JPS601940B2 - 感温素子材料 - Google Patents

感温素子材料

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JPS601940B2
JPS601940B2 JP55109129A JP10912980A JPS601940B2 JP S601940 B2 JPS601940 B2 JP S601940B2 JP 55109129 A JP55109129 A JP 55109129A JP 10912980 A JP10912980 A JP 10912980A JP S601940 B2 JPS601940 B2 JP S601940B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感温材料に関するものであり、更に詳しく述べ
るならば磁気異方性が温度によって変化する強磁性材料
からなる感温材料に関するものである。
温度によって物性が顕著に変化するという広義の感温材
料は種々あり、例えばキューリー点で磁性が消失するフ
ェライト等も感温性を有するため、感温材料に属する。
本発明でいう感温性材料とは近年発見された磁気異方性
が温度によって変化する強磁性材料である。かかる強磁
性材料の単結晶1を第1図のように永久磁石2a,2b
の間に置き回転可能にしておくと、磁気異方性によって
単結晶1は永久磁石2a,2bの磁界に対して一定の方
向を向こうとする。
この単結晶1を徐々に加熱していくとき、磁気異方性に
よる磁化容易方向が90o変化するために、ある温度T
,から回転を始め、ある温度Lでちようど90o回転し
て止まる。
このように感溢素子材料を永久磁石と組合せて使用する
と、外部電源を全く必要としないスイッチ、又は弁等の
感温手段が製作される。この現象の原因は温度によるス
ピン再配列にあり、希±額オルソクロマィトや希±類コ
バルト、希士類鉄金属間化合物など希±頚元素を含む化
合物に多く見・心出されている。
かかる現象は磁気異方性の温度変化により起こる。次に
磁化容易方向の温度変化について具体的に説明する。
第2図はRC鴇型化合物(Rは希土類元素を意味する)
の結晶構造を示しており、この化合物は図示のように六
方晶結晶構造を有している。
尚、A(Axes)は六角柱の中心軸、C(Cone)
はこの軸と0〜900 の間のある角度だけ懐いた円錐
及びP(Plane)は六角柱底面を表わしている。
第3図及び第4図はそれぞれRC巧型及びR2Co.7
型化合物(Rは希士類元素)について磁化容易方向の温
度変化を示し、この図面において、A,C及びPの意味
は第2図と同じである(日本金属学会々報VOLION
o.2、P83)。
第3図及び第4図においてスピン再配列を示す物質はP
rCは,NdCo5,HoC巧,LらCo.7の5種類
で、これらはある温度で磁化容易方向がP→C→Aの変
化を示すが、他の化合物は全温度範囲でAだけ、Pだけ
、もしくはCだけであり、同じRC巧化合物材料であっ
ても磁気異方性が温度変化を示さない材料があることが
分かる。以上の例は希土類元素(R)が一種のものであ
ったが、第5図には、Y,ッNdxC巧(x=0.25
〜1)について磁化容易方向の温度変化が示されている
尚、第5図では8は磁化容易方向が結晶のC軸となす角
である。
この図から分かるように「スピン再配列が起こる温度帯
(8が90oから00に変化する温度)は希±類元素の
組成によて変えられることが分かる。もう一の例として
DyCozのz値を第6図に示す。4.4なし、し5.
