JPS60205819A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS60205819A JPS60205819A JP6441384A JP6441384A JPS60205819A JP S60205819 A JPS60205819 A JP S60205819A JP 6441384 A JP6441384 A JP 6441384A JP 6441384 A JP6441384 A JP 6441384A JP S60205819 A JPS60205819 A JP S60205819A
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- JP
- Japan
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- substrate
- layer
- magnetic
- coat layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は磁気記録媒体およびその製造方法に関し、さ
らに詳しくは摩擦係数が小さくて耐久性が良好なハック
コート層を有する走行安定性に優れた磁気テープなどの
磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
らに詳しくは摩擦係数が小さくて耐久性が良好なハック
コート層を有する走行安定性に優れた磁気テープなどの
磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
磁気テープなどの磁気記録媒体は、走行時に磁性層と反
対側の裏面がガイドピン等と摺接し、このとき摩擦係数
が大きいと走行する磁気テープの張力が大きくなり、磁
性層と磁気ヘッドとが強く摺接して磁性層が傷つきやす
くなる。また磁気テープ裏面の基体の削れが生じて粉末
が発生し、この粉末がガイドピンに(」着したり、磁気
テープ間に巻き込まれて磁性層に付着し、これが原因で
ドロツプアウトが生じる場合がある。特に強磁性材を真
空蒸着等によって基体上に被着してつくられる強磁性金
属薄膜型磁気記録媒体は、基体の平滑性が強磁性金属薄
膜層の平滑性を左右して電磁変換特性に大きな影響を及
ぼすことから非常に平滑性の良好な基体を用いているた
め、基体の摩擦係数が大きく、磁性層が容易に傷ついた
り、また基体の削れが一段と生じやすくなり、ドロップ
アウトが生じやすい。
対側の裏面がガイドピン等と摺接し、このとき摩擦係数
が大きいと走行する磁気テープの張力が大きくなり、磁
性層と磁気ヘッドとが強く摺接して磁性層が傷つきやす
くなる。また磁気テープ裏面の基体の削れが生じて粉末
が発生し、この粉末がガイドピンに(」着したり、磁気
テープ間に巻き込まれて磁性層に付着し、これが原因で
ドロツプアウトが生じる場合がある。特に強磁性材を真
空蒸着等によって基体上に被着してつくられる強磁性金
属薄膜型磁気記録媒体は、基体の平滑性が強磁性金属薄
膜層の平滑性を左右して電磁変換特性に大きな影響を及
ぼすことから非常に平滑性の良好な基体を用いているた
め、基体の摩擦係数が大きく、磁性層が容易に傷ついた
り、また基体の削れが一段と生じやすくなり、ドロップ
アウトが生じやすい。
このため、従来から、基体の摩擦係数を小さくして走行
安定性を改善する目的で、表面に磁性層を有する基体の
裏面にバックコート層を設けることが行われており、た
とえば、強磁性金属薄膜層を表面に形成した基体の裏面
に、樹脂をコーティングしてハックコート層を設けたも
の(特開昭57−189337号)が提案されている。
安定性を改善する目的で、表面に磁性層を有する基体の
裏面にバックコート層を設けることが行われており、た
とえば、強磁性金属薄膜層を表面に形成した基体の裏面
に、樹脂をコーティングしてハックコート層を設けたも
の(特開昭57−189337号)が提案されている。
ところが、この方法では未だ摩擦係数を充分に低減する
ことができず、またこのようにコーティングされた樹脂
からなるハックコート層は粘着性を有し充分に良好な走
行安定性が得られない。さらにこの方法では樹脂を溶剤
に熔解してコーティングすることによってバックコート
層を設けているため、バックコート層の厚みを可及的に
薄くしても0.1μ程度で、それ以上には薄くすること
ができず、薄手化が指向される磁気テープの厚みをより
薄くして、記録、再生時間を充分に長くすること功(で
きないという難点がある。
ことができず、またこのようにコーティングされた樹脂
からなるハックコート層は粘着性を有し充分に良好な走
行安定性が得られない。さらにこの方法では樹脂を溶剤
