JPS60198579A - Semiconductor display - Google Patents

Semiconductor display

Info

Publication number
JPS60198579A
JPS60198579A JP59055175A JP5517584A JPS60198579A JP S60198579 A JPS60198579 A JP S60198579A JP 59055175 A JP59055175 A JP 59055175A JP 5517584 A JP5517584 A JP 5517584A JP S60198579 A JPS60198579 A JP S60198579A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
display device
substrate
electrodes
igf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59055175A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0614259B2 (en
Inventor
舜平 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP59055175A priority Critical patent/JPH0614259B2/en
Publication of JPS60198579A publication Critical patent/JPS60198579A/en
Priority to JP2067680A priority patent/JPH03197929A/en
Publication of JPH0614259B2 publication Critical patent/JPH0614259B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、絶縁ディト型電界効果半導体装置(以下I
GFという)を用いて、マトリックス配列がなされた絵
素群のそれぞれを制御して表示するアクティブマトリッ
クス方式の平面型ディスプレー装置、特にカラーディス
プレー装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an insulated field effect semiconductor device (hereinafter referred to as I
The present invention relates to an active matrix type flat display device, particularly a color display device, which controls and displays each of a group of picture elements arranged in a matrix using a GF (referred to as GF).

この発明は、光の透過量の制御機能を有する液晶(LC
Dという)またエレクトロ・クロミック(ECUという
)に関し、自ら発光するエレクトロルミネッセンス(E
Lという)に関し、それぞれの絵素とこの絵素に電圧ま
たは電流を印加し゛曹′その電気信号の有無を制御する
半導体装置特にIGFを用いることにより、各絵素をア
クティブエレメントとして制御することを目的としてい
る。
This invention is based on a liquid crystal (LC) having a function of controlling the amount of light transmitted.
(referred to as D) and electrochromic (referred to as ECU), electroluminescence (ECU) that emits light by itself.
It is possible to control each picture element as an active element by using a semiconductor device, especially an IGF, which applies a voltage or current to each picture element and controls the presence or absence of an electric signal. The purpose is

従来、かかる半導体表示装置においては、第1図にその
マトリックス回路を示すが、マトリックス配列された絵
素群(lO)は1つのIGF (2)と表示素子(3)
〈ここではLCDとする)を直列に連結し、このIGF
のゲイト電極をX方向に、またソース、ドレインをY方
向に配列していた。
Conventionally, in such a semiconductor display device, the matrix circuit is shown in FIG.
(Here, it is assumed to be an LCD) are connected in series, and this IGF
The gate electrode was arranged in the X direction, and the source and drain were arranged in the Y direction.

しかしLCDにおけるIGFに連結されていない側は単
にすべてが共通して接地レベルに保持され、その電圧レ
ベルはすべてのエレメントに対し共通しているのみであ
る。
However, the side of the LCD that is not connected to the IGF is simply all held at a common ground level, and that voltage level is only common to all elements.

このためこのLCDの対抗電極(3)はIGFが設けら
れた基板とは向かい合った基板の内側にCTF(透光性
導電膜)が全面に設けられているのみであった。
For this reason, the counter electrode (3) of this LCD was simply provided with a CTF (transparent conductive film) on the entire surface of the inside of the substrate facing the substrate on which the IGF was provided.

かかる構造の平面型ディスプレー装置により、RGB 
(赤、緑、青の三原色)をそれぞれ対をなして構成させ
るためには、白黒表示ディスプレー装置の3倍のアクテ
ィブエレメントの数を必要と′してしまった。
A flat display device with such a structure allows RGB
In order to form pairs of the three primary colors (red, green, and blue), three times as many active elements as in a monochrome display device are required.

さらにこの3倍の集積度は 絵素の数が525×640
(計330に素子)の二倍となり、その集積度の高密度
化の程度はまったく実用化を不可能とするものであった
Furthermore, the number of picture elements is 525 x 640 for three times this integration.
(total of 330 elements), and the degree of integration was such that it was completely impossible to put it to practical use.

