JPS60198812A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- Power Engineering (AREA)
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導レーザや発光ダイオード等の半導体発光
素子の製造方法に関する。
素子の製造方法に関する。
（従来技術）
半導体レーザ及び発光ダイオードは、光技術の最も民生
デバイス化したものであシ、こしからも事務機器、オー
ディオ、ビデオの分野で大量の需要が見込ｔｒｔている
。中でも半導体レーザダイオードは、近年の結晶技術の
進歩によシ、安価で信頼性の高い素子が生産さｎつつあ
る。
デバイス化したものであシ、こしからも事務機器、オー
ディオ、ビデオの分野で大量の需要が見込ｔｒｔている
。中でも半導体レーザダイオードは、近年の結晶技術の
進歩によシ、安価で信頼性の高い素子が生産さｎつつあ
る。
従来から広く半導体レーザの製作に用いらｎている結晶
成長方法は、液相エピタキシアル成長法である。近年、
量産性、結晶の高品質化、高濃度化等を目指した種々の
気相エピタキシアル成長技術、分子線エピタキシアル成
長技術が実用段階に成シつつあるが、液相エピタキシア
ル成長法は、成長装置が他に比べ安価であることに加え
、固有の特長を有しているため興味ある成長力法である
。
成長方法は、液相エピタキシアル成長法である。近年、
量産性、結晶の高品質化、高濃度化等を目指した種々の
気相エピタキシアル成長技術、分子線エピタキシアル成
長技術が実用段階に成シつつあるが、液相エピタキシア
ル成長法は、成長装置が他に比べ安価であることに加え
、固有の特長を有しているため興味ある成長力法である
。
液相エピタキシアル成長法固有の特長として、成長融液
の過飽和度を制御することにより成長速度を制御でき、
極端な場合、未飽和融液は成長層をメルトバックするこ
とができる。従来仁の性質を積極的に利用した半導体レ
ーザはいくつか発表さしている。例えば、昭和５８年応
用物理学関係連合講演会（予稿７Ｐ−Ｈ−７）で岸野ら
が発表しているものがある。以下後らの半導体レーザの
構造及び製造方法について図面を用いて簡単に説明する
。
の過飽和度を制御することにより成長速度を制御でき、
極端な場合、未飽和融液は成長層をメルトバックするこ
とができる。従来仁の性質を積極的に利用した半導体レ
ーザはいくつか発表さしている。例えば、昭和５８年応
用物理学関係連合講演会（予稿７Ｐ−Ｈ−７）で岸野ら
が発表しているものがある。以下後らの半導体レーザの
構造及び製造方法について図面を用いて簡単に説明する
。
第１図は岸野らの発表になる従来の半導体レーザの概略
断面図である。この半導体レーザは次の如くに製造する
。まず、ｎ型ＧａＡｓ１ｌ上に幅３〜５μｍ、高さ２〜
３μｍのメサストライプを形成し、Ｐ−ＡｔＯ，５Ｇａ
□、５Ａｓ層１２を前記メサを埋め込むように成長す
る。続いて、Ａｓ未飽和のＧａ 融液に適当な時間接触
させる。この接触において、ＧａＡｓの万がＡ１６．５
Ｇａ□、５Ａｓよりメルトバック速度が数倍速いこと
、及びメサ上のＡｔ Ｏ，５Ｇａ □、５ＡＳ層１２が
平均部ニジ薄いことから、基板上のメサは逆にＶ字状に
メルトバックさｎ、平坦部のＭＯ１５０ａ０．５Ａｓ
層１２はメルトバックさ扛ずに残る。
断面図である。この半導体レーザは次の如くに製造する
。まず、ｎ型ＧａＡｓ１ｌ上に幅３〜５μｍ、高さ２〜
３μｍのメサストライプを形成し、Ｐ−ＡｔＯ，５Ｇａ
□、５Ａｓ層１２を前記メサを埋め込むように成長す