3で変化させたデータを第6図に示す。
この図から分かるようにスピン再配列が起こる温度はz
値によっても変化する。 ・以上
、説明した如き磁気異万性が温度変化を示す材料を以下
単に感温素子材料と称する。スピン再配列の現象を物質
外部で、例えば第1図に示した如き回転現象として検出
するには結晶方向のよくそろった感温素子材料を調整し
なければならない。
単結晶材料は工業用材料としては生産性が低く不向きで
あるため、本発明者は、特豚昭53−135149(特
関昭55−62704)にて感温磁性材料粉末を極めて
結晶配向性よく製造する方法を特許出願した。この製造
法の要点は、磁界中プレスのとき、遷移温度帯以上、例
えば15000程度に粉末を加熱することにより結晶軸
の方向が良くそろった圧粉体を得、この圧粉体を110
0〜120000で日2において加熱すると高密度、高
配向の焼結体が得られるところにある。本願第6図及び
以下説明するデータはこのようにして得られた焼結体試
料を使用して得られたものである。次表に希土類コバル
ト系化合物の室温での飽和磁化を示す。
第1表 尚、サーモラィト(キュリー点90こ○のMn−Zn系
フェライト)の飽和磁化0.26r及び整磁鋼(キュリ
ー点50つ0のFe−Ni系整滋鋼)の飽和磁化0.2
4Tと希士類コバルト系化合物の飽和磁化を比較すると
後者の飽和磁化がかなり高いことが理解されよう。
よって、希±類コバルト系化合物は飽和磁化が大きいた
め、感温スイッチなどに適する。しかしながら、上記し
た如き従釆の感温素子材料では、その遷移温度帯は0〜
270Kの範囲にあって(第5図参照)、常温〜100
ooで使用する実用的な感温素子材料として利用するこ
とができないという欠点がある。
尚、DにoZ型希±類コバルト系化合物にあっては、第
6図より分かるように、組成パラメータzを変えること
により常温付近〜100℃の生活に関係深い温度領域で
スピン再配列を起こすものが得られるが、、飽和磁化が
低いためにスイッチ等の感温手段として利用したときに
スイッチ特性が劣るという問題がある。本発明の目的は
、非常に高い飽和磁化(ls)を持つNdCoz系化合
物の遷移温度帯が常温〜10000に高められた実用的
な感温素子材料を提供することにある。
本発明の他の目的はNdC広の1.2rの飽和磁化(l
s)をさらに高めることにある。本発明は、希±頚コバ
ルト化合物(以下RCo化合物と称する)の結晶磁気異
方性の次のような考え方に基づいている。
RCo化合物の結晶磁気異方性に関しては、一般にRの
みを考えるR副格子とCoのみを考えるCo副格子とに
分割して論じている。ここで、結晶磁気異性定数に対す
るR副格子からの寄与は低温で顕著であり、Co副格子
からの寄与は広い温度領域にわたっているために、室温
以上の温度領域においてはCo副格子からの寄与が重要
であり、またCo副格子はC軸指向である点に注目し、
Coの一部を第3元素Mで置換することによりCoのC
軸指向を弱めるとともに、R副格子のBasaIPla
ne指向を優勢にし、その結果、遷移温度が上昇するよ
うにしたものが本発明の感温素子材料である。すなわち
、Coの一部をB,C,AI,Sj,Ti,V,Cr,
Mn,Fe,Ni,Cu,Zr,Nb,Ta,Mo,V
V,HU,Pd,Ag,Pt,Sn,Pは等の1種以上
からなる材料で置換すること、及び希士類とCoの比z
の値を4.4〜5.5の範囲で変えることの内、1種類
以上の手段により目的を達成する。本発明の感温素子材
料の組成の特徴を公知のRCo化合物と比較しつつ説明
すると、スピン再配列を起こす公知のRCo化合物には
次のものがある。
■ NdMSmXC公(Xニ0,0.25,0.50,
0.75,1‐〇〇)■ Y,−XNdXC巧 ■ Sm,一XPrXC巧 ■ SmXR,〜Co5(R:Tb,Dy,Er)しか
し、これらの公知のRCo化合物ではCo格子を他の遷
移元素で置換するものでないため、上記4種の組成のス
ピン再配列を起こす遷移温度帯はいづれも0℃以下であ
る。
室温以上の温度でスピン再配列を起こす組成で公知のも
のは下記の1種のみである。■ Nd,−XDyXCは この組成ではスピン再配列が開始する温度は245〜3
2?K、終了する温度は285〜367Kの間でコント
ロール可能であり、この系で室温以上に遷移温度を存在
させるためにはDy量を増さなければならない。
しかし、本発明者が検討したところではDy量が増すに
つれ、飽和磁化lsが低下する。これに対して本発明に
よる感温素子材料ではCoを他の遷移元素、特に鉄によ
り置換する及び/又はz値を変化されることにより、感