に熔解してコーティングすることによってバックコート
層を設けているため、バックコート層の厚みを可及的に
薄くしても0.1μ程度で、それ以上には薄くすること
ができず、薄手化が指向される磁気テープの厚みをより
薄くして、記録、再生時間を充分に長くすること功(で
きないという難点がある。
この発明は、かかる問題点を解消するため、基体の裏面
に設けるバックコート層を改善し、磁気テープ等の磁気
記録媒体の薄手化を図り記録、再生時間をできるだけ長
くするとともに、走行安定性および耐久性を充分に改善
することを目的としてなされたもので、基体との接着性
がよく、また摩擦係数が一段と小さくてしかも厚みが3
00Å以下の極めて薄いバンクコート層を設けることに
よって、所期の目的を達成したものである。
に設けるバックコート層を改善し、磁気テープ等の磁気
記録媒体の薄手化を図り記録、再生時間をできるだけ長
くするとともに、走行安定性および耐久性を充分に改善
することを目的としてなされたもので、基体との接着性
がよく、また摩擦係数が一段と小さくてしかも厚みが3
00Å以下の極めて薄いバンクコート層を設けることに
よって、所期の目的を達成したものである。
この発明は、片面に磁性層を有する基体の反対面に、イ
オウ原子を含有する有機高分子化合物からなる厚みが3
00Å以下のバンクコート層を設けた磁気記録媒体およ
びその製造方法に係るものであり、イオウ原子を含有す
る有機高分子化合物からなるバックコート層はスパッタ
リングによって、基体の磁性層側と反対向に被着して形
成される。
オウ原子を含有する有機高分子化合物からなる厚みが3
00Å以下のバンクコート層を設けた磁気記録媒体およ
びその製造方法に係るものであり、イオウ原子を含有す
る有機高分子化合物からなるバックコート層はスパッタ
リングによって、基体の磁性層側と反対向に被着して形
成される。
このスパッタリングは、高周波スパッタ、マグネトロン
高周波スパッタ、イオンビームスパッタよって前記の有
機高分子化合物からなる厚みが300Å以下の極めて薄
いバックコート層が密着性よ(基体の磁性層側と反対面
に被着形成され、この有機高分子化合物からなるバック
コート層によって摩擦係数が充分に低減され、また基体
との接着性も改善されて、可及的に薄くてしかも走行安
定性および耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
高周波スパッタ、イオンビームスパッタよって前記の有
機高分子化合物からなる厚みが300Å以下の極めて薄
いバックコート層が密着性よ(基体の磁性層側と反対面
に被着形成され、この有機高分子化合物からなるバック
コート層によって摩擦係数が充分に低減され、また基体
との接着性も改善されて、可及的に薄くてしかも走行安
定性および耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
このようなスパッタリングに使用されるイオウ原子を含
有する有機高分子化合物は、200℃以上の温度で軟化
したり分解することのない耐熱性に優れたものであるこ
とが好ましく、200℃以下の温度で軟化したり分解す
るものではスパッタリング時に分解してしまうため好ま
しくない。このような耐熱性に優れた前記の有機高分子
化合物としては、たとえば、ポリスルホン樹脂、ポリフ
ェニレンザルファイド樹脂等が好ましく使用される。
有する有機高分子化合物は、200℃以上の温度で軟化
したり分解することのない耐熱性に優れたものであるこ
とが好ましく、200℃以下の温度で軟化したり分解す
るものではスパッタリング時に分解してしまうため好ま
しくない。このような耐熱性に優れた前記の有機高分子
化合物としては、たとえば、ポリスルホン樹脂、ポリフ
ェニレンザルファイド樹脂等が好ましく使用される。
また、このような有機高分子化合物を用いてスパッタリ
ングを行うとき使用されるガスは、アルゴンガス、ネオ
ンガス、キセノンガス等の不活性ガスおよびこれらのガ
スと窒素ガスまたは水素ガス等との混合ガスが好適に使
用される。ガス圧は、lXl0−51−−ルより低かっ
たり、反対に1×10−1トールより高かったりすると
良好にスパッタリングされないためlXl0−5〜lX
l0’)−ルの範囲内となるようにするのが好ましい。
ングを行うとき使用されるガスは、アルゴンガス、ネオ
ンガス、キセノンガス等の不活性ガスおよびこれらのガ
スと窒素ガスまたは水素ガス等との混合ガスが好適に使
用される。ガス圧は、lXl0−51−−ルより低かっ
たり、反対に1×10−1トールより高かったりすると
良好にスパッタリングされないためlXl0−5〜lX
l0’)−ルの範囲内となるようにするのが好ましい。
また、スパッタリングを行うときの高周波電力は、0.
