマイクロ波
に対する複素銹電率が温度で変化するものであり、例え
ばアルミナに周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を照射
するとε゛の値は温度による変化が僅かである（第２図
一点鎖線参照）が、（″は常温では非常に小さな値でも
５００〜ｅｏｏ ’ｃ程度から急激に上昇して大きな値
を示すようになる（第２図実線参照）。従って、上述し
た式からも明らかな如く、セラミック粉末材料を電界Ｅ
が大きくなっている場所に位置するとマイクロ波電力を
効率よく吸収して温度上昇が可能であり、僅かに２〜３
分程度でｔ ｏ ｏ ｏ ”ｃ以上の焼成温度にまで達
することができる。
実施例
第３及び４図を参照して説明すると、蕊ではセラミック
焼結体を製造するにあたって、マイクロ波空洞共振器１
０と高電力マイクロ波発振器１１とを導波管１２で接続
したポットプレス装置が用いられている。
焼結体を製造するにあたって、マイクロ波空洞共振器１
０と高電力マイクロ波発振器１１とを導波管１２で接続
したポットプレス装置が用いられている。
空洞共振器１０はＴＭ ｌ ｌ ／ｌ或いはＴＥ（ｌｌ
ｎモードで動作する円筒共振器で、この使用電磁界モー
ドとしては被焼結体Ａの円柱９円筒等の如き形状或いは
熱が被焼結体Ａの表面から対流、放射で失なわれること
等を考慮して被焼結体内の各点で温度が均一になるよう
選択設定するのが好ましい。その空洞共振器１０の略中
心部伺近には、セラミック粉末材料を挿置する磁器型１
３が配置されている。この磁器型１３は、非常に純度の
よいアルミナ等の極めて低損失材料で作られたもので着
脱を自在に行なえるよう数句けられている。その磁器型
１３に向っては、径内に充填したセラミック粉末材料を
押圧する加圧機構１４が空洞共振器１０の内部に突出す
るように装着されている。この加圧機構１４は金属棒＋
４ａ及びアルミナ磁気棒１４ｂでなる加圧端子を備え、
金属棒＋４ａが共振器１０の端板１０ａに接触して略同
一平面に位置することにより共振器１０から電磁波が漏
洩しないよう取＋−Ｊけられている。また、アルミナ磁
気棒１４ｂは共振器１０の端板１０ｂが僅かに偏位する
ことにより同調を取ることができるよう装着されている
。
ｎモードで動作する円筒共振器で、この使用電磁界モー
ドとしては被焼結体Ａの円柱９円筒等の如き形状或いは
熱が被焼結体Ａの表面から対流、放射で失なわれること
等を考慮して被焼結体内の各点で温度が均一になるよう
選択設定するのが好ましい。その空洞共振器１０の略中
心部伺近には、セラミック粉末材料を挿置する磁器型１
３が配置されている。この磁器型１３は、非常に純度の
よいアルミナ等の極めて低損失材料で作られたもので着
脱を自在に行なえるよう数句けられている。その磁器型
１３に向っては、径内に充填したセラミック粉末材料を
押圧する加圧機構１４が空洞共振器１０の内部に突出す
るように装着されている。この加圧機構１４は金属棒＋
４ａ及びアルミナ磁気棒１４ｂでなる加圧端子を備え、
金属棒＋４ａが共振器１０の端板１０ａに接触して略同
一平面に位置することにより共振器１０から電磁波が漏
洩しないよう取＋−Ｊけられている。また、アルミナ磁
気棒１４ｂは共振器１０の端板１０ｂが僅かに偏位する
ことにより同調を取ることができるよう装着されている
。
高電力マイクロ波発振器１１としては、例えば周波数２
．４５ＧＩ（ｚで出力１００ｗ〜５Ｋｌｌｌの電力を発
振可能なものを組込むことができる。その出力は、方向
性結合器等１５を備えた入射波９反射波の電力指示部１
６を介して導波ｖｌりから空洞共振器１０の内部に導入
するよう構成できる。この取付位置は空洞共振器１０の
内部に配置した磁器型１３との関係で設定し、導波管１
２から導入されるマイクロ波の電界が大きなところに磁
器型１３に挿置したセラミンク粉末材料を位置できるよ
うにされている。
．４５ＧＩ（ｚで出力１００ｗ〜５Ｋｌｌｌの電力を発
振可能なものを組込むことができる。その出力は、方向
性結合器等１５を備えた入射波９反射波の電力指示部１
６を介して導波ｖｌりから空洞共振器１０の内部に導入
するよう構成できる。この取付位置は空洞共振器１０の
内部に配置した磁器型１３との関係で設定し、導波管１
２から導入されるマイクロ波の電界が大きなところに磁
器型１３に挿置したセラミンク粉末材料を位置できるよ
うにされている。
このように構成するホントプレス装置では、磁器型１３
の径内にアルミナ、フェライトなどのセラミ・ンク粉末
材料を充填した後、加圧機構１４の可動側である金属棒
１４ａをド降動してセラミンク粉末材料を押圧する。そ
れと共に、高電力マイクロ波発振器１１を作動して導波
管１２よりマイクロ波を共振器１０内に導入すると、セ
ラミック粉末材料を充填する磁器型１３が共振器、ｌＯ