本発明はかかる欠点を排除し、IGFの精密なパターニ
ング(一般には6〜8枚のマスクを用いる)を必要なプ
ロセスは一方の基板側とし、色識別をするための配線お
よびその周辺回路を他方の基板側に設けたものである。
The present invention eliminates such drawbacks, and the process that requires precise patterning of IGF (generally using 6 to 8 masks) is performed on one substrate, and the wiring for color discrimination and its peripheral circuitry are placed on the other side. This is provided on the board side of the board.

そして1つのIGFに連結した絵素の電極であるCTF
は1つであるが、このCTPに対をなして対抗した他方
の電極であるCTFはRGBを設けた為、3つとしたも
のである。その結果、製造に関しては、それぞれの2つ
の独立した基板をまず製造し、品質検査をした後、それ
ぞれの製品における良品を重合わせることにより最終完
成品をを作ることができる。その結果、半導体表示装置
としてその歩留りの向上を大幅に図ることができるとい
う大きな特徴を有する。
and CTF, which is the electrode of the picture element connected to one IGF.
is one, but since the other electrode, CTF, which is the other electrode opposing this CTP, is provided with RGB, there are three. As a result, in terms of manufacturing, the final finished product can be made by first manufacturing each of the two independent substrates, inspecting their quality, and then superimposing the non-defective products of each product. As a result, it has the great feature that the yield of semiconductor display devices can be greatly improved.

以下に図面に従って、本発明をさらに詳しく記す。The present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.

第2図は第1図の従来の発明に対応した作られた本発明
の回路図である。図面は簡略のため、3X3(RGBを
分けると3X3X3)のマトリックス配列をしている。
FIG. 2 is a circuit diagram of the present invention, which corresponds to the conventional invention shown in FIG. For simplicity, the drawing shows a 3X3 (3X3X3 if RGB is divided) matrix arrangement.

即ち独立した絵素は27ケあるにもかかわらず、マトリ
ックス内のJGFは9ケでよいという大きな特長を有す
る。さらに実際の絵素群の平面図、縦断面図を第4図、
第5図に示すが、対抗電極(3>、< 3 t)、 (
3″>での電極間の間隔即ち(3>、(3t)、 (3
つ間の間隔(第4図(B)<31) )は5〜10μで
よいことがわかる。これらIGFに設ける配線(5)、
(5”>、(5つが50〜100μもあるため、使用者
にとってパネルを見る場合にわずられしい面もあるが、
この中広の線の数を従来方法に比べ1/3にすることが
できるという特長を合わせ持つ。その結果、使用者に不
快感を与えないことが判明した。
That is, although there are 27 independent picture elements, only 9 JGFs are needed in the matrix, which is a great feature. Furthermore, the plan view and longitudinal cross-sectional view of the actual picture element group are shown in Figure 4.
As shown in FIG. 5, counter electrodes (3>, <3 t), (
The spacing between the electrodes at 3″>, i.e. (3>, (3t), (3
It can be seen that the distance between the two (FIG. 4(B)<31) may be 5 to 10 microns. Wiring (5) provided for these IGFs,
(5">, (5 pieces are 50 to 100μ, so it may be difficult for the user to view the panel,
This method also has the advantage of being able to reduce the number of medium-wide lines to 1/3 compared to conventional methods. As a result, it was found that the product did not cause discomfort to the user.

第2図において、アクティブエレメントは1つのIGF
 (2)のソースまたはドレインとその一方に連結した
表示素子(ここではLCD )が(1)、< 12〉(
1′)を有する。さらに、他方は第2図におけるY方向
のリード(5)、< 5 ’)、 (5つに連結されて
いる。またIGFのゲイト電極は、X方向(4)、< 
4 ’>(4つに連結されている。
In Figure 2, the active element is one IGF.
The source or drain of (2) and the display element (LCD here) connected to one of the sources or drains of (1), <12>(
1'). Furthermore, the other one is connected to the lead (5) in the Y direction in FIG.
4'>(Connected into 4.