温素子として実用上重要な高い飽和磁化lsを室温付近
で得ることに成功した。次に、永久磁石として公知であ
る次のRC広型、RCo化合物と本発明の感温素子材料
を説明する。
■ SmC生 ■ SmPrC公 ■ SmLaCら ■ SmCeCち ■ SmMMC巧、 ■ Sm(Co,Cu)5 ■ Sm(Co,Fe,Cu)5 ■ CeMMC鴇 ■ Ce(Co,Fe,Cu)5 公知の永久磁石の主流はRがSmの組成で、他にはCe
がわずかにある程度で他の希士類を使用した永久磁石は
稀にしか見あたらない。
これは永久磁石は磁化容易方向がOK以上でC軸である
RCo化合物を用いるために、そのR元素の種類が上記
のようにSmが主流となっているのである。本発明の如
くNdが用いられていないのは、永久磁石と感温材料の
基本的性質の差によるものである。また、CoをCu又
はFe等で置換しているが、これは磁気特性、特にHc
(BH)max、の向上を意図しているものである。本
発明では遷移温度帯、飽和磁化及び配向性の三者が良好
になるように考慮して感温素子材料の各成分の種類及び
含有量を決定した。
先ずCoを置換する遷移元素としてはB,C,AI,S
i,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Ni,Cu,Zr,
Nb,Ta,Mo,W,Hf,Pd,Ag,Pt,Sn
,及びPdが遷移温度帯をNdC巧型化合物に比較して
上昇せしめる効果を有しており、特にAI,Si,V,
Mo,Cu及びFeがこの効果が顕著である。
これらの元素の置換量が0.4を越えると飽和磁化ls
が低下するか、配向性が劣化するので0.4を越えない
ことが必要である。遷移元素による置換量は微少でも有
効であるが、最低で0.03あることが好ましい。更に
好ましくは0.05〜0.35の置換量がよい。上記感
温素子材料において、Coの一部をB,C,AI,Si
,Ti,V,Cr,Mn,Ni,Cu,Zr,Nb,T
a,M〇,W,Hf,Pd,Ag,Pt,Sn,Pは等
の1種以上からなる材料で置換すると、これが原因で飽
和磁化lsが概して低下す傾向があるが、Feの添加に
よって再び上昇し、飽和磁化lsが高く常温〜100q
Cで使用するに実用的な特性が付与される。このような
感温素子材料は、一般式Nd,川Ru(Co.〜M皮)
z(Rは希士類元素の1種以上、MはB,C,N,Si
,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Ni,Cu,Zr,N
b,Ta,Mo,VV,Hf,Pd,Ag,Pt,Sn
,Pbの1種以上、OSuSO.5,0<×<0.4,
4.4ミzミ5.5)で表わされる。
希±頚元素に対する遷移元素のモル比率Zの値が増加す
るにつれ、第7図に示すようにRCo化合物の遷移開始
温度T,、及び遷移終了温度T2が高温側にずれる。
しかし、zが5.5を越えると感温素子材料の配向性が
劣化するので、zは5.5以下であることが必要である
。zが減少するにつれ、T,及びT2が減少するので遷
移温度帯を室温以上にする面では望ましくないが、M等
の遷移元素によりT,及びT2の減少を補償することが
できるので、本発明ではZが4.4以上のRCo化合物
を使用することが可能である。但し、AI等の量がゼロ
のときはzは5.0を越える値であることを要する。更
に、本発明においてはNdを他の希土類元素Sm,Ce
等、特にRCo化合物の飽和磁化lsを高くするPr及
びLu‘こよりモル比で0.5まで置換することができ
る。
この置換比率が0.5を越えると飽和磁化lsが低いた
め望ましくない。以下、本発明を実施例によりさらに詳
しく説明する。
実施例 1 コバルト、希土類元素等の原料を、不活性ガス雰囲気中
で1300〜150000でアーク溶解又は誘導溶解し
、得られたィンゴツトをほぼ単磁区微粒子の大きさに微
細化し、この微粒子紛末に15000で磁場を加えて微
粒子の磁化容易方向を揃えた。
続いて1000oo以上の高温で焼結及び熱処理を行な
い、所定の感溢素子材料試料を調整した。かくして得ら
れた試料の組成、遷移開始温度T,(昇温に伴なつて容
易磁化方向がC軸に対して90o方向より減少し始める
温度)、遷移終了温度T2(昇温に伴なつて容易磁化方
向が90oに達した温度)及び飽和磁化を次表に示す。
第2表 尚、表中、飽和磁化は1.小い/仇の磁場強度における
磁化の強さで表わしてある。
実施例 2 Nd(Coo.87Feo.侭AIo.o8)zで組成
が表わされる感温素子材料のzを4.6から5.5まで
