JPS60216572A - ヒ−トシンクの製造方法 - Google Patents
ヒ−トシンクの製造方法Info
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- JPS60216572A JPS60216572A JP59072425A JP7242584A JPS60216572A JP S60216572 A JPS60216572 A JP S60216572A JP 59072425 A JP59072425 A JP 59072425A JP 7242584 A JP7242584 A JP 7242584A JP S60216572 A JPS60216572 A JP S60216572A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 5
- 210000003141 lower extremity Anatomy 0.000 claims 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
- H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/26175—Flow barriers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はヘッダーの製造方法、特に混成集積回路に組込
むパワートランジスタの固着に用いるヘッダーの製造方
法に関する。
むパワートランジスタの固着に用いるヘッダーの製造方
法に関する。
（ロ）従来技術
従来の混成集積回路は第１図に示す如く、セラミックス
あるいは表面を陽極酸化したアルミニウム等の絶縁基板
（１）と、該基板（１）上に任意の形状に設けた導電路
（２）と、該導電路（２）上に半田で固着されたヒート
シンク（３）と、ヒートシンク（３）に固着されたパワ
ートランジスタ（４）と、パワートランジスタ（４）を
被覆保護する封止樹脂層（５）と、基板（１）の周端に
接着シート（６）で接着され全体を覆う蓋体（７）とで
構成されていた。
あるいは表面を陽極酸化したアルミニウム等の絶縁基板
（１）と、該基板（１）上に任意の形状に設けた導電路
（２）と、該導電路（２）上に半田で固着されたヒート
シンク（３）と、ヒートシンク（３）に固着されたパワ
ートランジスタ（４）と、パワートランジスタ（４）を
被覆保護する封止樹脂層（５）と、基板（１）の周端に
接着シート（６）で接着され全体を覆う蓋体（７）とで
構成されていた。
斯る構造の混成集積回路はテレビ、ラジオ、ステレオ等
の比較的良好な使用環境を有する電子機器では十分な封
止と評価されていた。しかしながら自動車の電装部品等
の如（極めて使用環境の悪いものにおいては十分な封止
構造とは言えず、特に電力を消費するパワートランジス
タの劣化が極めて問題となっていた。即ちヒートサイク
ルの結果、封止樹脂層（５）にクラックが発生し、クラ
ックから入る酸素により半田酸化が起こり、パワートラ
ンジスタ（４）とヒートシンク（３）との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ（４）が二次破壊されるのであ
る。
の比較的良好な使用環境を有する電子機器では十分な封
止と評価されていた。しかしながら自動車の電装部品等
の如（極めて使用環境の悪いものにおいては十分な封止
構造とは言えず、特に電力を消費するパワートランジス
タの劣化が極めて問題となっていた。即ちヒートサイク
ルの結果、封止樹脂層（５）にクラックが発生し、クラ
ックから入る酸素により半田酸化が起こり、パワートラ
ンジスタ（４）とヒートシンク（３）との熱抵抗が増大
してパワートランジスタ（４）が二次破壊されるのであ
る。
斯る欠点を改良するために第２図に示す如く、ヒートシ
ンク（３）の周辺に溝（８）を設け、パワートランジス
タ（４）を溝（８）の内側に半田で固着しエポキシ樹脂
等の封止樹脂層（５）を塗布してパワートランジスタ（
４）を被覆して保護している。この際封止樹脂層（５）
は溝（８）内に充填され、ヒートサイクルによる封止樹
脂Ｎ（５）の剥離を防止している。なお斯る従来技術は
特公昭５５−４１０２２号公報（ＨＯＩＬ２３／２８）
に記載されている。
ンク（３）の周辺に溝（８）を設け、パワートランジス
タ（４）を溝（８）の内側に半田で固着しエポキシ樹脂
等の封止樹脂層（５）を塗布してパワートランジスタ（
４）を被覆して保護している。この際封止樹脂層（５）
は溝（８）内に充填され、ヒートサイクルによる封止樹
脂Ｎ（５）の剥離を防止している。なお斯る従来技術は
特公昭５５−４１０２２号公報（ＨＯＩＬ２３／２８）
に記載されている。
上述した改良型の混成集積回路に用いるヒートシンク（
３）は第３図ＡおよびＢに示す如く形成される。先ず第
３図Ａに示す如く、１３朋角で厚さ３龍の銅片をヒート
シンク（３）として用い、ヒートシンク（３）の上面周
辺にループ状の巾５００μｍ１深さ３００μｍの溝（８
）をプレスして形成する。この工程で溝（８）端部は変
形されて約４０μｍ程度の突起部（９）ができる。特に
溝（８）の内側端部にできる突起部（９）はパワートラ
ンジスタ（４）の固着の障害となるので除去する必要が
ある。そこで第３図Ｂに示す如く、プレス金型ＱＯ）に
より少くとも内側の突起部（９）を平打ちする。しかｌ
−プレス金型−と突起部（９）の空間に油Ｕυが密閉し
て介在するために平打ちによりこの突起部（９）を解消
できない欠点かあった。
３）は第３図ＡおよびＢに示す如く形成される。先ず第
３図Ａに示す如く、１３朋角で厚さ３龍の銅片をヒート
シンク（３）として用い、ヒートシンク（３）の上面周
辺にループ状の巾５００μｍ１深さ３００μｍの溝（８
）をプレスして形成する。この工程で溝（８）端部は変
形されて約４０μｍ程度の突起部（９）ができる。特に
溝（８）の内側端部にできる突起部（９）はパワートラ
ンジスタ（４）の固着の障害となるので除去する必要が
ある。そこで第３図Ｂに示す如く、プレス金型ＱＯ）に
より少くとも内側の突起部（９）を平打ちする。しかｌ
−プレス金型−と突起部（９）の空間に油Ｕυが密閉し
て介在するために平打ちによりこの突起部（９）を解消
できない欠点かあった。
（ハ）発明の目的
本発明は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を改良したヒ
ートシンクの製造方法を実現することな目的とする。
ートシンクの製造方法を実現することな目的とする。
に）発明の構成
本発明は平板状のヒートシンクの上面周辺に溝を形成し
