JPS6018972A - 非晶質シリコン太陽電池 - Google Patents
非晶質シリコン太陽電池Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は非晶質シリコン太陽電池、特に可撓性基板を用
いた非晶質シリコン太陽電池に関するものである。
いた非晶質シリコン太陽電池に関するものである。
一般に、非晶質シリコンからなる太陽電池の基板として
は、透光性ガラス板もしくはステンレス板材が多くの優
れた特徴を有していることがら、近年ではその主流とな
っている。一方、非晶質シリコンを用いた太陽電池はセ
ル１個当シで螢光灯下で得られる開放電圧が約０．７Ｖ
前後であシ、との太陽電池を例えば電卓等の電源として
用いた場合、少なくとも３個以上のセルを直列接続する
必要がある。通常、基板としてガラス板を用いた場合は
、表面が平滑であシ、かつ十分な絶縁性を有しているた
め、このガラス基板上に直列接続構造の太陽電池を形成
するととは極めて容易である。しかしながら、最近では
可撓性基板を用いた太陽電池の要求が高まシ、この場合
、上述したガラス基板の使用は不可能である。そこで、
可撓性基板としてステンレスフィルムや耐熱性樹脂膜を
用いた非晶質シリコン太陽電池が提案されているが、両
者とも良好な太陽電池の特性を得るのに十分な表面平滑
度を得ることは難かしく、ステンレスフィルムの場合社
、さらに基板表面の絶縁が必要となる。
は、透光性ガラス板もしくはステンレス板材が多くの優
れた特徴を有していることがら、近年ではその主流とな
っている。一方、非晶質シリコンを用いた太陽電池はセ
ル１個当シで螢光灯下で得られる開放電圧が約０．７Ｖ
前後であシ、との太陽電池を例えば電卓等の電源として
用いた場合、少なくとも３個以上のセルを直列接続する
必要がある。通常、基板としてガラス板を用いた場合は
、表面が平滑であシ、かつ十分な絶縁性を有しているた
め、このガラス基板上に直列接続構造の太陽電池を形成
するととは極めて容易である。しかしながら、最近では
可撓性基板を用いた太陽電池の要求が高まシ、この場合
、上述したガラス基板の使用は不可能である。そこで、
可撓性基板としてステンレスフィルムや耐熱性樹脂膜を
用いた非晶質シリコン太陽電池が提案されているが、両
者とも良好な太陽電池の特性を得るのに十分な表面平滑
度を得ることは難かしく、ステンレスフィルムの場合社
、さらに基板表面の絶縁が必要となる。
この対策として、既に発明者らは、可撓性かつ耐熱性を
有する基板上に耐熱性樹脂膜を形成し、この樹脂膜上に
電極および非晶質シリコン膜を形成することによって、
表面平滑度および絶縁性を向上させた非晶質シリコン太
陽電池を提案している。
有する基板上に耐熱性樹脂膜を形成し、この樹脂膜上に
電極および非晶質シリコン膜を形成することによって、
表面平滑度および絶縁性を向上させた非晶質シリコン太
陽電池を提案している。
しかしながら、このような措成にょる非晶質シリコン太
陽電池において、基板上に形成される耐熱性樹脂膜は、
一般に信頼性に乏しく、特に耐湿性に問題があった。す
なわち前記処理を施した基板上に電極および非晶質シリ
コン膜のみを形成しただけでは、長時間の経過にょシ、
耐熱性樹脂膜が吸湿して電極裏面を酸化させたシ、電極
を４１１ ＊ｉｌさせたシして太陽電池の電気的特性が
劣化するという欠点があった。
陽電池において、基板上に形成される耐熱性樹脂膜は、
一般に信頼性に乏しく、特に耐湿性に問題があった。す
なわち前記処理を施した基板上に電極および非晶質シリ
コン膜のみを形成しただけでは、長時間の経過にょシ、
耐熱性樹脂膜が吸湿して電極裏面を酸化させたシ、電極
を４１１ ＊ｉｌさせたシして太陽電池の電気的特性が
劣化するという欠点があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり
、その目的は、可撓性基板を用い、しかもその上に形成
される電極の酸化、剥離等の発生を防止して電気的特性
の経時劣化を有効に抑制することが■」能な非晶質シリ
コン太陽電池を提供することにある。
、その目的は、可撓性基板を用い、しかもその上に形成
される電極の酸化、剥離等の発生を防止して電気的特性
の経時劣化を有効に抑制することが■」能な非晶質シリ
