JPS60187605A - 微粒子製造装置 - Google Patents
微粒子製造装置Info
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- JPS60187605A JPS60187605A JP4234284A JP4234284A JPS60187605A JP S60187605 A JPS60187605 A JP S60187605A JP 4234284 A JP4234284 A JP 4234284A JP 4234284 A JP4234284 A JP 4234284A JP S60187605 A JPS60187605 A JP S60187605A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金属等の原料を加熱して、そこから発生する
微粒子を回収する様に構成した微粒子製造装置に関する
ものである。
微粒子を回収する様に構成した微粒子製造装置に関する
ものである。
この柚の微粒子製造装置としては、炉体内下方に置かれ
る原料をアークによって加熱し、上記原料から発生する
微粒子を炉体側方から取出して回収する様にしたものが
従来より知られている。この様な装置においては、原料
に対するアークの照射位置が特定される関係から微粒子
を発生する面積は極めて狭く、製造収量も著しく少なく
制限される欠点がある。
る原料をアークによって加熱し、上記原料から発生する
微粒子を炉体側方から取出して回収する様にしたものが
従来より知られている。この様な装置においては、原料
に対するアークの照射位置が特定される関係から微粒子
を発生する面積は極めて狭く、製造収量も著しく少なく
制限される欠点がある。
又上記装置にあっては、上記の狭い原料表面から発生す
る微粒子は炉体側方に設けられるすし出口から引き出さ
れるものであるが、炉体仰１方の排出口に至る間におい
て炉体内に漂い、ある時は炉体内に付着して弊害をもた
らせ、或いは炉体の隅部に堆積して回収量を減少させる
間鵜点があった。
る微粒子は炉体側方に設けられるすし出口から引き出さ
れるものであるが、炉体仰１方の排出口に至る間におい
て炉体内に漂い、ある時は炉体内に付着して弊害をもた
らせ、或いは炉体の隅部に堆積して回収量を減少させる
間鵜点があった。
そこで本発明は上述の問題点を除く様にしたもので、原
料を環状に配置することによって広い微粒子発生面を形
成することができる様にすると共に、その環状に配され
た原料の中空部分から製造された微粒子を回収する様に
することによって、゛回収率の向上を図り得る様にした
微粒子！！！！造装置を提供しようとするものである。
料を環状に配置することによって広い微粒子発生面を形
成することができる様にすると共に、その環状に配され
た原料の中空部分から製造された微粒子を回収する様に
することによって、゛回収率の向上を図り得る様にした
微粒子！！！！造装置を提供しようとするものである。
以下不着の実施例を示す図面について説明する。
１は環状の基体、２は基体１に取付けたリング状のルツ
ボで、環状の原料溜シ３を有しておシ、且つ中央部には
排出口４を備えている。上記ルツボ２け通水路５、給水
口６、排水ロアを備えて水冷構造となっている。８はル
ツボ２の排出口４に一端を連通させた排出管で、通水路
９、給水口１０、初氷口１１を備えて水冷構造となって
いる。尚この排出管８の他端は図示外の周知の微粒子回
収装置に接続される。次に１４は絶縁環、１５はリング
プラズマトーチ、１６は絶縁環、１７は蓋体で、これら
は締具１８によって前記基体１に締め付けである。尚上
記基体１、ルツボ２、プラズマトーチ１５、蓋体１７等
は中空の炉体を構成する部材である。上記リングプラズ
マトーチ１５において、２０．２１は夫々環状のノズル
姿素で、両者間には環状の噴出口ηが形成されている。
ボで、環状の原料溜シ３を有しておシ、且つ中央部には
排出口４を備えている。上記ルツボ２け通水路５、給水
口６、排水ロアを備えて水冷構造となっている。８はル
ツボ２の排出口４に一端を連通させた排出管で、通水路
９、給水口１０、初氷口１１を備えて水冷構造となって
いる。尚この排出管８の他端は図示外の周知の微粒子回
収装置に接続される。次に１４は絶縁環、１５はリング
