JPS6021469A - バイポ−ラトランジスタの電流増幅率測定方法 - Google Patents
バイポ−ラトランジスタの電流増幅率測定方法Info
- Publication number
- JPS6021469A JPS6021469A JP13000583A JP13000583A JPS6021469A JP S6021469 A JPS6021469 A JP S6021469A JP 13000583 A JP13000583 A JP 13000583A JP 13000583 A JP13000583 A JP 13000583A JP S6021469 A JPS6021469 A JP S6021469A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- probe
- measurement
- section
- amplification factor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、バイポーラトランジスタ製造時において、電
流増幅率ｈＦＩ＋をコントロールするためにモニターパ
ターンを設けてその測定を行なう方法に関するものであ
る。
流増幅率ｈＦＩ＋をコントロールするためにモニターパ
ターンを設けてその測定を行なう方法に関するものであ
る。
従来バイポーラトランジスタ、特に高周波用のトランジ
スタはエミツタ幅が２μｍ以下でアシ、エミッタ拡散時
、製品に直接り、つ測定用のグローブを当てることがで
きないために、エミツタ幅が例えば２０μｍ以上と大き
なモニターパターン設け、それにプローブを当てて、ト
ランジスタの重要なパラメータであるり、つの測定を行
なってきた。第１図に、このモニターパターンを示す。
スタはエミツタ幅が２μｍ以下でアシ、エミッタ拡散時
、製品に直接り、つ測定用のグローブを当てることがで
きないために、エミツタ幅が例えば２０μｍ以上と大き
なモニターパターン設け、それにプローブを当てて、ト
ランジスタの重要なパラメータであるり、つの測定を行
なってきた。第１図に、このモニターパターンを示す。
図において（１）がエミッタ部、（２）がベースコンタ
クト、（３）がベース領域を示す。
クト、（３）がベース領域を示す。
ところが、素子の微細化が進みエミッタ・ベース接合が
サブミクロン領域となってくると、エミッタ部（１）に
直接測定用プローブを当てると、プローブの圧力によシ
シリコンのバンド・ギャップが変化してり、つが変動し
、正確な測定ができなかった。
サブミクロン領域となってくると、エミッタ部（１）に
直接測定用プローブを当てると、プローブの圧力によシ
シリコンのバンド・ギャップが変化してり、つが変動し
、正確な測定ができなかった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、バイポーラトランジスタの製造時においてプロ
ーブの圧力にかかわらず電流増幅率ｈＦＥを正確に測定
することが可能なバイポーラトランジスタの電流増幅率
測定方法を提供することにある。
目的は、バイポーラトランジスタの製造時においてプロ
ーブの圧力にかかわらず電流増幅率ｈＦＥを正確に測定
することが可能なバイポーラトランジスタの電流増幅率
測定方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、エミッタ
から、トランジスタ領域から離れた領域に設けたプロー
ブ用パッド部までドープドポリシリコン膜で配線し、上
記パッド部とベースコンタクト部とに測定グローブを当
てて測定を行なうようにしたものである。以下、実施例
を用いて本発明の詳細な説明する。
から、トランジスタ領域から離れた領域に設けたプロー
ブ用パッド部までドープドポリシリコン膜で配線し、上
記パッド部とベースコンタクト部とに測定グローブを当
てて測定を行なうようにしたものである。以下、実施例
を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明に用いるｈＦＰ、測定用のモニターパタ
ーンの構成例を示す平面図である。図において（４）は
、エミッタ部（１）からこのエミッタ部（１）、ベース
領域（３）を含むトランジスタ領域から離れたプローブ
用パッド部（５）にかけて配線したドープドポリシリコ
ン膜である。測定グローブを当てる部分、パッド部（３
）がエミッタ部（１）にないため、グローブを当てても
エミッタ・ベース接合に応力がかからすｈＦＥの変動は
ない。
ーンの構成例を示す平面図である。図において（４）は
、エミッタ部（１）からこのエミッタ部（１）、ベース
領域（３）を含むトランジスタ領域から離れたプローブ
用パッド部（５）にかけて配線したドープドポリシリコ
ン膜である。測定グローブを当てる部分、パッド部（３
）がエミッタ部（１）にないため、グローブを当てても
エミッタ・ベース接合に応力がかからすｈＦＥの変動は
ない。
次に、このようなモニターパターンを用いた本発明によ
るり、つの測定方法について説明する。
るり、つの測定方法について説明する。
まず、通常の拡散法でベース領域（３）およびエミッタ
部（１）全形成した後、当該エミッタ部（１）と同一導
電形のドープドポリシリコン、例えばＮＰＮトランジス
タであればヒ素Ａ、をドープしたポリシリコン層を形成
し、写真製版技術によりパターニングしてポリシリコン
膜（４）全形成し、エミッタ拡散を行なう。これにより
トランジスタ領域から離れた領域にエミッタ部（１）上
から一体に接続されたプローブ用パッド部（５）が形成
できる。次いでベース領域（３）に測定プローブを当て
るためのベースコンタクト（２）を写真製版・エツチン
グ工程により形成し、このベースコンタクト（２）と上