コン太陽電池を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、基板と下
部電極との間に、基板との接着力が大きい第１の絶縁膜
およびその上の光電変換用非晶質シリコン膜との接着力
が大きい第２の絶縁膜からなる無機絶縁膜を介在させた
ものである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明
する。
部電極との間に、基板との接着力が大きい第１の絶縁膜
およびその上の光電変換用非晶質シリコン膜との接着力
が大きい第２の絶縁膜からなる無機絶縁膜を介在させた
ものである。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明
する。
第１図は本発明の一実施例を示す要部平面図、第２図は
その断面図である。図において、可撓性かつ耐熱性を有
する例えば板厚約１００μｍのステンレス基板１の表面
を、表面粗さが約０．１μｍ以下となる程度に研磨する
。次に表面が研磨されたステンレス基板１の上面に耐熱
性を有するポリイミド樹脂からなる樹脂薄膜２を厚さ約
２μｍ程度に形成する。この場合、膜形成方法としては
、液状の樹脂をロールコータで塗布後、約３００℃で乾
燥させる。
その断面図である。図において、可撓性かつ耐熱性を有
する例えば板厚約１００μｍのステンレス基板１の表面
を、表面粗さが約０．１μｍ以下となる程度に研磨する
。次に表面が研磨されたステンレス基板１の上面に耐熱
性を有するポリイミド樹脂からなる樹脂薄膜２を厚さ約
２μｍ程度に形成する。この場合、膜形成方法としては
、液状の樹脂をロールコータで塗布後、約３００℃で乾
燥させる。
このようにして樹脂薄膜２を形成したステンレス基板１
上に、スパッタリング法によシ上記樹脂薄膜２との接着
力の大きい非晶質シリコンからなる第１の絶縁膜３ａを
約５００にのＰＩＪ厚に形成し、引続きスパッタリング
法によシ５１０２からなる第２の絶縁膜３ｂを約２００
ＯＡの膜厚に形成して膜厚２５００Ｘ程度の無機絶縁膜
３を形成する。次にこの無機絶縁膜３上にステンレスを
スパッタしてＰ厚約２０００Ａ程度の下部電極４ａ 、
４ｂ 、４ｃ 、４ｄ 、４ｅをそれぞれ所定間隔幅で
形成する。次にこれらの各下部電極わ’ ＋ ’ ｂ＋
４ Ｃ＋ ４ ｄ ＊ ４ ｅが形成された無機絶縁
膜３上にプラズマＣＶＤ法によシ、基板１の温度約２５
０℃てＰ、ｉ、ｎまたはｎ、ｉ、Ｐの順に光電変換用の
非晶質シリコン膜５を形成し、さらに前記各下部電＠４
ａ＋ ４ ｂ ＋ ４ Ｃ＋ ４ ｄ、 ４ ｅと対
向する非晶質シリコン膜５には、相互に隣接する各下部
電極４ ｂ ＋ ４ Ｃ＋ ４ ｄ 、４ ｅ上の一端
にまたがって”ｎ２０２ ５ｎｏ２を約８０ＯＡの厚さ
にスパッタリングして透光性上部電極（ｉａ 、６ｂ
、６ｅ、６ｄ 、６ｅをそれぞれ被着形成する。最後に
これらの上部電極６色。
上に、スパッタリング法によシ上記樹脂薄膜２との接着
力の大きい非晶質シリコンからなる第１の絶縁膜３ａを
約５００にのＰＩＪ厚に形成し、引続きスパッタリング
法によシ５１０２からなる第２の絶縁膜３ｂを約２００
ＯＡの膜厚に形成して膜厚２５００Ｘ程度の無機絶縁膜
３を形成する。次にこの無機絶縁膜３上にステンレスを
スパッタしてＰ厚約２０００Ａ程度の下部電極４ａ 、
４ｂ 、４ｃ 、４ｄ 、４ｅをそれぞれ所定間隔幅で
形成する。次にこれらの各下部電極わ’ ＋ ’ ｂ＋
４ Ｃ＋ ４ ｄ ＊ ４ ｅが形成された無機絶縁
膜３上にプラズマＣＶＤ法によシ、基板１の温度約２５
０℃てＰ、ｉ、ｎまたはｎ、ｉ、Ｐの順に光電変換用の
非晶質シリコン膜５を形成し、さらに前記各下部電＠４
ａ＋ ４ ｂ ＋ ４ Ｃ＋ ４ ｄ、 ４ ｅと対
向する非晶質シリコン膜５には、相互に隣接する各下部
電極４ ｂ ＋ ４ Ｃ＋ ４ ｄ 、４ ｅ上の一端
にまたがって”ｎ２０２ ５ｎｏ２を約８０ＯＡの厚さ
にスパッタリングして透光性上部電極（ｉａ 、６ｂ
、６ｅ、６ｄ 、６ｅをそれぞれ被着形成する。最後に
これらの上部電極６色。
６ ｂ −６ｃ ＋ ６ ｄ ＊ ６ ｅ上に８１０２
を約２０００Ｘの厚さにスパッタリングしてパツシベー
ショントシテの５ｉ０２膜７を被着形成し、５個直列接
