JPS60196931A - 堆積膜形成装置 - Google Patents
堆積膜形成装置Info
- Publication number
- JPS60196931A JPS60196931A JP5233984A JP5233984A JPS60196931A JP S60196931 A JPS60196931 A JP S60196931A JP 5233984 A JP5233984 A JP 5233984A JP 5233984 A JP5233984 A JP 5233984A JP S60196931 A JPS60196931 A JP S60196931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- grid electrode
- fixed
- deposited film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は放電現象を利用して基板上に薄膜を形成する堆
積膜形成装置に係シ、特に電極間に第３の電極を有する
堆積膜形成装置に関する。
積膜形成装置に係シ、特に電極間に第３の電極を有する
堆積膜形成装置に関する。
本発明による堆積膜形成装置は、たとえばＳｉＯ２゜Ｓ
１ 、Ｎ４等の低温での良質のパッシベーション膜の
形成、又は太陽電池、ＴＦＴ （Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｌｓｔｏｒ）。
１ 、Ｎ４等の低温での良質のパッシベーション膜の
形成、又は太陽電池、ＴＦＴ （Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｌｓｔｏｒ）。
センサ等に用いられるアモルファスシリコン膜の形成等
に広く利用されうる。
に広く利用されうる。
第１図（、）は従来のカル−セル型プラズマＣＶＤ装置
の平面断面図、第１図（ｂ）は側面断面図である。
の平面断面図、第１図（ｂ）は側面断面図である。
第１図（、）および（ｂ）において、真空槽１内には、
円柱状のカソード電極２と、そのカソード電極２の周囲
に一定の距離をおいて配置された対向電極３とが設けら
れ、両電極２および３の間に第３の電極としてのグリッ
ド電極４が配置されている。
円柱状のカソード電極２と、そのカソード電極２の周囲
に一定の距離をおいて配置された対向電極３とが設けら
れ、両電極２および３の間に第３の電極としてのグリッ
ド電極４が配置されている。
また、対向電極３と真空槽１の側壁との間にはヒータ５
が設けられている。
が設けられている。
対向電極３のカソード電極２に対向している面には、基
板ホルダ６が固定され、基板ホルダ６に基板が取シ付け
られｂｏ プラズマ放電は電源系７からカソード電極２に高周波電
圧等が印加されることで生起するが、その陽光柱はメツ
シー電極４によって阻止され、基板には直接到達しりい
。しかし、放電によって原料ガスが分解され、グリッド
電極４を通過して基板上に薄膜が堆積する。
板ホルダ６が固定され、基板ホルダ６に基板が取シ付け
られｂｏ プラズマ放電は電源系７からカソード電極２に高周波電
圧等が印加されることで生起するが、その陽光柱はメツ
シー電極４によって阻止され、基板には直接到達しりい
。しかし、放電によって原料ガスが分解され、グリッド
電極４を通過して基板上に薄膜が堆積する。
しかしながら、このような構成を有する従来の装置は、
次に述べる欠点を有していた。
次に述べる欠点を有していた。
まず、グリッド電極４がカソード電極２と対向電極３の
間に別個に設けられているために、グリッド電極４とカ
ソード電極２間の距離が一定に保ちにくい。
間に別個に設けられているために、グリッド電極４とカ
ソード電極２間の距離が一定に保ちにくい。
特に、グリッド電極のメツシュの細かい場合は成形がむ
づかしくなシ、上記距離が場所によって変化するために
、グリッド電極４の自己バイアスも変化し、その結果基
板上に形成される堆積膜の膜質が不安定となる。
づかしくなシ、上記距離が場所によって変化するために
、グリッド電極４の自己バイアスも変化し、その結果基
板上に形成される堆積膜の膜質が不安定となる。
また、グリッド電極４に堆積した膜を除去する際、グリ
ッド電極４全体を真空槽１から取シ出す必要があるため
に、−め、扱いに＜＜、また基板上の堆積膜のピンホー
ル等の原因となる。
ッド電極４全体を真空槽１から取シ出す必要があるため
に、−め、扱いに＜＜、また基板上の堆積膜のピンホー
ル等の原因となる。
本発明は上記従来の欠点に鑑みて成されたものであシ、
その目的はグリッド電極の取扱いを容易にし、かつグリ
ッド電極とカソード電極との距離が一定に保たれる堆積
膜形成装置を提供することにある。
その目的はグリッド電極の取扱いを容易にし、かつグリ
ッド電極とカソード電極との距離が一定に保たれる堆積
膜形成装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明による堆積膜形成装
置はグリッド電極（第３の電極）を基板ホルダと一体化
したことを特徴とする・ここで、第３の電極は基板ホル
ダに着脱可能に取シ付けられ、かつ電気的にも接続され
る。
置はグリッド電極（第３の電極）を基板ホルダと一体化
したことを特徴とする・ここで、第３の電極は基板ホル
ダに着脱可能に取シ付けられ、かつ電気的にも接続され
る。
基板ホルダは複数個配列され、各基板ホルダごとに第３
の電極が設けられる。
の電極が設けられる。
以下、本発明′の実施例を図面を用いて詳細に説明する
。
。
第２図（＆）は本発明による堆積膜形成装置の一実施例
の平面断面図、第２図（ｂ） ｔｉ側面断面図である。
の平面断面図、第２図（ｂ） ｔｉ側面断面図である。
ただし、従来と同一部分には同一番号を符して説明は省
略する。
略する。
第２図（ａ）および（ｂ）において、真空槽１内には、
従来例と同様にしてカソード電極２．対向電極３゜、ヒ
ータ５が設けられている。
従来例と同様にしてカソード電極２．対向電極３゜、ヒ
ータ５が設けられている。
カソード電極２は、真空槽１の底面に絶縁材料８を介し
て固定され、対向電極３は真空槽１の上面に絶縁材料９
を介して固定されている。そして、対向電極３のカソー
ドを極２に対向した面には、本発明の特徴となる基板ホ
ルダ部１０が固定されている。
て固定され、対向電極３は真空槽１の上面に絶縁材料９
を介して固定されている。そして、対向電極３のカソー
ドを極２に対向した面には、本発明の特徴となる基板ホ
ルダ部１０が固定されている。
なお、カソード電極２へ所定の高周波電圧を印加する電
源系７と、真空槽１内を所望の真空度に調整する排気系
１１とが設けられ、さらに図示されてはいないが、原料
ガス等全放電領域へ供給するガス系等も設けられている
。
源系７と、真空槽１内を所望の真空度に調整する排気系
１１とが設けられ、さらに図示されてはいないが、原料
ガス等全放電領域へ供給するガス系等も設けられている
。
第３図および第４図は、基板ホルダ部１０の第１の例お
よび夢２の例を示す斜視図である。
よび夢２の例を示す斜視図である。
第３図において、基板ホルダ１２の上に所定の距離をお
いてグリッド電極１３が固定され、基板は基板ホルダ１
２上に図示されていない止め具によシ固定されている。
いてグリッド電極１３が固定され、基板は基板ホルダ１
２上に図示されていない止め具によシ固定されている。
グリッド電極１３は、第５図に示されるように、グリッ
ド電極１３に設けられたレール１４を基板ホルダ１２に
取付けたガイド１５内にすベシ込ませることで固定すれ
ばよい。
ド電極１３に設けられたレール１４を基板ホルダ１２に
取付けたガイド１５内にすベシ込ませることで固定すれ
ばよい。
また、蕗４図に示されるように、基板ホルダ１２上の基
板全体をグリッド電極１３で包み込んでもよい。この場
合は、第６図に示されるように、止め金具１６によって
グリッド電極１３を固定すればよい。
板全体をグリッド電極１３で包み込んでもよい。この場
合は、第６図に示されるように、止め金具１６によって
グリッド電極１３を固定すればよい。
このような固定手段において、グリッド電極１３が着脱
可能であること、そして電気的に基板ホルダ１２に接続
されていることが重要である。
可能であること、そして電気的に基板ホルダ１２に接続
されていることが重要である。
特に、第５図に示されるようにグリッド電極１３をレー
ル式で固定すれば、グリッド電極１３の交換が極めて容
易となる。
ル式で固定すれば、グリッド電極１３の交換が極めて容
易となる。
また、グリッド電極１３を基板ホルダｌＯごとに作製す
るために、グリッド電極のメツシュの粗さを任意に設定
で５き、特に細い場合であっても容易に成形できる。
るために、グリッド電極のメツシュの粗さを任意に設定
で５き、特に細い場合であっても容易に成形できる。
なお、本実施例では円筒形の堆積膜形成装置について説
明したが、これに限定されるものではなく、平行平板形
にも適用しうる。さらに、グリ。
明したが、これに限定されるものではなく、平行平板形
にも適用しうる。さらに、グリ。
ド電極はメツシュでも良く、ノクンチングメクルのよう
な多孔板を用いても良い。
な多孔板を用いても良い。
以上詳細に説明したように２、本発明による堆積膜形成
装置はグリッド電極が基板ホルダに着脱可能に固定され
ているために、交換作業が極めて容易になる。
装置はグリッド電極が基板ホルダに着脱可能に固定され
ているために、交換作業が極めて容易になる。
また、グリッド電極は基板ホルダに電気的に接続される
ために、基板と同電位のバイアスが印加され、膜質が安
定する。
ために、基板と同電位のバイアスが印加され、膜質が安
定する。
さらに、グリッド電極が基板ホルダと一体化したことに
よシ、グリッド電極が確実に固定されるとともに、グリ
、ド電極とカソード電極との距離を一定に保つことがで
き、膜質の向上および安定を得ることができる。
よシ、グリッド電極が確実に固定されるとともに、グリ
、ド電極とカソード電極との距離を一定に保つことがで
き、膜質の向上および安定を得ることができる。
また、グリッド電極が交換しやすいことで、余分な堆積
膜を早く除去でき、基板上の堆積膜のピンホール等を減
少させることができる。
膜を早く除去でき、基板上の堆積膜のピンホール等を減
少させることができる。
〜第１図（、）は従来の堆積膜形成装置の一例の平面断
面図、第１図（ｂ）は側面平面図、 第２図（、）は本発明による堆積膜形成装置の＝実施例
の平面断面図、第２図（ｂ）は側面断面図、第３図は本
実施例の基板ホルダ部の一例を示す斜視図、第４図は他
の例を示す斜視図、第５図は基板ホルダとグリッド電極
の取付は部−例の一部省略斜視図、第６図は他の例の一
部省略斜視図である。 ２・・・カソード電極、３・・・対向電極、１０・・・
基板ホルダ部、１２・・・基板ホルダ、１３・・・グリ
ッド電極。 第 １ 図（ａ） ９２ 図（０） １１３ 図゛ 第４図 箪６図
面図、第１図（ｂ）は側面平面図、 第２図（、）は本発明による堆積膜形成装置の＝実施例
の平面断面図、第２図（ｂ）は側面断面図、第３図は本
実施例の基板ホルダ部の一例を示す斜視図、第４図は他
の例を示す斜視図、第５図は基板ホルダとグリッド電極
の取付は部−例の一部省略斜視図、第６図は他の例の一
部省略斜視図である。 ２・・・カソード電極、３・・・対向電極、１０・・・
基板ホルダ部、１２・・・基板ホルダ、１３・・・グリ
ッド電極。 第 １ 図（ａ） ９２ 図（０） １１３ 図゛ 第４図 箪６図
Claims (3)
- （１） 第１および第２の電極間の放電現象を利用して
