JPS60189908A - インダクタンス部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、インダクタンス部品ずなわち、ヂョーク、ト
・ランス等に関するものである。

従来より、いわゆる、フェライトのｌｌ−１ア。

３ｉ−ｓｔｅｅｌのＥＩココアがよくこの種の用途に用
いられているが、フエライ１〜は飽和磁束が低い、５ｉ
−ｓｔｅｅｌ等は磁歪が大きい、　１ｏｓｓが大きいな
どの欠点があり、スイッチング電源、子の伯の電子機器
において、十分満足すべきものが得られていないという
のが実状であった。

本発明は従来材のこのような欠点を解消すべくなされた
ものであり、飽和磁束が人き（，１ｏｓｓが小さく、か
つ用途によっては］−分磁歪を小さくした高性能のイン
ダクタンス部品を提供するものである。

すなわち、本発明はアモルファス磁性体のａ帯をラミネ
ートまたは巻回させて、占積率を高くしたほぼ棒状のコ
アを用い、これに導電巻線を施したことを特徴とするも
のである。本発明インダクタンス部品の構成の代表的な
例を第１図および第２図に示す。図において、ｉａ、１
ｂはアモルファス磁性体、２ａ　、２ｂは導電巻線であ
る。本発明によるインダクタンス部品は、アモルファス
材料の高飽和磁束密度特性と相俟って、高周波において
鉄損が低く大電流を流しても容易に飽和しないという大
ぎな特長をもつ上に、アモルファス材料の薄帯形状から
容易に棒状磁性体を製造することが出来るので、工業上
の価値は著しく高い。

また本発明において、特に磁歪の小さいアモルファス材
料を用いるとＩａｌ造時の特性劣化が少ないため、均一
な性能のインダクタンス部品を多量に製造するのに好適
である。

また本発明において、第３図、第４図または第５図に示
す如く導電巻線２ｃ、、２ｄ　、２ｅの外側からさらに
アモルファス材料３を巻回する構造にすると、同体積の
ものに比ベインダクタンスが著しく高くなり、しかも電
流−インダクタンス特性が第６図に示すような、いわゆ
る１字型特性とすることが出来るのでチョークコイル等
としてノイズを抑える場合等に優れた性能を発揮する。

さらに、本発明の大ぎな特長の一つとして、上記構造に
することにより、薄帯状のアモルファス材料をＥｌ形状
又は１〜ロイダル形状等に形成するのと比べ、著しく製
造が容易になるという点にある。また一方、上記アモル
ファス材わ１として磁歪の小さなものを用いると、製；
告時の加Ｔ変形１等の影響をほとんど排除できるので、
インダクタンス値大ぎく、かつ均一な特性のｂのが得ら
れる利点がある。

したがって、本発明においてアモルファス月利特性とし
ては磁歪の絶対値は出来るだけ小さい程良いが、実験の
結果−１，２Ｘ　１０　から＋　１，２Ｘ　１０“の範
囲であれば実用できる見通しを得ている。

実施例１ 磁歪λが大略零のＣｏｌアモルファス材利を材料、幅１
０ｍｍ、良さ３０ｎ＋ｍ、厚さ５ｍｍに巻回し、第１図
のごとぎチョークを試作したどころ、ＥＩ型ラフエライ
トチョーク比べ体積で約１／２の大きざにすることが出
来、かつ発熱も半分以下とすることが出来た。