の適当な位置に配置されているため、共振器１０の内部
でマイクロ波の電界が大きくなるところにセラミック粉
末材ネ：１を晒すことができる。従って、セラミック粉
末材料は加圧機構１４の抑圧下にマイクロ波で内部より
発熱し、極めて短時間で焼結を完了するようになる。そ
の温度上昇はマイクロ波出力電力を電気的に制御するこ
とにより任意な勾配で容易に制御可能であり、またそれ
がセラミック粉末材料の内部から生ずるために加圧機構
部１４の温度上昇は少なくて済む。
の径内にアルミナ、フェライトなどのセラミ・ンク粉末
材料を充填した後、加圧機構１４の可動側である金属棒
１４ａをド降動してセラミンク粉末材料を押圧する。そ
れと共に、高電力マイクロ波発振器１１を作動して導波
管１２よりマイクロ波を共振器１０内に導入すると、セ
ラミック粉末材料を充填する磁器型１３が共振器、ｌＯ
の適当な位置に配置されているため、共振器１０の内部
でマイクロ波の電界が大きくなるところにセラミック粉
末材ネ：１を晒すことができる。従って、セラミック粉
末材料は加圧機構１４の抑圧下にマイクロ波で内部より
発熱し、極めて短時間で焼結を完了するようになる。そ
の温度上昇はマイクロ波出力電力を電気的に制御するこ
とにより任意な勾配で容易に制御可能であり、またそれ
がセラミック粉末材料の内部から生ずるために加圧機構
部１４の温度上昇は少なくて済む。
なお、空洞共振器では」二連した以外の円筒或いは矩形
共振器モードを用いることができ、また大電力マイクロ
波発振源を組込めば導波管内に磁器型、加圧機構部を配
置することによりセラミンク粉末材料を焼成するように
もできる。更に、共振器１０は必要に応じて外周に冷却
パイプ１７を巻回配置することにより水冷を行い得る。
共振器モードを用いることができ、また大電力マイクロ
波発振源を組込めば導波管内に磁器型、加圧機構部を配
置することによりセラミンク粉末材料を焼成するように
もできる。更に、共振器１０は必要に応じて外周に冷却
パイプ１７を巻回配置することにより水冷を行い得る。
（３）発明の効果
以上の如く、本発明に係るセラミック焼結体の製造方法
に依れば、マイクロ波の誘電加熱でセラミンク粉末材料
を内部より昇温しつつ加圧機構で押圧するため熱効率が
良好で温度上７時間も短くて高密度な特性のよいセラミ
ック焼結体を得ることができ、またマイクロ波を空洞器
内に導入可能にすればよいため相対的に装置を小型で保
守管理の容易な構造に構成することもできる。
に依れば、マイクロ波の誘電加熱でセラミンク粉末材料
を内部より昇温しつつ加圧機構で押圧するため熱効率が
良好で温度上７時間も短くて高密度な特性のよいセラミ
ック焼結体を得ることができ、またマイクロ波を空洞器
内に導入可能にすればよいため相対的に装置を小型で保
守管理の容易な構造に構成することもできる。
第１図は従来例に係るホットプレス装置の構成を示す説
明図、第２図はセラミック材料のマイクロ波に対する複
素誘電率の温度特性を示すグラフ、第３図は本発明に係
る方法を実施するホットプレス装置の一例を示す系統説
明図、第４図は同装置に組込んだ空洞共振器の内部を示
す側断面図である。 １０：マイクロ波空洞共振器、１１：マイクロ波発振器
、１２：導波管、１３：磁器型、１４（１４ａ、 １４
ｂ） ：加圧機構、Ａ二液焼成体となるセラミック粉末
材料。 ’ｊ’、＊ ４ ｊ：ｉ 第 ２ １Ｘ１ ｔｕｕ ＋Ｉｕｕ （１％ＡＪ ８１ＪＬ＋ １０００
ＣＣ）
明図、第２図はセラミック材料のマイクロ波に対する複
素誘電率の温度特性を示すグラフ、第３図は本発明に係
る方法を実施するホットプレス装置の一例を示す系統説
明図、第４図は同装置に組込んだ空洞共振器の内部を示
す側断面図である。 １０：マイクロ波空洞共振器、１１：マイクロ波発振器
、１２：導波管、１３：磁器型、１４（１４ａ、 １４
ｂ） ：加圧機構、Ａ二液焼成体となるセラミック粉末
材料。 ’ｊ’、＊ ４ ｊ：ｉ 第 ２ １Ｘ１ ｔｕｕ ＋Ｉｕｕ （１％ＡＪ ８１ＪＬ＋ １０００
ＣＣ）
Claims (1)
- マイクロ波空洞共振器或いは導波管の内部で７゜器型に
収容したセラミンク粉末材料を加圧機構で押圧しつつ当
該マイクロ波空洞共振器或いは導波管の内部にマイクロ
波を導入し、そのセラミック粉末材ネ′１をマイクロ波
の電界が大きなところに位置ネせて内部発熱することに
より誘電加熱でセラミンク粉末材料を焼結するようにし
