JPS60192362A - 密着形カラ−イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形カラ−イメ−ジセンサInfo
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- JPS60192362A JPS60192362A JP59049732A JP4973284A JPS60192362A JP S60192362 A JPS60192362 A JP S60192362A JP 59049732 A JP59049732 A JP 59049732A JP 4973284 A JP4973284 A JP 4973284A JP S60192362 A JPS60192362 A JP S60192362A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiodes
- color image
- photodiode
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- senser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発8Aは原稿にほぼ密着して光電変換を行うイメー
ジセンサに関し、特にそのカラー化に関するものである
。
ジセンサに関し、特にそのカラー化に関するものである
。
従来、カラー原稿を読取ることの可能な装置として第1
図に示すものがあった。図において、(101)は原稿
ドラム、(102)は螢光灯、(103)はレンズ、(
104a)(104b)はハーフミラ−1(105X1
06)および(1(77) taそれぞれ赤色フィルタ
、緑色フィルタ。
図に示すものがあった。図において、(101)は原稿
ドラム、(102)は螢光灯、(103)はレンズ、(
104a)(104b)はハーフミラ−1(105X1
06)および(1(77) taそれぞれ赤色フィルタ
、緑色フィルタ。
および青色フィルタであり、(108)は可視光領域で
、はぼ平坦な感度を有している光電変換素子である。
、はぼ平坦な感度を有している光電変換素子である。
次に動作について説明する。円柱状のドラム(101)
に収付けられた原稿は、白色光源である螢光灯(102
)によって照明され、その反射光はレンズ(IO2)お
よびハーフミラ−(104a)(104b)VCより3
分割される。分割された光はそれぞれ赤色フィルタ(1
05) 、 緑色フィルタ(106) 、および青色フ
ィルタ(107)を通して光電変換素子(10B)へ導
かねる。
に収付けられた原稿は、白色光源である螢光灯(102
)によって照明され、その反射光はレンズ(IO2)お
よびハーフミラ−(104a)(104b)VCより3
分割される。分割された光はそれぞれ赤色フィルタ(1
05) 、 緑色フィルタ(106) 、および青色フ
ィルタ(107)を通して光電変換素子(10B)へ導
かねる。
以上のようにして、原稿上の色情報に3原色に分離され
、上記光電変換素子(10B) VCより電気信号に変
換される。
、上記光電変換素子(10B) VCより電気信号に変
換される。
第1図の装置は以上のようVC構成されているので、以
下のような欠点があった。
下のような欠点があった。
il+ レンズ(103) 、 ハーフミラ−(]04
a)(104b)のような光学系を用いているため、原
稿ドラム(X)1)から光電変換素子(108)′−!
で数十cmの距離を要し、装置を小形化することができ
ない。
a)(104b)のような光学系を用いているため、原
稿ドラム(X)1)から光電変換素子(108)′−!
で数十cmの距離を要し、装置を小形化することができ
ない。
(2) 光路がハーフミラ−(lO4a)(]−04b
) VCより3分割さね、ているため、それぞれの光路
についてアライメントが必要VCなり、その機構が相離
になり、調整不良による色ずれなどが発生しやすい。
) VCより3分割さね、ているため、それぞれの光路
についてアライメントが必要VCなり、その機構が相離
になり、調整不良による色ずれなどが発生しやすい。
このような、第1図の従来例の欠点を除去する光電変換
装置として、第2図のような密着形カラーイメージセン
サが考えられる。図において、(201) fd原稿、
(102)は該原稿(21)1)を照明するための蛍光
灯、(2D2)けロッドレンズアレイ、(i3)l−t
センサ基板、(2D4.)は上記原稿(201)のガイ
ド板、(庶)は上記原稿(わl)を搬送するための駆動