る。続いて、Ａｓ未飽和のＧａ 融液に適当な時間接触
させる。この接触において、ＧａＡｓの万がＡ１６．５
Ｇａ□、５Ａｓよりメルトバック速度が数倍速いこと
、及びメサ上のＡｔ Ｏ，５Ｇａ □、５ＡＳ層１２が
平均部ニジ薄いことから、基板上のメサは逆にＶ字状に
メルトバックさｎ、平坦部のＭＯ１５０ａ０．５Ａｓ
層１２はメルトバックさ扛ずに残る。
引き続き、ｎ −Ａｌ ６．３ Ｇａ Ｏ，７ＡＳ ク
ラッド層１３゜ｋＬｇ 、０４ Ｇａ０．９６ Ａｓ活
性層Ｉ ＣＰ−ＡＡｇ、４Ｇａｑ、６Ａｓクラッド層１
５． Ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層１６を順次に液相エピ
タキシアル成長する。この後、正電極１７．及び負電極
１８ｔ−蒸着によ多形成し、最後に襞間によシ共振器面
を形成し、この半導体レーザは完成する。
ラッド層１３゜ｋＬｇ 、０４ Ｇａ０．９６ Ａｓ活
性層Ｉ ＣＰ−ＡＡｇ、４Ｇａｑ、６Ａｓクラッド層１
５． Ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層１６を順次に液相エピ
タキシアル成長する。この後、正電極１７．及び負電極
１８ｔ−蒸着によ多形成し、最後に襞間によシ共振器面
を形成し、この半導体レーザは完成する。
この半導体レーザに電圧を印加すると、 Ｆ Ａ２ｇ、
５Ｇ ａ ｇ、５ Ａｓ層１２が内部電流狭窄層として
働き、発振電流しきい値を下げる働きをする。また、ｎ
−Ａｔ（１，３Ｇａ ６．ＩＡＳクラッド層１３が、
Ｐ−Ａｔ０．５ＧａＯ，５Ａｓ層１２よシ屈折率が高い
から、■溝は一種のリプ凰導波路として機能し、■溝上
の活性層１４で発光したレーザ光を単−横モードで導波
できる。
５Ｇ ａ ｇ、５ Ａｓ層１２が内部電流狭窄層として
働き、発振電流しきい値を下げる働きをする。また、ｎ
−Ａｔ（１，３Ｇａ ６．ＩＡＳクラッド層１３が、
Ｐ−Ａｔ０．５ＧａＯ，５Ａｓ層１２よシ屈折率が高い
から、■溝は一種のリプ凰導波路として機能し、■溝上
の活性層１４で発光したレーザ光を単−横モードで導波
できる。
この半導体レーザの製造方法は、低しきい値で単一モー
ド動作が可能な半導体レーザを一回の液相成長で製造で
きるという利点があることは前述のとおシでおるが、い
くつかの欠点を有している。
ド動作が可能な半導体レーザを一回の液相成長で製造で
きるという利点があることは前述のとおシでおるが、い
くつかの欠点を有している。
その最大のものは、メルトバック形状が再現性に欠ける
ということである。つまカ、一定のメルトバック形状を
保つには、メサ上に槓まｎるｎ −ＡＡｏ、５Ｇａｏ、
ｓＡｓＡｓ２Ｏ３厚を均一にし、かつメルトバック融液
のＡｓ濃度をかなシ精密に制御しなけルばならない。こ
のように、従来の半導体発光素子の製造方法では、メル
トバックの制御性が悪いから、導波路形状のｔｌｊ！Ｉ
御は困難である。
ということである。つまカ、一定のメルトバック形状を
保つには、メサ上に槓まｎるｎ −ＡＡｏ、５Ｇａｏ、
ｓＡｓＡｓ２Ｏ３厚を均一にし、かつメルトバック融液
のＡｓ濃度をかなシ精密に制御しなけルばならない。こ
のように、従来の半導体発光素子の製造方法では、メル
トバックの制御性が悪いから、導波路形状のｔｌｊ！Ｉ
御は困難である。
（発明の目的）
本発明の目的は、液相エピタキシアル成長層の形が再現
性よく高精度に制御できる半導体発光ス５子の製造方法
の提供にある。
性よく高精度に制御できる半導体発光ス５子の製造方法
の提供にある。
（発明の構成）
