JPS60205379A - 光応用磁界センサ - Google Patents
光応用磁界センサInfo
- Publication number
- JPS60205379A JPS60205379A JP6396084A JP6396084A JPS60205379A JP S60205379 A JPS60205379 A JP S60205379A JP 6396084 A JP6396084 A JP 6396084A JP 6396084 A JP6396084 A JP 6396084A JP S60205379 A JPS60205379 A JP S60205379A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- faraday effect
- effect element
- sensor
- light
- Prior art date
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- Pending
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は偏光子および検光子間にファラデー効果素子を
配設した光応用磁界センサに関する。
配設した光応用磁界センサに関する。
従来、第1図に示すように、偏光子1および検光子6間
に7アラデー効果素子5を配設し、これら偏光子および
検光子をレンズ7a、7bおよび光ファイバ9a、9b
等の光学部品を介して発光および受光素子に光学的に接
続してファラデー効果素子5に加わる磁界強度Hを光学
的に検出できるようにした光応用磁界センサは公知であ
り、この場合77ラデー効果素子としてはB50(Bi
、2SiO2o)単結晶、鉛ガラス或はZn5e単結晶
よりなる磁気(1) 光学材料が使用される。しがしながら、ファラデー効果
素子として使用されるB80単結晶および鉛ガラスはベ
ルデ定数(素子単位長さ当りの印加磁界に対する偏光面
回転角の比)が小さくセンサ感度が悪いという欠点があ
り、−万Zn5e単結晶は大きな単結晶をつくるのが困
難で小さなものしか得られないために変調度が小さくセ
ンサとして十分大きな感度を確保することができなかっ
た。
に7アラデー効果素子5を配設し、これら偏光子および
検光子をレンズ7a、7bおよび光ファイバ9a、9b
等の光学部品を介して発光および受光素子に光学的に接
続してファラデー効果素子5に加わる磁界強度Hを光学
的に検出できるようにした光応用磁界センサは公知であ
り、この場合77ラデー効果素子としてはB50(Bi
、2SiO2o)単結晶、鉛ガラス或はZn5e単結晶
よりなる磁気(1) 光学材料が使用される。しがしながら、ファラデー効果
素子として使用されるB80単結晶および鉛ガラスはベ
ルデ定数(素子単位長さ当りの印加磁界に対する偏光面
回転角の比)が小さくセンサ感度が悪いという欠点があ
り、−万Zn5e単結晶は大きな単結晶をつくるのが困
難で小さなものしか得られないために変調度が小さくセ
ンサとして十分大きな感度を確保することができなかっ
た。
本発明は上記従来の欠点を除去すべ(なされたもので、
このため本発明は偏光子および検光子間にファラデー効
果素子を配設してなる光応用磁界センサにおいて、前記
ファラデー効果素子としてZn5e多結晶体を用いたこ
とを特徴とする。
このため本発明は偏光子および検光子間にファラデー効
果素子を配設してなる光応用磁界センサにおいて、前記
ファラデー効果素子としてZn5e多結晶体を用いたこ
とを特徴とする。
ZI′lSe多結晶体はBSO単結晶の約1.5倍、鉛
ガラスの約6倍のベルデ定数を有し、またZH8eH8
孔に比べ十分大きな素子をつ(ることかできるので変調
度を大きくすることができ、センサとして十分大きな感
度を確保することができる。
ガラスの約6倍のベルデ定数を有し、またZH8eH8
孔に比べ十分大きな素子をつ(ることかできるので変調
度を大きくすることができ、センサとして十分大きな感
度を確保することができる。
以下、添付図に浴って本発明の実施例につき説明する。
(2)
第2図は本発明の一実施例を示す概略図で、1は偏光子
、5′はZl′ISe多結晶体よりなるファラデー効果
素子、2は全反射ミラー、ろは検光子17a。
、5′はZl′ISe多結晶体よりなるファラデー効果
素子、2は全反射ミラー、ろは検光子17a。
7bはレンズ、8a18bは光コネクタ、9 a 19
bは光ファイバ、11は絶縁物製のケースをそれぞれ
示し、図示しない発光素子から光ファイバ9a。
bは光ファイバ、11は絶縁物製のケースをそれぞれ
示し、図示しない発光素子から光ファイバ9a。
光コネクタ8aおよびレンズ7aを介して入射された光
は偏光子1により入射光の偏波方向を決定され、ファラ
デー効果素子5′により印加磁界Hの強度に比例した変
調を受け、全反射ミラー2より検光子3を通り抜けてレ
ンズ7b、光コネクタ8bおよび光ファイバ9bを介し
て図示しない受光素子にて光電変換され、該光電変換量
より印加磁界Hの強度を検出することができる。該セン
サの構造と作用とは従来のものとはy同じであるが、フ
ァラデー効果素子5′としてZ^Se多結晶体を用いた
点が異なる。すなわち、Z+nSe多結晶体は前述した
通りBSO単結晶および鉛ガラスに比しベルデ定数が太
き(、かつZhSe単結晶に比し素子長東 を犬きく2燻ので変長度を増大することができ。
は偏光子1により入射光の偏波方向を決定され、ファラ
デー効果素子5′により印加磁界Hの強度に比例した変
調を受け、全反射ミラー2より検光子3を通り抜けてレ
ンズ7b、光コネクタ8bおよび光ファイバ9bを介し
て図示しない受光素子にて光電変換され、該光電変換量
より印加磁界Hの強度を検出することができる。該セン
サの構造と作用とは従来のものとはy同じであるが、フ
ァラデー効果素子5′としてZ^Se多結晶体を用いた
点が異なる。すなわち、Z+nSe多結晶体は前述した
通りBSO単結晶および鉛ガラスに比しベルデ定数が太
き(、かつZhSe単結晶に比し素子長東 を犬きく2燻ので変長度を増大することができ。
(3)
これによりセンサ感度を大rfJに向上させることがで
きる。
きる。
次に、本発明の実験結果につき述べる。
ファラデー効果素子として、CVD法で作製したZv+
Se多結晶体を2DX5X5ii+ の寸法に切り出し
たものを使用した。この素子を第6図に示すように、偏
光子1.ファラデー効果素子5′、検光子ろ、レンズ7
a、7b等の光学部品が直線状になるように配置し、セ
ラミック容器11に収納した。
Se多結晶体を2DX5X5ii+ の寸法に切り出し
たものを使用した。この素子を第6図に示すように、偏
光子1.ファラデー効果素子5′、検光子ろ、レンズ7
a、7b等の光学部品が直線状になるように配置し、セ
ラミック容器11に収納した。
このセンサを約2000回巻空心ソレノイド16に入れ
、交流磁場を加えて透過光の変調度をめた。
、交流磁場を加えて透過光の変調度をめた。
さらに7000eの磁界を与えた状態でセンサの温度を
一10°C〜+85℃の範囲で変化させ、変調度の温度
変化を測定した。なお、こ〜で使用したLEf)は波長
