JPS6020803B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6020803B2 JPS6020803B2 JP5160476A JP5160476A JPS6020803B2 JP S6020803 B2 JPS6020803 B2 JP S6020803B2 JP 5160476 A JP5160476 A JP 5160476A JP 5160476 A JP5160476 A JP 5160476A JP S6020803 B2 JPS6020803 B2 JP S6020803B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal detection
- divided
- head
- magnetic head
- detection current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に形成された薄膜状高透磁率磁性体より
成る磁気抵抗効果素子が、記録媒体面に垂直な方向に信
号検出電流を流す様に構成された信号検出用磁気へッド
‘こ関する。
成る磁気抵抗効果素子が、記録媒体面に垂直な方向に信
号検出電流を流す様に構成された信号検出用磁気へッド
‘こ関する。
従来、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）を磁
気情報の検出ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）として
用いる場合、その大部分は第１図に示した如く、磁気記
録媒体２の面に平行な方向に長い短形状のＭＲ素子１を
用いている。
気情報の検出ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する）として
用いる場合、その大部分は第１図に示した如く、磁気記
録媒体２の面に平行な方向に長い短形状のＭＲ素子１を
用いている。
この場合ＭＲ素子１たるべき高透磁率磁性体の磁気的な
異方性及び信号検出電流１の方向は、前記矩形状のＭＲ
素子１の長さ方向、即ち記録媒体２の面に平行な方向に
なる。記録情報の検出は、記録媒体２から発する磁界Ｈ
ｍによってＭＲ素子１の磁化Ｍが電流方向から平均して
８なる角度傾き、その結果ＭＲ素子１の抵抗Ｒは△Ｒだ
け変化し、検出電流１によって、出力電圧１△Ｒとして
検出される。
異方性及び信号検出電流１の方向は、前記矩形状のＭＲ
素子１の長さ方向、即ち記録媒体２の面に平行な方向に
なる。記録情報の検出は、記録媒体２から発する磁界Ｈ
ｍによってＭＲ素子１の磁化Ｍが電流方向から平均して
８なる角度傾き、その結果ＭＲ素子１の抵抗Ｒは△Ｒだ
け変化し、検出電流１によって、出力電圧１△Ｒとして
検出される。
△Ｒは変化前の抵抗Ｒが大きいほど大きくなるが、第１
図に示した従来タイプのＭＲヘッドではトラック中が小
さくなるとともに、検出電流方向の長さが４・こくなり
、抵抗値Ｒが下がる。
図に示した従来タイプのＭＲヘッドではトラック中が小
さくなるとともに、検出電流方向の長さが４・こくなり
、抵抗値Ｒが下がる。
従って第１図の従来タイプＭＲヘッドは、フェライトヘ
ッド同様、トラック中の減少とともに出力値が下がる欠
点を有する。本発明は、磁気異万性及び信号検出電流の
方向が記録媒体に垂直な方向を持つ様なＭＲヘッドであ
って、ＭＲ素子を短冊状に分割して、前記第１図のタイ
プのＭ旧ヘッドの欠点を解消し、更に熱雑音除去、トラ
ック位置検出等が可能な陵れたＭ股ヘッドを提供するも
のである。
ッド同様、トラック中の減少とともに出力値が下がる欠
点を有する。本発明は、磁気異万性及び信号検出電流の
方向が記録媒体に垂直な方向を持つ様なＭＲヘッドであ
って、ＭＲ素子を短冊状に分割して、前記第１図のタイ
プのＭ旧ヘッドの欠点を解消し、更に熱雑音除去、トラ
ック位置検出等が可能な陵れたＭ股ヘッドを提供するも
