JPS60187650A - 複合形状記憶合金体 - Google Patents
複合形状記憶合金体Info
- Publication number
- JPS60187650A JPS60187650A JP4190384A JP4190384A JPS60187650A JP S60187650 A JPS60187650 A JP S60187650A JP 4190384 A JP4190384 A JP 4190384A JP 4190384 A JP4190384 A JP 4190384A JP S60187650 A JPS60187650 A JP S60187650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shape memory
- memory alloy
- base body
- composite shape
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manipulator (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はロボットのアクチュエータ〜や一般産業機械の
サーモスタットおよび過電流継電器に用いられる複合形
状記憶合金体に関する。
サーモスタットおよび過電流継電器に用いられる複合形
状記憶合金体に関する。
形状記憶合金は低温のマルテンサイト状態で変形した後
、変態温度以上の高温に加熱すると高温型組への変MV
Cよ)変形前の形状を復元する性質を持った合金で、こ
の性質と変態温度の上下でその変形能を、も変わる特性
を利用し、適度な弾性体(バネなど)と組合せてアクチ
ュエーター、サーモスタットや過電流継電器に用いられ
ている。しかしながら前述した熱動作のためには周囲の
温度又は自己通電加熱の電流のそれぞれの変化に応じて
すみやかにその形状を変えることを要求されるが、これ
ら形状記憶合金の熱伝導率は低くく特に降温に際しての
放熱が十分でないため、敏速性に欠けた)、電気抵抗率
が大きいため特に大電流用の継電器では発熱らスを防ぐ
ため分流回路を必要としたシして、当該合金の性能を十
分に発揮させ得なかった。
、変態温度以上の高温に加熱すると高温型組への変MV
Cよ)変形前の形状を復元する性質を持った合金で、こ
の性質と変態温度の上下でその変形能を、も変わる特性
を利用し、適度な弾性体(バネなど)と組合せてアクチ
ュエーター、サーモスタットや過電流継電器に用いられ
ている。しかしながら前述した熱動作のためには周囲の
温度又は自己通電加熱の電流のそれぞれの変化に応じて
すみやかにその形状を変えることを要求されるが、これ
ら形状記憶合金の熱伝導率は低くく特に降温に際しての
放熱が十分でないため、敏速性に欠けた)、電気抵抗率
が大きいため特に大電流用の継電器では発熱らスを防ぐ
ため分流回路を必要としたシして、当該合金の性能を十
分に発揮させ得なかった。
本発明は上述した従来形状記憶合金の欠点を改良したも
ので降温時の放熱処理が容易で篩速応答が可能でかつ構
造が単純な複合形状記憶合金体を提供することを目的と
する。
ので降温時の放熱処理が容易で篩速応答が可能でかつ構
造が単純な複合形状記憶合金体を提供することを目的と
する。
本発明は形状記憶合金からなる基体表面の少なくとも一
部に前記形状記憶合金より大きな熱伝導率を有する金属
層で被覆された複合形状記憶合金体である。
部に前記形状記憶合金より大きな熱伝導率を有する金属
層で被覆された複合形状記憶合金体である。
発明は形状記憶合金よりなる基体をよシ熱伝導率の高く
且つ電気抵抗率の低い金属層で被g、″jることにより
接合点、支持点からの熱伝達を促進せしめ降温時の放熱
処理を容易にし敏速応答を得ることができ、その上、前
記金属層を全面に亘って設けかつ電気抵抗の小さなもの
を用いる事によ勺大電流継電器用でも分流回路が不用に
なると言うものである。
且つ電気抵抗率の低い金属層で被g、″jることにより
接合点、支持点からの熱伝達を促進せしめ降温時の放熱
処理を容易にし敏速応答を得ることができ、その上、前
記金属層を全面に亘って設けかつ電気抵抗の小さなもの
を用いる事によ勺大電流継電器用でも分流回路が不用に
なると言うものである。
ここで被覆すべき金属層は当該記憶合金よ)大きな熱伝
導率を持ったものなら何でも良いが実用上鋼、アルミニ
ウム及びそれらの合金が効果的である。
導率を持ったものなら何でも良いが実用上鋼、アルミニ
ウム及びそれらの合金が効果的である。
また被覆厚さく1−jNl伝導向上および必要に応じ電
気抵抗の低下の面からは大きい方が良いが、形状記憶効
果が薄れるので断面積比率で20%以下とする事が望ま
しい。
気抵抗の低下の面からは大きい方が良いが、形状記憶効
果が薄れるので断面積比率で20%以下とする事が望ま
しい。
さらに被覆方法では、無電解メッキ、電気メツを、蒸着
、スパッター、プラズマ、OVD、冷間圧着、冷間引抜
及びそれらの組合せなど諸方法があるが、被覆金属、被
覆厚さ及びその形状VCあわせて選択できる。
、スパッター、プラズマ、OVD、冷間圧着、冷間引抜
及びそれらの組合せなど諸方法があるが、被覆金属、被
覆厚さ及びその形状VCあわせて選択できる。
直径0.5謳(長さ300朋)ニチノール(Ni−Ti
)製(抵抗率80μΩcIIL)の線材を用意し活性化
処理(シラプレー社製のシラプレープロセス)の後化学
銅めっき(OF −78、シラプレー社製)で1時間処
理し金属層として4μmの化学銅めっきj−を形成した
。次に電気めっき(約16μ闘)を行い複合形状記憶合
金線を製作した。得られた線は平均径0.546關でそ
の抵抗率は11μΩαであった。この複合線及び比較例
としてのニチノール線にそれぞれ室温で1.75%の曲
げひずみを与え、72°Cの湯に浸漬したところどちら
も93チの回復を示したが、実施例でおる複合線の方が
1.25倍も早く回復した。
)製(抵抗率80μΩcIIL)の線材を用意し活性化
処理(シラプレー社製のシラプレープロセス)の後化学
銅めっき(OF −78、シラプレー社製)で1時間処
理し金属層として4μmの化学銅めっきj−を形成した
。次に電気めっき(約16μ闘)を行い複合形状記憶合
金線を製作した。得られた線は平均径0.546關でそ
の抵抗率は11μΩαであった。この複合線及び比較例
としてのニチノール線にそれぞれ室温で1.75%の曲
げひずみを与え、72°Cの湯に浸漬したところどちら
も93チの回復を示したが、実施例でおる複合線の方が
1.25倍も早く回復した。
上記実施例から明らかなように本発明に係る複合形状記
憶合金体は、単体の合金体の抵抗率80μΩαに比べ1