また、表示素子の対抗電極(3)、<3’>(3つはそ
れぞれ独立し、かつ第2図ではY方向にマトリックス配
列された表示素子の対抗電極と互いに連結され、色分別
用デコーダ(9)に連結している。
In addition, the counter electrodes (3) and <3'> of the display element (the three are independent, and are connected to the counter electrodes of the display elements arranged in a matrix in the Y direction in FIG. 9).

図面において、一方の基板にはデコーダ(7)、(8>
、 IGF (1)および表示素子の一方の電極を設け
、他方の基板側に3つに分別さ(、かつそれをX方向、
Y方向、または斜め方向に連結させた。
In the drawing, one board has decoders (7) and (8>
, IGF (1) and one electrode of the display element are provided, and separated into three on the other substrate side (and separated in the X direction,
Connected in the Y direction or diagonally.

この第2図はY方向に連結しているRGB用の電極、リ
ードを設け、それらは色分別用制御回路(デコーダ)く
9)に連結されたものである。
In FIG. 2, electrodes and leads for RGB are connected in the Y direction, and these are connected to a color classification control circuit (decoder) 9).

第2図の回路は表示素子の電極に蓄積された電荷が第4
図の構造においてゲイト電極との間の寄生容量(44)
が発生する。このため周波数特性が遅くなる。結果とし
てこの回路においては高周波数特性を必要としないLC
Dが表示素子に用いられることが好ましい。
In the circuit shown in Figure 2, the charge accumulated in the electrode of the display element is
Parasitic capacitance (44) between the gate electrode and the structure shown in the figure
occurs. Therefore, the frequency characteristics become slow. As a result, this circuit uses an LC that does not require high frequency characteristics.
Preferably, D is used in the display element.

第3図は第2図と同様であるが、X方向に表示素子の対
抗電極(3)、< 3 ’)、 (3″)を連結してい
る。
FIG. 3 is similar to FIG. 2, but counter electrodes (3), <3'), (3'') of the display element are connected in the X direction.

その他は第2図と同様である。Other details are the same as in FIG. 2.

第3図においては、第4図の構成における(11)、(
12)、< 13 ) ・・・ (11”)、 (12
’す、(13つを横方向に配設したことに対応している
。すると、寄生容量は(40)、<41)が大きくなる
が、ゲイト電極間とは少なくなる。このため第3図の回
路は周波数を変更することにより種々の色を発生させる
ELを表示素子を設けた場合に好都合である。
In FIG. 3, (11), (
12), < 13) ... (11"), (12
(This corresponds to 13 arranged horizontally.Then, the parasitic capacitance (40)<41) becomes large, but it becomes small between the gate electrodes. For this reason, the circuit of FIG. 3 is advantageous when the display element is provided with an EL that generates various colors by changing the frequency.

第4図、第5図は本発明の半導体表示装置の平面図、縦
断面図を示す。
4 and 5 show a plan view and a longitudinal sectional view of the semiconductor display device of the present invention.

この図面は第2図の構造にその回路構成が対応している
The circuit configuration of this drawing corresponds to the structure of FIG. 2.

図面において、絶縁表面を有する基板(25)上にIG
F (2)は対(ペア)を構成した並列構成して2つの
IGF (2>、<2°〉が設けられている。これはI
GFの駆動応力を^めるために重要であるに加え、一方
のIGfがショートまたはオープン不良を発生しても、
そのIGFをレーザトリミング法により除去し、他方の
みで表示素子を駆動せしめた冗長性を有せしめたもので
ある。
In the drawing, an IG is placed on a substrate (25) having an insulating surface.
F (2) has two IGFs (2>, <2°>) arranged in parallel in a pair.
In addition to being important for reducing the driving stress of the GF, even if one IGf develops a short or open failure,
The IGF is removed by a laser trimming method to provide redundancy in which only the other IGF drives the display element.

この縦チャネル型IGFに関し、第4図(A>における
A−^゛の縦断面図を第4図(B)に示す。
Regarding this vertical channel type IGF, FIG. 4(B) shows a vertical cross-sectional view taken along A-^'' in FIG. 4(A>).