のである。
以下図面を用いて本発明を詳しく説明する。
第２図に本発明の磁気ヘッドの構造の１例を示す。第２
図−Ａは基本配置を示し、ＭＲ素子２１は記録媒体２２
に対して垂直な方向（信号検出電流１と同一方向）に等
しい中で２分されており、導体２３によって直列に連結
されている。
図−Ａは基本配置を示し、ＭＲ素子２１は記録媒体２２
に対して垂直な方向（信号検出電流１と同一方向）に等
しい中で２分されており、導体２３によって直列に連結
されている。
信号は出力端子２４，２４′間で検出される。ＭＲ素子
２１は適当なバイアス方法によって、第２図−Ｂの如く
、磁化Ｍが電流１の方向とＯＢなる角度（４５度が最も
よい）にバイアスされている。記録媒体２２からの磁界
Ｈｍによって、磁化Ｍは′路線矢印の如く同一方向に反
転し、各々のＭ旧素子内で抵抗値が△Ｒづつ変化し、端
子２４−２４′間に検出される信号は２１△Ｒになる。
２１は適当なバイアス方法によって、第２図−Ｂの如く
、磁化Ｍが電流１の方向とＯＢなる角度（４５度が最も
よい）にバイアスされている。記録媒体２２からの磁界
Ｈｍによって、磁化Ｍは′路線矢印の如く同一方向に反
転し、各々のＭ旧素子内で抵抗値が△Ｒづつ変化し、端
子２４−２４′間に検出される信号は２１△Ｒになる。
即ち第２図に示した構造のＭＲヘッドは、トラック中内
で分割すると、分割しない場合に比して、２倍の検出信
号が得られる大きな利点を有している。第３図は本発明
の別の構造例を示したものである。第３図は、第２図の
機造での電気的な中間点‘こ第３の様子３５を設けても
のである。
で分割すると、分割しない場合に比して、２倍の検出信
号が得られる大きな利点を有している。第３図は本発明
の別の構造例を示したものである。第３図は、第２図の
機造での電気的な中間点‘こ第３の様子３５を設けても
のである。
ＭＲ素子３１は等しい中で等分され、電流１の方向に対
してＯＢの角度を成す様にバイアスされている。
してＯＢの角度を成す様にバイアスされている。
記録媒体３２からの漏洩磁界によって磁化Ｍは何れの短
冊状ＭＲ素子３１においても同一方向に回転し、等しい
抵抗変化量△Ｒを示す。信号検出電流１は端子３５から
流入し、１／Ｚずつに分岐し、端子３４，３４′に流出
する。従って、端子３５一３４間、３５−３４′間の信
号蟹圧はともに１／２・△Ｒで等しいから、３４−３４
′間で信号検出を行えば検出値は家になる。従って、分
割された短冊状ＭＲ素子３１の双方の外縁部を記録媒体
３２のトラック中Ｗに等しく取れば、磁気ヘッドと記録
媒体の位置ズレ検出ヘッドとして作用させることができ
る。更に、端子３５一３４間、もしくは３５−３４′間
で記録情報を検出できるから、本発明の第３図に示した
構造の磁気ヘッドは、単一ヘッドで情報検出ヘッド、サ
ーボヘッドとして使用し得る優れたヘッドを与えるもの
４である。更に本発明では、サーボヘッドとして使用す
る場合は、分割されたＭＲ素子間の信号の差分を取るの
で、熱婆雑音等の無方向性雑音は完全にキャンセルされ
ることに大きな利点を有する。本発明の他の構造例を第
４図に示す。第４図−Ａは基本配置を示したもので、媒
体４２に垂直に分割されたＭＲ素子４１，４１′が配置
され、導体４３で直結されるとともに共通端子４５が設
けられている。
冊状ＭＲ素子３１においても同一方向に回転し、等しい
抵抗変化量△Ｒを示す。信号検出電流１は端子３５から
流入し、１／Ｚずつに分岐し、端子３４，３４′に流出
する。従って、端子３５一３４間、３５−３４′間の信
号蟹圧はともに１／２・△Ｒで等しいから、３４−３４
′間で信号検出を行えば検出値は家になる。従って、分
割された短冊状ＭＲ素子３１の双方の外縁部を記録媒体
３２のトラック中Ｗに等しく取れば、磁気ヘッドと記録
媒体の位置ズレ検出ヘッドとして作用させることができ
る。更に、端子３５一３４間、もしくは３５−３４′間
で記録情報を検出できるから、本発明の第３図に示した