プラズマトーチ、１６は絶縁環、１７は蓋体で、これら
は締具１８によって前記基体１に締め付けである。尚上
記基体１、ルツボ２、プラズマトーチ１５、蓋体１７等
は中空の炉体を構成する部材である。上記リングプラズ
マトーチ１５において、２０．２１は夫々環状のノズル
姿素で、両者間には環状の噴出口ηが形成されている。
この噴出口ρは前記ルツボ２の原料溜り３に対してプラ
ズマガスを噴出し得る様、上記原料Ｍす３の１１１径と
対応する直径に形成しである。器は環状の陰極で、その
先端即ち噴出口ρに臨む部分にはｒ＃Ｊ熱性の高い金属
材料で形成された環状の極部材Ｕが備えておる。δ、２
６は絶縁環で、ノズル委累加、 ２１と陰極幻との絶縁
状態を保ったままでそれらを位置決めする為のものであ
る。
ズマガスを噴出し得る様、上記原料Ｍす３の１１１径と
対応する直径に形成しである。器は環状の陰極で、その
先端即ち噴出口ρに臨む部分にはｒ＃Ｊ熱性の高い金属
材料で形成された環状の極部材Ｕが備えておる。δ、２
６は絶縁環で、ノズル委累加、 ２１と陰極幻との絶縁
状態を保ったままでそれらを位置決めする為のものであ
る。
ηは絶縁環５．２６に形成きれたプラズマ化用ガスの供
給口を示す。尚ブ′ラズマ化用のカスとし、では水素、
アルゴン、窒素、ヘリウム等神々のものが目的に応じて
選択的に用いられる。田、２９は夫々絶縁耐火物を示す
。次に３１は原料供給路を示し、前記原料溜り３の上方
位置において複数筒Ｎｒ Ｋ ＩＺけられている。（は
上記供給路３１に接続した原料供給装置を示す。次に羽
は蓋体１７に取付けた搬送ガス供給筒で、図示されるθ
１１＜垂直状態に設けられておシ、その先端（下端）の
搬送ガス吹出［１３４は排出口４と対向し且つその排出
口４に近接をせて設けである。上記供給筒３３は通水路
語、給水に１側、排水口Ｉを備λ−て水冷構造となって
いる。次に田は回転用磁界発生装置を示し、特開昭ｂ
５−’４６２６６号公報においても知られている様に、
引出口乙のＩＭＦ９ｉにその噴出口授を半径方向に横切
る磁界を印加して、極部付勢の先端から噴出口ρを通し
て発生される）゛ラズマアークを環状の極部材２４に沿
って回転移動させる様にしたものである。
給口を示す。尚ブ′ラズマ化用のカスとし、では水素、
アルゴン、窒素、ヘリウム等神々のものが目的に応じて
選択的に用いられる。田、２９は夫々絶縁耐火物を示す
。次に３１は原料供給路を示し、前記原料溜り３の上方
位置において複数筒Ｎｒ Ｋ ＩＺけられている。（は
上記供給路３１に接続した原料供給装置を示す。次に羽
は蓋体１７に取付けた搬送ガス供給筒で、図示されるθ
１１＜垂直状態に設けられておシ、その先端（下端）の
搬送ガス吹出［１３４は排出口４と対向し且つその排出
口４に近接をせて設けである。上記供給筒３３は通水路
語、給水に１側、排水口Ｉを備λ−て水冷構造となって
いる。次に田は回転用磁界発生装置を示し、特開昭ｂ
５−’４６２６６号公報においても知られている様に、
引出口乙のＩＭＦ９ｉにその噴出口授を半径方向に横切
る磁界を印加して、極部付勢の先端から噴出口ρを通し
て発生される）゛ラズマアークを環状の極部材２４に沿
って回転移動させる様にしたものである。
上記構成のものにあっては、各通水路に夫々冷却水を流
通させると共に搬送カス供給筒おからは排出口４に向け
て搬送カス（そのａ１類はプラズマ化用として用いたガ
スを用いるとよいが、製造する舞粒子の純度を低下させ
ないものであれば他の神類のガスを用いてもよい。）を
排出口４に向けて吹出口調から吹き出させる。又原料供
給装置３２からは供給路３１を通して微粒子を得ようと
する原料の粒状物を原料溜り３に供給する。この状態に
おいて、ガス供給口ｎにプラズマ化用のガスを供給しそ
のガスを噴出口ρから原料溜り３に向けて噴出させると
共に、周知の手法をもってフ゛ラズマトーチ１５の点弧
を行ない、噴出口ηから原料溜り３へ向かうフヲス゛マ
アークを発生させる。上記フ゛ラズマアークは周知の様
に、又第３図に符号船で示される様に、環状の噴出口乙
の一部から原料溜り３に向けて発生し、そのアーク伯が
磁界発生装＠羽によって印加される磁界により矢印方向
に即ち環状の噴出口ρに沿ってぐるぐると移動する。
通させると共に搬送カス供給筒おからは排出口４に向け
て搬送カス（そのａ１類はプラズマ化用として用いたガ
