JPH0472403B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0472403B2 JPH0472403B2 JP59148030A JP14803084A JPH0472403B2 JP H0472403 B2 JPH0472403 B2 JP H0472403B2 JP 59148030 A JP59148030 A JP 59148030A JP 14803084 A JP14803084 A JP 14803084A JP H0472403 B2 JPH0472403 B2 JP H0472403B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- input
- output
- voltage dividing
- signal
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
- H03F1/48—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はオシロスコープの高入力インピーダン
スを有する広帯域増幅回路に関するものである。
スを有する広帯域増幅回路に関するものである。
従来例の構成とその問題点
オシロスコープの入力段は通常インピーダンス
がIMΩで広帯域にわたる直流増幅器が必要であ
り、特に長時間にわたりドリフトの少ない、高周
波特性のすぐれた性能が要求される。
がIMΩで広帯域にわたる直流増幅器が必要であ
り、特に長時間にわたりドリフトの少ない、高周
波特性のすぐれた性能が要求される。
オシロスコープの入力信号は通常不平衡信号で
あり、増幅器は入力段で不平衡信号から平衡信号
に交換して、所望の増幅度を与えブラウン管の垂
直軸を偏向させ所要の表示を行つている。
あり、増幅器は入力段で不平衡信号から平衡信号
に交換して、所望の増幅度を与えブラウン管の垂
直軸を偏向させ所要の表示を行つている。
FET、トランジスタは温度により諸特性が変
化するため入力段に使用する上記素子はそれぞれ
温度バランスをとるため諸特性のそろつたものを
使用する必要があるが高周波まですぐれたものが
得られにくくまた高価である欠点を有する。
化するため入力段に使用する上記素子はそれぞれ
温度バランスをとるため諸特性のそろつたものを
使用する必要があるが高周波まですぐれたものが
得られにくくまた高価である欠点を有する。
発明の目的
本発明は上記の欠点を除去するため広帯域でド
リフトが少なく、かつ簡単に出力直流レベルが変
えられる広帯域増幅回路を提供することを目的と
するものである。
リフトが少なく、かつ簡単に出力直流レベルが変
えられる広帯域増幅回路を提供することを目的と
するものである。
発明の構成
本発明は上記の目的を達成するためにFETと
比較増幅器を使用して直流ドリフトを減少させる
ことともに回路動作のバランスをそこなうことな
く増幅器出力の直流レベルを容易に変化させ、ド
リフトが少なくなるように構成したものである。
比較増幅器を使用して直流ドリフトを減少させる
ことともに回路動作のバランスをそこなうことな
く増幅器出力の直流レベルを容易に変化させ、ド
リフトが少なくなるように構成したものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を第１図にもとづいて説
明する。第１図において１は入力端子、２は接地
端子であり通常オシロスコープの入力信号が印加
される。
明する。第１図において１は入力端子、２は接地
端子であり通常オシロスコープの入力信号が印加
される。
３，４は抵抗であり、入力信号の分圧手段とな
ると共に入力インピーダンスを与えるものであ
る。５は第１の結合コンデンサ、６はFET，２
１は電流源であり、所定のバイアスをFET６に
与えソースホロワとして動作させるものである。
ると共に入力インピーダンスを与えるものであ
る。５は第１の結合コンデンサ、６はFET，２
１は電流源であり、所定のバイアスをFET６に
与えソースホロワとして動作させるものである。
７は第２の結合コンデンサであり、FET６の
交流成分を次段に伝送させるものである。
交流成分を次段に伝送させるものである。
８は抵抗であり、直流バイアスをFET６に与
えるとともに、FET６のドレインからゲート側
へと流れこむ電流の経路を構成するものである。
えるとともに、FET６のドレインからゲート側
へと流れこむ電流の経路を構成するものである。
９はトランジスタ、１２は抵抗であり、両者で
エミツタホロワを構成し、前段の信号を受け、出
力を供給するものである。
エミツタホロワを構成し、前段の信号を受け、出
力を供給するものである。
１０は出力端子でありオシロスコープの垂直増
幅器（図示せず）に信号を供給するものである。
１１は接地端子である。１３，１５，１６は抵
抗、１４は可変抵抗であり出力信号の分圧比を変
化させるためのものである。
幅器（図示せず）に信号を供給するものである。
１１は接地端子である。１３，１５，１６は抵
抗、１４は可変抵抗であり出力信号の分圧比を変
化させるためのものである。
１７は抵抗、１８は可変抵抗であり、電圧を変