1μΩぼであ2てKも小さく電気伝導性に優れてお9、
かつ熱伝導も良いことが判る。
憶合金体は、単体の合金体の抵抗率80μΩαに比べ1
1μΩぼであ2てKも小さく電気伝導性に優れてお9、
かつ熱伝導も良いことが判る。
本発明は以上説明したように形状記憶合金の表面を熱伝
導率に優れ又必要により電気抵抗率の小さな金属で被覆
す4ことによシ当該合金の低熱伝尋率と高電気抵抗を補
うことによって接合点および支持点からの熱伝達が容易
になシ、大電流継電5用でも分流回路が不要になるなど
形状記憶合金の特性を最大限に活かすことができるので
工業上類る有用である。
導率に優れ又必要により電気抵抗率の小さな金属で被覆
す4ことによシ当該合金の低熱伝尋率と高電気抵抗を補
うことによって接合点および支持点からの熱伝達が容易
になシ、大電流継電5用でも分流回路が不要になるなど
形状記憶合金の特性を最大限に活かすことができるので
工業上類る有用である。
第1図は本発明に係る複合形状記憶合金体の斜視図であ
る。 1・・・形状記憶合金からなる基体 2・・・金属層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1名)第1図
る。 1・・・形状記憶合金からなる基体 2・・・金属層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑(ほか1名)第1図
Claims (1)
- 形状記憶合金からなる基体表面の少なくとも一部に前記
形状記憶合金より大きな熱伝導率を有する金属層を被覆
したことを特徴とする複合形状記憶合金体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4190384A JPS60187650A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 複合形状記憶合金体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4190384A JPS60187650A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 複合形状記憶合金体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60187650A true JPS60187650A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12621238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4190384A Pending JPS60187650A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 複合形状記憶合金体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60187650A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08108893A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 船舶の取水装置 |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP4190384A patent/JPS60187650A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08108893A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 船舶の取水装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3433892A (en) | Composite electrical conductor | |
US3417461A (en) | Thin-film diffusion brazing of titanium members utilizing copper intermediates | |
US3159462A (en) | Semiconductor and secured metal base and method of making the same | |
JPS60187650A (ja) | 複合形状記憶合金体 | |
JPH07157893A (ja) | 電気接点用Snめっき線とその製造方法 | |
US3082136A (en) | Semiconductor devices and method of manufacturing them | |
JPS61190177A (ja) | 形状記憶素子 | |
US3251128A (en) | Method of applying a low resistance contact to a bus | |
JP3814723B2 (ja) | 形状記憶合金の接合構造形成方法 | |
JP2647656B2 (ja) | 接触子の製造方法 | |
US3178271A (en) | High temperature ohmic joint for silicon semiconductor devices and method of forming same | |
JPS6327439B2 (ja) | ||
JPH0420269B2 (ja) | ||
JPS62267480A (ja) | メカニカルメツキ方法 | |
JPS604266B2 (ja) | 接点材料用銅合金及びその製造法 | |
JPH07150369A (ja) | 形状記憶合金製複合線材 | |
JPS62164897A (ja) | 導電用複合ブスバ− | |
JPH0480103B2 (ja) | ||
JPS61284593A (ja) | 接触子用銅合金条の製造方法 | |
JPS6363623B2 (ja) | ||
JPS61127892A (ja) | 形状記憶合金素子の製造方法 | |
JP4787462B2 (ja) | 絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法およびこの種の被覆された下地 | |
JPS5852284B2 (ja) | 温度ヒユ−ズ | |
JPS62154591A (ja) | 半田溶解用シ−ズヒ−タ | |
JPS61113760A (ja) | アルミニウムへのコ−テイング方法 |