01W/cdより小さくすると被6着速度が小さくなり
すぎ、IOW/cn+より大きくすると、前記の有機高
分子化合物が分解するため、0.01〜10W/cml
の範囲内とするのが好ましく、0.3〜3 W / c
tの範囲内とするのがより好ましい。
01W/cdより小さくすると被6着速度が小さくなり
すぎ、IOW/cn+より大きくすると、前記の有機高
分子化合物が分解するため、0.01〜10W/cml
の範囲内とするのが好ましく、0.3〜3 W / c
tの範囲内とするのがより好ましい。
このようにしてスパッタリングを行うことによって被着
形成されるイオウ原子を含有する有機高分子化合物から
なるバンクコート層は、高エネルギーのスパッタリング
により、密着性よく強固に基体の磁性層側と反対面に被
着形成され、緻密で硬く、また摩擦係数も小さい。従っ
てこの種の、有機高分子化合物からなるバックコート層
が形浅されると走行安定性が一段と向上される。また、
この種の有機高分子化合物からなるバックコート層はポ
リエステルフィルム等の基体との接着性に優れ、バンク
コート層が強固に基体に被着形成されて耐久性も向上さ
れる。このようなイオウ原子を含有する有機高分子化合
物からなるバックコート層の膜厚は、20人より薄いと
走行安定性および耐食性が充分に向上されず、300人
より厚いと硬くなりすぎて可撓性が劣化するおそれがあ
るため、20〜300人の範囲内であることが好ましく
、50〜100人の範囲内にするのがより好ましい。こ
のように前記の有機高分子化合物のスパッタリングによ
れば300Å以下の可及的に薄いバックコート層を形成
することができて、しかも磁気テープの走行安定性およ
び耐久性を充分に向上させることができ、従って、磁気
テープの薄手化が充分に図られ、記録、再生時間を充分
に長くすることができるとともに走行安定性および耐久
性を充分に向上することができる。
形成されるイオウ原子を含有する有機高分子化合物から
なるバンクコート層は、高エネルギーのスパッタリング
により、密着性よく強固に基体の磁性層側と反対面に被
着形成され、緻密で硬く、また摩擦係数も小さい。従っ
てこの種の、有機高分子化合物からなるバックコート層
が形浅されると走行安定性が一段と向上される。また、
この種の有機高分子化合物からなるバックコート層はポ
リエステルフィルム等の基体との接着性に優れ、バンク
コート層が強固に基体に被着形成されて耐久性も向上さ
れる。このようなイオウ原子を含有する有機高分子化合
物からなるバックコート層の膜厚は、20人より薄いと
走行安定性および耐食性が充分に向上されず、300人
より厚いと硬くなりすぎて可撓性が劣化するおそれがあ
るため、20〜300人の範囲内であることが好ましく
、50〜100人の範囲内にするのがより好ましい。こ
のように前記の有機高分子化合物のスパッタリングによ
れば300Å以下の可及的に薄いバックコート層を形成
することができて、しかも磁気テープの走行安定性およ
び耐久性を充分に向上させることができ、従って、磁気
テープの薄手化が充分に図られ、記録、再生時間を充分
に長くすることができるとともに走行安定性および耐久
性を充分に向上することができる。
基体上に形成される磁性層は、CO% F e 、Ni
、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co−P合金、C
o−N1−P合金などの強磁性材を真空蒸着、イオンブ
レーティング、スパッタリング、メッキ等の手段によっ
て基体上に被着するか、あるいは、r−Fe203粉末
、Fe3O4粉末、CO含含有−Fe203粉末、CO
O有Fe3O4粉末、Fe粉末、Co粉末、Fe−Ni
合金粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等
とともに基体上に塗布、乾燥するなどの方法で形成され
る。
、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co−P合金、C
o−N1−P合金などの強磁性材を真空蒸着、イオンブ
レーティング、スパッタリング、メッキ等の手段によっ
て基体上に被着するか、あるいは、r−Fe203粉末
、Fe3O4粉末、CO含含有−Fe203粉末、CO
O有Fe3O4粉末、Fe粉末、Co粉末、Fe−Ni
合金粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等
とともに基体上に塗布、乾燥するなどの方法で形成され
る。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例1