た後、核溝の形成時に生じた突起部を通気孔を有する金
型で平打ちする様に構成されている。
た後、核溝の形成時に生じた突起部を通気孔を有する金
型で平打ちする様に構成されている。
（ホ）実施例
本発明に依るヒートシンクの製造方法の一実施例を第４
図ＡおよびＢを参照して詳述する。なお共通する構成部
分は共通図番を付した。
図ＡおよびＢを参照して詳述する。なお共通する構成部
分は共通図番を付した。
第４図Ａに於いては１３ｍ角で厚さ３龍の銅片をヒート
シンク（３）として用い、ヒートシンク（３）の上面周
辺にループ状の巾５００μｍ、深さ３００μｍの溝（８
）をプレスして形成する。この工程で溝（８）端部は変
形されて約４０μｍ程度の突起部（９）ができる。特に
溝（８）の内側端部にできる突起部（９）はパワートラ
ンジスタ（４）の固着の障害となるので除去する必要が
ある。
シンク（３）として用い、ヒートシンク（３）の上面周
辺にループ状の巾５００μｍ、深さ３００μｍの溝（８
）をプレスして形成する。この工程で溝（８）端部は変
形されて約４０μｍ程度の突起部（９）ができる。特に
溝（８）の内側端部にできる突起部（９）はパワートラ
ンジスタ（４）の固着の障害となるので除去する必要が
ある。
第４図Ｂに於いて突起部（９）を平打ちにより除去する
。本工程は本発明の最も特徴とする点であり、平打ち用
のプレス金型αＱに通気孔ａ湯を設けている。
。本工程は本発明の最も特徴とする点であり、平打ち用
のプレス金型αＱに通気孔ａ湯を設けている。
そうするとプレス金型Ｑｌと突起部（９）で形成される
空間に油ａυが介在しても通気孔α４より外部への逃げ
道があるので容易に平打ちを行なえ、突起部（９）は約
５μｍ程度までに平坦化される。通気孔ａ２はプレス金
型（１１の中央より側面に貫通しているが、その形状は
任意であり外気との接続ができれば十分である。
空間に油ａυが介在しても通気孔α４より外部への逃げ
道があるので容易に平打ちを行なえ、突起部（９）は約
５μｍ程度までに平坦化される。通気孔ａ２はプレス金
型（１１の中央より側面に貫通しているが、その形状は
任意であり外気との接続ができれば十分である。
（へ）発明の効果
本発明に依ればヒートシンクの平打ちを容易に実現でき
、パワートランジスタ（４）の封止構造に最適のヒート
シンク（３）を量産できる。
、パワートランジスタ（４）の封止構造に最適のヒート
シンク（３）を量産できる。
第１図は従来の混成集積回路を説明する断面図、第２図
は溝付のヒートシンクを用いた混成集積回路を説明する
断面図、第３図ＡおよびＢは従来の溝付のヒートシンク
の製造方法を説明する断面図、第４図ＡおよびＢは本発
明に依るヒートシンクの製造方法を説明する断面図であ
る。 主な図番の説明 （３）はヒートシンク、 （８）は溝、 （９）は突起
部、ａ〔はプレス金型、 Ｑ２１は通気孔である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第３図へ 第４図八
は溝付のヒートシンクを用いた混成集積回路を説明する
断面図、第３図ＡおよびＢは従来の溝付のヒートシンク
の製造方法を説明する断面図、第４図ＡおよびＢは本発
明に依るヒートシンクの製造方法を説明する断面図であ
る。 主な図番の説明 （３）はヒートシンク、 （８）は溝、 （９）は突起
部、ａ〔はプレス金型、 Ｑ２１は通気孔である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第３図へ 第４図八
Claims (1)
- （１） 平板状のヒートシンクの上面周辺に溝を形成し
た後肢溝の形成時に生じた突起部を通気孔を有する金型
で平打ちをすることを特徴とするヒートシンクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072425A JPS60216572A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | ヒ−トシンクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072425A JPS60216572A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | ヒ−トシンクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216572A true JPS60216572A (ja) | 1985-10-30 |
| JPH0210578B2 JPH0210578B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=13488922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072425A Granted JPS60216572A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | ヒ−トシンクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238026A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒ−トシンクの製造方法 |
| EP1501127A2 (de) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072425A patent/JPS60216572A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238026A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒ−トシンクの製造方法 |
| JPH0454528B2 (ja) * | 1986-04-08 | 1992-08-31 | Sanyo Electric Co | |
| EP1501127A2 (de) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
| EP1501127A3 (de) * | 2003-07-23 | 2007-10-24 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210578B2 (ja) | 1990-03-08 |
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