JPS60206212A - 信号減衰回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野］ 本発明は広帯域ビデオアンプの信号減衰回路に係り、特
に高解像度ディスプレイに好適な直流制御１コントラス
ト調整回路に関する。

〔発明の背景〕

従来のビデオ信号用コントラスト調整回路は、インピー
タンス整合を考慮した定抵抗型アッテネータ（ＡＴＴ）
や、差動アンプ形式でそれぞれのトランジスタの相互コ
ンダクタンス（！Ｉｎ）Ｔｈ変えて電圧利得ヲ変えるフ
ルバランス型ＡＴＴなどが使われていた。前者は、広帯
域性は優れているものの実装規模１価格の点で問題があ
り、一部の高級機種（例えば測足器とか産業用モニタ・
ディスプレイなど）に使われているだけである。一方、
後者は、ＩＣ技術の進歩とともに、家庭用ＴＶに広く使
われており、コストおよび直流による利得の制御が可能
などの利点ヲ不する反面、広帯域性に問題があり、１０
０ＭＺ？ｚ　ｆ越える帯域を要求される高解像度ディス
プレイへの使用は困難であった。

上記問題を解決し、帯域１００ＭＨｚの高解像度ディス
プレイに応用した例として、第１図に示すコントラスト
調整回路がある。動作原理は、特願昭５８−３７５５２
　で詳細に述べているので、ここでけ簡単に説明する。

第１図は、発光ダイオード６の光量で抵抗値の変化する
ＣｔＳフォトカプラ３？用いた抵抗分割型ＡＴＴによる
コントラスト調整回路ケ示している。第１図で７は、発
光ダイオード６の光景ｊｉｂ　ＣｄＳ抵抗体５の抵抗値
金モニタしつつ制御しているトラッキング制御回路ケ示
す。カラーディスプレイのように、同一のビデオチャン
ネル全複数個もつシステムにおいて、赤□□□）、緑（
Ｇ）、青ψ）間の利得変化ケ均一にするため、トラッキ
ング制御回路７は必要となる。すなわち、発光ダイオー
ド６を可変電源に接続し、光量全変化すればコントラス
トの調整は可能となる。第１図では、減衰抵抗２とＣｄ
Ｓ抵抗体５の抵抗値の分割比で入力電圧が分割され出力
される。ＣｄＳフォトカブラのＣｔＬＳ素子は、耐湿性
の向上ケ目的とし、一般には金属のハーメチックケース
４に密閉されており、このハーメチックケース４の電位
は、ＧＮＤ電位に固定されるか、何にも接続されず０Ｐ
ＥＮ状態で使用される。また、第１図１に示す可変抵抗
器け、ＣｄＳ抵抗体５の動作点を設定するものである。

第１図に示す回路の問題点を述べる前に、ＣｄＳフォト
カブラの一般的構造全第２図に示す。第２図で、第１図
と同一のものは同一番号で示した。第２図に示すように
、ＣｔＬＳ抵抗体５は、アルミナセラミックスのような
絶縁板８をはさんで金属のハーメチックケース４に接着
されている。このため、ＣｄＳ抵抗体５と金属ハーメチ
ックケース４０間には静電的な容量が生じ、これが抵抗
２とローパスフィルタを形成することによシ回路の広帯
域化全阻止している。特に、ハーメチックケース４が、
第１図に示すようにＧＮＤ電位となった場合は、高周波
特性上置も不利な状態となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ｃｐｓフォトカブラのＣｄＳ抵抗素子
とハーメチックケース間の浮遊容量による周波数特性へ
の影響を排除し、広帯域なコントラスト調整回路全提供
することにある。

〔発明の概要］ ｃｔｔｓ抵抗体に印加される高周波信号と同位相で同レ
ベルの信号音、出力インピーダンスが低く高周波特性の
俊れたアンプ全通しハーメチックケースに印加すること
によｇ、ｃｔｔｓとケース間容量の電位変化ケなくし、
等測的に容量を打消すものである。これによシ、広帯域
化の上で最も大きな問題であった容量の影ｔｔｋ除外で
き、広（ｆ／域なコントラスト調整回路が実現できる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第３図を用いて説明する。第
３図におりて第１図と同一の物には同−符号全村した。

９は入出力の位相が同相で重圧利得が１の広帯域アンプ
である。本実施例ではバイポーラトランジスタ？用いた
エミッタフォロア型アンプでＳ成している。

アンプ９の出力は抵抗１０およびコンデンサ１１を介し
てＣｄＳフォトカブラのハーメチックケース４に供給さ
れる。ハーメチックケース４とＣｄＳ抵抗体５は第２図
に示すように絶縁体８を介して近接しているため、これ
らの間に浮遊容量が生じ、ハーメチックケース４とｃｔ
ｔｓ抵抗体５はコンデンサを形成している。