ローラ、(2D6)は支持体である。
装置として、第2図のような密着形カラーイメージセン
サが考えられる。図において、(201) fd原稿、
(102)は該原稿(21)1)を照明するための蛍光
灯、(2D2)けロッドレンズアレイ、(i3)l−t
センサ基板、(2D4.)は上記原稿(201)のガイ
ド板、(庶)は上記原稿(わl)を搬送するための駆動
ローラ、(2D6)は支持体である。
次に、第2図の光電変換装置の動作について説明する。
原稿(201)はガイド板(□□□4)および駆動ロー
ラ(田5) Vcけさ捷れ、ロッドレンズアレイ(釦2
)の端面力)らの距離が常に一定になるように搬送され
ている。原稿(わl)は蛍光灯(102)によって照明
され、センサ基板(卸)上Vcf/Ifロッドレンズア
レイ(202)によって原稿面の等倍の正立実像が結像
される。上記センサ基板(203)上Vcは色フィルタ
のついた受光素子が配設さね2ており、原稿(田1)を
色分解して読取ることができる。
ラ(田5) Vcけさ捷れ、ロッドレンズアレイ(釦2
)の端面力)らの距離が常に一定になるように搬送され
ている。原稿(わl)は蛍光灯(102)によって照明
され、センサ基板(卸)上Vcf/Ifロッドレンズア
レイ(202)によって原稿面の等倍の正立実像が結像
される。上記センサ基板(203)上Vcは色フィルタ
のついた受光素子が配設さね2ており、原稿(田1)を
色分解して読取ることができる。
次に、上記センサ基板(203)上の、受光素子(30
1)の配列方法について述べる。第3図は、上記センサ
基板(203)上の、受光素子(3t)1)の配列を示
したもので、同図(a)は、受光素子(301)を−線
上に配列し、順番に3種類の色フィルタ(302)が収
付けらねでいる。図において、Rは赤、Gは緑、Bは青
を示している。オた、同図(b)は受光素子(301)
を3列に配設したもので、列ごとに赤、緑。
1)の配列方法について述べる。第3図は、上記センサ
基板(203)上の、受光素子(3t)1)の配列を示
したもので、同図(a)は、受光素子(301)を−線
上に配列し、順番に3種類の色フィルタ(302)が収
付けらねでいる。図において、Rは赤、Gは緑、Bは青
を示している。オた、同図(b)は受光素子(301)
を3列に配設したもので、列ごとに赤、緑。
青のフィルタが収付けらねでいる。この場合、各列の間
隔は副走査方向の送りピッチPの整数倍に設定しておく
。したがって、2列目の緑のフィルタでおおわれている
受光素子列が、原稿(2)1)の1番目のラインを走査
している時VcVi、1列目および3列目の受光素子列
はそれぞれ1−nP着目(nけ整数)のラインの赤色成
分およびi+nP査目のラインの青色成分を光電変換し
ていることになる。
隔は副走査方向の送りピッチPの整数倍に設定しておく
。したがって、2列目の緑のフィルタでおおわれている
受光素子列が、原稿(2)1)の1番目のラインを走査
している時VcVi、1列目および3列目の受光素子列
はそれぞれ1−nP着目(nけ整数)のラインの赤色成
分およびi+nP査目のラインの青色成分を光電変換し
ていることになる。
[7かし、第3図(a)の例では、カラーの原稿(田1
)を8 dots/mmで光電変換するためvcn、2
4 dots/mmの受光素子密度が必要となり、約4
C17Imのピッチで、5000素子余りの受光素子(
301) ′ff:配設するためVCは、200mm
f!:越える長さにおいて10μm以下のパターン精度
が要求され、価格面、技術面D)らみて実現困難である
。
)を8 dots/mmで光電変換するためvcn、2
4 dots/mmの受光素子密度が必要となり、約4
C17Imのピッチで、5000素子余りの受光素子(
301) ′ff:配設するためVCは、200mm
f!:越える長さにおいて10μm以下のパターン精度
が要求され、価格面、技術面D)らみて実現困難である
。
また、第3図(b)の例では、素子密度の面からげ有利
であるが、通常の駆動方式でに配線が複雑になり、非常
に微細な配線パターンが必要になるため、高価なものV
cなってしオう。
であるが、通常の駆動方式でに配線が複雑になり、非常
に微細な配線パターンが必要になるため、高価なものV
cなってしオう。
この発明け、」二記のような従来のものの欠点を除去す
るためVC′f!さねたもので、受光素子としてフォト
ダイオードおよび該フォトダイオードに直列VC接線さ
れた容量を、3列に配設し、マトリクス配線を織すこと
により、安価で、解像度の優れた密着形カラーイメージ
センサを提供することを目的としている。
るためVC′f!さねたもので、受光素子としてフォト