本発明の構成は、半導体基板上に複数の化合物半導体を
液相エピタキシアル成長させて半導体発光素子金製造す
る方法において、不純物の混入により過飽和度が下げで
ある成長融液に少なくとも１つの前記化合物半導体の成
長層を接触し、その成長層をメルトバックする工程が含
ま几ていることを特徴とする。
液相エピタキシアル成長させて半導体発光素子金製造す
る方法において、不純物の混入により過飽和度が下げで
ある成長融液に少なくとも１つの前記化合物半導体の成
長層を接触し、その成長層をメルトバックする工程が含
ま几ていることを特徴とする。
（実施例）
以下に２つの実施例を挙げ本発明の詳細な説明するが、
まず、こルらの実施例の基本的事項を述べる。液相エピ
タキシアル成長ではドーパントの種類、添加量によって
成長層厚が異なる。特に、Ｔｅ を多量添加した場合に
は、Ｇａ融液は極端に過飽和度が下が９、条件を選べば
、実効的にＡｓの未飽和融液となることを発明者は実験
にょシ見出した。実験では、７７０℃の成長温度でＡｔ
ｇ、ａａＧａ Ｏ，６２Ａｓ を放磁せしめるＧａＡｓ
シード付きの融液にＴｅ１．ＯＷ／１ｒＧａ Ｊｋ添加
した融液を０．３３ ｄｅｇ／１ｎｉｎの割合で除去し
、 Ａｔｇ、１２Ｇａ◎、ｇｇＡｓ層に接触しそのまま
徐冷したところ、０．１μｍ程度が再現性よくメルトバ
ックさｎさらにＡｔ ０．３８ｏａＯ，６２Ａｓ層が引
きつづき成長することを確認した。つま９上記の成長条
件ではＴｅ添加のＧａ融液はごくわずか未飽和になって
おシ、飽和に必要な量の、９− Ａｔ６．１ｐａ ０．
８８Ａｓ層をメルトバックし、その後融液は徐冷に伴な
い過飽和になったものと考えらｎる。次に２つの実施例
を詳しく説明する。
まず、こルらの実施例の基本的事項を述べる。液相エピ
タキシアル成長ではドーパントの種類、添加量によって
成長層厚が異なる。特に、Ｔｅ を多量添加した場合に
は、Ｇａ融液は極端に過飽和度が下が９、条件を選べば
、実効的にＡｓの未飽和融液となることを発明者は実験
にょシ見出した。実験では、７７０℃の成長温度でＡｔ
ｇ、ａａＧａ Ｏ，６２Ａｓ を放磁せしめるＧａＡｓ
シード付きの融液にＴｅ１．ＯＷ／１ｒＧａ Ｊｋ添加
した融液を０．３３ ｄｅｇ／１ｎｉｎの割合で除去し
、 Ａｔｇ、１２Ｇａ◎、ｇｇＡｓ層に接触しそのまま
徐冷したところ、０．１μｍ程度が再現性よくメルトバ
ックさｎさらにＡｔ ０．３８ｏａＯ，６２Ａｓ層が引
きつづき成長することを確認した。つま９上記の成長条
件ではＴｅ添加のＧａ融液はごくわずか未飽和になって
おシ、飽和に必要な量の、９− Ａｔ６．１ｐａ ０．
８８Ａｓ層をメルトバックし、その後融液は徐冷に伴な
い過飽和になったものと考えらｎる。次に２つの実施例
を詳しく説明する。
（第１の実施例）
第２図は本発明の第１の実施例にょ９製造した半導体し
７−ザの概略断面図でアク、本図を参照してこの実施例
を説明する。まず、（１００） 面を有するＰ型ＧａＡ
ｓ基板上２１に＜ＯＩＴ＞方向に沿って幅２μｍ、深さ
１μｍ程度の溝を化学エツチングで形成し、Ｐ−ＡＬｇ
、ａｇＧａｏ、５ｚＡｌｌクラツド＃ （Ｍｇドープ）
２２を液相エピタキシアル成長法で０．３μｍ程度成長
する。Ｐ−Ａｔｏ、ａａＧａ Ｏ，６２ＡＳクラッド層
は、溝部において垂ル下がっている。引きつづき、 Ａ
Ｌ Ｏ，１２（Ｊａｏ、３６ Ａｓ 活性１１２３ｔｏ
、１μｍｉ度、成長面が平坦になるまで成長する。この
後、成長温度７７０℃の同相時にＡｌ Ｏ，２７Ｇ ａ
Ｏ，７３Ａｓ を結晶せしめる成長融液にＴｅを１．
０Ｔｎｇ／ＩＪＧａ 添加した融液を用いてｋｌ ｏ、