図面において、IGF (2)の下側電極(14)は表
示素子(1)の電極(22)と連結し、この電極(14
)上に同一形状を有する積層体としてソースまたはドレ
イン(15)(厚さ500〜3000人)、積層体(1
6X厚さ0.5〜5μ)(実際は窒化珪素膜を用いた〉
、ドレインまたはソース(17>(厚さ500〜300
0λ)、Y方向のリードを兼ねた電極(18>(厚さ1
000〜5000人入屓間絶縁m!1i(19)(0,
5〜3μ)(実際にはPIQを用いた)が設けられてい
る。さらにこれらを覆って水素またはハロゲン元素(好
ましくは弗素)が添加された非単結晶半導体(アモルフ
ァス構造を含む>(21)が0.1〜0.4 μの厚さ
でこれらの積層体を覆っている。
In the drawing, the lower electrode (14) of the IGF (2) is connected to the electrode (22) of the display element (1);
) as a stack having the same shape as the source or drain (15) (thickness 500-3000), stack (1
6X thickness 0.5-5μ) (Actually, silicon nitride film was used)
, drain or source (17>(thickness 500-300
0λ), an electrode (18>(thickness 1
Insulation between 000 and 5000 people! 1i(19)(0,
5 to 3μ) (actually using PIQ). Furthermore, a non-single-crystal semiconductor (including an amorphous structure) (21) to which hydrogen or a halogen element (preferably fluorine) has been added covers these laminates with a thickness of 0.1 to 0.4 μm. ing.

この半導体(21)とPまたはN型のソース、ドレイン
を構成する層(15)、<17)とはオーム接触をして
いる。この半導体層に酸化珪素または窒化珪素膜(厚さ
500〜3000人)およびその上に半導体、クロム、
チタン、モリブデン、タングステンまたはこれらの化合
物のゲイト電極(lVさ300〜3000人)とが(2
0)により設けている。このゲイト電極はX方向のパス
ラインを構成するリード(4)。
This semiconductor (21) is in ohmic contact with the layer (15), <17) constituting the P or N type source and drain. This semiconductor layer has a silicon oxide or silicon nitride film (500 to 3,000 thick) and a semiconductor, chromium,
A gate electrode of titanium, molybdenum, tungsten or these compounds (LV: 300-3,000) is used (2
0). This gate electrode is a lead (4) that constitutes a pass line in the X direction.

(4’)(4″′)と連結しており、このリードは0.
5〜3μの厚さを有する。そのシート抵抗は0.50/
口以下にしている。
(4') (4'''), and this lead is 0.
It has a thickness of 5-3μ. Its sheet resistance is 0.50/
I keep it to myself.

さらに表示素子の電極(22)に対抗した他の絶縁表面
を有する基板上の各3本の対抗電極はRGBをそれぞれ
分けさせ、赤(R)用として(11’)、緑(G)用と
して(12’)、青(B)用として(13’)が設けら
れている。そしてこの上方および下方の基板(26)、
<25)上に赤、縁、青のフィルタが設けられている。
Furthermore, each of the three opposing electrodes on the substrate having another insulating surface facing the electrode (22) of the display element separates RGB, and one for red (R) (11') and one for green (G). (12') and (13') are provided for blue (B). and the upper and lower substrates (26),
<25) Red, edge and blue filters are provided on top.