スを用いるとよいが、製造する舞粒子の純度を低下させ
ないものであれば他の神類のガスを用いてもよい。）を
排出口４に向けて吹出口調から吹き出させる。又原料供
給装置３２からは供給路３１を通して微粒子を得ようと
する原料の粒状物を原料溜り３に供給する。この状態に
おいて、ガス供給口ｎにプラズマ化用のガスを供給しそ
のガスを噴出口ρから原料溜り３に向けて噴出させると
共に、周知の手法をもってフ゛ラズマトーチ１５の点弧
を行ない、噴出口ηから原料溜り３へ向かうフヲス゛マ
アークを発生させる。上記フ゛ラズマアークは周知の様
に、又第３図に符号船で示される様に、環状の噴出口乙
の一部から原料溜り３に向けて発生し、そのアーク伯が
磁界発生装＠羽によって印加される磁界により矢印方向
に即ち環状の噴出口ρに沿ってぐるぐると移動する。
上記の様にフ′ラズマアーク和か発生される結果、その
アークによって原料溜り３に溜っている粒状の原料は加
熱されて溶解しそこに環状の溶湯４１が形成される。上
記溶湯４１の各部には、プラズマアーク匍が上記の如く
回転する為にアークが間欠的に照射され、その結果、溶
湯４１からは微粒子が発生する。即ちその点について詳
細に説明すれば、溶ｆＭＪ４１の一部について見てみる
と、そこにプラズマアーク匍が照射されている時にはそ
のアークによって活性化したガスがその照則されている
部分の溶湯４１に多量に溶解する。上記回転するアーク
旬がその後上記照射場所から外れると、上記１１（１対
されていた部分の溶湯４１は水冷ルツボ２により冷やさ
れてその部分の温度が低下する為、」１記ガスはその場
所において過飽和の状態となる。従っでその過竿和とな
った量に相当するガスが溶ｆ４４１か゛らその上方空間
に放出され、それと共に溶湯４１の微粒子が溶湯４１の
上方空回に放出される。
アークによって原料溜り３に溜っている粒状の原料は加
熱されて溶解しそこに環状の溶湯４１が形成される。上
記溶湯４１の各部には、プラズマアーク匍が上記の如く
回転する為にアークが間欠的に照射され、その結果、溶
湯４１からは微粒子が発生する。即ちその点について詳
細に説明すれば、溶ｆＭＪ４１の一部について見てみる
と、そこにプラズマアーク匍が照射されている時にはそ
のアークによって活性化したガスがその照則されている
部分の溶湯４１に多量に溶解する。上記回転するアーク
旬がその後上記照射場所から外れると、上記１１（１対
されていた部分の溶湯４１は水冷ルツボ２により冷やさ
れてその部分の温度が低下する為、」１記ガスはその場
所において過飽和の状態となる。従っでその過竿和とな
った量に相当するガスが溶ｆ４４１か゛らその上方空間
に放出され、それと共に溶湯４１の微粒子が溶湯４１の
上方空回に放出される。
上記の様にして放出された微粒子は効率よく排出１−１
４に移動し、そこから排出管８を通って回収装置に送ら
れる。即ち搬送ガス供給筒部から排出口４に向けて搬送
ガスが吹き出されている為、排出口４の場所においては
サクシ言ン効果が生じそこが負圧状な−となる。又噴出
口ρからは常に溶湯４】の表面に向けてプラズマ化用の
ガスが噴出されている（アーク伯が他の場所に至った後
も）。この為」１記溶湯４１の上方に放出された微粒子
は、噴出口ρから溶湯４１の表面に向かいその後排出口
４に向かうガスの流れに乗って、矢印で示される如くわ
ｉ出１１４へ速やかに移動し、更に排出管８を通って凹
１１！装置に向けて送られる。その結果、生成された粒
子の二次納会や焼結、あるいは炉内への堆積が防ＩＩ−
をれる。
４に移動し、そこから排出管８を通って回収装置に送ら
れる。即ち搬送ガス供給筒部から排出口４に向けて搬送
ガスが吹き出されている為、排出口４の場所においては
サクシ言ン効果が生じそこが負圧状な−となる。又噴出
口ρからは常に溶湯４】の表面に向けてプラズマ化用の
ガスが噴出されている（アーク伯が他の場所に至った後
も）。この為」１記溶湯４１の上方に放出された微粒子
は、噴出口ρから溶湯４１の表面に向かいその後排出口
４に向かうガスの流れに乗って、矢印で示される如くわ
ｉ出１１４へ速やかに移動し、更に排出管８を通って凹
１１！装置に向けて送られる。その結果、生成された粒
子の二次納会や焼結、あるいは炉内への堆積が防ＩＩ−
をれる。
上記の様な溶湯４１からの微粒子の放出は、アーク４０