続された非晶質シリコン太陽電池を完成した。この場合
、５個の非晶質シリコン太陽電池の相互の接続は各上部
電極６ＩＬ、６ｂ、６ＣＩ６ｄ、６ｅのｆｉｔ ′Ｊ１
ＪＬパターンの形成と同時に形成され、また、上部電極
６ａの一端部と下部電極４ｅの一端部には出力電圧取り
出し用の端子６ａ 、４ｅがそれぞれ形成されている。
を約２０００Ｘの厚さにスパッタリングしてパツシベー
ショントシテの５ｉ０２膜７を被着形成し、５個直列接
続された非晶質シリコン太陽電池を完成した。この場合
、５個の非晶質シリコン太陽電池の相互の接続は各上部
電極６ＩＬ、６ｂ、６ＣＩ６ｄ、６ｅのｆｉｔ ′Ｊ１
ＪＬパターンの形成と同時に形成され、また、上部電極
６ａの一端部と下部電極４ｅの一端部には出力電圧取り
出し用の端子６ａ 、４ｅがそれぞれ形成されている。
このように構成された非晶質シリコン太陽電池において
、ステンレス基板１の上面を研磨してその表面に耐熱性
を有する樹脂薄膜２を設け、さらにその表面に耐湿性を
有する無機絶縁膜３を設けたことによって、太陽電池の
基板として十分な平面平滑度が得られ、かつ樹脂薄膜２
と各下部電極４八〜４ｅとの間を湿度から完全に遮断し
て絶縁することができるので、約ＺＯＯｔｕｘの螢光打
丁において、約３．３ｖの開放電圧と約１８μＡの短絡
電流が得られた。なお、この場合、セル１個（受光面精
１−）当シの開放電圧は約０．６６Ｖであり、セル間の
絶縁不良による損失は全く生じなかった。また、耐熱性
樹脂薄膜２上に無機絶縁膜３を設けたことによシ、温度
約７０℃、相対湿度約９５係で約１０００時間以上の耐
湿試験においても下部電極４ａ〜４ｅの酸化、剥離等の
発生が皆無となり、電気的特性の劣化も全く発生しなか
った。
、ステンレス基板１の上面を研磨してその表面に耐熱性
を有する樹脂薄膜２を設け、さらにその表面に耐湿性を
有する無機絶縁膜３を設けたことによって、太陽電池の
基板として十分な平面平滑度が得られ、かつ樹脂薄膜２
と各下部電極４八〜４ｅとの間を湿度から完全に遮断し
て絶縁することができるので、約ＺＯＯｔｕｘの螢光打
丁において、約３．３ｖの開放電圧と約１８μＡの短絡
電流が得られた。なお、この場合、セル１個（受光面精
１−）当シの開放電圧は約０．６６Ｖであり、セル間の
絶縁不良による損失は全く生じなかった。また、耐熱性
樹脂薄膜２上に無機絶縁膜３を設けたことによシ、温度
約７０℃、相対湿度約９５係で約１０００時間以上の耐
湿試験においても下部電極４ａ〜４ｅの酸化、剥離等の
発生が皆無となり、電気的特性の劣化も全く発生しなか
った。
さらに０℃に５分間保ち、その後１０秒間で１００℃ま
で昇温し、５分間維持した後再び１０秒間でＯ′Ｃまで
戻すという熱衝撃試験を水中で２０サイクル行なった結
果でも、基板１と無機絶縁膜３、無機絶縁膜３と非晶質
シリコン膜５いずれの間でも剥離は全く発生しなかった
。同様の条件で、この無機絶縁膜３としてスパッタリン
グによシ形成した非晶質シリコンの単層を用いたものに
ついて実験した結果では光電変換用の非晶質シリコン膜
との間に剥離が生じ、本発明による２重構造の無機絶縁
膜の有効性が確認された。
で昇温し、５分間維持した後再び１０秒間でＯ′Ｃまで
戻すという熱衝撃試験を水中で２０サイクル行なった結
果でも、基板１と無機絶縁膜３、無機絶縁膜３と非晶質
シリコン膜５いずれの間でも剥離は全く発生しなかった
。同様の条件で、この無機絶縁膜３としてスパッタリン
グによシ形成した非晶質シリコンの単層を用いたものに
ついて実験した結果では光電変換用の非晶質シリコン膜
との間に剥離が生じ、本発明による２重構造の無機絶縁
膜の有効性が確認された。
なお、無機絶縁膜３の厚さは第１・第２の各絶縁膜とも
それぞれ２００Ａ以上で、両者の合引が１０μｍ以下で
あることが望ましい。各絶縁膜の膜厚が２００Ａ未満で
は十分な効果が得らｈず、逆に全体の膜厚が１０μｍを
越えると基板を折シ曲げた際に剥離が生じやすくなる。
それぞれ２００Ａ以上で、両者の合引が１０μｍ以下で
あることが望ましい。各絶縁膜の膜厚が２００Ａ未満で
は十分な効果が得らｈず、逆に全体の膜厚が１０μｍを
越えると基板を折シ曲げた際に剥離が生じやすくなる。
第１の絶縁膜３ａとしては、上述した非晶質シリコンの
外Ｋ例えばクロムの酸化物Ｃｒ２Ｏ３あるいはこれらを