構造の磁気ヘッドは、単一ヘッドで情報検出ヘッド、サ
ーボヘッドとして使用し得る優れたヘッドを与えるもの
４である。更に本発明では、サーボヘッドとして使用す
る場合は、分割されたＭＲ素子間の信号の差分を取るの
で、熱婆雑音等の無方向性雑音は完全にキャンセルされ
ることに大きな利点を有する。本発明の他の構造例を第
４図に示す。第４図−Ａは基本配置を示したもので、媒
体４２に垂直に分割されたＭＲ素子４１，４１′が配置
され、導体４３で直結されるとともに共通端子４５が設
けられている。
ＭＲ素子４１，４１′の磁化Ｍは信号検出電流の方向に
対して約４５度で互いに９０度の角を成す様にバイアス
され、信号検出電流１が端子４５から導入され、ＭＲ素
子４１，４１′を１／２づつに分岐して流れる。今、媒
体４２の漏洩磁場Ｈｍが印加されると、Ｍ旧素子４１，
４１′の磁化Ｍは各々第４図−Ｂの如く回転する。
対して約４５度で互いに９０度の角を成す様にバイアス
され、信号検出電流１が端子４５から導入され、ＭＲ素
子４１，４１′を１／２づつに分岐して流れる。今、媒
体４２の漏洩磁場Ｈｍが印加されると、Ｍ旧素子４１，
４１′の磁化Ｍは各々第４図−Ｂの如く回転する。
その結果、第４図−Ｂで左側の磁化Ｍは長さ方向を向き
、抵抗は△Ｒだけ増加し、第４図一Ｂの右側の磁化Ｍは
中方向を向いて、抵抗は△Ｒだけ減少する。従って、端
子４４，４４′間で信号を検出すると、第４図−Ｃの等
価回路に示した如く、検出信号は２×１／２×△Ｒ＝１
・△Ｒとなる。第４図に示した構造の磁気ヘッドの最も
大きな効果は第３図と同機に分割されたＭＲ素子間の信
号の差分を取っている為に無方向性の雑音、例えば熱雑
音を除去できることで分割されたＭＲ素子同志が全く等
価な位置に配置されている為に、無方向性雑音の除去効
果は充分に大きい。
、抵抗は△Ｒだけ増加し、第４図一Ｂの右側の磁化Ｍは
中方向を向いて、抵抗は△Ｒだけ減少する。従って、端
子４４，４４′間で信号を検出すると、第４図−Ｃの等
価回路に示した如く、検出信号は２×１／２×△Ｒ＝１
・△Ｒとなる。第４図に示した構造の磁気ヘッドの最も
大きな効果は第３図と同機に分割されたＭＲ素子間の信
号の差分を取っている為に無方向性の雑音、例えば熱雑
音を除去できることで分割されたＭＲ素子同志が全く等
価な位置に配置されている為に、無方向性雑音の除去効
果は充分に大きい。
以上、第２〜第４図を通じて何れも簡単の為に２分割し
た構造例を示したが、多数分割も勿論可能であり、その
方が検出信号が大きく取れる効果がある。
た構造例を示したが、多数分割も勿論可能であり、その
方が検出信号が大きく取れる効果がある。
但し、位置検出ヘッド（サーボヘッド）として用いる場
合は、原理的にみて偶数個の分割でなければならない。
又、記録媒体上の隣接ビットからの漏洩磁界を除去する
為に、高透磁率磁性体より成る磁気シ−ルド層をＭＲヘ
ッドを挿む形に設ける場合があり、あるいは書込みヘッ
ドの磁気空隙間にＭ旧ヘッドを設けて、その磁極を磁気
シールドとする場合があるが、本発明の磁気ヘッドにつ
いても同様の構成を探り得ることは勿論であり、更にか
かる場合において、ＭＲ素子を形成すべき高透磁率磁性
体を、記録媒体に対面する端で磁気シールド層の端と同
位直に設けることが磁束吸収の面で効果的であることも
同様である。図面の簡単な説明第１図は従来型のＭＲヘ
ッドの構造を、第２図〜４図は各々本発明のＭＲヘッド
の構造例を示す。
合は、原理的にみて偶数個の分割でなければならない。
又、記録媒体上の隣接ビットからの漏洩磁界を除去する
為に、高透磁率磁性体より成る磁気シ−ルド層をＭＲヘ
ッドを挿む形に設ける場合があり、あるいは書込みヘッ
ドの磁気空隙間にＭ旧ヘッドを設けて、その磁極を磁気
シールドとする場合があるが、本発明の磁気ヘッドにつ
いても同様の構成を探り得ることは勿論であり、更にか
かる場合において、ＭＲ素子を形成すべき高透磁率磁性
体を、記録媒体に対面する端で磁気シールド層の端と同
