JPS60192410A - 弾性表面波素子 - Google Patents

弾性表面波素子

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JPS60192410A
JPS60192410A JP4699384A JP4699384A JPS60192410A JP S60192410 A JPS60192410 A JP S60192410A JP 4699384 A JP4699384 A JP 4699384A JP 4699384 A JP4699384 A JP 4699384A JP S60192410 A JPS60192410 A JP S60192410A
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aluminum nitride
acoustic wave
surface acoustic
sintered body
thin film
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JP4699384A
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Tadashi Shiozaki
塩崎 忠
Fumio Takeda
武田 文雄
Akira Kawabata
川端 昭
Nobuyuki Kuramoto
倉元 信行
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Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な弾性表面波素子?提供する。
詳しくは、窒化lルミニウム焼結体よりなる板状基板の
少なくとも片方の面に圧電性薄膜及び電極を積層してな
る弾性表面波素子に関する。
弾性表面波素子は電子機械1機器の一部として広く使用
されている。例えばガラス基板上に酸化亜鉛の薄膜を形
成し、その表面に電極を設けた弾性表面波素子は電波の
フィルタ−材例えばテレビの映像中間周波数用フィルタ
ー、FM中間周波数用フィルターとして使用されている
。しかしながら、従来の弾性表面波素子は高周波用とし
て使用するのに十分にその機能を発揮し得ない欠陥があ
る。そのため、近年に於いては高周波用フィルターとし
ても満足の出来る弾性表面波素子の開発が要求されてい
る。
本発明者等は鋭意弾性表面波素子の開発にたずされって
来たが、窒化アルミニウム基板を使用する新規な弾性表
面波素子が著しくすぐれた特性を発揮することを見出し
、更に研究な続けた給米、本発明を完成しここに提案す
るに至った。
すなわち、本発明は窒化アルミニウム焼結体よりなる板
状基板の少なくとも片方の面に圧電伏′4膜及び電極を
積j−シてなる弾性表面波素子である。
本発明で使用する窒化アルミニウム焼結体は特に制限さ
れることなく、窒化アルミニウムから主としてなる焼結
体であれば如何なるものも使用することが出来る。一般
には弾性表面波素子の性格上、基板の表面は平滑で、気
孔などのないものが好適である。この意味から特に次ぎ
のような新規な窒化アルミニウム焼結体を使用すると好
ましい。
すなわち、窒化アルミニウム焼結体で、その機械的に破
断した破断面が明瞭な輪郭によって互いに区別されるi
 X1llな結晶粒の緊密な充填状態によって形成され
ており、該微細な結晶粒の該破断面における該明瞭な輪
郭は多角形状であり、該微細な結晶は核明瞭な輪郭によ
って規定される該破断面における平均粒子径をD(μm
)で定義するとき、0.3 D〜1.8D好ましくは0
.5D〜1.5Dの範囲の粒子径を持つ結晶粒が少なく
とも70%を占めることによって構成されている窒化ア
ルミニウム焼結体である。また、前記窒化アルミニウム
焼結体は密度が3.201/ /crd以上、好ましく
は3.23.1/77以上のものが好適に採用される。
更にまた、陽イオン不純物の含有量が0.3重量%以下
、好ましくは0.1重量%以下の上記性状を有する窒化
アルミニウム焼結体は特にすぐれた透明性を示すので好
適に採用される。
前記窒化アルミニウム焼結体は新規なものであり、この
ような焼結体は例えば次ぎのようにして製造すればよい
。すなわち、平均粒子径2μm以下かつ3μnL以下の
粒子のものを70容量%以上の割合で含みかつ酸素含有
量が3重量%以下好ましくは1.5重量%以下及び窒化
アルミニウムの純度が95%以上好ましくは97%以上
で、好ましくは陽イオン不純物を0.3重量%以下好ま
しくは0.1ニア1i:量%以下含有する窒化アルミニ
ウム粉末を、周期律表第11a族金属及び同第Ha族金
属から選ばれた少な(とも一種の金属酸化物または焼結
時に該金属となりうる金属化合物の存在下または不存在
下に、常圧または30〜500に9/cr/lの加圧下
に1600〜2100’Cの温(5) 皮下に加熱焼結することによって得られる。
なお、上記における窒化アルミニウムはアルミニウムと
窒素の1:1の化合物であり、これ以外のものを原則と
してすべて不純物として取扱う。ただし、窒化アルミニ
ウム粉末の表面は空気中で不可避的に酸化されAL−N
結合がAL−0結合に置代っているので、このA L 
−0結合しているアルミニウムは陽イオン不純物とはみ
なさない。また焼結助剤となる成分についても陽イオン
不純物とはみなさない。更に、下記説明における平均粒
子径とは光透過式の粒度分布測定器による体積基準の中
間粒子径をいう。
前記のような特性を有する窒化アルミニウム粉末も新規
なものであり、例えば次ぎのよう圧して得ら」またもの
が好適に使用出来る。