たことを特徴とするセラミンク焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7476184A JPS60221367A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | セラミツク焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7476184A JPS60221367A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | セラミツク焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221367A true JPS60221367A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13556579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7476184A Pending JPS60221367A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | セラミツク焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0363193A2 (en) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Alcan International Limited | Process for heating materials by microwave energy |
| EP0364097A1 (en) * | 1988-09-26 | 1990-04-18 | Alcan International Limited | Process for producing composite ceramic articles |
| US5365042A (en) * | 1991-03-14 | 1994-11-15 | Societe Nationale D'etude Et De Construction De Moteurs D'aviation "S.N.E.C.M.A." | Installation and method for heat treating parts made of a composite material having a ceramic matrix by using microwave energy |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532674A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of molding building material |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP7476184A patent/JPS60221367A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532674A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of molding building material |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0364097A1 (en) * | 1988-09-26 | 1990-04-18 | Alcan International Limited | Process for producing composite ceramic articles |
| EP0363193A2 (en) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Alcan International Limited | Process for heating materials by microwave energy |
| US5072087A (en) * | 1988-10-06 | 1991-12-10 | Alcan International Limited | Process for heating materials by microwave energy |
| US5365042A (en) * | 1991-03-14 | 1994-11-15 | Societe Nationale D'etude Et De Construction De Moteurs D'aviation "S.N.E.C.M.A." | Installation and method for heat treating parts made of a composite material having a ceramic matrix by using microwave energy |
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