化させることにより出力の直流レベルを変化させ
るためのものである。
化させることにより出力の直流レベルを変化させ
るためのものである。
２０はオペアンプ等から成る比較増幅器であり
入、出力分圧信号を受け、差信号を増幅し、抵抗
１９を経由して出力の直流変動を減少させる作用
を有するものである。
入、出力分圧信号を受け、差信号を増幅し、抵抗
１９を経由して出力の直流変動を減少させる作用
を有するものである。
次に上記実施例の動作を説明する。入力端子１
への信号は結合コンデンサ５により直流成分がカ
ツトされ、高周波交流成分がソースホロワ形の
FET６、結合コンデンサ７とエミツタホロワ形
のトランジスタ９に伝送され、端子１０に出力と
してあらわれる。
への信号は結合コンデンサ５により直流成分がカ
ツトされ、高周波交流成分がソースホロワ形の
FET６、結合コンデンサ７とエミツタホロワ形
のトランジスタ９に伝送され、端子１０に出力と
してあらわれる。
一方直流を含む低周波成分は抵抗３，４により
分圧され、比較増幅器２０の一方の入力に、また
出力信号は抵抗１３，１４，１５，１６により分
圧され、比較増幅器２０の他の入力に供給され、
その差信号が増幅され、抵抗１９を経由して、
FET６のゲートとトランジスタ９のベースに印
加される。
分圧され、比較増幅器２０の一方の入力に、また
出力信号は抵抗１３，１４，１５，１６により分
圧され、比較増幅器２０の他の入力に供給され、
その差信号が増幅され、抵抗１９を経由して、
FET６のゲートとトランジスタ９のベースに印
加される。
一般的に信号が印加されない場合出力電圧が時
間経過、温度変化で最初の設定値からゆつくり変
動することをドリフトと称しているが上記のよう
に上記実施例では増幅器を直流を含む低周波と高
周波成分に分け、各々の特徴を生かし、直流的に
は回路の負帰還作用によりドリフトを減少させ、
総合的に安定な広帯域直流増幅器を構成してい
る。比較増幅器２０の両入カインピーダンスを比
較的高くとれば抵抗３，４の分圧点はほゞ接地電
位であり、一方出力側分圧点も同様な動作となる
よう設定すれば、比較増幅器２０の入力はバラン
スがとれている状態と考えられる。
間経過、温度変化で最初の設定値からゆつくり変
動することをドリフトと称しているが上記のよう
に上記実施例では増幅器を直流を含む低周波と高
周波成分に分け、各々の特徴を生かし、直流的に
は回路の負帰還作用によりドリフトを減少させ、
総合的に安定な広帯域直流増幅器を構成してい
る。比較増幅器２０の両入カインピーダンスを比
較的高くとれば抵抗３，４の分圧点はほゞ接地電
位であり、一方出力側分圧点も同様な動作となる
よう設定すれば、比較増幅器２０の入力はバラン
スがとれている状態と考えられる。
ここで出力端子１０の電圧が各種変動要因によ
り正方向になれば出力側の抵抗１３，１４，１
５，１６を経由して比較増幅器２０が正方向にな
る。一方の入力は一定であるため、比較増幅器の
出力は負方向になり、抵抗１９を経由して出力が
設定値にもどるように動作する。
り正方向になれば出力側の抵抗１３，１４，１
５，１６を経由して比較増幅器２０が正方向にな
る。一方の入力は一定であるため、比較増幅器の
出力は負方向になり、抵抗１９を経由して出力が
設定値にもどるように動作する。
出力が逆に負方向になる場合は動作が上記と逆
になることはあきらかである。
になることはあきらかである。
これは入力端子１の信号が一定であれば出力端
子１０の信号も一定になるように動作することを
意味する。また入力信号が変化した場合、出力が
忠実に追従していくため、直流を含む広帯域直流
増幅器としてドリフトの少ない、非常に安定なイ
ンピーダンス変換器を提供することができる。ま
た出力側の直流レベルを調整したいときは可変抵
抗１８を任意に調整し、入力側電圧と比較増幅器
２０で比較すれば良い。第２図は上記実施例の周
波数特性を示すものであり、ａは低周波特性（直
流を含む）、ｂは高周波特性を示し前述の動作に
より総合的にＣに示すように優れた特性が得られ
ることを示している。
子１０の信号も一定になるように動作することを
意味する。また入力信号が変化した場合、出力が
忠実に追従していくため、直流を含む広帯域直流
増幅器としてドリフトの少ない、非常に安定なイ
ンピーダンス変換器を提供することができる。ま
た出力側の直流レベルを調整したいときは可変抵
抗１８を任意に調整し、入力側電圧と比較増幅器
２０で比較すれば良い。第２図は上記実施例の周
波数特性を示すものであり、ａは低周波特性（直
流を含む）、ｂは高周波特性を示し前述の動作に
より総合的にＣに示すように優れた特性が得られ
ることを示している。
発明の効果
以上のように本発明によれば回路構成が簡単で
入手容易な汎用の高周波、低周波半導体を使用し
てドリフトが少なく、安定に出力直流レベルを変
えられる優れた広帯域直流増幅器を得ることがで
き、オシロスコープの入力段インピーダンス変換
器として使用した場合非常に有用である。
入手容易な汎用の高周波、低周波半導体を使用し
てドリフトが少なく、安定に出力直流レベルを変
えられる優れた広帯域直流増幅器を得ることがで
き、オシロスコープの入力段インピーダンス変換
器として使用した場合非常に有用である。