がＩＩＩ！ｌ出口ｎに沿って順次回動することにより、
溶＃Ｊ４１のどの部分においても同様に行なわれる。
がＩＩＩ！ｌ出口ｎに沿って順次回動することにより、
溶＃Ｊ４１のどの部分においても同様に行なわれる。
また溶ｆｂｊｒ表面においてアークヌボットが滑らかに
移動する為、溶湯の加熱及び冷却がスムーズに行なわれ
、その結果、粒子の発生速度及び＃Ｉ ｔ’Ｌが均一と
なる。更に、アーク舶が前述の様に回動していることに
よって、一部の箇所の溶湯４１に上述の如くガスが吸蔵
されている間に同時に他の場所においては上述の如くガ
ス及び微粒子の放出が行なわれる。従って溶ＩＩＪ４１
の全体からは非常に多Ｊ社の微粒子が連続的に放出され
る。
移動する為、溶湯の加熱及び冷却がスムーズに行なわれ
、その結果、粒子の発生速度及び＃Ｉ ｔ’Ｌが均一と
なる。更に、アーク舶が前述の様に回動していることに
よって、一部の箇所の溶湯４１に上述の如くガスが吸蔵
されている間に同時に他の場所においては上述の如くガ
ス及び微粒子の放出が行なわれる。従って溶ＩＩＪ４１
の全体からは非常に多Ｊ社の微粒子が連続的に放出され
る。
次に、上記アーク菊の回動は一般に０．１〜１（）ＯＲ
３程度の速度で行なわせることができるが、その速度は
微粒子を得ようとする原料の熱伝導率、或いはアークの
エネルギー量、或いは水冷ルツボ２による溶湯４１の冷
却能力等に応じて決めるのがよい。即ち溶ｆＭｉ４］の
各部がアーク４０を照射されでいる時にはそこが十分に
高濡状典となって多ｈ）゛のガスがそとに吸蔵され、一
方そこからアーク４０が退避した時にはその部分が醗固
しない範囲内で十分に温度が低下し、そこから多Ｍ１の
ガスと共に多量の微粒子が放出される状態となる様に決
めるの。
３程度の速度で行なわせることができるが、その速度は
微粒子を得ようとする原料の熱伝導率、或いはアークの
エネルギー量、或いは水冷ルツボ２による溶湯４１の冷
却能力等に応じて決めるのがよい。即ち溶ｆＭｉ４］の
各部がアーク４０を照射されでいる時にはそこが十分に
高濡状典となって多ｈ）゛のガスがそとに吸蔵され、一
方そこからアーク４０が退避した時にはその部分が醗固
しない範囲内で十分に温度が低下し、そこから多Ｍ１の
ガスと共に多量の微粒子が放出される状態となる様に決
めるの。
がよい。
以上のようにこの発明にあっては、炉体内に配設される
原料は環状に配設されるから、その原料の表面を広い面
積にすることができ、これにより微粒子の発生面を奢る
しく広くして生産性を高め得る効果がある。
原料は環状に配設されるから、その原料の表面を広い面
積にすることができ、これにより微粒子の発生面を奢る
しく広くして生産性を高め得る効果がある。
また不発明においては、リングフーラズマトーチ１５の
噴出１１２２は環状であって、フ゛ラズマアーク和は上
記環状の噴出口ηに沿って回動する特長がある。
噴出１１２２は環状であって、フ゛ラズマアーク和は上
記環状の噴出口ηに沿って回動する特長がある。
その結果、フ゛ラズマアークによる環状の原料表面の照
射状態は、環状のトラックを走者が走るようにアーク４
０はグルグルと巡回する状態となる。これにより原料の
各所において加熱と非加熱が繰り返えされて、微粒子の
発生は促進される効果が生じる。
射状態は、環状のトラックを走者が走るようにアーク４
０はグルグルと巡回する状態となる。これにより原料の
各所において加熱と非加熱が繰り返えされて、微粒子の
発生は促進される効果が生じる。
さらに本発明にあっては、上記の如く原料の表面の配置
を環状にして著しく広い原料表面を構成して、そこから
大量の微粒子を発生させる様に構成したものであっても
、上記微粒子をプラズマガスと共に回収する為の排出口
４は上記環状に配された原料の中９部に設けであるから
、上記環状に配された原料表面から発生した微粒子は夫
々中火部に集合きれて排出される特長がある。このとと
は、広い原料面から炉体内に向けて逸散する微粒子が′
φ体壁に付着する瞥害を防ぐと共に、炉体内に微粒子が
堆積することによる育成粒子の収量の減少を防ぐことも
でき、結局回収率の向上に役立つ画期的効果がある。
を環状にして著しく広い原料表面を構成して、そこから
大量の微粒子を発生させる様に構成したものであっても
、上記微粒子をプラズマガスと共に回収する為の排出口
４は上記環状に配された原料の中９部に設けであるから