含む化合物を用いることができ、第２の絶縁膜３ｂとし
ては５ｉ０２の外にも例えばｈｔ２ｏ３１Ｓｉ３Ｎ４あ
るいはこれらを含む化合物などを用いることができる。
外Ｋ例えばクロムの酸化物Ｃｒ２Ｏ３あるいはこれらを
含む化合物を用いることができ、第２の絶縁膜３ｂとし
ては５ｉ０２の外にも例えばｈｔ２ｏ３１Ｓｉ３Ｎ４あ
るいはこれらを含む化合物などを用いることができる。
Ｃｒ２Ｏ３単層では上述した非晶質シリコンと同様光電
変換用非晶質シリコン膜５との接着性に劣シ、逆Ｋ Ｓ
ｉ Ｏ２＋ Ａ ’ ２０３＋ Ｓ ｌ ３Ｎ４など
単層では基板１との接着性に劣るが、これらを組合せる
ことによって上述した実施例と同様の効果を得ることが
できる。また、このような無機絶縁膜３の形成方法もス
パッタリング法ＶＣ限定さｈるものではなく、蒸着法、
イオンブレーティング法、 ＣＶＤ法またはプラズマＣ
ＶＤ法のいずれを用いてもよい。
変換用非晶質シリコン膜５との接着性に劣シ、逆Ｋ Ｓ
ｉ Ｏ２＋ Ａ ’ ２０３＋ Ｓ ｌ ３Ｎ４など
単層では基板１との接着性に劣るが、これらを組合せる
ことによって上述した実施例と同様の効果を得ることが
できる。また、このような無機絶縁膜３の形成方法もス
パッタリング法ＶＣ限定さｈるものではなく、蒸着法、
イオンブレーティング法、 ＣＶＤ法またはプラズマＣ
ＶＤ法のいずれを用いてもよい。
また、前記実施例において、非晶質シリコン膜を形成す
る可撓性かつ耐熱性を有する基板として、板厚的１００
μｍのステンレス基板を用いた場合について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、このステン
レス基板の代シに板厚的１００μｍの金屑基板、例えば
Ｆｅ−Ｎｉ合金板またはｔｌ熱性樹脂膜として例えばポ
リイミド系のカプトン（商品名）を用いた場合において
も前述と全く同様の効果が祠られた。また、これらの基
板の厚さも特に１００μｍに限定されるものではない。
る可撓性かつ耐熱性を有する基板として、板厚的１００
μｍのステンレス基板を用いた場合について説明したが
、本発明はこれに限定されるものではなく、このステン
レス基板の代シに板厚的１００μｍの金屑基板、例えば
Ｆｅ−Ｎｉ合金板またはｔｌ熱性樹脂膜として例えばポ
リイミド系のカプトン（商品名）を用いた場合において
も前述と全く同様の効果が祠られた。また、これらの基
板の厚さも特に１００μｍに限定されるものではない。
また、前記実施例において、基板上に形成する側熱性樹
脂薄膜は、約５μｍの厚恣に形成した場合について説明
したが、との膜厚は基板の板厚によっても異なるので、
概略０．１〜１００μｍの範囲て形成すれ、ば良い。こ
の場合、膜厚は０，１μｍ以下では絶縁性が得られず、
１００μｍ以上となると、折り曲り゛たときに脱刷れが
生じることから、仁の膜厚は０．１〜１００μｍの範囲
が良く、さらには、膜特性。
脂薄膜は、約５μｍの厚恣に形成した場合について説明
したが、との膜厚は基板の板厚によっても異なるので、
概略０．１〜１００μｍの範囲て形成すれ、ば良い。こ
の場合、膜厚は０，１μｍ以下では絶縁性が得られず、
１００μｍ以上となると、折り曲り゛たときに脱刷れが
生じることから、仁の膜厚は０．１〜１００μｍの範囲
が良く、さらには、膜特性。
生産性等の点から考慮して２〜１０μｍの範囲が最適で
ある。
ある。
以上説明したように本発明によれは、光電変換用の非晶
質シリコン膜、電極を形成する可撓性かつ耐熱性を有す
る基板上に、基板との接着力が大きい第１の絶縁膜と、
非晶質シリコン膜との接着力が大きい第２の絶縁膜とか
らなる無機絶縁膜を設けたことによって電極の酸化、剥
離等の発生が皆無となシ、電気的特性の経時劣化を確実
に抑制することができるので、信頼性の高い、高品質。
質シリコン膜、電極を形成する可撓性かつ耐熱性を有す
る基板上に、基板との接着力が大きい第１の絶縁膜と、
非晶質シリコン膜との接着力が大きい第２の絶縁膜とか
らなる無機絶縁膜を設けたことによって電極の酸化、剥
離等の発生が皆無となシ、電気的特性の経時劣化を確実
に抑制することができるので、信頼性の高い、高品質。
高性能の非晶質シリコン太陽電池が得られるという極め
て優れた効果を有する。
て優れた効果を有する。