ダイオードおよび該フォトダイオードに直列VC接線さ
れた容量を、3列に配設し、マトリクス配線を織すこと
により、安価で、解像度の優れた密着形カラーイメージ
センサを提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。密着
形カラーイメージセンサ全体の構成は第2図と同様であ
り、センサ基板(ゎ3)上の受光素子(301)の基本
的な配置は、第3図(b)のようVCなっている。第3
図(b)のAA’面での断面を第4図に示す。
形カラーイメージセンサ全体の構成は第2図と同様であ
り、センサ基板(ゎ3)上の受光素子(301)の基本
的な配置は、第3図(b)のようVCなっている。第3
図(b)のAA’面での断面を第4図に示す。
第4図において、(401)はガラス基板、(402)
I/′i第1導体、(403)は絶縁膜、(4o4)
は第2導体、(405)は非晶質シリコン膜、(406
)/riパッシベーション膜、(407)は透明電極、
(40s) l”j第3導体、(O)は畏面平坦化膜、
(410)は赤色フィルタ、(412) u 8色フィ
ルタ、(414) I′i青色フィルタであり、(am
)(413)は各フィルタを分離する中間膜、(415
)け保瞳膜である。
I/′i第1導体、(403)は絶縁膜、(4o4)
は第2導体、(405)は非晶質シリコン膜、(406
)/riパッシベーション膜、(407)は透明電極、
(40s) l”j第3導体、(O)は畏面平坦化膜、
(410)は赤色フィルタ、(412) u 8色フィ
ルタ、(414) I′i青色フィルタであり、(am
)(413)は各フィルタを分離する中間膜、(415
)け保瞳膜である。
第5図けこの発明の一実施例に係る密着形カラ−イメー
ジセンサの回路図を示している。図Vcおいて、(50
1) fl上部に赤色フィルタ(410)を付加したフ
ォトダイオード、(503)はt部に緑色フィルタ(4
12) ’(z付加したフォトダイオード、(505)
try上部に青色フィルタ(414)を付加したフォ
トダイオード、(502)(犯4X506)ばそねぞれ
フォトダイオード(501X503)(505) VC
III列に接続さレタ容量テアリ、実際Vct/″i第
1導体(402) 、絶縁膜(釦3)および第2導体(
404)で構成さねている。捷た、(50’i’)〜(
512)は共通電極(520)側の切換スイッチ、(5
13)〜(515)は個別電極(521)側の切換スイ
ッチ、(516) Viスイッチ、(517)は演算増
幅器、(51B)は出力端子、(519)は線間容量に
起因する浮遊容量である。
ジセンサの回路図を示している。図Vcおいて、(50
1) fl上部に赤色フィルタ(410)を付加したフ
ォトダイオード、(503)はt部に緑色フィルタ(4
12) ’(z付加したフォトダイオード、(505)
try上部に青色フィルタ(414)を付加したフォ
トダイオード、(502)(犯4X506)ばそねぞれ
フォトダイオード(501X503)(505) VC
III列に接続さレタ容量テアリ、実際Vct/″i第
1導体(402) 、絶縁膜(釦3)および第2導体(
404)で構成さねている。捷た、(50’i’)〜(
512)は共通電極(520)側の切換スイッチ、(5
13)〜(515)は個別電極(521)側の切換スイ
ッチ、(516) Viスイッチ、(517)は演算増
幅器、(51B)は出力端子、(519)は線間容量に
起因する浮遊容量である。
捷た、第6図は光電変換を行う場合の各スイッチの動作
を示すタイムチャートであり、(601)〜(6cre
)はそれぞれスイッチ5r1(50’7)、スイッチ5
r2(50B)、スイッチ8g1(509)、スイッチ
So (516)、スイッチ81 (513)、スイッ
チ82 (514)およびスイッチsm (515)の
動作を示しており、(aOS)は出力端子(51B)で
の波形を示している。
を示すタイムチャートであり、(601)〜(6cre
)はそれぞれスイッチ5r1(50’7)、スイッチ5
r2(50B)、スイッチ8g1(509)、スイッチ
So (516)、スイッチ81 (513)、スイッ
チ82 (514)およびスイッチsm (515)の
動作を示しており、(aOS)は出力端子(51B)で
の波形を示している。
次に、本実施例の動作について説明する。第3図、第4
図に示されているように、フォトダイオード(5:1I
X503)(505)と容1(502X504X506
)を、3列に配設されたセンサ基板(2:13) H5
5導図のように、イメージセンサユニットに取付けらね