厚さlOμのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、lXl0−5)−ルの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ1000人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、
第1図に示す高周波スパッタリング処理装置を使用し、
強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を
、処理槽2内の原反ロール3から処理槽2内中央部に配
設した円筒状キャン4の周側面に沿って移動させ、巻き
取りロール5に巻き取るようにセットするとともに、処
理槽2内の下部に配設したステンレスからなる電極6上
にターゲットとしてポリスルホン樹脂7をセントした。
填し、lXl0−5)−ルの真空下でコバルトを加熱蒸
発させてポリエステルフィルム上に厚さ1000人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、
第1図に示す高周波スパッタリング処理装置を使用し、
強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム1を
、処理槽2内の原反ロール3から処理槽2内中央部に配
設した円筒状キャン4の周側面に沿って移動させ、巻き
取りロール5に巻き取るようにセットするとともに、処
理槽2内の下部に配設したステンレスからなる電極6上
にターゲットとしてポリスルホン樹脂7をセントした。
次に、処理槽2に取りつけたガス導入管8からアルゴン
ガスを導入してアルゴンガスのガス圧を0.001〜0
.lトールの範囲内で種々に変えて、電極6の高周波電
力500W、フィルム速度2m/minでスパッタリン
グを行い、厚さが200人のポリスルホン樹脂からなる
バックコート層を多数のポリエステルフィルムlの裏面
に形成した。しかる後、所定の巾に裁断して第2図に示
すようなポリエステルフィルムl上に強磁性金属薄膜層
9を有し、かつ裏面にポリスルホン樹脂からなるバンク
コート層10を形成した多数の磁気テープAをつくった
。なお、図中11は処理槽2内を減圧するための排気系
であり、12はアースシールドである。また13は電極
6に高周波を印加するための高周波電源である。
ガスを導入してアルゴンガスのガス圧を0.001〜0
.lトールの範囲内で種々に変えて、電極6の高周波電
力500W、フィルム速度2m/minでスパッタリン
グを行い、厚さが200人のポリスルホン樹脂からなる
バックコート層を多数のポリエステルフィルムlの裏面
に形成した。しかる後、所定の巾に裁断して第2図に示
すようなポリエステルフィルムl上に強磁性金属薄膜層
9を有し、かつ裏面にポリスルホン樹脂からなるバンク
コート層10を形成した多数の磁気テープAをつくった
。なお、図中11は処理槽2内を減圧するための排気系
であり、12はアースシールドである。また13は電極
6に高周波を印加するための高周波電源である。
実施例2
実施例1におけるバックコート層の形成において、アル
ゴンガスのガス圧を0.011−ルとし、ターゲットに
ポリスルホン樹脂に代えてポリフェニレンザルファイド
樹脂を使用した以外は、実施例1と同様にして厚さが2
00人のポリフェニレンサルファイド樹脂からなるバソ
クコ−1・層を形成し、磁気テープAをつくった。
ゴンガスのガス圧を0.011−ルとし、ターゲットに
ポリスルホン樹脂に代えてポリフェニレンザルファイド
樹脂を使用した以外は、実施例1と同様にして厚さが2
00人のポリフェニレンサルファイド樹脂からなるバソ
クコ−1・層を形成し、磁気テープAをつくった。
実施例3
α−Fe磁性粉末 600ffi量部
エスレックCN(積木化学工業 80 〜社製、塩化ビ
ニル−酢酸ビニ ル共重合体) パンデソクスT−5250(大 30 =日本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー) コロネー)L(日本ポリウレタ 10〃ン工業社製、三
官能性低分子 量イソシアネート化合物) メチルイソブチルケトン 40o〃 トルエン 400〃 この組成物をボールミル中で72時間混合分散して磁性
塗料を調製し、この磁性塗料を厚さ10μのポリエステ
ルフィルム1の表面に乾燥厚が6μとなるように塗布、
乾燥して磁性層を形成した。次いで、これを実施例1と
同様にして高周波スパッタリング処理装置にセットし、
処理槽2内に導入するアルゴンガスのガス圧を0.01
トールとした以外は、実施例1と同様にしてスパッタ