粒子と灰分含量02重量%以下で平均粒子径が1μm以
下のカーボン微粉末とを、例えば(6) ニウム微粉末対該カーボン微粉末の重量比は1:0.3
6〜1:1であり; (2)得られた緊密混合物を、適宜乾燥し、窒素または
アンモニアの雰囲気下で1400〜1700℃の温度で
焼成し; (3)次いで得られた微粉末を酸素を含む雰囲気下で6
00〜900℃の温度で加熱して未反応のカーボンを加
熱除去し、窒化アルミニウム含量が少なくとも95亜量
%lであり、結合酸系の含量が最大3.0重度%好まし
くは1.5重量%であり、かつ不純物としての金属化合
物の含量が金属として最大0.3重量%である平均粒子
径が2μm以下の窒化アルミニウム粉末を生成せしめる ことによって製造することができる。
また上f16フルミナ、カーボン等の原料に伴われて混
入するかあるいは窒化アルミニウム粉末の製造工程で混
入する不純物は極力少なくすべきで、例えば、不純物と
しての金属化合物の含有量が金属として0.3重量%以
下好ましくは0.2重量%以下更に好ましくは0.1重
量%以下のものを用いるのが好ましい。特に上記不純物
成分の金属のうち、鉄、クロム。
ニッケル、コバルト、銅、亜鉛またはチタン成分が、こ
れらの不純物の含有量を金属として全含量が0.1重量
%以下のとき、前記窒化アルミニウム粉末は窒化アルミ
ニウム焼結体に透光性を付与するので好適である。
本発明の弾性表面波素子は前記したよ5に窒化アルミニ
ウム焼結体よりなる板状基板の少なくとも片方の面に圧
電性薄膜を積層する必要がある。該圧電性薄膜の材質は
弾性表面波素子としての年月なさまたげない限り公知の
ものを使用することが出来る。例えば、一般には特に酸
化亜鉛及び窒化アルミニウムの材質を選ぶことは好適で
ある。また、該圧電性薄膜を積層する方法も特に限定さ
れず公知の手段及び装置を使用すればよい。一般には例
えば、圧電性薄膜を与える材料例えば酸化亜鉛焼結体、
窒化アルミニウム焼結体等を用い高周波マグネトロンス
パッタリング法などの手段で付与すればよい。更には窒
化アルミニウム薄膜を積層形成する方法としては、窒素
を含む雰囲気下に金属アルミニウムを高周波マグネトロ
ンスパッタリングして反応性薄膜として析出させる方法
も採用出来る。
また、電極を設ける方法も特に限定されず。
公知の方法を採用することが出来る。一般には金やアル
ミニウムなどの櫛形電極を、前記窒化アルミニウム焼結
体よりなる板状基板の表面にあるいは該窒化アルミニウ
ム焼結体よりなる板状基板の表面に圧電性薄膜を積層し
た後該薄膜上に設ける方法が好適に採用出来る。
本発明の弾性表面波素子は後述する実施例でも明らかな
よ5に、高い電気機械結合係数及び低い温度係数を有す
る特徴を発揮する。
東にまた、窒化アルミニウム焼結体を基板と(9) するために、伝搬速度が、従来基板例えばガラス基板に
比べて数倍以上高い利点を有するので、高周波用弾性表
面波素子とE7て極めてすぐれている。
本発明を更に具体的に説明するため以下実施例を挙げて
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
実施例 1 純度99.99%(不純物分析値を表1に示す)で平均
粒子径が0.52μmで3μm以下の粒子の割合が95
 vot%のアルミナ100重量部と、灰分0.08w
t%で平均粒子径が0.45μmのカーボンブラック5
0重量部とを、ナイロン製ポットとナイロンコーティン
グしたポールを用いエタノールを分散媒体として均一に
ボールミル混合した。得られた混合物を乾燥後、高純度
黒鉛製平皿に入れ電気炉内に窒素ガスを3t/m1yr
で連続的に供給しながら1600℃の温度で6時間加熱
した。
得られた反応混合物を空気中で750℃の温(10) 度で4時間加熱し、未反応のカーボンを酸化除去した。
得られた白色の粉末はX線回折分析(Xray dif
fraction analysim )の結果、単相
(single phase)のAtNでありAt、0
8の回折ピークは無かった。また該粉末の平均粒子径を
粒度分布測定器(相場製作1.31μmであり、3μm
以下が90容量%を占めた。走査型電子顕微鏡による観
察ではこの粉末は平均0.7μm程度の均一な粒子であ
った。また比表面積の測定値は4.0m”/、ji’で
あった。この粉末の分析値を表2に示す。
表 I At、08粉末分析値 At20.含有量 99.99% 元 素 含有量(pprn) Mg (5 Cr <10 Si 30 Zn <5 Fe 22 Cu <5 Ca < 2 O Ni 15 Ti 〈 5 表 2 AtN粉末分析値 AtN含有量 97.8% 元 素 含有量 Mg <5 (ppm) cr 21(//) sl 125(//) zn 9 (〃 ) Fe 20(tt) Cu く5 (〃) Mn 5 (〃 ) Ni 27(tt) TI <5(//) Co <5(〃) At64.8 (wt%) N 334 (〃 ) 0 1.1 (1/ ) CO,11(1/ ) このようにして得られた窒化アルミニウム粉末に硝酸カ
ルシウム、 Ca(No8)、−4H,0をCaO換算
で0.5重量%となるよ5添加しエタノールを分散媒と
して均一に混合した。
混合後攪拌しながら徐々にエタノールを飛ばして乾燥し
た。この混合粉末を内径4Qxi+の黒鉛製モールドに
充填し、1気圧の窒素ガス中、圧力200に9/cyl
、温度1900℃、1時間の条件でホットプレス焼結し
た。得られた厚さ約2鰭の透光感のある焼結体は密度3
.26,9/dであった。この焼結体を切断後研磨し、
最終的に表面粗さが約50OAで大きさが13問×13
nで厚さ0.6 zwrの基板を作成した。この基板上