る。光源には白色蛍光灯(M)2)を用いているが、タ
ングステンランプ、ハロゲンランプのような白色光源で
もよい。螢光灯により照明さねた原稿(201)面の像
は、ロッドレンズアレイによりセンサ基板(203)上
に結像さねる。センサ基板[iレターサイズ(幅216
mm )の原稿(201)を8本/mmの解像度で読取
るために、1728個のフォトダイオード(501)(
5030艶5)を3列、合計5184個のフォトダイオ
ード(501X503X505)が配設されている。第
5図からもわかるように、本実施例でfi 6 X 8
64のマトリクス構成となっている。したかつて、各共
通電極(520)にけそれぞ゛れ切換スイッチ(5o7
)〜(512)が1個ずつ収付けられ、864個の個別
電極(521)にもそ名ぞれ切換スイッチ(513)〜
(515)が1個ずつ取付けらねでいる。
図に示されているように、フォトダイオード(5:1I
X503)(505)と容1(502X504X506
)を、3列に配設されたセンサ基板(2:13) H5
5導図のように、イメージセンサユニットに取付けらね
る。光源には白色蛍光灯(M)2)を用いているが、タ
ングステンランプ、ハロゲンランプのような白色光源で
もよい。螢光灯により照明さねた原稿(201)面の像
は、ロッドレンズアレイによりセンサ基板(203)上
に結像さねる。センサ基板[iレターサイズ(幅216
mm )の原稿(201)を8本/mmの解像度で読取
るために、1728個のフォトダイオード(501)(
5030艶5)を3列、合計5184個のフォトダイオ
ード(501X503X505)が配設されている。第
5図からもわかるように、本実施例でfi 6 X 8
64のマトリクス構成となっている。したかつて、各共
通電極(520)にけそれぞ゛れ切換スイッチ(5o7
)〜(512)が1個ずつ収付けられ、864個の個別
電極(521)にもそ名ぞれ切換スイッチ(513)〜
(515)が1個ずつ取付けらねでいる。
光電変換のための走査は次のようにして行う。
上記センサ基板(2m+3)上の5184個のフォトダ
イオード(501)(503X505)は1個ずつ順番
VcJ択される。
イオード(501)(503X505)は1個ずつ順番
VcJ択される。
1番目から順#に5184番目までの走査が終了すると
、再び1番目からの走査が始捷る。この周期が1ライン
当りの走査時間Tであり、該走査時間Tから1個のフォ
トダイオード(艶1)(x)(z5)の選択時間toを
引いた時間を蓄積時間Tθという。
、再び1番目からの走査が始捷る。この周期が1ライン
当りの走査時間Tであり、該走査時間Tから1個のフォ
トダイオード(艶1)(x)(z5)の選択時間toを
引いた時間を蓄積時間Tθという。
選択時間Toは第6図のようlc3つの期間τl、τ2
゜τ3VC分けらねる。τ1汀放電期間で、選択された
フォトダイオード(a:+x)(50s)(5o5)
K相当する個別電極(521)と、その他の個別側電極
(521)との間の浮遊容量0日(519) VC蓄え
られた電荷を切換スイッチEll −Bn(513)
〜(515)とスイッチ(516)を用いて放電する期
間である。この時、共通電極(5ワ)ハ切換スイッチ(
50’7)〜(512) Kより、すべて接地されてい
る。τ2は検出期間で、選択されているフォトダイオー
ド(5:1IX503)(505)の接続されている共
通電極(52)) K汀センサ甫圧v8が印加さね1、
個別電極(521)は切換スイッチ(513)〜(51
5)により演算増幅器(517)の十人力へ接続される
。この時の出力電圧について汀後述する。τ3け充電期
間で、スイッチSoを閉じ、共通側電極にセンサ゛重圧
7日を印加することにより、選択されたフォトダイオー
ド(501)(503)(505) vc 直列接続さ
ねている容量0d(502X504X505)へ電荷を
充電する期間である。上記充電期間τ3の終了後、再び
同じフォトダイオード(405)が選択されるまでの期
IIJIを蓄積期間と呼び、該蓄積期間中は上記フォト
ダイオード(5D1)()3)(5oa) vc接続さ
れている共通電極(5ワ)の電位が個別電極(521)
の電位を越えることがないように、各スイッチを動作さ
せている。
゜τ3VC分けらねる。τ1汀放電期間で、選択された
フォトダイオード(a:+x)(50s)(5o5)
K相当する個別電極(521)と、その他の個別側電極
(521)との間の浮遊容量0日(519) VC蓄え
られた電荷を切換スイッチEll −Bn(513)
〜(515)とスイッチ(516)を用いて放電する期