リングを行い、ポリエステルフィルム1の裏面に厚さ2
00人のポリスルホン樹脂からなるバンクコート層を形
成し、磁気テープAをつくった。
ニル−酢酸ビニ ル共重合体) パンデソクスT−5250(大 30 =日本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー) コロネー)L(日本ポリウレタ 10〃ン工業社製、三
官能性低分子 量イソシアネート化合物) メチルイソブチルケトン 40o〃 トルエン 400〃 この組成物をボールミル中で72時間混合分散して磁性
塗料を調製し、この磁性塗料を厚さ10μのポリエステ
ルフィルム1の表面に乾燥厚が6μとなるように塗布、
乾燥して磁性層を形成した。次いで、これを実施例1と
同様にして高周波スパッタリング処理装置にセットし、
処理槽2内に導入するアルゴンガスのガス圧を0.01
トールとした以外は、実施例1と同様にしてスパッタ
リングを行い、ポリエステルフィルム1の裏面に厚さ2
00人のポリスルホン樹脂からなるバンクコート層を形
成し、磁気テープAをつくった。
比較例1
実施例1と同様にして、厚さ1000人のコバルトから
なる強磁性金属薄膜層をポリエステルフィルム1の表面
に形成し、次いで、ポリエステルフィルム1の裏面に、
スタイラック(旭ダウ社製アクリロニトリルーブタジェ
ン−スチレン共重合体)をメチルエチルケトンに溶解し
て得られたスタイラックの10重量%メチルエチルケト
ン溶液を塗布、乾燥して厚さ0.5μのスタイラックか
らなるバックコート層を形成した。しかる後、所定の巾
に裁断して磁気テープをつくった。
なる強磁性金属薄膜層をポリエステルフィルム1の表面
に形成し、次いで、ポリエステルフィルム1の裏面に、
スタイラック(旭ダウ社製アクリロニトリルーブタジェ
ン−スチレン共重合体)をメチルエチルケトンに溶解し
て得られたスタイラックの10重量%メチルエチルケト
ン溶液を塗布、乾燥して厚さ0.5μのスタイラックか
らなるバックコート層を形成した。しかる後、所定の巾
に裁断して磁気テープをつくった。
比較例2
実施例1において、バンクコート層の形成を省いた以外
は、実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
は、実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
実施例1で得られた多数の磁気テープについて、テープ
張力および摩擦係数を測定した。閉環係数は、第4図に
示すように磁気テープAの一端に荷重14をかけて円柱
状のSUSピン15の周側面から垂下し、磁気テープA
の他端に歪ゲージ16を取りつけて水平方向に1m/m
inの速度で引張り、このときのSUSビン15との摩
擦係数を測定した。第3図はその結果をグラフで表した
ものでグラフAは実施例1で得られた磁気テープのテー
プ張力とアルゴンガスのガス圧との関係を示し、グラフ
Bは実施例1で得られた磁気テープの摩擦係数とアルゴ
ンガスのガス圧との関係を示す。これらのグラフから明
らかなように、アルゴンガスのガス圧が100ミリトー
ル以下であればテープ張力および摩擦係数が充分に小さ
くなり、アルゴンガスのガス圧が小さくなるほどテープ
張力および摩擦係数は小さくなっている。
張力および摩擦係数を測定した。閉環係数は、第4図に
示すように磁気テープAの一端に荷重14をかけて円柱
状のSUSピン15の周側面から垂下し、磁気テープA
の他端に歪ゲージ16を取りつけて水平方向に1m/m
inの速度で引張り、このときのSUSビン15との摩
擦係数を測定した。第3図はその結果をグラフで表した
ものでグラフAは実施例1で得られた磁気テープのテー
プ張力とアルゴンガスのガス圧との関係を示し、グラフ
Bは実施例1で得られた磁気テープの摩擦係数とアルゴ
ンガスのガス圧との関係を示す。これらのグラフから明
らかなように、アルゴンガスのガス圧が100ミリトー
ル以下であればテープ張力および摩擦係数が充分に小さ
くなり、アルゴンガスのガス圧が小さくなるほどテープ
張力および摩擦係数は小さくなっている。
実施例2および3で得られた磁気テープ並びに比較例1
および2で得られた磁気テープについて、テープ張力、
摩擦係数および耐久性を測定した。摩擦係数は前記した
方法で測定し、耐久性は、同様の摩擦係数の測定をくり
かえし行って、磁気テープ裏面の基体に傷がつくまでの
回数を測定した。
および2で得られた磁気テープについて、テープ張力、
摩擦係数および耐久性を測定した。摩擦係数は前記した
方法で測定し、耐久性は、同様の摩擦係数の測定をくり