記プローブ用パッド部（５）とにｈＦｇ測定プローブを
当てて、従来と同様にｈＦＥの測定を行なう。
部（１）全形成した後、当該エミッタ部（１）と同一導
電形のドープドポリシリコン、例えばＮＰＮトランジス
タであればヒ素Ａ、をドープしたポリシリコン層を形成
し、写真製版技術によりパターニングしてポリシリコン
膜（４）全形成し、エミッタ拡散を行なう。これにより
トランジスタ領域から離れた領域にエミッタ部（１）上
から一体に接続されたプローブ用パッド部（５）が形成
できる。次いでベース領域（３）に測定プローブを当て
るためのベースコンタクト（２）を写真製版・エツチン
グ工程により形成し、このベースコンタクト（２）と上
記プローブ用パッド部（５）とにｈＦｇ測定プローブを
当てて、従来と同様にｈＦＥの測定を行なう。
以上説明したように、本発明によればエミッタ部から、
ドープドシリコン膜によりトランジスタ領域から離れた
位置まで電気的接続部を引出し、その部分を測定プロー
ブ用パッド部としてそこにプローブを当てて測定を行な
うことにより、エミタ・ベース部にｈＦＥ測定プローブ
の応力がかからすｈＦｇが安定に測定できる。したがっ
てプロセスコントロール能力が上がシ歩留シ向上に寄与
することは言うまでもない。また本発明によればエミツ
タ幅が狭く直接グローブを描てられなかったパターンも
ｈＦＥ測定用モニターパターンとして有効に用いられる
。
ドープドシリコン膜によりトランジスタ領域から離れた
位置まで電気的接続部を引出し、その部分を測定プロー
ブ用パッド部としてそこにプローブを当てて測定を行な
うことにより、エミタ・ベース部にｈＦＥ測定プローブ
の応力がかからすｈＦｇが安定に測定できる。したがっ
てプロセスコントロール能力が上がシ歩留シ向上に寄与
することは言うまでもない。また本発明によればエミツ
タ幅が狭く直接グローブを描てられなかったパターンも
ｈＦＥ測定用モニターパターンとして有効に用いられる
。
第１図は従来のｈＦＥ測定モニターパターンの構成例を
示す平面図、第２図は本発明に用いるｈＦＥ測定モニタ
ーパターンの構成例を示す平面図である。 （１）・・・・エミッタ部、（２）・・・・ベースコン
タクト、（３）・・・・ベース領域、（４）・・・・ド
ープドシリコン膜、（５）・・・・グローブ用パッド部
。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図
示す平面図、第２図は本発明に用いるｈＦＥ測定モニタ
ーパターンの構成例を示す平面図である。 （１）・・・・エミッタ部、（２）・・・・ベースコン
タクト、（３）・・・・ベース領域、（４）・・・・ド
ープドシリコン膜、（５）・・・・グローブ用パッド部
。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図
Claims (1)
- バイポーラトランジスタ製造工程におけるエミッタ拡散
時に、電流増幅率ｈｙｇ測定用モニターとして、上記エ
ミッタ上から、ベースおよびエミッタを含む当該トラン
ジスタ領域から離れた領域に設けたｈＦＩ測定プローブ
用パッド部まで、ドープドポリシリコン膜による配線を
行ない、上記プローブ用パッドとベースコンタクトとに
測定プローブを当てて測定を行なうバイポーラトランジ
スタの電流増幅率測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13000583A JPS6021469A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | バイポ−ラトランジスタの電流増幅率測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13000583A JPS6021469A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | バイポ−ラトランジスタの電流増幅率測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021469A true JPS6021469A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=15023792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13000583A Pending JPS6021469A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | バイポ−ラトランジスタの電流増幅率測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637089A (en) * | 1990-12-18 | 1997-06-10 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Superelastic guiding member |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP13000583A patent/JPS6021469A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637089A (en) * | 1990-12-18 | 1997-06-10 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Superelastic guiding member |
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