また、FETのソース電流をほぼ一定に設定で
きるため、セツト間のバラツキが少なく、かつ広
帯域幅の設計ができる。
きるため、セツト間のバラツキが少なく、かつ広
帯域幅の設計ができる。
第１図は本発明の一実施例における広帯域増幅
回路の結線図、第２図は同実施例の周波数特性図
である。 １……入力端子、６……FET、９……トラン
ジスタ、２０……比較増幅器、１４，１８……可
変抵抗、１０……出力端子。
回路の結線図、第２図は同実施例の周波数特性図
である。 １……入力端子、６……FET、９……トラン
ジスタ、２０……比較増幅器、１４，１８……可
変抵抗、１０……出力端子。
Claims (1)
- １ 第１の結合コンデンサを介して入力信号の高
周波成分が印加されるとともにソースに定電流源
が接続されたソースフオロワー形のFETと、前
記FETのソースに第２の結合コンデンサを介し
て接続された増幅器と、前記第１の結合コンデン
サの入力側に接続され入力信号の低周波成分を分
圧する第１の分圧手段と、前記増幅器の出力を分
圧する第２の分圧手段と、これら第１、第２の分
圧手段の出力を夫々入力とする比較増幅器と、前
記比較増幅器の出力端と前記増幅器の入力端子間
を接続する第１の抵抗と、前記FETのゲートと
前記増幅器の入力端子間を接続する第２の抵抗
と、上記第２の分圧手段の基準電圧を変化させて
出力直流レベルを可変する可変手段とを備えた広
帯域増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14803084A JPS6126313A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 広帯域直流増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14803084A JPS6126313A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 広帯域直流増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126313A JPS6126313A (ja) | 1986-02-05 |
| JPH0472403B2 true JPH0472403B2 (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=15443542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14803084A Granted JPS6126313A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 広帯域直流増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126313A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4839572B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-12-21 | 横河電機株式会社 | 入力回路 |
| US7256575B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-08-14 | Tektronix, Inc. | Wide bandwidth attenuator input circuit for a measurement probe |
| JP4910520B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-04-04 | 横河電機株式会社 | アクティブプローブ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750809U (ja) * | 1980-09-09 | 1982-03-24 | ||
| JPS5975708A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-28 | テクトロニクス・インコ−ポレイテツド | 緩衝増幅器 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14803084A patent/JPS6126313A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750809U (ja) * | 1980-09-09 | 1982-03-24 | ||
| JPS5975708A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-28 | テクトロニクス・インコ−ポレイテツド | 緩衝増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126313A (ja) | 1986-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |