JPS60194814A - Constant current generating circuit - Google Patents

Constant current generating circuit

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JPS60194814A
JPS60194814A JP59051865A JP5186584A JPS60194814A JP S60194814 A JPS60194814 A JP S60194814A JP 59051865 A JP59051865 A JP 59051865A JP 5186584 A JP5186584 A JP 5186584A JP S60194814 A JPS60194814 A JP S60194814A
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transistor
current
collector
base
resistor
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JP59051865A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Shinomiya
巧治 篠宮
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To supply a current depending on a base-emitter voltage with high accuracy to a load and to attain the operation of the titled circuit at a low power voltage by controlling a collector current of a transistor (TR) constituting a current mirror circuit with a negative feedback loop. CONSTITUTION:A stable output is obtained by feeding back an output of the current mirror circuit comprising a current supply TRQ3 and load current supply TRs QL1-QLn to a feedback TRQ2 via a TRQ1. Then the collector potential of the TRQ1 is brought nearly to 1VBE by connecting a base of the TRQ2 to the collector of the TRQ1 and the emitter to a common so as to constitute the circuit to be activated even with one dry battery (1.5V) thereby attaining low voltage operation of the circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、トランジスタのベース・エミッタ間電圧の
温度特性に依存した定電流を発生するように構成した定
電流発生回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a constant current generation circuit configured to generate a constant current depending on the temperature characteristics of the base-emitter voltage of a transistor.

〔従来技術〕[Prior art]

従来の一般的な定電流発生回路は、電源電圧の変動に対
して電流値を安定化し、さらに周囲温度の変化に対して
も該電流値が一定の値となるよう温度補償されているの
が普通である。そしてこのような定電流発生回路では、
シリコンのエネルギーバンドギャップの外挿電圧値を応
用して温度に依存しない定電圧や定電流を作り出すよう
にしているが、このような電圧あるいは電流を作り出す
ためにはトランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度
係数に依存した電流や電圧が必要である。
Conventional general constant current generation circuits stabilize the current value against fluctuations in power supply voltage, and are also temperature compensated so that the current value remains constant even against changes in ambient temperature. It's normal. And in such a constant current generation circuit,
The extrapolated voltage value of the silicon energy bandgap is applied to create a constant voltage or current that is independent of temperature, but in order to create such a voltage or current, the voltage between the base and emitter of the transistor must be Current and voltage depending on temperature coefficient are required.

そこで従来、このような電流を作り出そうとした回路と
して第1図に示すものがあった。即ち、本回路は電源電
圧の変動に対して安定化をはかり、周囲温度に対して、
トランジスタのベース・エミ・ツタ間電圧、つまりVB
Hの温度係数に依存した負の温度係数をもつ電流を精度
よく発生させようとしたものである。
Conventionally, there was a circuit shown in FIG. 1 that attempted to generate such a current. In other words, this circuit stabilizes against fluctuations in power supply voltage, and stabilizes against fluctuations in ambient temperature.
The base-to-emitter voltage of a transistor, that is, VB
This is an attempt to accurately generate a current having a negative temperature coefficient that depends on the temperature coefficient of H.

第1図において、トランジスタQl、Q2はNPN型ト
ランジスタで構成し、トランジスタQ3゜QLI、 Q
l2. ・=、 QLnはPNP型トランジスタで構成
する。そしてトランジスタQ1のベースとトランジスタ
Q2のエミッタとを抵抗R1の一方の端子に接続し、ト
ランジスタQ1のコレクタはトランジスタQ2のベース
と抵抗R2の一方の端子に接続する。さらにトランジス
タQ2のコレクタはトランジスタQ3のコレクタとベー
スに、そしてトランジスタQLI、 Ql2.・・・、
QLnのベースに接続する。そしてトランジスタQ1の
エミッタは抵抗R1の他方の端子に接続し、この接続点
を接地端子GNDとする。また抵抗R2の他方の端子は
トランジスタQ3のエミッタとトランジスタQL1. 
Ql2.・・・、QLnのエミッタに相互接続し、この
接続点を電源端子Vccとする。そして前記の電源端子
Vccと接地端子GNDとの間に本回路を動作させるた
めの電源を接続する。そしてトランジスタQLI、Ql
2.・・・+ QLnの各コレクタを出力端子01,0
2.・・・、Onとする。そして前記の各出力端子01
,02.・・・、Qnと接地端子GNDの間に負荷RL
1. RL2.・・・、RLnを接続して、これら負荷
RLI、RL2.・・・、RLnに電流を供給しようと
するものである。
In FIG. 1, transistors Ql and Q2 are NPN type transistors, and transistors Q3゜QLI, Q
l2.・=, QLn is composed of a PNP type transistor. The base of transistor Q1 and the emitter of transistor Q2 are connected to one terminal of resistor R1, and the collector of transistor Q1 is connected to the base of transistor Q2 and one terminal of resistor R2. Furthermore, the collector of transistor Q2 is connected to the collector and base of transistor Q3, and to the collector and base of transistor QLI, Ql2. ...,
Connect to the base of QLn. The emitter of the transistor Q1 is connected to the other terminal of the resistor R1, and this connection point is set as a ground terminal GND. The other terminal of the resistor R2 is connected to the emitter of the transistor Q3 and the transistor QL1.
Ql2. . . , are interconnected to the emitters of QLn, and this connection point is defined as a power supply terminal Vcc. A power source for operating this circuit is connected between the power terminal Vcc and the ground terminal GND. and transistors QLI, Ql
2. ...+ Each collector of QLn is output terminal 01,0
2. ..., is turned on. And each of the above output terminals 01
,02. ..., load RL between Qn and ground terminal GND
1. RL2. ..., RLn, and connect these loads RLI, RL2 . . . . attempts to supply current to RLn.

次に動作について説明する。まず電源が投入されると、
抵抗R2を介してトランジスタQ2のベースからエミッ
タに電流が流れ、さらに抵抗R1とトランジスタQ1の
ベースに電流が流れ、それぞれを介して接地端子GND
に電流が抜けて回路が動作を開始する。するとトランジ
スタQl、Q2により負帰還がかかり、その結果トラン
ジスタQ2のコレクタ電流として、トランジスタQ1の
ベース・エミッタ間の電圧を抵抗R1で割算した電流が
得られる。このトランジスタQlのベース・エミッタ間
電圧に依存した電流はトランジスタQ3に供給される。
Next, the operation will be explained. When the power is first turned on,
A current flows from the base of the transistor Q2 to the emitter through the resistor R2, and further current flows through the resistor R1 and the base of the transistor Q1, and connects to the ground terminal GND through each of them.
When the current is removed, the circuit starts operating. Then, negative feedback is applied by the transistors Ql and Q2, and as a result, a current obtained by dividing the voltage between the base and emitter of the transistor Q1 by the resistor R1 is obtained as the collector current of the transistor Q2. A current depending on the base-emitter voltage of transistor Ql is supplied to transistor Q3.

ここで、トランジスタQ3は、ベース、コレクタが相互
に接続されているのでトランジスタQL1. Ql2.
・・・、QLnに対しカレントミラー回路を構成してお
り、従ってトランジスタQL1. Ql2.・・・+ 
QLnの各コレクタに接続された負荷RL1. RL2
.−、 RLnには、前記のベース・エミッタ間電圧に
依存した電流が供給される。
Here, since the base and collector of the transistor Q3 are connected to each other, the transistor QL1. Ql2.
. . . constitute a current mirror circuit for transistors QLn, and therefore transistors QL1 . Ql2. ...+
A load RL1 .QLn connected to each collector. RL2
.. -, RLn is supplied with a current that depends on the base-emitter voltage.

I c (Q2) −VBE (Ql) /R1=・(
1)ここで、Ic(Q2)はトランジスタQ2のコレク
タ電流を示し、トランジスタQ1〜Q3.QL1〜QL
nの直流電流増幅率hFEは十分高いと仮定して、各ト
ランジスタのベース電流は無視した。
I c (Q2) −VBE (Ql) /R1=・(
1) Here, Ic(Q2) represents the collector current of transistor Q2, and Ic(Q2) represents the collector current of transistor Q1 to Q3 . QL1~QL
The base current of each transistor was ignored, assuming that the DC current amplification factor hFE of n was sufficiently high.

そしてこのトランジスタQ2のコレクタ電流は、トラン
ジスタQ3.QLI〜QLnで構成されたカレントミラ
ー回路に供給され、トランジスタQLI。
The collector current of this transistor Q2 is the same as that of the transistor Q3. Transistor QLI is supplied to a current mirror circuit composed of QLI to QLn.

QL2+ ・l QLnの各コレクタ電流I c (Q
LI) 。
QL2+ ・l Each collector current I c (Q
LI).

I c (Ql2) 、 −、I c (QLn)とし
て、各出力端子01.02.・・・、Onにトランジス
タQ1のベースとエミッタ間の電圧によって特性の決定
された電流が得られる。即ち、 Ic (QLI ) =Ic (Ql2 ) =・==
Ic (QLn )=Ic(口2) ・・・(2) VBE (Ql) /R1=Ic (QLI ) =I
c (Ql2 )= ・−=Ic (QLn ) =(
3)となる。
I c (Ql2), -, I c (QLn), each output terminal 01.02. ..., a current whose characteristics are determined by the voltage between the base and emitter of the transistor Q1 is obtained when the transistor Q1 is turned on. That is, Ic (QLI) = Ic (Ql2) =・==
Ic (QLn) = Ic (mouth 2) ... (2) VBE (Ql) /R1 = Ic (QLI) = I
c (Ql2) = ・-=Ic (QLn) = (
3).

従来の定電流発生回路は以上のように構成されているの
で、トランジスタQ1のコレクタ電位は、トランジスタ
Q1とQ2のベース・エミッタ間電圧の和で決定される
ことになり、両端子Vcc、 GND間の電源電圧は2
倍のVBE以上の電圧が必要である。従って乾電池1本
で動作させる場合等においては、動作条件が厳しいとい
う欠点があった。
Since the conventional constant current generating circuit is configured as described above, the collector potential of transistor Q1 is determined by the sum of the base-emitter voltages of transistors Q1 and Q2, and the voltage between both terminals Vcc and GND is determined by the sum of the base-emitter voltages of transistors Q1 and Q2. The power supply voltage is 2
A voltage higher than twice VBE is required. Therefore, when operating with a single dry battery, the operating conditions are severe.

また集積回路として第1図の回路を構成した場合、トラ
ンジスタQ 3 、QLI、Ql2.−、QLnはラテ
ラルPNP )ランジスタで製造されるため、直流電流
増幅率hFEが大きくとれず、各負荷に供給する電流誤
差が大きくなるという欠点があった。
Further, when the circuit shown in FIG. 1 is configured as an integrated circuit, transistors Q 3 , QLI, Ql2 . -, QLn are manufactured using lateral PNP) transistors, so there is a drawback that the DC current amplification factor hFE cannot be large and the error in the current supplied to each load becomes large.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、定電圧発生用の第1トランジスタ
とともに負帰還回路を構成する第2トランジスタのエミ
ッタを、直接に、又は抵抗を介して接地端子に接続し、
さらに負荷電流供給用トランジスタに対しカレントミラ
ー回路を構成する第3トランジスタのコレクタ電流を負
帰還ループにより制御することにより、低い電源電圧で
動作可能であり、また負荷電流供給用トランジスタの直
流電流増幅率が低い場合でも、負荷に供給する電流誤差
を少なくすることのできる定電流発生回路を提供するこ
とを目的としている。
This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and it connects the emitter of the second transistor, which forms a negative feedback circuit together with the first transistor for constant voltage generation, either directly or through a resistor. and connect it to the ground terminal.
Furthermore, by controlling the collector current of the third transistor that constitutes a current mirror circuit for the load current supply transistor using a negative feedback loop, it is possible to operate with a low power supply voltage, and the DC current amplification ratio of the load current supply transistor is An object of the present invention is to provide a constant current generating circuit that can reduce errors in current supplied to a load even when the current is low.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の実施例を図について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は本願の第1の発明の一実施例を示したもので、
第1図と同一符号は同−又は相当部分を示している。本
実施例においては、トランジスタQ2はそのエミッタが
接地端子GNDに直接接続され、コレクタがトランジス
タQ3. QLI、 Ql2゜・・・、QLnのベース
に接続されている。また抵抗R1に電源電流を供給する
ためのトランジスタQ3は、そのコレクタがトランジス
タQ1のベースと抵抗R1との接続点に接続されており
、該トランジスタQ3はトランジスタQ1.Q2ととも
に負帰還回路を構成している。
FIG. 2 shows an embodiment of the first invention of the present application,
The same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same or corresponding parts. In this embodiment, the emitter of the transistor Q2 is directly connected to the ground terminal GND, and the collector of the transistor Q3 is connected directly to the ground terminal GND. QLI, Ql2゜..., connected to the base of QLn. Further, a transistor Q3 for supplying power supply current to the resistor R1 has its collector connected to the connection point between the base of the transistor Q1 and the resistor R1, and the transistor Q3 is connected to the transistor Q1. Together with Q2, it constitutes a negative feedback circuit.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

電源が投入されると、抵抗R2,トランジスタQ2のベ
ース、エミッタを通して電流が流れ、回路が動作を開始
する。すると、トランジスタQ3から抵抗R1及びトラ
ンジスタQ1のベースに電流が供給され、この抵抗R1
での電圧降下がトランジスタQ1で検出される。そして
この検出出力であるトランジスタQ1のコレクタ電位が
トランジスタQ2のベースに伝えられ、トランジスタQ
2はその信号を増幅し、これによりトランジスタQ3の
ベース電圧、ひいてはコレクタ電流が制御される。
When the power is turned on, current flows through the resistor R2 and the base and emitter of the transistor Q2, and the circuit starts operating. Then, current is supplied from the transistor Q3 to the resistor R1 and the base of the transistor Q1, and this resistor R1
The voltage drop at is detected by transistor Q1. The collector potential of the transistor Q1, which is this detection output, is transmitted to the base of the transistor Q2, and the transistor Q
2 amplifies the signal, thereby controlling the base voltage and thus the collector current of transistor Q3.

このように、トランジスタQl、Q2.Q3により負帰
還ループが構成されており、トランジスタQ1のベース
・エミッタ間電圧VBE(Ql)を抵抗R1で割った電
流がトランジスタQ3のコレクタ電流として得られる。
In this way, transistors Ql, Q2 . Q3 constitutes a negative feedback loop, and a current obtained by dividing the base-emitter voltage VBE (Ql) of transistor Q1 by resistor R1 is obtained as the collector current of transistor Q3.

ここで、トランジスタQ3のベースとエミッタは、それ
ぞれトランジスタQL1. Ql2.・・・、QLnの
各々のベースとエミッタとに相互接続されており、従っ
て該トランジスタQ3はトランジスタQLI、 Ql2
.− 、QLnに対しカレントミラー回路を構成してい
る。このためトランジスタQLI、Ql2.・・・、Q
Lnの各コレクタに接続された負荷RLI、 RL2.
・・・、RLnには、前記のベース・エミッタ間電圧V
BE(Ql)に依存した電流が供給されることとなる。
Here, the base and emitter of transistor Q3 are respectively connected to transistors QL1. Ql2. .
.. - constitutes a current mirror circuit for QLn. For this reason, transistors QLI, Ql2. ..., Q
A load RLI connected to each collector of Ln, RL2.
..., RLn has the above-mentioned base-emitter voltage V
A current dependent on BE(Ql) will be supplied.

このような本実施例回路では、トランジスタQ2のエミ
ッタを接地端子GNDに直接接続するようにしたので、
トランジスタQ1のコレクタ電位はほぼIVBEとなり
、乾電池1本(1,5V)でも十分動作可能となる。ま
た、トランジスタQ3を負帰還ループ中に設け、該トラ
ンジスタQ3のコレクタ電流が一定になるようにしたの
で、カレントミラー回路を直流電流増幅率hFEの比較
的低いラテラルPNP )ランジスタで構成した場合で
も、ベース電流の影響を無にすることができ、各負荷に
対し高精度の定電流を供給することが可能となる。
In this example circuit, the emitter of transistor Q2 is directly connected to the ground terminal GND, so that
The collector potential of the transistor Q1 is approximately IVBE, and the transistor Q1 can be operated satisfactorily even with a single dry battery (1.5V). In addition, since the transistor Q3 is provided in the negative feedback loop so that the collector current of the transistor Q3 is constant, even when the current mirror circuit is configured with a lateral PNP transistor with a relatively low DC current amplification factor hFE, The influence of the base current can be eliminated, making it possible to supply a highly accurate constant current to each load.

第3図は本願の第1の発明の他の実施例を示したもので
、上記第2図で示した回路中の抵抗R2を定電流源IB
としたものである。他の構成については同様であり、そ
の作用、効果も上記の実施例と全く同様である。
FIG. 3 shows another embodiment of the first invention of the present application, in which the resistor R2 in the circuit shown in FIG. 2 is replaced by a constant current source IB.
That is. The other configurations are the same, and the operations and effects are also exactly the same as in the above embodiment.

第4図は本願の第2の発明の一実施例を示したもので、
本実施例回路は、第3図の回路の、トランジスタQ2の
エミッタと接地端子GND間に抵抗R5を接続し、トラ
ンジスタQ2のベースとコレクタ間にコンデンサCを接
続し、トランジスタQ2のコレクタと電源端子Vcc間
にトランジスタQ3に対しカレントミラー回路を構成す
るトランジスタQ4を接続し、トランジスタQ3.Q4
゜Q LI NQ Lnのエミッタの各々と電源端子V
ccとの間に、それぞれ抵抗R3,R4,RE1〜RE
nを接続したものである。
FIG. 4 shows an embodiment of the second invention of the present application,
The circuit of this embodiment is similar to the circuit shown in FIG. 3 by connecting a resistor R5 between the emitter of the transistor Q2 and the ground terminal GND, connecting a capacitor C between the base and collector of the transistor Q2, and connecting the collector of the transistor Q2 and the power supply terminal. A transistor Q4 forming a current mirror circuit is connected between transistors Q3 and Vcc, and transistors Q3. Q4
゜Each of the emitters of Q LI NQ Ln and the power supply terminal V
cc, resistors R3, R4, RE1 to RE, respectively.
n are connected.

このような実施例回路では、その基本動作は上記第2図
、第3図で示したものと同様であり、また効果としては
、上記第2図の回路と同様の効果が得られるとともに、
さらに以下のような効果かえられる。即ち、 (i)コンデンサC2抵抗R5,及びトランジスタQ4
を設けたので、自己発振の防止が図れるとともに、負帰
還ループの安定化が図れる。
The basic operation of such an embodiment circuit is the same as that shown in FIGS. 2 and 3 above, and the same effects as the circuit shown in FIG. 2 above can be obtained.
Furthermore, the following effects can be obtained. That is, (i) Capacitor C2 Resistor R5 and Transistor Q4
Since this is provided, self-oscillation can be prevented and the negative feedback loop can be stabilized.

(ii )各トランジスタのエミッタに抵抗を接続した
ので、各トランジスタのベース・エミッタ間電圧のオフ
セントが補償できる。
(ii) Since a resistor is connected to the emitter of each transistor, the offset of the base-emitter voltage of each transistor can be compensated for.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明に係る定電流発生回路によれば、
定電圧発生用の第1トランジスタとともに負帰還回路を
構成する第2トランジスタのエミッタを、直接に、また
は抵抗を介して接地端子に接続し、さらに負荷電流供給
用トランジスタに対しカレントミラー回路を構成する第
3トランジスタのコレクタ電流を負帰還ループにより制
御するようにしたので、低い電源電圧で動作可能であり
、また負荷に対し精度の高いベース・エミッタ間電圧に
依存した電流が供給できる効果がある。
As described above, according to the constant current generation circuit according to the present invention,
The emitter of the second transistor that forms a negative feedback circuit together with the first transistor for constant voltage generation is connected to a ground terminal either directly or via a resistor, and further a current mirror circuit is formed for the load current supply transistor. Since the collector current of the third transistor is controlled by a negative feedback loop, it is possible to operate with a low power supply voltage, and there is an effect that a current dependent on a highly accurate base-emitter voltage can be supplied to the load.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の定電流発生回路の回路図、第2図は本願
の第1の発明の一実施例による定電流発生回路の回路図
、第3図は本願の第1の発明の他の実施例による定電流
発生回路の回路図、第4図は本願の第2の発明の一実施
例による定電流発生回路の回路図である。 Ql・・・第1トランジスタ、Q2・・・第2トランジ
スタ、Q3・・・電流供給用トランジスタ、QLI〜Q
Ln・・・負荷電流供給用トランジスタ、RL1〜RL
n・・・負荷、R1” R5、REI〜REr+−抵抗
、Cコンデンサ、IB・・・定電流源。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発) 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭59−51865号2、発明の
名称 定電流発生回路 3、補正をする者 図面(第1図、第3図) 第1図 第3図
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional constant current generation circuit, FIG. 2 is a circuit diagram of a constant current generation circuit according to an embodiment of the first invention of the present application, and FIG. 3 is a circuit diagram of another constant current generation circuit of the first invention of the present application. A circuit diagram of a constant current generation circuit according to an embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram of a constant current generation circuit according to an embodiment of the second invention of the present application. Ql...first transistor, Q2...second transistor, Q3...current supply transistor, QLI~Q
Ln...Load current supply transistor, RL1 to RL
n...Load, R1" R5, REI~REr+-resistance, C capacitor, IB...constant current source. In addition, the same symbol in the figure indicates the same - or equivalent part. Agent Masuo Oiwa Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Procedural amendment (voluntary) Commissioner of the Japan Patent Office 1, Indication of the case, Japanese Patent Application No. 59-51865 2, Name of the invention Constant current generation circuit 3, Drawing of the person making the amendment (No. 1) Figure, Figure 3) Figure 1 Figure 3

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) 電流供給用トランジスタを通して電源電流が供
給される第1抵抗と、コレクタが第2抵抗又は定電流源
を介して電源端子に接続されるとともにべ〜ス・エミッ
タ間に上記第1抵抗が接続され該第1抵抗での電圧降下
を検出する第1トランジスタと、エミッタが接地端子に
ベースが上記第1トランジスタのコレクタに接続され該
コレクタ電圧に応じて上記電流供給用トランジスタのベ
ース電圧を制御する第2トランジスタと、そのコレクタ
に負荷が接続され上記電流供給用トランジスタに対しカ
レントミラー回路を構成する負荷電流供給用トランジス
タとを備えたことを特徴とする定電流発注回路。
(1) A first resistor to which a power supply current is supplied through a current supply transistor, and a collector connected to a power supply terminal via a second resistor or a constant current source, and the first resistor is connected between the base and emitter. a first transistor connected to detect a voltage drop across the first resistor; an emitter connected to a ground terminal; a base connected to a collector of the first transistor; and a base voltage of the current supply transistor controlled in accordance with the collector voltage; 1. A constant current ordering circuit comprising: a second transistor having a load connected to its collector, and a load current supplying transistor forming a current mirror circuit with respect to the current supplying transistor.
(2)電流供給用トランジスタを通して電源電流が供給
される第1抵抗と、コレクタが第2抵抗又は定電流源を
介して電源端子に接続されるとともにベース・エミッタ
間に上記第1抵抗が接続され該第1抵抗での電圧降下を
検出する第1トランジスタと、エミッタが抵抗を通して
接地端子にベースが上記第1トランジスタのコレクタに
接続され該コレクタ電圧に応じて上記電流供給用トラン
ジスタのベース電圧を制御する第2トランジスタと、コ
レクタに負荷が接続され上記電流供給用トランジスタに
対しカレントミラー回路を構成する負荷電流供給用トラ
ンジスタとを備えたことを特徴とする定電流発生回路。
(2) A first resistor to which a power supply current is supplied through a current supply transistor, a collector of which is connected to a power supply terminal via a second resistor or a constant current source, and the first resistor is connected between the base and emitter. a first transistor that detects a voltage drop across the first resistor; an emitter connected to a ground terminal through the resistor; a base connected to the collector of the first transistor; and a base voltage of the current supply transistor controlled in accordance with the collector voltage; and a load current supply transistor having a collector connected to a load and forming a current mirror circuit with respect to the current supply transistor.
(3)上記第2トランジスタのベースとコレクタ間にコ
ンデンサを接続したことを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載の定電流発生回路。
(3) The constant current generating circuit according to claim 2, characterized in that a capacitor is connected between the base and collector of the second transistor.
(4)上記第2トランジスタのコレクタと電源端子との
間に、上記電流供給用トランジスタに対しカレントミラ
ー回路を構成する第4トランジスタを接続したことを特
徴とする特許請求の範囲第2項又は第3項記載の定電流
発生回路。
(4) A fourth transistor forming a current mirror circuit for the current supply transistor is connected between the collector of the second transistor and the power supply terminal. The constant current generating circuit described in Section 3.
(5)上記電流供給用トランジスタ、負荷電流供給用ト
ランジスタ、及び第4トランジスタのそれぞれのエミッ
タと電源端子間に抵抗を接続したことを特徴とする特許
請求の範囲第2項ないし第4項のいずれかに記載の定電
流発生回路。
(5) Any one of claims 2 to 4, characterized in that a resistor is connected between the emitter and power supply terminal of each of the current supply transistor, load current supply transistor, and fourth transistor. A constant current generating circuit described in .
JP59051865A 1983-12-29 1984-03-16 Constant current generating circuit Pending JPS60194814A (en)

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JP59051865A JPS60194814A (en) 1984-03-16 1984-03-16 Constant current generating circuit
NL8403872A NL193545C (en) 1983-12-29 1984-12-20 Constant current generating circuit.
DE19843447002 DE3447002A1 (en) 1983-12-29 1984-12-21 CONSTANT CURRENT GENERATOR CIRCUIT
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JP59051865A JPS60194814A (en) 1984-03-16 1984-03-16 Constant current generating circuit

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0295919U (en) * 1989-01-19 1990-07-31

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JPH0295919U (en) * 1989-01-19 1990-07-31

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