間である。この時、共通電極(5ワ)ハ切換スイッチ(
50’7)〜(512) Kより、すべて接地されてい
る。τ2は検出期間で、選択されているフォトダイオー
ド(5:1IX503)(505)の接続されている共
通電極(52)) K汀センサ甫圧v8が印加さね1、
個別電極(521)は切換スイッチ(513)〜(51
5)により演算増幅器(517)の十人力へ接続される
。この時の出力電圧について汀後述する。τ3け充電期
間で、スイッチSoを閉じ、共通側電極にセンサ゛重圧
7日を印加することにより、選択されたフォトダイオー
ド(501)(503)(505) vc 直列接続さ
ねている容量0d(502X504X505)へ電荷を
充電する期間である。上記充電期間τ3の終了後、再び
同じフォトダイオード(405)が選択されるまでの期
IIJIを蓄積期間と呼び、該蓄積期間中は上記フォト
ダイオード(5D1)()3)(5oa) vc接続さ
れている共通電極(5ワ)の電位が個別電極(521)
の電位を越えることがないように、各スイッチを動作さ
せている。
今、1番目のフォトダイオード(501)に注目する。
各選択期間toの最後にある充電期間τ3Vcおいて、
容量ad(502) ta 、フォトダイオードの順方
向電圧を無視するとセンサ電圧7日に充電される。
容量ad(502) ta 、フォトダイオードの順方
向電圧を無視するとセンサ電圧7日に充電される。
次に、蓄積期間においては、上述したように、共通側電
極の電位は個別側電極の電位よりも直ぐな 。
極の電位は個別側電極の電位よりも直ぐな 。
ることけないため、フォトダイオードは常に逆バイアス
さねている。したがって、上記容量ca(502)に蓄
えられた電荷げ、フォトダイオード(501)の光電流
によってのみ放電される。そして、一定の蓄積期間の後
、再び1蒼目のフォトダイオードが選択され、浮遊容1
tceが放電さねた後に共通電極(520) Kセンサ
電圧Vsk印加し7、個別゛電極(521)を演算増幅
器(517)へ接続すると、出力端子K n 、VOU
T−△q/(cd+C日)の出力電圧が得られる。
さねている。したがって、上記容量ca(502)に蓄
えられた電荷げ、フォトダイオード(501)の光電流
によってのみ放電される。そして、一定の蓄積期間の後
、再び1蒼目のフォトダイオードが選択され、浮遊容1
tceが放電さねた後に共通電極(520) Kセンサ
電圧Vsk印加し7、個別゛電極(521)を演算増幅
器(517)へ接続すると、出力端子K n 、VOU
T−△q/(cd+C日)の出力電圧が得られる。
ここで、△qは蓄積期間中に光電流により放電した電荷
量である。また、フォトダイオード(501)(5D3
)(505)の副走査方向の配列ピッチは、副走査線密
度7.7本/mmからき捷る副走査ピッチP=130μ
mの整数倍nP(nij整数)に設定しであるため1回
の走査では1ライン目の赤は号、1+nライン目の緑1
言号および1+2n目の青は号を得ることができる。
′ 次に、本実施例のセンサ基板(涯)の製造プロセスにつ
いて説明する。基板Vcflガラス基板を用い、該ガラ
ス基板の上にCr、 At、 cuなどの金属膜を蒸着
し、写真製版プロセスによりパターニングを行い、第1
導体とする。次に、ポリイミド。
量である。また、フォトダイオード(501)(5D3
)(505)の副走査方向の配列ピッチは、副走査線密
度7.7本/mmからき捷る副走査ピッチP=130μ
mの整数倍nP(nij整数)に設定しであるため1回
の走査では1ライン目の赤は号、1+nライン目の緑1
言号および1+2n目の青は号を得ることができる。
′ 次に、本実施例のセンサ基板(涯)の製造プロセスにつ
いて説明する。基板Vcflガラス基板を用い、該ガラ
ス基板の上にCr、 At、 cuなどの金属膜を蒸着
し、写真製版プロセスによりパターニングを行い、第1
導体とする。次に、ポリイミド。
5in2. E113N4などの絶縁膜を形成し、さら
に該絶縁膜の上VCOr、Moなどの金属膜の蒸着、パ
ターニングを行い、第2導体とし、第1導体との間に容
量Cdを形成する。第2導体の土には、プラズマ0VD
装置により非晶質シリコンがn−1−pの順に形成され
、パターニングされる。次に、ポリイミドあるいけ5i
O21Si!IN<等によるパッシベーション膜が形成
され、該パッシベーション膜ニあけらねたコンタクトホ
ール部に透明電極(工TO膜)が形成され、5184個
のフォトダイオード(5ox)(o3)(ω5)ができ
る。さらに、透明電極に第3導体(4□□□)により、
列方向に接続され、共通電極(5ZO)となる。さらに