この(11)、< 12 >、< 13 > ・・・・
 (11−(12″>、(13”)の電極も配向処理が
されており、それぞれのアクティブエレメントの電極は
Y方向に互いに連結されている。特に重要なことは配向
処理がされた第1の電極(2)の面積に対応した平面内
に複数本ここては3本に分割された第2の電極が設けら
れていることである。この2つの電極間にはLCD例え
ばネマヂソク型の液晶(1)を2つの基板(25)、<
26)を合わせ周辺を封止した後先塩した。さらにこの
電極間隔(32)は10〜20μであるため、実使用に
あたってはまった(識別がされす、わずられしさがない
。このX方向のCTFはその際リードを兼ねている。こ
のため、第2図より明らかなごとく、例えばY方向のリ
ード側は(5)を「1」とし、他の(5’)(5’りを
rOJとし、Y方向の(4)、(4’)、(4’りをそ
れぞれのレベルにてr I J、 r OJ、 r I
 Jとした時、さらに加えて、色分割デコーダ(9)よ
りの制御にて例えば信号をR,G、 Bを与えることに
より、ここでの(5)に連結した゛すべでのエレメント
を同時駆動をさせ、その信号により所定の色を表示させ
ることができることが判明した。
This (11), <12>, <13>...
(11-(12″>, (13″) electrodes are also oriented, and the electrodes of each active element are connected to each other in the Y direction. What is particularly important is that the oriented first A plurality of second electrodes, here divided into three, are provided in a plane corresponding to the area of the electrode (2). Between these two electrodes, an LCD, for example, a liquid crystal display, is installed. (1) to two substrates (25), <
26) were combined and the periphery was sealed, followed by salting. Furthermore, since this electrode spacing (32) is 10 to 20 μ, it is suitable for actual use (can be identified and is not bothersome. This X-direction CTF also serves as a lead. As is clear from Fig. 2, for example, on the lead side in the Y direction, (5) is set as "1", the other (5') (5' side is set as rOJ, and (4), (4') in the Y direction, (4'ri at each level r I J, r OJ, r I
In addition, by applying R, G, and B signals under the control of the color division decoder (9), all the elements connected in (5) can be driven simultaneously. It has been found that it is possible to display a predetermined color using the signal.

加えて、このRGBのすべてをIl」とすれば白色とな
り、すべてを「0」とすれば黒色となることはいうまで
もない。この制御は色分割デコーダ側(9)より容易に
行うことができる。
In addition, it goes without saying that if all of these RGB are set to ``Il'', the color becomes white, and if all of these RGB are set to ``0'', the color becomes black. This control can be easily performed from the color division decoder side (9).

第5図は第4図(A)におけるB−B’ の縦断面図を
示す。図面より、対抗電極の側の電極は連結しリード(
12’)をも兼ねていることがわかる。
FIG. 5 shows a longitudinal sectional view taken along line BB' in FIG. 4(A). From the drawing, the electrodes on the counter electrode side are connected and the leads (
12').

IGF (2)は基板(25)上に設けられ、また、表
示素子の電極(22)も示されている。表示素子(24
)がEL発光体またはLCDの反射型を用いる場合は、
一方の基板(26)は透明であり、ガラスまたは住人ベ
ークライト社製スミラード1300 (PESと略記す
る)を用いてもよい。そして他方の基板(25)はステ
ンレス基板上に絶縁膜をプラスチック等で設けた基板を
用いることは有効である。またこの半導体装置の表面の
下方向に螢光灯を配設し、本発明の基板(25)または
(26)の−面にカラーフィルタを設けることによりフ
ルカラー表示を行う場合、2つの基板ともガラス等を用
い、透明であることは必要である。
The IGF (2) is provided on a substrate (25) and the electrodes (22) of the display element are also shown. Display element (24
) uses an EL light emitter or LCD reflective type,
One of the substrates (26) is transparent, and may be made of glass or Sumirard 1300 (abbreviated as PES) manufactured by Sumitomo Bakelite. As the other substrate (25), it is effective to use a stainless steel substrate with an insulating film formed of plastic or the like. Further, when a full color display is performed by disposing a fluorescent lamp below the surface of this semiconductor device and providing a color filter on the - side of the substrate (25) or (26) of the present invention, both substrates are made of glass. etc., and it is necessary to be transparent.

以上の構成によって20インチ試験的には100×10
0素子を5CI X 5cmに設けた場合、その歩留り
向上が著しかった。従来方法では100 X100パネ
ルで欠陥数が1%以下を良品とすると歩留り3%しかな
かった。しかし本発明構造においては、10%を越える
ロフトも得ることができた。
With the above configuration, the 20 inch experimentally becomes 100 x 10
When 0 elements were provided at 5 CI x 5 cm, the yield was significantly improved. In the conventional method, if a 100 x 100 panel with a defect count of 1% or less was regarded as a good product, the yield was only 3%. However, in the structure of the present invention, lofts exceeding 10% could be obtained.