第１図は本発明による非晶質シリコン太陽電池の一例を
示す要部平面図、第２図はその断面図である。 １・・・・ステンレス基板、２・・・・樹脂薄膜、３・
・・・無機絶縁膜、３ａ ・・・・第１の絶縁膜、３ｂ
＠＠＠ｍ第２の絶縁膜、４ａ、４ｂ、４ｃ。 ４ｄ、４ｅ ・・・・下部電極、４０′・・・・端子、
５・・・拳非晶質シリコン膜、（ｉａ 、５ｂ 、６ｃ
ｔ６ｄｔ６ｅ ・・・・上部電極、６ａ′・・・・端
子、７・−・＊ ＪＯ２膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 ６へ
示す要部平面図、第２図はその断面図である。 １・・・・ステンレス基板、２・・・・樹脂薄膜、３・
・・・無機絶縁膜、３ａ ・・・・第１の絶縁膜、３ｂ
＠＠＠ｍ第２の絶縁膜、４ａ、４ｂ、４ｃ。 ４ｄ、４ｅ ・・・・下部電極、４０′・・・・端子、
５・・・拳非晶質シリコン膜、（ｉａ 、５ｂ 、６ｃ
ｔ６ｄｔ６ｅ ・・・・上部電極、６ａ′・・・・端
子、７・−・＊ ＪＯ２膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 ６へ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、可撓性かつ耐熱性を有する基板と、前記基板上に形
成された下部電極と、前記下部電極上に形成された光電
変換用の非晶質シリコン膜と、前記非晶質シリコン膜上
に形成された上部電極とを少なくとも備えた非晶質シリ
コン太陽電池において、前記基板と前記下部電極との間
に、前記基板上に直接形成した当該基板との接着力が大
きい第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜上に形成した前
記非晶質シリコン膜との接着力が大きい第２の絶縁膜と
からなる無機絶縁膜を設けたことを特徴とする非晶質シ
リコン太陽電池。 ２ 第１の絶縁膜は非晶質シリコンもしくはＣｒの酸化
物またはこれらを含む化合物のいずれかとしたことを特
徴とする特Ｗ［請求の範囲第１項記載の非晶質シリコン
太陽電池。 ３、第２の絶縁膜は”’ １０２ ＋ Ａｔ２０３ ＋
Ｓ １３Ｎ４もしくはこれらを含む化合物のいずれか
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非
晶質シリコン太陽電池。 ４、前記基板は表面に耐熱性樹脂膜を有するステンレス
板としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
非晶質シリコン太陽電池。 ５、前記基板は耐熱性樹脂板としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の非晶質シリコン太陽電池。 ６、前記基板は、表面に耐熱性樹脂膜を有する耐熱性樹
脂板としたことをＩＰｊ徴とする特許請求の範囲第１項
記載の非晶質シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126012A JPS6018972A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58126012A JPS6018972A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018972A true JPS6018972A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14924538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58126012A Pending JPS6018972A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018972A (ja) |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58126012A patent/JPS6018972A/ja active Pending
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