第１の電極上の基板保持手段によって保持された基板に
堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、 前記基板保持手段は前記基板と第２の電極との間に位置
する第３の電極を着脱可能に固定する固定手段を有する
ことを特徴とする堆積膜形成装置。 - （２） 上記第３の電極は網状工あることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置。 - （３） 上記第３の電極は多孔板であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233984A JPS60196931A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 堆積膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233984A JPS60196931A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 堆積膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60196931A true JPS60196931A (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=12912037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233984A Pending JPS60196931A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 堆積膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60196931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129708U (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-27 | 三菱農機株式会社 | リモートコントロール農用車両 |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP5233984A patent/JPS60196931A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129708U (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-27 | 三菱農機株式会社 | リモートコントロール農用車両 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH057861B2 (ja) | ||
| JPS60196931A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS60194077A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS59169956A (ja) | ガラス体精製法 | |
| JPH0649936B2 (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| JPS577129A (en) | Treating method and device for sputtering | |
| JP3259453B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02119124A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06280030A (ja) | 薄膜作成装置 | |
| JP2541361B2 (ja) | ３極プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH04211115A (ja) | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置ならびに該装置による薄膜形成方法 | |
| JPS57113214A (en) | Manufacture of amorphous semiconductor film | |
| JPS6138913Y2 (ja) | ||
| JPH0745537A (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2670248B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JP3111096B2 (ja) | Ｃｖｄ薄膜形成装置 | |
| JPH0449174Y2 (ja) | ||
| JPS6164123A (ja) | プラズマ化学気相堆積方法 | |
| JPH04341570A (ja) | 放電電極並びに反応装置 | |
| JP2001354491A (ja) | ダイヤモンド成長方法及びダイヤモンド成長装置 | |
| JPH041730Y2 (ja) | ||
| JPS5778941A (en) | Method and apparatus for plasma deposition | |
| JPS603128A (ja) | プラズマ酸化装置 | |
| JPH0361375A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS62291912A (ja) | 薄膜の形成方法 |