、上記環状に配された原料表面から発生した微粒子は夫
々中火部に集合きれて排出される特長がある。このとと
は、広い原料面から炉体内に向けて逸散する微粒子が′
φ体壁に付着する瞥害を防ぐと共に、炉体内に微粒子が
堆積することによる育成粒子の収量の減少を防ぐことも
でき、結局回収率の向上に役立つ画期的効果がある。
図面は不廟の実施例を示すもので第１図は縦断面図、第
２図はト」線断面図、第３図は溶湯とリングフ゛ラズマ
トーチとアークとの関係を示す略本斜視図（部分図）。 ４１・・・溶ｍ、１５・・・リングフ′フスマトーチ、
（社）・・・アーク、４・・・排出［」。 第１図 第２図 第３図
２図はト」線断面図、第３図は溶湯とリングフ゛ラズマ
トーチとアークとの関係を示す略本斜視図（部分図）。 ４１・・・溶ｍ、１５・・・リングフ′フスマトーチ、
（社）・・・アーク、４・・・排出［」。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 炉体内において、下方には原料を、上方には上記原料に
向けてプラズマアークを照射し得るように構成したフ”
ラズマトーチを夫々配設し、上記原料に７”ラズマアー
クを照射して上記原料から微粒子を発生させるようにし
である微粒子製造装置において、上記原料は中空環状に
配設する一方、上記プラズマトーチは、上記原料の環状
に対応させた大きさの環状の噴出口を有するリングプラ
ズマトーチを用いてあり、さらに環状に配設された原料
の中空部には上記原料から発生する微粒子をフ”ヲズマ
ガスと共に流出させるための排出口を位置させたことを
特徴とする微粒子製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4234284A JPS60187605A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 微粒子製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4234284A JPS60187605A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 微粒子製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187605A true JPS60187605A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12633341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4234284A Pending JPS60187605A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 微粒子製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187605A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013189705A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
| CN108856703A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 两相球形材料及其制造装置、制造方法及板材的制造方法 |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP4234284A patent/JPS60187605A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013189705A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
| CN108856703A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 两相球形材料及其制造装置、制造方法及板材的制造方法 |
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