アンプ９は入出力の位相が同相で振幅がほぼ同じである
ので、ＣｄＳ抵抗体に加わる電圧とコンデンサ１１ケ介
してハーメチックケース４に加わる電圧＃−ｉ、同相か
つ同振幅となる。したがってハーメチックケース４とｃ
ｔｔｓ抵抗体５の間の電位差は極めて小さくなシ、浮遊
容量によるコンデンサの容量は極めて小さくなる。した
がって、抵抗２とこの浮遊容量によるコンデンサで形成
されるローパスフィルタの時定数が小さくなシ、高域特
性が著しく改善される。

さらに本実施例では、エミッタフォロアアンプを用すて
いるためハーメチックケースがアースに接続されている
場合に比べ浮遊容量全１／βにできる。

尚本実施例では、アンプ９としてエミッタフォロア型ア
ンプを用いたが、これに限らず入出力が同相であれば他
の構成でもよい。また振幅は同一が望せしいが、抵抗体
５と抵抗２の接続点１２とハーメチックケース間の電位
差が、接続点１２とアース間の電位差よりも小さくなれ
ば若干と言えども本発明の効果が得られる。

第６図において抵抗１０は、高周波における回路の安定
性全向上させるための安定抵抗であシ、抵抗値ケ変える
ことにより帰還量が変化し、高周波特性を若干調整する
こともできる。

第４図は、本発明の他の実施例で、動作は第３図と同様
であるが、バッファアンプ９およびＣｄＳのハーメチッ
クケース４などが直流結合となっている点で相異してい
る。特性上、第３図。

第４図に大きな違いはなく、それぞれの回路のバイアス
電圧に応じて最適に設計できる。

第５図（ロ）、ψ）は、本発明の効果を示す図である。

第５図０）は、第１図の従来方式によるコントラスト調
整回゛路の周波数特性１示す図である。

図中（α）は、コントラスト最大時、（Ａ）は最小時の
／ｌ？性會示す。また、第５図ψ）は５本発明による特
性デポす図であり、図中（α）、（Ａ）はＧ４）のそれ
に対応する。なお、第５図において、いずれも縦軸は５
ｄＢ／１Ｌｔｖ　＋横軸２　ＯＮＥ　２／ｒＬｉ　ｖ　
ｋ示している。

第５図のによシ高周波特性の改善、特にコントラス）−
１大きくした場合の高周波特性の改善が著しいことが容
易に理解できる。

第６図は、本発明の他の実施例である。すなわち、可変
抵抗素子として第３図のＣｄＳフォトカブラのかわりに
サブストレート端子金もったＦ　Ｅ　１１１’（（用い
たものであるＯＦ　Ｅ　Ｔ１１のド′イン・ソース間電
圧と同位相・同振幅の信号をＦＡ’ｒ１１のサブストレ
ートに帰還することによりＦＥＴの各部電極とサブスト
レート間の容量を電気的に打消し、広帯域化全実現でき
る。第６図でＶＥＸは・ＦＥＴの接合容量を小さくする
だめの別電源を示す。また、１２は、ＦＥＴの内部抵抗
値を変える電源金示し、第１図の制御回路７の出力を接
続しても実現できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ＣｄＳフォトカブラを用いた従来のコ
ントラスト調整回路に対し、部品点数ｌ−＃１とんど増
加させる事なく広帯域化が実現できる。すなわち、コス
ト・パフォーマンスが著しく優れたコントラスト調整回
路となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のコントラスト調整回路の実施例を示す
回路図、第２図は、一般的なＣｄＳフォトカブラの構造
を示す構造図、第３図は、本発明の第１の実施例１示す
回路図、第４図および第６図は本発明の他の実施例１示
す回路図、第５図（Ａ）、ψ）は、本発明の効果を示す
周波特性図である。 ３・・・ｃｃｔｓフォトカブラ ４・・・ハーメチックケース ５・・・ｃｒｔｓ抵抗体 ９・・・広帯Ｍ　バッファアンプ １０・・・安定化抵抗 イ坊人卿士高橋明夫 第　１　図 Ｌ　＋　、ｗ 躬　５　図 （Ａ　’） （Ｂ） 第６図 ＶＥＥ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）外部からの信号により内部抵抗値が変化する可変抵
   抗体が絶縁板をはさんで金属ケースに接着された可変抵
   抗素子全有する信号減衰回路において、前記金属ケース
   に、前記可変抵抗素子のｉ４．１子間電圧と広い帯域に
   わたシ同位柑の出力？出力できる同相かつ電圧利得１の
   広帯域アンプの出力電圧を供給したことを特徴とする信
   号減衰回路。 ２、特許請求の範囲第１項において、広帯域アンプと金
   属ケース間に抵抗素子を挿入したことを特徴とする信号
   減衰回路。