に周期100μrrL25対、開口4.4 m 、中心
距離5.5龍のAuの櫛形電極をフォトエツチング法で
設けた。さらにこの基板上にリチウム入りZnOターゲ
ウトを酸素、アルゴン等量の混合ガスを用い圧力I X
 10 Torr中で高周波マグネトロンスパッタリン
グにより厚さ5.33〜42.1μmのC軸配向薄膜を
形成した。さらにZnO表面を短絡するために、ZnO
薄膜上に櫛形電極と同じ面積にAtを蒸着し、上部電極
を有(13) する素子を作成した。この素子の電気機械結合係数(カ
)を膜厚(h)と波長(λ)の比h/λに対して1次モ
ードを用いて測定したところ、h/λ=0.12の時に
2= 6.6%、h/λ=0.19でが=55%、h/
λ=0.33でに〜2.2%であった。また伝搬速度(
Vp)とh/λとの関係は、h/λ=0.12,0.1
9゜0.33に対し各JIVP=6550.5540 
5o2om/秒であった。またh/λ=0.19の場合
、中心周波数の温度依存性は一40ppm/℃であった
また、前記窒化アルミニウム焼結体V機械として添付す
る。この写真(7cInX 10[)を用いて焼結体を
構成する粒子形及び粒子径を測定した。粒子は明瞭な輪
郭をもつ多角形状の微細な結晶粒から形成されており、
その平均粒子径D(長径と短径の平均値)は6,9μa
lであり、0.3 D 〜1.8 Dすなわち2.1μ
m(14) 〜124μmの範囲の粒子径をもつ結晶粒子の個数の割
合が97%を占めるものであった。
実施例 2 実施例1のZnOターゲットの代りに金属アルミニウム
をターゲットとして窒素、アルゴン等量の混合ガスを用
い、圧力I X 10−2Torr、基板温度200℃
の条件で高周波マグネ)pンスパッタリングすることに
よってC軸配向したA/、N薄膜形成させ、AtN基板
とAtN薄膜の界面に櫛形電極をもつ構造の素子を作成
した。実施例1と同様にして電気機械係数を測定したと
ころ、h/λ=0.18でK11= 6.0%、■p=
7220rrL/秒であった。
【図面の簡単な説明】
添付図面第1図は、実施例1で得られた窒化アルミニウ
ム焼結体を機械的に破断し、その一部を顕微鏡で5つし
た写真である。 第1図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化アルミニウム焼結体よりなる板状基板の少な
    くとも片方の面に圧電性薄膜及び電極を積層してなる弾
    性表面波素子。
  2. (2)窒化アルミニウム焼結体が機械的な破断面が明瞭
    な輪郭によって互に区別される微細な結晶粒の緊密な充
    填状態によって形成されており、該微細な結晶粒の該破
    断面における該明瞭な輪郭は多角形状であり、該微細な
    結晶は該明瞭な輪郭によって規定される該破断面におけ
    る平均粒子径をD(μm)で定義するとき0.3 D−
    1,8Dの範囲の粒子径を持つ結晶粒の個数が少なくと
    も70%を占めることによって構成されているものであ
    る特許請求の範囲(1)記載の弾性表面波菓子。
  3. (3) 窒化アルミニウム焼結体が密度3.2011/
    d以−Fである特許請求の範囲(1)記載の弾性表面波
    素子。
  4. (4) 窒化アルミニウム焼結体が陽イオン不純物を0
    .3重に%以下含有している特許請求の範囲(1)記載
    の弾性表面波素子。
  5. (5)圧電性薄膜が酸化亜鉛または窒化アルミニウムの
    薄膜である特許請求の範囲(1)記載の弾性表面波素子
  6. (6)″[極が櫛形′f!L極である特許請求の範囲(
    1)記載の弾性表面波素子。
JP4699384A 1984-03-14 1984-03-14 弾性表面波素子 Granted JPS60192410A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248110A (ja) * 1989-03-20 1990-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波素子
JPH08130439A (ja) * 1994-11-01 1996-05-21 Agency Of Ind Science & Technol 高速表面弾性波素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5631213A (en) * 1979-08-24 1981-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface elastic wave element

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5631213A (en) * 1979-08-24 1981-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface elastic wave element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248110A (ja) * 1989-03-20 1990-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波素子
JPH08130439A (ja) * 1994-11-01 1996-05-21 Agency Of Ind Science & Technol 高速表面弾性波素子

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