、その上部に第4図のようにカラーフィルタを次のよう
なプロセスで作成する。
に該絶縁膜の上VCOr、Moなどの金属膜の蒸着、パ
ターニングを行い、第2導体とし、第1導体との間に容
量Cdを形成する。第2導体の土には、プラズマ0VD
装置により非晶質シリコンがn−1−pの順に形成され
、パターニングされる。次に、ポリイミドあるいけ5i
O21Si!IN<等によるパッシベーション膜が形成
され、該パッシベーション膜ニあけらねたコンタクトホ
ール部に透明電極(工TO膜)が形成され、5184個
のフォトダイオード(5ox)(o3)(ω5)ができ
る。さらに、透明電極に第3導体(4□□□)により、
列方向に接続され、共通電極(5ZO)となる。さらに
、その上部に第4図のようにカラーフィルタを次のよう
なプロセスで作成する。
i11表面平坦化膜の塗布、(2)ゼラチン塗布、パタ
ーニング、(3)赤染色、(4)中間膜塗布、(5)ゼ
ラチン塗布、パターニング、(6)緑染色、(7)中間
膜塗布、(8)ゼラチン塗布、パターニング、(9)青
染色、(+01保膿膜塗布 以上のように、各フォトダイオードからの配線け、第3
導体(d)vcより864個単位の6個の共通電極(5
20)と、直列容量cdを介して各列の同位置にあるフ
ォトダイオードを共通に接続した第1導体(402)と
で行うことができるため、谷フォトダイオード間を配線
が通過することもなくカラー化によるパターンの高HM
(I化金防ぐことができる。
ーニング、(3)赤染色、(4)中間膜塗布、(5)ゼ
ラチン塗布、パターニング、(6)緑染色、(7)中間
膜塗布、(8)ゼラチン塗布、パターニング、(9)青
染色、(+01保膿膜塗布 以上のように、各フォトダイオードからの配線け、第3
導体(d)vcより864個単位の6個の共通電極(5
20)と、直列容量cdを介して各列の同位置にあるフ
ォトダイオードを共通に接続した第1導体(402)と
で行うことができるため、谷フォトダイオード間を配線
が通過することもなくカラー化によるパターンの高HM
(I化金防ぐことができる。
プロセス上も、カラーフィルタ(410X412X41
4)の製造プロセスの追加だけで実現でき、安価な密着
形カラーイメージセンサが実現できる。
4)の製造プロセスの追加だけで実現でき、安価な密着
形カラーイメージセンサが実現できる。
捷た、上記実施例では、レターサイズ(210mm幅)
の密着形カラーイメージセンサとして6×864のマト
リクス構成のものを示したが、マトリクス構成i 3
X 1’i’2Bでもよい。さらに、カラーフィルタに
関しては、予めカラーフィルタを他のガラス基板の上に
形成しておいて、後でけり合わす方法も考えられる。
の密着形カラーイメージセンサとして6×864のマト
リクス構成のものを示したが、マトリクス構成i 3
X 1’i’2Bでもよい。さらに、カラーフィルタに
関しては、予めカラーフィルタを他のガラス基板の上に
形成しておいて、後でけり合わす方法も考えられる。
また、上記実施例では光重変換回路として電圧測定回路
を設けたが、低人出インピーダンスの積分器を設けても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
を設けたが、低人出インピーダンスの積分器を設けても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発Ff4vcよれば、フォトダイオー
ドと容量を直列接続し、このフォトダイオードと直列容
量の組をマトリクス配線することにより、パターン精度
を増すことなく、3列構成のセンサアレイが実現できる
ため、安価で解像度の優れたカラー読取りができる効果
がある。
ドと容量を直列接続し、このフォトダイオードと直列容
量の組をマトリクス配線することにより、パターン精度
を増すことなく、3列構成のセンサアレイが実現できる
ため、安価で解像度の優れたカラー読取りができる効果
がある。
第1図は従来のカラー読取装置を示す断面側面図、第2
図は密着形カラーイメージセンサを示す断面側面図、第
3図にセンサ基板Eの受光部の位置を示す平面図、第4
図はこの発明の一実施例による密着形カラーイメージセ
ンサのセンサ基板を示す断面側面図、第5図はこの発明
の一実施例によるfA着着力カラーイメージセンサ回路
図、第6図はこの発明の一実施例による密着形カラーイ
メージセンサの回路の動作を示すタイムチャートである
。 (401)・・・ガラス基板、(ω1)(503)(5
05)・・・フォトダイオード、(502M襄)(艶6
)・・・容量、(405)・・・非晶質シリコン、(5
20)・・・共通電離、(超8)・・・第3導体、(5