、ｐａ ｏ、ＢＢ Ａｓ 活性層２３に接触し、そのま
まｎ−Ａ１．０．２７ｏａ Ｏ，？ａ Ａｓ 元ガイド
層（Ｔｅ ）’−プ）２４１ｔ０．５μｒｎ成長する。
７−ザの概略断面図でアク、本図を参照してこの実施例
を説明する。まず、（１００） 面を有するＰ型ＧａＡ
ｓ基板上２１に＜ＯＩＴ＞方向に沿って幅２μｍ、深さ
１μｍ程度の溝を化学エツチングで形成し、Ｐ−ＡＬｇ
、ａｇＧａｏ、５ｚＡｌｌクラツド＃ （Ｍｇドープ）
２２を液相エピタキシアル成長法で０．３μｍ程度成長
する。Ｐ−Ａｔｏ、ａａＧａ Ｏ，６２ＡＳクラッド層
は、溝部において垂ル下がっている。引きつづき、 Ａ
Ｌ Ｏ，１２（Ｊａｏ、３６ Ａｓ 活性１１２３ｔｏ
、１μｍｉ度、成長面が平坦になるまで成長する。この
後、成長温度７７０℃の同相時にＡｌ Ｏ，２７Ｇ ａ
Ｏ，７３Ａｓ を結晶せしめる成長融液にＴｅを１．
０Ｔｎｇ／ＩＪＧａ 添加した融液を用いてｋｌ ｏ、
、ｐａ ｏ、ＢＢ Ａｓ 活性層２３に接触し、そのま
まｎ−Ａ１．０．２７ｏａ Ｏ，？ａ Ａｓ 元ガイド
層（Ｔｅ ）’−プ）２４１ｔ０．５μｒｎ成長する。
先に述べたように、Ｔｅ ｌｔ高濃度添加した融液は、
成長温度７７０℃、徐冷温度０．３３ ｄ ｅ ｇ／ｍ
ｉ ｎ の条件下では、接触したＡＡ、ｇ、１２ＧａＯ
１８８Ａｓ活性層２３をＱ、１μｍ メルト／＜ツクし
、引きつづきｋｌ ０１２７Ｇａ□、７３ＡＳｌｉｌ
２４が種層さｎる。
成長温度７７０℃、徐冷温度０．３３ ｄ ｅ ｇ／ｍ
ｉ ｎ の条件下では、接触したＡＡ、ｇ、１２ＧａＯ
１８８Ａｓ活性層２３をＱ、１μｍ メルト／＜ツクし
、引きつづきｋｌ ０１２７Ｇａ□、７３ＡＳｌｉｌ
２４が種層さｎる。
したがって、活性ｊＩｌ１１ｉ２３は溝部の会に残り、
Ｐ−ｋＬ ０．３８ Ｇａ Ｏ，６２Ａｓクラッド層２
２及びｎＡＬｏ、２’ＩＧａ Ｏ，７３ＡＳ を傭２４
によって完全に埋め込ま詐るこ、！： Ｋ ７ｉ ル。
Ｐ−ｋＬ ０．３８ Ｇａ Ｏ，６２Ａｓクラッド層２
２及びｎＡＬｏ、２’ＩＧａ Ｏ，７３ＡＳ を傭２４
によって完全に埋め込ま詐るこ、！： Ｋ ７ｉ ル。
続いてｎ−Ａｌｇ、３ＢＧａＯ８６２Ａ８クラッド層（
Ｔｅドープ） ２５． Ｐ−ＧａＡｓ（Ｇａドープ）電
流ブロック層２６をそ肛ぞｆＬ１μｍ、 ９．５μｍμ
ｍ液相エビタブシアル成長。次に溝上のＰ−ＧａＡｓ１
ｍ ２６を化学エツチングで幅３μｍのストライプ形状
に選択的に除去し、最後に負電極２７．正電極２８を蒸
着によシ形成して第１の実施例が完了し、第１図の半導
体レーザが完成する。
Ｔｅドープ） ２５． Ｐ−ＧａＡｓ（Ｇａドープ）電
流ブロック層２６をそ肛ぞｆＬ１μｍ、 ９．５μｍμ
ｍ液相エビタブシアル成長。次に溝上のＰ−ＧａＡｓ１
ｍ ２６を化学エツチングで幅３μｍのストライプ形状
に選択的に除去し、最後に負電極２７．正電極２８を蒸
着によシ形成して第１の実施例が完了し、第１図の半導
体レーザが完成する。
この第１の実施例によシ製造した半導体レーザの動作は
次の如くである。正電極２８に正、負電極２７に負の電
圧を印加すると、電流ブロック層２６によって電流は狭
さくさｎ１活性層２３がより拡散電位の高い物質、即ち
Ｐ ＡＡ６．ＢＢ Ｇａ □、６２Ａ８クラッ萬層２２
及びｎ −ＡＬｏ、２ｔ Ｇａ（１，７３Ａｓ光ガイド
層２４によって完全に埋め込まルているから、キャリア
はＡｔＯ，１２Ｇａ ｏ、ａｓＡｓ活性層２３に効果的
に注入さｎ発光に寄与する。発光した光は光ガイド層２
４にしみ出し、高光出力動作を可能にする。
次の如くである。正電極２８に正、負電極２７に負の電