このため、この素子数が525 X640と大きくなっ
た時、本発明はその効果をまずます増すことが期待でき
ることが判明した。
Therefore, it has been found that when the number of elements increases to 525×640, the effects of the present invention can be expected to increase even further.

さらに本発明において、人が見る側例えば基板(26)
上面に反射防止膜(27)を設けることは有効である。
Furthermore, in the present invention, the side viewed by a person, for example, the substrate (26)
It is effective to provide an antireflection film (27) on the top surface.

加えて本発明においては、IGFは縦チャネル型であり
、2つの対として用いた。しかしこれを1つのみとして
も、また横チャネル型のIGFであってもよいことはい
うまでもない。
Additionally, in the present invention, IGF was of the longitudinal channel type and was used in pairs. However, it goes without saying that only one IGF or a horizontal channel type IGF may be used.

この発明はフルカラー型を主として示した。しかし高解
像度型のディスプレー装置として用いることも可能であ
る。それは第2の電極上の色フィルタを除去することに
より、白黒表示ではあるが絵素の数を実質的に3倍とし
、 3倍の高解像度としたものである。またこの3倍を
第2の電極を2または4ヶ以上とすることにより2倍ま
たは4倍とすることもできる。
This invention mainly shows a full color type. However, it can also be used as a high resolution display device. By removing the color filter on the second electrode, although the display is black and white, the number of picture elements is substantially tripled, resulting in three times higher resolution. Moreover, this three times can be doubled or quadrupled by increasing the number of second electrodes to two or four or more.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の表示装置の回路図を示す。 第2図、第3図は本発明の表示装置の回路図を」ζノl
FIG. 1 shows a circuit diagram of a conventional display device. Figures 2 and 3 show circuit diagrams of the display device of the present invention.
a

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、絶縁表面を有する基板上にマトリックス配列をした
絵素群における各絵素に対応した一方の第1の電極と、
該電極への電気信号の有無を制御する半導体装置と、前
記絵素の第1の電極に対を構成して配列された他方の第
2の電極とを有し、前記第1および第2の電極間には光
の透過量の制御体または発光体が設けられた表示素子に
おいて、前記第2の電極はX方向、Y方向またば斜め方
向に連結して設けられたことを特徴とする半導体表示装
置。 2、特許請求の範囲第1項において、第1の電極に対を
構成して配列された複数の第2の電極は、赤、緑または
青の表示部に対応して設けられたことを特徴とする半導
体表示装置。 3、特許請求の範囲第1項において、第1の電極と表示
装置とが設けられた基板を挟んで設けられた他の絶縁性
表面を有する基板上にX方向、Y方向および斜め方向に
連結して設けられた第2の電極は同一基板上に制御回路
とともに設けられたことを特徴とする半導体表示装置。
[Claims] 1. One first electrode corresponding to each picture element in a group of picture elements arranged in a matrix on a substrate having an insulating surface;
a semiconductor device that controls the presence or absence of an electric signal to the electrode; and a second electrode arranged in a pair with the first electrode of the picture element, A display element in which a light transmittance control body or a light emitting body is provided between the electrodes, wherein the second electrode is connected in the X direction, the Y direction, or the diagonal direction. Display device. 2. In claim 1, the plurality of second electrodes arranged in pairs on the first electrode are provided corresponding to red, green, or blue display parts. A semiconductor display device. 3. In claim 1, the first electrode and the display device are connected in the X direction, the Y direction, and the diagonal direction on another substrate having an insulating surface, which is provided across the substrate on which the first electrode and the display device are provided. 1. A semiconductor display device, characterized in that the second electrode is provided on the same substrate as a control circuit.
JP59055175A 1984-03-21 1984-03-21 Display device Expired - Lifetime JPH0614259B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055175A JPH0614259B2 (en) 1984-03-21 1984-03-21 Display device
JP2067680A JPH03197929A (en) 1984-03-21 1990-03-17 Semiconductor display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055175A JPH0614259B2 (en) 1984-03-21 1984-03-21 Display device