21)・・・個別南極、(4,02)・・・第1導体な
お、図中、同−N号は同−又に相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第2図 0J 第3図 O2
図は密着形カラーイメージセンサを示す断面側面図、第
3図にセンサ基板Eの受光部の位置を示す平面図、第4
図はこの発明の一実施例による密着形カラーイメージセ
ンサのセンサ基板を示す断面側面図、第5図はこの発明
の一実施例によるfA着着力カラーイメージセンサ回路
図、第6図はこの発明の一実施例による密着形カラーイ
メージセンサの回路の動作を示すタイムチャートである
。 (401)・・・ガラス基板、(ω1)(503)(5
05)・・・フォトダイオード、(502M襄)(艶6
)・・・容量、(405)・・・非晶質シリコン、(5
20)・・・共通電離、(超8)・・・第3導体、(5
21)・・・個別南極、(4,02)・・・第1導体な
お、図中、同−N号は同−又に相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第2図 0J 第3図 O2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 fil 絶碌基板と、該絶縁基板上VC複数列配設され
たフォトダイオードと、該フォトダイオードに七ねそれ
直列に接続された容量とを備えたことを特徴とする密着
形カラーイメージセンサ。 (2) 上記フォトダイオードが非晶質シリコンで構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の密着形カラーイメージセンサ。 (3) 上記フォトダイオードの一方の端子を複数個ず
つ共通に接続し、上記容量の一方の端子を複数個ずつ共
通に接続したことを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たけ第2項記載の密着形カラーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59049732A JPS60192362A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 密着形カラ−イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59049732A JPS60192362A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 密着形カラ−イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60192362A true JPS60192362A (ja) | 1985-09-30 |
Family
ID=12839358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59049732A Pending JPS60192362A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 密着形カラ−イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60192362A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6125358A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
JPS61232758A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Nec Corp | カラ−フオトセンサアレイ |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP59049732A patent/JPS60192362A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6125358A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
JPS61232758A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Nec Corp | カラ−フオトセンサアレイ |
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