圧を印加すると、電流ブロック層２６によって電流は狭
さくさｎ１活性層２３がより拡散電位の高い物質、即ち
Ｐ ＡＡ６．ＢＢ Ｇａ □、６２Ａ８クラッ萬層２２
及びｎ −ＡＬｏ、２ｔ Ｇａ（１，７３Ａｓ光ガイド
層２４によって完全に埋め込まルているから、キャリア
はＡｔＯ，１２Ｇａ ｏ、ａｓＡｓ活性層２３に効果的
に注入さｎ発光に寄与する。発光した光は光ガイド層２
４にしみ出し、高光出力動作を可能にする。
この実施例ではメルトバックした融液を再び成長融液と
して用いているが、組成す−ｒＬ、を問題視する場合に
は、メルトバック融液と成長融液とを別にすｎば艮い。
して用いているが、組成す−ｒＬ、を問題視する場合に
は、メルトバック融液と成長融液とを別にすｎば艮い。
（第２の実施例）
第３図は本発明の第２の実施例によ＃）ｉｉ！ｉ！遺し
た半導体レーザの概略断面図であり５本図を参照してこ
の第２の実施例を説明する。まず、（１００）面を有す
るＰ型ＧａＡｓ基板３１上に＜ｏ １１＞方向に沿って
深さ２μｍ程度の段差を化学エツチングで形成すル。次
に、 Ｐ −ＡＬ ｏ、３ｓ Ｇａ ｏ、ａｚＡＪクラ
ッド層（Ｚｎドープ）３２ｓ Ａｔｏ、ｔ２Ｇａ□、Ｂ
ＢＡｓ活性層３３をそｎぞｎ平坦部の層厚で０．３μｍ
、Ｑ、１μｍだけ液相エピタキシアル成長する。成長速
度の面方向依存性によシ、段差部では前者は１．０μｍ
、後者は０．１５μｍ程度の厚さとなり、段差部では他
の部分よシ厚く成長する。引きつづき、成長温度７７０
℃の固相時にＡｔＯ，３Ｂ Ｇａ ０１６２ Ａｓ を
結晶せしめる成長融液にＴｅを１．０η／ １ ｔＧａ
添加した融液を用いてＭｇ、１２ Ｇａ ０４６ Ａｓ
３３に接触しそのままｎ −Ａｔ ｇ 、３Ｂ Ｇａ
Ｏ，６２ＡＳクラッド１ｍ（Ｔｅドープ）３５を２μｍ
成長する。先に述べたようにこの条件下では、この融液
は活性層３：１０．１μｍメルトバックするから、段麦
部のみにＡｉＯ，１２Ｇａ Ｏ，６２Ａｊクラッド層３
２゜きつづき、Ｐ−ＧａＡｓ電流グロｙりＮ１（Ｚｎド
ープ）３６を０．５μｍ積層し、活性層３３上ｃｖ Ｐ
−ＧａＡｓ Ｆｆｉ３６を幅３μｍ程度のストライプ形
状に選択的に化学エツチングして取シ除く。最後に負電
極３７゜正電極３８を蒸着によシ形成し、第２の実施例
は終了し、第３図の半導体レーザが完成する。
た半導体レーザの概略断面図であり５本図を参照してこ
の第２の実施例を説明する。まず、（１００）面を有す
るＰ型ＧａＡｓ基板３１上に＜ｏ １１＞方向に沿って
深さ２μｍ程度の段差を化学エツチングで形成すル。次
に、 Ｐ −ＡＬ ｏ、３ｓ Ｇａ ｏ、ａｚＡＪクラ
ッド層（Ｚｎドープ）３２ｓ Ａｔｏ、ｔ２Ｇａ□、Ｂ
ＢＡｓ活性層３３をそｎぞｎ平坦部の層厚で０．３μｍ
、Ｑ、１μｍだけ液相エピタキシアル成長する。成長速
度の面方向依存性によシ、段差部では前者は１．０μｍ
、後者は０．１５μｍ程度の厚さとなり、段差部では他
の部分よシ厚く成長する。引きつづき、成長温度７７０
℃の固相時にＡｔＯ，３Ｂ Ｇａ ０１６２ Ａｓ を
結晶せしめる成長融液にＴｅを１．０η／ １ ｔＧａ
添加した融液を用いてＭｇ、１２ Ｇａ ０４６ Ａｓ
３３に接触しそのままｎ −Ａｔ ｇ 、３Ｂ Ｇａ
Ｏ，６２ＡＳクラッド１ｍ（Ｔｅドープ）３５を２μｍ
成長する。先に述べたようにこの条件下では、この融液
は活性層３：１０．１μｍメルトバックするから、段麦
部のみにＡｉＯ，１２Ｇａ Ｏ，６２Ａｊクラッド層３
２゜きつづき、Ｐ−ＧａＡｓ電流グロｙりＮ１（Ｚｎド
ープ）３６を０．５μｍ積層し、活性層３３上ｃｖ Ｐ
−ＧａＡｓ Ｆｆｉ３６を幅３μｍ程度のストライプ形