Related Child Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18932789A Division JP2645499B2 (en) 1989-07-22 1989-07-22 Method for manufacturing semiconductor display device
JP1189326A Division JPH0746265B2 (en) 1989-07-22 1989-07-22 Display device
JP2067679A Division JPH0394233A (en) 1990-03-17 1990-03-17 Semiconductor display device
JP2067680A Division JPH03197929A (en) 1984-03-21 1990-03-17 Semiconductor display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60198579A true JPS60198579A (en) 1985-10-08
JPH0614259B2 JPH0614259B2 (en) 1994-02-23

Family

ID=12991384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59055175A Expired - Lifetime JPH0614259B2 (en) 1984-03-21 1984-03-21 Display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0614259B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002123190A (en) * 2000-06-05 2002-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Inspection device for element substrate and inspection method using the same
JP2010061172A (en) * 2009-12-16 2010-03-18 Sony Corp Display device, method of driving the same, and electronic apparatus
JP2012093424A (en) * 2010-10-25 2012-05-17 Seiko Epson Corp Pixel circuit, driving method thereof, electro-optical device and electronic apparatus
JP2013509616A (en) * 2009-10-29 2013-03-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー Active matrix electroluminescent display with segmented electrodes
US8743032B2 (en) 2007-10-26 2014-06-03 Sony Corporation Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus
JP2022072431A (en) * 2020-10-29 2022-05-17 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 Die structure of micro-light-emitting diode display

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599383A (en) * 1979-01-25 1980-07-29 Ishigaki Kiko Kk Method and apparatus for purification of pond water
JPS57100467A (en) * 1980-12-15 1982-06-22 Suwa Seikosha Kk Ic substrate for active matrix display body
JPS57198491A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Seiko Instr & Electronics Image display unit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5599383A (en) * 1979-01-25 1980-07-29 Ishigaki Kiko Kk Method and apparatus for purification of pond water
JPS57100467A (en) * 1980-12-15 1982-06-22 Suwa Seikosha Kk Ic substrate for active matrix display body
JPS57198491A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Seiko Instr & Electronics Image display unit

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002123190A (en) * 2000-06-05 2002-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Inspection device for element substrate and inspection method using the same
US8743032B2 (en) 2007-10-26 2014-06-03 Sony Corporation Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus
US9653021B2 (en) 2007-10-26 2017-05-16 Joled Inc. Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus
JP2013509616A (en) * 2009-10-29 2013-03-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー Active matrix electroluminescent display with segmented electrodes
JP2010061172A (en) * 2009-12-16 2010-03-18 Sony Corp Display device, method of driving the same, and electronic apparatus
JP2012093424A (en) * 2010-10-25 2012-05-17 Seiko Epson Corp Pixel circuit, driving method thereof, electro-optical device and electronic apparatus
JP2022072431A (en) * 2020-10-29 2022-05-17 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 Die structure of micro-light-emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0614259B2 (en) 1994-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3418653B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JP4483235B2 (en) Transistor array substrate manufacturing method and transistor array substrate
JPH0465168A (en) Thin film transistor
WO1985004962A1 (en) Color liquid crystal display element
JP4552239B2 (en) Thin film semiconductor element for display and display device
JP3304272B2 (en) Active matrix substrate and method for treating structural defect thereof
JP2002116712A (en) Display device and its manufacturing method
JPH031648B2 (en)
JPS60198579A (en) Semiconductor display
JPH0815711A (en) Active matrix substrate
JPH02118593A (en) Semiconductor display device
JPH03196020A (en) Liquid crystal display device
JP3102819B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JP2735236B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2645499B2 (en) Method for manufacturing semiconductor display device
JP2852073B2 (en) Liquid crystal display
JP3418684B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JPH09325360A (en) Liquid crystal display device
JP2000206565A (en) Semiconductor device for display and liquid crystal display using such device
JPH0274929A (en) Active matrix substrate
JP4265144B2 (en) Electro-optical device substrate and manufacturing method thereof, electro-optical device, and electronic apparatus
JP3418683B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JPH0480723A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JPH02222928A (en) Liquid crystal display device
JPH1026769A (en) Liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term