変化させて、T,及びLを測定した結果を第7図に示す
同図よりzによる遷移温度帯の変化が明らかである。実
施例 3Nd(Co岬7Mo.的)5 で組成が表わさ
れる感温素子材料の配向性を測定した。
第8図に示した如き感温素子材料の円柱暁結帯20の底
面にX線(矢印で示す)を入射して「暁給体の回折像を
測定した時に感温素子材料のC軸が所定配向方向(円柱
底面の一つの直径方向)によく揃っていれば(hko)
格子面からのピークのみが回折像に現われ、他のピーク
特にC軸に垂直な(00m)格子面によるピークは現わ
れないはずである。
例として、極めて角形・性の良い永久磁石であり磁気特
性面から見てもC軸がほぼ完全に配向 し て い る
ことが明 ら か なSm(Coo.78Feo.o
8Cuo,.4)6.8の磁場配向焼結体のX線回折チ
ャートを第8図に示した如く測定した結果を第9図に示
す。第9図から分かるように、配向性が良好であると(
hko)のピークしか認められず(hko)面に垂直な
(001)のピークは全く認められない。これに対して
第10図に示したDyC巧のX線回折チャートでは(h
ko)以外のピークが認められ配向性が悪いことが分か
る。特に第10b図のDに巧総末によるX線回折の結果
において配向性低下が顕著である。以上の他に種々のR
Co化合物組成を検討して来た結果、焼結体の配向に乱
れがある場合(111)面によるピークが最も敏感に表
われることが分かった。従って、(111)ピークのす
ぐ内側(低角度側)にある(200)ピークに対する(
111)ピークの高さ比率である1,.,/12。oを
配向性の指標とすることができる。次表に各種RCo化
合物の配向性を示した。第3表 上述のように配向性が良くなるにつれて1,.・の値は
小さくなって行き、完全に配向すれば1,.,は0にな
る。
従って、NdC巧系の1,../12ooの値は3.0
〜0の間で変化し、配向性の良いもの程4・さな値をと
り、Nを含有する感温素子材料は特に配向性が良いこと
が明らかである。以上の説明より本発明によると、常温
以上の遷移温度帯、優れた配向性及び高い飽和磁化を兼
備した感温素子材料が得られることが理解されよつo
【図面の簡単な説明】
第1図は感温回転器の斜視図、第2図はRCo5化合物
の結晶構造、第3図はRCo5化合物の磁化容易方向を
示すグラフ。 第4図はR2CO.7化合物の磁化容易方向を示すグラ
フ。第5図はNdC巧,Y,MNdxC巧及びPrC法
について磁化容易方向がC軸に対してなす角度(8)変
化を示すグラフ。第6図はDにo2化合物にっし、て第
5図と同様のグラフ。第7図はNd(COO.87Fe
o.。5AIM8)z化合物のz値による遷移温度の変
化を示すゲラフ。 第8図は、感温素子材料のX線回折説明図、第9図は、
Sm(Coo.78Feo.o8C比.,4)6.,8
のX線回折パターン、第10図a及びbはDに生のX線
回折パターン。但し、aは暁絹体、bは粉末のパターン
である。A−C軸−P・・・・・・六角柱底面、C・・
・・・・円錐面、T.・・・・・・遷移開始温度、T2
・・・・・・遷移終了温度。 第1図第2図 第3図 紫ム図 第5図 第7図 第6図 第8図 第9図 第10図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Nd_1_−_uRu(Co_1_−_xMx)z
    (Rは希土類元素の1種以上、MはB,C,Al,Si
    ,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Ni,Cu,Zr,N
    b,Ta,Mo,W,Hf,Pd,Ag,Pt,Sn,
    Pbの1種以上、0<u≦0.5,0<x<0.4,4
    .4≦z≦5.5、で表わされ、温度変化に伴い磁化容
    易方向が結晶の基底面から結晶のC軸方向へ変化する結
    晶からなることを特徴とする感温素子材料。 2 Nd(CO_1_−_xMx)zMはB,C,Al
    ,Si,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Ni,Cu,Z
    r,Nb,Ta,Mo,W,Hf,Pd,Ag,Pt,
    Sn,Pbの1種類以上、0<x<0.4,4.4≦z
    ≦5.5、で表わされ、温度変化に伴い磁化容易方向が
    結晶の基底面から結晶のC軸方向へ変化する結晶からな
    ることを特徴とする感温素子材料。
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