かえし行って、磁気テープ裏面の基体に傷がつくまでの
回数を測定した。
下記第1表はその結果である。
第・1表
上記第1表から明らかなように、実施例2および3で得
られた磁気テープは、いずれも比較例1および2で得ら
れた磁気テープに比し、耐久性が良好で、テープ張力お
よび摩擦係数が極めて小さい。
られた磁気テープは、いずれも比較例1および2で得ら
れた磁気テープに比し、耐久性が良好で、テープ張力お
よび摩擦係数が極めて小さい。
第3図に示すグラフから明らかなように、アルゴンガス
のガス圧を100ミリトール以下にしてスパッタリング
によりバックコート層を形成して得られるこの発明の磁
気テープは、テープ張力および摩擦係数が充分に小さく
、また第1表から明らかなようにこの発明で得られる磁
気テープは、テープ張力が小さくて摩擦係数も極めて小
さく、さらに耐久性が良好で、このことからこの発明で
得られる磁気記録媒体は走行安定性に優れるとともにバ
ンクコート層の基体に対する接着性が改善された結果耐
久性も向上されていることがわかる
のガス圧を100ミリトール以下にしてスパッタリング
によりバックコート層を形成して得られるこの発明の磁
気テープは、テープ張力および摩擦係数が充分に小さく
、また第1表から明らかなようにこの発明で得られる磁
気テープは、テープ張力が小さくて摩擦係数も極めて小
さく、さらに耐久性が良好で、このことからこの発明で
得られる磁気記録媒体は走行安定性に優れるとともにバ
ンクコート層の基体に対する接着性が改善された結果耐
久性も向上されていることがわかる
第1図はこの発明のバックコート層を形成する際に使用
するスパッタリング処理装置の1例を示す概略断面図、
第2図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図、第3図はこの発明で得られた磁気テープのテ
ープ張力および摩擦係数とスパッタリング時のアルゴン
ガスのガス圧との関係図、第4図は磁気テープの摩擦係
数測定方法の説明図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、9・・・強磁
性金属薄膜層、10・・・バンクコート層、A・・・磁
気テープ(磁気記録媒体) 第1図 第2図 \ 第3図 第4図
するスパッタリング処理装置の1例を示す概略断面図、
第2図はこの発明によって得られた磁気テープの部分拡
大断面図、第3図はこの発明で得られた磁気テープのテ
ープ張力および摩擦係数とスパッタリング時のアルゴン
ガスのガス圧との関係図、第4図は磁気テープの摩擦係
数測定方法の説明図である。 1・・・ポリエステルフィルム(基体)、9・・・強磁
性金属薄膜層、10・・・バンクコート層、A・・・磁
気テープ(磁気記録媒体) 第1図 第2図 \ 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、片面に磁性層を有する基体の反対面に、イオウ原子
を含有する有機高分子化合物からなる厚みが300Å以
下のバンクコート層を設けたことを特徴とする磁気記録
媒体 2、片面に磁性層を有する基体の反対面に、イオウ原子
を含有する有機高分子化合物をスパックリングして、イ
オウ原子を含有する有機高分子化合物からなる厚みが3
00Å以下のバンクコート層を形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6441384A JPS60205819A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6441384A JPS60205819A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60205819A true JPS60205819A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13257580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6441384A Pending JPS60205819A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60205819A (ja) |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6441384A patent/JPS60205819A/ja active Pending
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