状に選択的に化学エツチングして取シ除く。最後に負電
極３７゜正電極３８を蒸着によシ形成し、第２の実施例
は終了し、第３図の半導体レーザが完成する。
この半導体レーザの動作は第２図の半導体レーザとほぼ
同様である。但し、この第３図の半導体レーザでは、Ａ
ｔ０．１２ Ｇａ ｏ、８８ Ａｓ 活性層３３が、メ
ルトバックによりて埋め込まｎていることの他に薄膜と
なっているために、発光した光は、クラッド層３２．３
５に十分しみ出し、基本モードを維持した高出力動作が
可能になっている。
同様である。但し、この第３図の半導体レーザでは、Ａ
ｔ０．１２ Ｇａ ｏ、８８ Ａｓ 活性層３３が、メ
ルトバックによりて埋め込まｎていることの他に薄膜と
なっているために、発光した光は、クラッド層３２．３
５に十分しみ出し、基本モードを維持した高出力動作が
可能になっている。
以上の第１及び第２の実施例では、エピタキシャル成長
層のメルトバック量が、従来のＡｓ濃度を制御する方法
に比べ再現性及び制御性よく一定にできる。また実施例
の条件ではｎ −ｋｌ Ｏ，３８Ｇａ Ｏ，６２Ａｓの
キャリア濃度は、３Ｘ１０ ｃｍ であシ、十分実用的
なものである口 なお、前述の実施例は半導体レーザの製造方法でめった
が、不発明は他の発光素子の製造にも黒部適用できる。
層のメルトバック量が、従来のＡｓ濃度を制御する方法
に比べ再現性及び制御性よく一定にできる。また実施例
の条件ではｎ −ｋｌ Ｏ，３８Ｇａ Ｏ，６２Ａｓの
キャリア濃度は、３Ｘ１０ ｃｍ であシ、十分実用的
なものである口 なお、前述の実施例は半導体レーザの製造方法でめった
が、不発明は他の発光素子の製造にも黒部適用できる。
（発明の効果）
以上に説明したように、本発明によれば、液相エピタキ
シアル成長層のメルトバック量が再現性よく高精度に制
御でき、ひいてはその成長層の形が再現性よく高精度に
制御できる半導体発光素子が提供できる。
シアル成長層のメルトバック量が再現性よく高精度に制
御でき、ひいてはその成長層の形が再現性よく高精度に
制御できる半導体発光素子が提供できる。
第１図は従来の方法にニジ製造した半導体レーザの概略
断面図、第２図は不発明の第１の実施例によす製造した
半導体レーザの概略断面図、第３図は本発明の第２の実
施例によ）製造した半導体レーザの概略断面図である。 １１・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２１．３１
・・・・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、１２−− Ｐ−ＡｔＯ
，５Ｇａｇ、５Ａｓ電流ブロック層、１３−＝ −ｎ−
１ｄｏ、５Ｇａｏ、ｒｋｓクラッド層、１４ ・＝ −
ＡｔＯ，０４Ｇａ ｏ、ｅｓ Ａｓ 活性層、１５−・
・−・Ｐ−Ａｌ ｇ、４ Ｇａ Ｏ，１１Ａｓクラッド
層、１６−・＝ Ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層、１７．２
８．３８・・・・・・正電極、１８゜２７、 ３７−・
・・・−負電極、 ２２． ３２ ・・・・・・Ｐ−Ａ
／、０．ａｓＧａｏ、ｅｚＡａ クラッド層、２３ 、
３３−−−−Ａｌｏ、ｘｚＧａ□、ＢＢＡｓ活性層、
２４ ・＝ −Ａ−！ ０．２７ Ｇａ ６，７３ Ａ
ｓ光ガイド層、２５ 、 ３５ ・＝ ・＝ ｎ−Ａｔ
ｏ、３ｓＣＪａｏ、ｅ２ＡＳ クラッド層、２６．３６
・・・・・・Ｐ −ＧａＡｓ電流ブロック層。
断面図、第２図は不発明の第１の実施例によす製造した
半導体レーザの概略断面図、第３図は本発明の第２の実