860na+、光ファイバ9a、9bはコア径100μ
mのSI型石英ファイバである。
一10°C〜+85℃の範囲で変化させ、変調度の温度
変化を測定した。なお、こ〜で使用したLEf)は波長
860na+、光ファイバ9a、9bはコア径100μ
mのSI型石英ファイバである。
該実験により得られた磁界の強さと変調度との関係を第
4図に示す。同図より明らかなように、80e〜120
00eの範囲で直線性の良いことがわかる。また、この
変調amからベルデ定数Ve を(4) めると、 H1 (但し、H:磁界の強さ、l:素子の長さ)より約0.
15m1n10e0.どなった。この直はBSO単結晶
の約1.5倍であり鉛ガラスの約6倍の大きさである。
4図に示す。同図より明らかなように、80e〜120
00eの範囲で直線性の良いことがわかる。また、この
変調amからベルデ定数Ve を(4) めると、 H1 (但し、H:磁界の強さ、l:素子の長さ)より約0.
15m1n10e0.どなった。この直はBSO単結晶
の約1.5倍であり鉛ガラスの約6倍の大きさである。
さらに変調度の温度変化は第5図に示すように、−10
°−+85℃の範囲で−0,62−+1.55%と安定
した特性であることがわかった。以上のことから、Zn
5e多結晶体は磁界センサに使用するに有利な材料であ
ることがわかる。
°−+85℃の範囲で−0,62−+1.55%と安定
した特性であることがわかった。以上のことから、Zn
5e多結晶体は磁界センサに使用するに有利な材料であ
ることがわかる。
以上のように、本発明によれば従来センサに比ベセ/す
感度を大巾に向上させることができる光応用磁界センサ
が提供される。
感度を大巾に向上させることができる光応用磁界センサ
が提供される。
第1図はファラデー効果素子を用いた従来センサの基本
構成を示す斜視図、第2図は本発明センサの一実施例を
示す概略断面図、第3図は本発明センサの実験方法に使
用された装置構成を示す図。 第4図は該実験により得られた磁界の強さと変調(5) 度との関係を示すグラフ、第5図は同実験により得られ
た変調度の温度特性を示すグラフである。 1・・・・・・・・・・・・・・・偏光子3・・・・・
・・・・・・・・・・検光子5.5′・・・・・・・・
ファラデー効果素子特許出願人 住友電気工業株式会社 (6) 第1図 安 第2図 欄 第3図 ノ0160ノσ00 ÷閂[46’;* ? (Oe〕 第5図f1..3f
’A
構成を示す斜視図、第2図は本発明センサの一実施例を
示す概略断面図、第3図は本発明センサの実験方法に使
用された装置構成を示す図。 第4図は該実験により得られた磁界の強さと変調(5) 度との関係を示すグラフ、第5図は同実験により得られ
た変調度の温度特性を示すグラフである。 1・・・・・・・・・・・・・・・偏光子3・・・・・
・・・・・・・・・・検光子5.5′・・・・・・・・
ファラデー効果素子特許出願人 住友電気工業株式会社 (6) 第1図 安 第2図 欄 第3図 ノ0160ノσ00 ÷閂[46’;* ? (Oe〕 第5図f1..3f
’A
Claims (1)
- 偏光子および検光子間にファラデー効果素子を配設して
なる光応用磁界センサにおいて、前記ファラデー効果素
子としてZn5e多結晶体を用いたことを特徴とする光
応用磁界センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6396084A JPS60205379A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 光応用磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6396084A JPS60205379A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 光応用磁界センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60205379A true JPS60205379A (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=13244383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6396084A Pending JPS60205379A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 光応用磁界センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60205379A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5202629A (en) * | 1990-07-19 | 1993-04-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical magnetic-field sensor having an integrally bonded magnetooptical element, polarizer, analyzer and substrate |
US5451864A (en) * | 1991-12-19 | 1995-09-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical sensor |
CN109374992A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-22 | 璐哄哀 | 一种基于单臂直列光路结构的微集成型电场测量传感器 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6396084A patent/JPS60205379A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5202629A (en) * | 1990-07-19 | 1993-04-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical magnetic-field sensor having an integrally bonded magnetooptical element, polarizer, analyzer and substrate |
US5451864A (en) * | 1991-12-19 | 1995-09-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical sensor |
CN109374992A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-22 | 璐哄哀 | 一种基于单臂直列光路结构的微集成型电场测量传感器 |
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