位直に設けることが磁束吸収の面で効果的であることも
同様である。図面の簡単な説明第１図は従来型のＭＲヘ
ッドの構造を、第２図〜４図は各々本発明のＭＲヘッド
の構造例を示す。
１，２１，３１，４１，４１′……ＭＲ素子、２，２２
，３２，４２・・・・・・記録媒体、３，２３，３３，
４３……導体、２４，２４′，３４’３４′，３５，４
４，４４′，４５・・・…端子、Ｍ・・・・・・ＭＲ素
子の磁化、１・・・・・・信号検出電流、０，ＯＢ・・
・・・・１とＭの成す角度、Ｈｍ・・・・・・記録媒体
からの漏洩磁界、Ｗ・・・…トラック中、△Ｒ・・・・
・・抵抗変化量。
，３２，４２・・・・・・記録媒体、３，２３，３３，
４３……導体、２４，２４′，３４’３４′，３５，４
４，４４′，４５・・・…端子、Ｍ・・・・・・ＭＲ素
子の磁化、１・・・・・・信号検出電流、０，ＯＢ・・
・・・・１とＭの成す角度、Ｈｍ・・・・・・記録媒体
からの漏洩磁界、Ｗ・・・…トラック中、△Ｒ・・・・
・・抵抗変化量。
オー図
オ２図
才３図
オ４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
にバイアス磁界を印加するバイアス機構と、前記磁気抵
抗効果素子に接して設けられた信号検出端子とを備えて
なる磁気ヘツドにおいて、前記信号検出電流端子を信号
検出電流が記録媒体面に垂直方向に流れるように設け、
かつ前記磁気抵抗効果素子をトラツク幅以内で、等しい
巾で信号検出電流方向に帯状に分割したことを特徴とす
る磁気ヘツド。 ２ 帯状に分割した磁気抵抗効果素子を電気的に直列に
結合し、前記磁気抵抗効果素子の両端に信号検出電流端
子を設けて信号検出を行なう特許請求の範囲第１項記載
の磁気ヘツド。 ３ 帯状に分割した磁気抵抗効果素子を結合しその電気
抵抗が２等分される個所と前記磁気抵抗効果素子の両端
とに信号検出電流端子を設けた特許請求の範囲第１項記
載の磁気ヘツド。 ４ 帯状に分割した隣接する磁気抵抗効果素子の磁化方
向が無信号磁場の状態では互いに略９０度をなすように
バイアス磁界を印加した特許請求の範囲第３項記載の磁
気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160476A JPS6020803B2 (ja) | 1976-05-04 | 1976-05-04 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160476A JPS6020803B2 (ja) | 1976-05-04 | 1976-05-04 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52134420A JPS52134420A (en) | 1977-11-10 |
| JPS6020803B2 true JPS6020803B2 (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=12891493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160476A Expired JPS6020803B2 (ja) | 1976-05-04 | 1976-05-04 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020803B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1976
- 1976-05-04 JP JP5160476A patent/JPS6020803B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52134420A (en) | 1977-11-10 |
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