施例によ）製造した半導体レーザの概略断面図である。 １１・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２１．３１
・・・・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、１２−− Ｐ−ＡｔＯ
，５Ｇａｇ、５Ａｓ電流ブロック層、１３−＝ −ｎ−
１ｄｏ、５Ｇａｏ、ｒｋｓクラッド層、１４ ・＝ −
ＡｔＯ，０４Ｇａ ｏ、ｅｓ Ａｓ 活性層、１５−・
・−・Ｐ−Ａｌ ｇ、４ Ｇａ Ｏ，１１Ａｓクラッド
層、１６−・＝ Ｐ＋−ＧａＡｓキャップ層、１７．２
８．３８・・・・・・正電極、１８゜２７、 ３７−・
・・・−負電極、 ２２． ３２ ・・・・・・Ｐ−Ａ
／、０．ａｓＧａｏ、ｅｚＡａ クラッド層、２３ 、
３３−−−−Ａｌｏ、ｘｚＧａ□、ＢＢＡｓ活性層、
２４ ・＝ −Ａ−！ ０．２７ Ｇａ ６，７３ Ａ
ｓ光ガイド層、２５ 、 ３５ ・＝ ・＝ ｎ−Ａｔ
ｏ、３ｓＣＪａｏ、ｅ２ＡＳ クラッド層、２６．３６
・・・・・・Ｐ −ＧａＡｓ電流ブロック層。
Claims (1)
- 半導体基板上に複数の化合物半導体を液相エピタキシア
ル成長させて半導体発光素子を製造する方法において、
不純物の混入によシ過飽和度が下げである成長融液に少
なくとも１つの前記化合物半導体の成長層を接触し、そ
の成長層を所定量だけメルトバックする工程が含まして
いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055623A JPS60198812A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055623A JPS60198812A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198812A true JPS60198812A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=13003904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055623A Pending JPS60198812A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0322465A1 (en) * | 1987-07-09 | 1989-07-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method of epitaxially growing a substrate for highly bright led |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59055623A patent/JPS60198812A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0322465A1 (en) * | 1987-07-09 | 1989-07-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method of epitaxially growing a substrate for highly bright led |
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