実施例２ フエライ１−の棒状コア４に巻線２ｅを施し、その外周
部へ第５図の如くアモルファス材３Ｃを周回させてチョ
ークコイルを試作したところ、インダクタンスが約１０
倍に向上し、かつ大電流下でのインダクタンス値がけと
んどかわらないようにすることが出来た。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図および第５図は本発明
の実施例を示す概略構成図、第６図は第４図又は第５図
の実施例の場合におけるインダクタンス−電流特性曲線
説明図である。 １；３：アモルファス磁性体、２：導電巻線′儲爾の浄
書（内容に変更なし） 第１図 第　５　図 第６図 Ｕ−＋−ＩＤＣ 手続補正書（方式） ％式％ ５１１＋１１　＋７）　名称　インダクタンス部品神１
１−をする各 Ｙ　１１晩５０Ｒ１１Ｉ　Ｉ’ｆ、　を属株式−会社代
　ル　古　ンｉｌｌ　野　リ１１　夫代　理　人 補正命令の日付　昭和５９年５月２９日（発送日）Ｍｔ
　１１ｉの対象 手続補正書 昭和６０年３月２５日 特許庁長官殿 事件の表示　漬遊 昭和５９年　特許願　第４５２９６号 発明の名称　インダクタンス部品 補正をＪる者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都千代田区丸ノ内二丁目１番２号名称　（５
０８）日立金属株式会社 代表者　河　野　典　夫 代理人 住所　東京都千代田区丸の内二丁目１番２月日　立　金
　属　株　式　会　社　内 電話　東京２８４−４６４２　（代表）氏名　（８００
１）　弁理士　高　石　橘　馬補正の対象　明細用の１
発明の詳細な説明」の欄。 補正の内容 １、第２頁第１０行の後に、次の文を追加する。 ７なわち、フェライト磁心を用いたチョークあるいはト
ランスなどでは高周波損失が小さいため、これによる発
熱等はさほど問題とならないが、Ｃｔ＋ｒｉｅ点が低く
、かつ飽和磁束が低いために、実際上の動作磁束密度は
２〜ａｋｏ位しかとれないため、どうしてもコアが大型
になってしまい、電子機器の小型化という盲点からは、
全く不都合な存在となってしまっている。すなわち、電
子機器の内、トランジスターなどの能動部品はすでに大
幅に小型化されているのに比べ、このフェライトのコア
類のみは旧態依然として大きな場所を占めている。 また一方、磁束密度の高い５ｉ−ｓｔｅｅｌなどを用い
たインダクタンス部品も徐々には使われているが、こち
らは厚さの薄い素材を得ることが雌しく、したがって、
厚内のものが使用されており、その結果として、高周波
におけるｅｄｄｙ　ｃｕｒｒｅｎｔｌｏｓｓ発生のため
の発熱が大きくなり、こちらも現状の世の中の要求に対
して十分対応できていないのが実状であるヨ ２、第３頁第４行〜第６行の［高周波において鉄損が低
く大電流を流しても容易に飽和しないという大きな特長
をもつ上に］を次の通り訂正する。 １周波において鉄損が低いという特長を生かしたもので
、大電流を流しても容易に飽和しない上に、高周波化し
ても発熱が少ないという大きな特長をもち、かつ」 ３、同頁第８行の［出来るので、■乗上の価値は著しく
高いＪをＵ出来るという特長をそなえている」に訂正す
る。 ４、同頁同行の後に次の文を追加する。 霞゛なわち、たとえばＦｅベースのアモルファス材料で
は、飽和磁束は１７に９程度まで達するものもあり、フ
ェライトに比べ大幅に高く、かつ、Ｑｕｒ１０点も３０
０〜４００℃とこれもフェライトの２００℃近辺に比べ
ると大幅に高いため、電子機器の中で使われる場合の温
度上昇からみると、動作磁束はフェライトの少なくとも
２〜３倍以上はとることが出来、磁心材料の使用量は、
大幅に低減できる。 また一方、アモルファス材料は本来的に高速で急冷凝固
させてつくるものであり、５ｉ−ｓｔｅｅｌの板ではつ
くりにくかった、２５μ程度の薄板が極めて容易に得ら
れ、この点からみると、Ｓｉ　−５ｔｅｅｌで問題とな
った高周波におけるｅｄｄｙＣｌｌｒｒｅｎｔによる発
熱は大幅に低減できる。なおかつ、アモルファス磁性体
はその組成および構造の点からして本来的に高抵抗材料
であり、その面からみても高周波用途には適しているｄ ５、同頁第１１行の「均一な性能の」の前に「より高性
能で」を挿入づる。 ６、同頁第１２行の後に次の文を追加する。 圧のことは、たとえば、磁歪が零に近いＣＯベースのア
モルファス材料を用いると、Ｆｅベースの材１３１に比
べ、より低損失で、高インダクタンスの部品をつくるこ
とが出来、なおかつ、磁歪が零に近いため、外力の影響
を受けにくく、製造時の様々な外的ファクターのばらつ
きに対して感受性を低くすることが出来、性能の安定し
た部品を歩留りよくつくることが出来る。 なおこの場合、飽和磁束密度の高い材料、具体的には６
ｋＱ　以上、望ましくは７Ｊ１以上の材料を用いると、
高周波で発熱しにくく、かつ、従来のフェライト磁心を
用いたものに比べ、かなり小型のインダクタンス部品を
得ることが出来る。 また、８ｋ（Ｉ以下、望ましくは７ｋｇ以下で、磁歪の
小さなアモルファス材料を用いると、特に透磁率を従来
のフェライ１〜や、５ｉ−３ｔｌｌに比べ、大幅に高く
することが出来、したがって、特に低電流高インダクタ
ンス用途に用いた部品をつくることが出来る。」 ７、同頁第１９行の「チョークコイル等として」の後に
［とくに低出力時のりップル」を挿入する。 ８、第４頁第４行〜第５行の［著しく製造が容易になる
という点にある」を［著しく製造が容易になり、とくに
Ｅコア製造に比べると、歩留りも大幅に向上することが
出来る」に訂正する。 ９、同頁第８行〜第９行の［かつ均一な特性のものが得
られる利点があるＪを「高性能で均一な特性のものが得
られる点は、前述のとうりである」に訂正する。 １０、同頁第１３行の「ｌｔ５囲であれば実用できる見
通しを得ている」を「範囲で、すぐれた結果の得られる
ことが判明している」に訂正する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定形状に成型したアモルファス磁性゛体に巻線を
   施したことを特徴とするインダクタンス部品。 ２、棒状の磁性体に巻線を施し、該巻線の外周部にアモ
   ルファス磁性体を巻回したことを特徴とするインダクタ
   ンス部品。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載のものにお
   いて、上記アモルファス磁性体の磁歪の大６ きざが−１，２ｘ　１０　から＋　１，２ｘ　１０　の
   範囲であることを特徴とするインダクタンス部品。 ４、特許請求の範囲第１項または第２項において、−Ｖ
   記アモルファス磁性体の飽和磁束が１１〈０以上のもの
   であることを特徴とするインダクタンス部品。 ５、特許請求の範囲第１項または第２項において、とく
   に用いる磁性アモルファス磁性体の飽和磁束が７ＫＧ以
   下のものとすることを特徴とするインダクタンス部品。