JPS60186048A - リ−ドフレ−ムの形成法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムの形成法

Info

Publication number
JPS60186048A
JPS60186048A JP24441584A JP24441584A JPS60186048A JP S60186048 A JPS60186048 A JP S60186048A JP 24441584 A JP24441584 A JP 24441584A JP 24441584 A JP24441584 A JP 24441584A JP S60186048 A JPS60186048 A JP S60186048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piece
pieces
lead frame
lead
wide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24441584A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Otani
大谷 暢生
Usuke Enomoto
榎本 宇佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP24441584A priority Critical patent/JPS60186048A/ja
Publication of JPS60186048A publication Critical patent/JPS60186048A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明はリードフレーム、特に半導体素子用リードフレ
ームの形成法に関するものである。□[背景技術] 間隔をおいて平行に走る異なる幅の一対の連結片部と、
これらの連結片部の長さ方向に沿って所定間隔毎に配置
され前記連結部間から幅広の一方の連結片部の側方にの
びるリード片部とを具備する半導体素子用リードフレー
ムは既に知られている(例えば、特公昭4’3−157
27号公報)。この種のリードフレーム′は一枚の板か
ら打抜きによって作られている。しかるに、従来、リー
ドフレームの打抜外に際して、フレーム上下端(連結片
部の長さ方向と直角な方向)の抜きのバランスが悪く、
半導体素子自動組立機において送り穴とl−で使われる
センター穴が中心線上に並ばずに蛇行し、製品の歩留を
悪くしていた。つまり、幅のせまい連結片部がそれより
も幅の太い連結片部に比べてプレスの時にのばされるた
め、リードフレーム全体がそってしまう。
[発明め目的] 本発明の目的は打抜きに際してセンター穴の蛇行を大幅
に減少させ得るリードフレームの形成法を提供すること
である。
[発明の概要] この目的を達成するために本発明は、幅広の連結片部に
所定間隔をおいて溝を形成したものである。
[実施例] 第1図および第2図は本発明の一実施例を示すものであ
る。図において、11は相対的に幅広の連結片部、12
は相対的に幅狭の連結片部であり、両者は互いに平行で
あり、所定間隔ごとに橋絡片部13で結合されてフレー
ム本体10を形成している。連結片部11及び12の間
の部分から連結片部]1の側方にのびるように、しかも
連結片部11.12の長さ方向に沿って所定の間隔をお
いて半導体素子形成用リード片部20がフレーム本体1
0と一体に形成されている。以上の構造はプレスによる
打抜き加工で形r#、されるものである。
連結片部11には、この発明の教示にしたがって、相隣
接する2つのリード片部20相互間のほぼ中間位置に溝
14がプレスにより形成されている。溝14は連結片部
11の外側から内側へと長さ方向と直角な方向に、幅方
向の全部には達しないように形成される。
[効果] この溝14を形成することにより、連結片部11がわず
かに伸ばされる結果、連結片部11゜12間のバランス
を保つことができ、それにより、適当に設けられた幅広
の橋絡片部にあけられたセンター穴15の蛇行、すなわ
ち、中心線A−A’からのずれを極少に抑えることがで
きる。
なお、第2図には断面V形の溝14を示しrこが、溝の
断面形状はこれに限定されることはなく、たとえば第3
図に示すように四角形の溝16でもよく、さらにはU形
や台形など適宜選定することがで鰺る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図、 第2図は第1図のll−Tl’線から見た拡大断面図、 第3図は溝の断面形状の異なる例を示す第2図と同様の
断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 間隔をおいて平行に走る異なる幅の一対の連結片部と、
    これらの連結片部の長さ方向に沿って所定間隔毎に配置
    されたリード片部とを有する橋絡片部とを打抜きで形成
    するり一′1′フレームの形成法において、前記幅広の
    連結片部には、所定間隔をおいて溝を形成することを特
    徴とするリードフレームの形成法。
JP24441584A 1984-11-21 1984-11-21 リ−ドフレ−ムの形成法 Pending JPS60186048A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24441584A JPS60186048A (ja) 1984-11-21 1984-11-21 リ−ドフレ−ムの形成法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24441584A JPS60186048A (ja) 1984-11-21 1984-11-21 リ−ドフレ−ムの形成法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13996977A Division JPS5472963A (en) 1977-11-24 1977-11-24 Lead frame for semiconductor element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60186048A true JPS60186048A (ja) 1985-09-21

Family

ID=17118321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24441584A Pending JPS60186048A (ja) 1984-11-21 1984-11-21 リ−ドフレ−ムの形成法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60186048A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5313358A (en) * 1976-07-22 1978-02-06 Toshiba Corp Manufacture of lead frame
JPS5472963A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Lead frame for semiconductor element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5313358A (en) * 1976-07-22 1978-02-06 Toshiba Corp Manufacture of lead frame
JPS5472963A (en) * 1977-11-24 1979-06-11 Hitachi Ltd Lead frame for semiconductor element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4633583A (en) Method of making a lead frame for integrated circuits
GB1407226A (en) Gratings
JPS60186048A (ja) リ−ドフレ−ムの形成法
US4593842A (en) Watch band
IT1209541B (it) Matrice di laser a semiconduttore ad aggancio di fase e metodo di fabbricazione della stessa.
JPS62102549A (ja) 多面付けエツチング製品
US4301437A (en) Impedance coil core
JPS62188350A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH05109957A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム
KR920001786Y1 (ko) 비데오 카세트용 서포트 스프링
JPS647681A (en) Distributed reflex semiconductor laser
JPH0219921Y2 (ja)
JPS60121747A (ja) 半導体装置
JPH03270024A (ja) 高出力fetチップ
KR910002590Y1 (ko) 슬라이드파스너의 상지구
JPS5683959A (en) Semiconductor device
JPH0499343A (ja) Tab―icリードフレーム構造
JPH03116740A (ja) 半導体装置のケース
JPH081941B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH0451553A (ja) 半導体装置
JP2996253B2 (ja) フィルム液晶表示素子の製造方法
JPS5759367A (en) Semiconductor container
JPH0141034B2 (ja)
JPH01163342U (ja)
JPS633463B2 (ja)